EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática 01 – Ensaio de Fotoelasticidade (Análise de Tensões) Prof. Leonardo Kyo Kabayama 1 EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Análise de Tensões Objetivo: determinar as tensões que atuam nas faces de cubos elementares que representam os pontos críticos e permitir estabelecer suas tensões equivalentes com base em critérios de resistência referentes a cada possível modo de falha. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Análise de Tensões Objetivo: definir e analisar os estados de tensões nos diversos pontos críticos de componentes novos ou daqueles que já entraram em operação e podem apresentar algum tipo de deterioração pelo uso, para então verificar a admissibilidade de sua utilização segura. Confiabilidade EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Análise de Tensões Importante ferramentas para a análise e otimização que possibilita dimensionar, de modo rápido e seguro, uma peça a ser fabricada, considerando os requisitos estruturais, características funcionais e restrições impostas pelo processo de fabricação. Descontinuidades Geométricas (Concentradores de Tensões) EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Falhas Como a falha se dá no ponto de alta tensão localizada, qualquer descontinuidade, seja ela acidental (falha de fundição, bolha, risco na usinagem,...) ou intencional (rasgo de chaveta, furo para pino, escalonamento de diâmetro,...) poderá iniciar tal tipo de deterioração. Um coeficiente de segurança (CS) deve ser adotado para cobrir os casos de falha acidental. Já as descontinuidades previstas no projeto (para montagens, uniões, juntas, etc) devem ser consideradas com adoção de fatores apropriados (Kt) relacionados com a concentração de tensões. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Concentração de tensão Entalhes, furos, rasgos e outras descontinuidades geométricas podem Concentrar, localmente, as tensões num sólido. A tensão real pontual σ atuando na região de concentrações de tensões é maior que a tensão nominal S aplicada na seção resistente do sólido, a saber: sendo kt é o fator de concentração de tensões. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Concentração de tensão EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Concentração de tensão ππáπ₯ = πΎπ‘ β πππ£π EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática 2π πΎπ‘ = 1 + π π2 π= π π πΎπ‘ = 1 + 2 β π EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática π πΎπ‘ = 1 + 2 β π π2 π= π π→0 π‘πππππ π→0 πππ‘ãπ π β« π, π π β« 1 ∴ πΎπ‘ = 2 β π ππáπ₯ = πΎπ‘ β πππ£π π π πΎπ‘ → ∞ ∴ ππáπ₯ → ∞ EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Análise de tensões Análise de tensões e é de fundamental importância na otimização de projetos de componentes, tais como engrenagens, ganchos, etc. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Análise de tensões Existem vários métodos possíveis para a determinação qualitativa e quantitativa dos níveis e das distribuições de tensões em componentes. Entre estes métodos pode-se citar: os métodos gráficos, como o círculo de Mohr, os métodos numéricos, como o método dos elementos finitos, e os métodos experimentais tais como a extensômetria e a fotoelasticidade. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática ο³ xο’ ο½ ο³ yο’ ο½ ο³ x ο«ο³ y 2 ο³ x ο«ο³ y 2 ο΄ xο’yο’ ο½ ο ππ₯´ − ππ₯´ − ο« ο ο³ x οο³ y 2 ο³ x οο³ y ο³ x οο³ y 2 2 cos 2ο± ο« ο΄ xy sin 2ο± cos 2ο± ο ο΄ xy sin 2ο± sin 2ο± ο« ο΄ xy cos 2ο± ππ₯ + ππ¦ ππ₯ − ππ¦ = β πππ 2π + ππ₯π¦ β π ππ2π 2 2 ππ₯ + ππ¦ 2 2 2 + ππ₯´π¦´ = ππ₯ − ππ¦ 2 2 2 +ππ₯π¦ Prof. Leonardo Kyo Kabayama 17 EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Fotoelasticidade A fotoelasticidade é definida como a técnica experimental para análise de tensões e de deformações através da utilização de modelos constituídos de polímeros transparentes os quais apresentam anisotropia ótica ou birrefringência quando deformados, exibindo um fenômeno de dupla refração. Esses fenômenos são observados através da luz polarizada plana ou circular. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Foto + elasticidade A fotoelasticidade utiliza os conceitos da ótica (propagação da luz, polarização, refringência ou refração, reflexão, etc.) EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Foto + elasticidade • Os materiais possuem a propriedade chamada de elasticidade: – quando são aplicadas forças a um corpo elástico • ele sofre uma deformação que desaparecerá quando cessarem estas forças. • desde que essas forças não se ultrapassem o limite de resistência elástica do material. – os materiais são perfeitamente elásticos, ou seja, sempre recuperarão a forma original quando cessar a aplicação das forças. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Existem basicamente dois procedimentos para analisar as deformações de uma peça por Fotoelasticidade: 1 - construir um modelo da peça com material fotoelástico, submetendo-o a ensaios. 2- tornar a superfície da peça espelhada de modo a refletir a luz incidente e recobrir esta superfície com uma película de material birrefringente. POLARISCÓPIO - UM PROJETO VIÁVEL João J. Souza e Sérgio Giangiulio EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Descrição do ensaio A passagem da luz polarizada através de um material fotoelástico sob tensão irá gerar franjas luminosas, formar desenhos que uma vez analisados e medidos, irão determinar as deformações e tensões do material, com as quais apresenta relações matemáticas precisas. POLARISCÓPIO - UM PROJETO VIÁVEL João J. Souza e Sérgio Giangiulio EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Detalhes 1. luz polarizada 2. material fotoelástico 3. franjas luminosas EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática 1.Luz • A luz ou raios luminosos: – pela teoria eletromagnética: • ondas transversais, com direções de vibração dos campos elétricos e magnéticos perpendiculares à direção de propagação. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática 1.Luz • As fontes comuns de luz emitem energia radiante: • que propaga em todas as direções abrangendo todo o espectro de freqüência de vibrações e comprimentos de onda. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática 1.Luz polarizada • Quando a luz comum atravessa um filtro polarizador, apenas os componentes dos trens de onda cujos vetores elétricos vibram paralelamente à direção de orientação do filtro serão transmitidos, neste caso os outros vetores elétricos serão absorvidos pelo filtro. • Por definição podemos então dizer que a luz polarizada possui vetores elétricos que vibram em planos de orientação paralela. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Representação da polarização da luz EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Filtros polarizadores • Os filtros polarizadores ou Polaróides basicamente são placas de plástico flexível, nas quais durante o processo de fabricação são inseridas moléculas de cadeia longa. A direção de polarização é estabelecida estirando-a de modo que as moléculas se alinhem todas paralelamente entre si. • Desta forma, quando um trem de ondas de uma luz comum incidir sobre o filtro, será transmitido apenas o componente paralelo a orientação do filtro. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Filtros polarizadores Caso sejam utilizados dois filtros polarizadores no trajeto luminoso, será de extrema importância conhecer-se o ângulo formado entre as orientações de propagação de ambos, pois dele dependerá a intensidade luminosa transmitida, este fenômeno é equacionado pela Lei de Malus: I = Im cos2θ Onde: I = intensidade transmitida Im = intensidade máxima de transmissão θ= ângulo entre as direções de propagação dos filtros Segundo a Lei de Malus a intensidade luminosa transmitida será: ο Máxima; - quando o ângulo θ assumir os valores 00 e 1800 (orientação paralela) e ο Mínima; - quando o ângulo θ assumir os valores 900 e 2700 (orientações ortogonais) EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Análise da luz com dois filtros polarizadores dispostos ortogonalmente EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática 2.Refringência Refringência se refere ao índice de refração de um meio. Todo meio homogêneo, transparente e isótropo é um meio refringente. Um meio é mais refringente que o outro quando seu índice de refração é maior. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática 2.Birrefringência EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Birrefringência acidental • O fenômeno da dupla refração acidental foi descoberto em 1813 por Seebeck e em 1816 foi relacionado com o estado de deformação do meio transparente por David Brewster, o qual apresentou um relatório sugerindo a possibilidade da determinação experimental de tensões a partir de modelos estruturais transparentes. Martins, G. P. FOTOELASTICIDADE: Primeiros Passos EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Birrefringência acidental • Tomemos um material transparente à incidência de uma luz comum, caso submetendo-o à solicitação de cargas externas apresente dois índices de refração na incidência de uma luz polarizada, podemos dizer que este material apresenta a birrefringência acidental. • Os eixos de birrefringência coincidem com os eixos das principais tensões ou deformações de um corpo. • Esta propriedade inerente dos materiais fotoelásticos é útil nos estudos de projetos de Engenharia, pois permite estudos qualitativos e quantitativos da distribuição das tensões dos modelos. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Material fotoelástico Um material fotoelástico de uso geral deve possuir certas propriedades fundamentais: • boa transparência à luz empregada no polariscópio; • sensibilidade às tensões e deformações, verificada com um baixo valor da franja do material e um elevado módulo de elasticidade; • isotropia ótica e mecânica; • homogeneidade; • valor de franja praticamente constante com a temperatura; • livre de efeito de borda; • usinável por métodos convencionais; • livre de tensões residuais; • baixo custo; • passível de fundição em grandes tamanhos. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Polariscópio O Polariscópio é um equipamento que permite a análise das tensões e suas distribuições em modelos de materiais transparentes utilizando-se as técnicas da Fotoelasticidade. Basicamente um Polariscópio deve possuir: - fonte de luz - dois filtros polarizadores ( polarizador e analisador ) - sistema de fixação dos modelos EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Prof. Leonardo Kyo Kabayama 44 EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Fotoelasticidade A teoria da fotoelasticidade é regida pela lei de Brewster a qual estabelece que velocidades de difração diferentes ou índices de difração diferentes são provocados pelo estado de tensões no ponto. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Lei de Brewster A lei de Brewster determina que a mudança do índice de refração é proporcional a diferença entre as deformações principais. Utilizando esta formulação pode-se obter a relação básica para a medida de deformação, em termos das tensões principais, denominada de lei ótica das tensões, sendo dada por: N ο³ 1 ο ο³ 2 ο½ ο fο³ t N οο¬ N ο³1 ο ο³ 2 ο½ ο½ ο fο³ c οt t Sendo: N = ordem da franja isocromática que é lido no polariscópio; t = espessura do modelo; fο³ = fator de calibração ótico do material; ο³1 e ο³2 = tensões principais paralelas ao plano do modelo ou fatia. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática 3. Franjas A informação do ensaio de fotoelasticiade é fornecida em forma de franjas isóclinas e isocromáticas, tornando-se possível determinar as direções e intensidades das tensões. Assim, a análise é realizada a partir da ordem de franjas (N), que é diretamente proporcional à diferença entre as tensões principais (σ1 – σ2). Franjas Isóclinas (ou Isoclínicas) Franjas Isocromáticas EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Franjas Isocromáticas São franjas pretas, onde ocorre a completa extinção da luz, que aparece em um polariscópio plano observadas no lugar geométrico dos pontos do modelo que possuem a mesma direção das tensões principais. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Franjas Isocromáticas Por outro lado, o polariscópio possibilita, também, a obtenção da direção que as tensões principais formam com o sistema de coordenadas escolhido. Esta direção pode ser obtida valendo-se da propriedade das isóclinas: “Uma isóclina é o local geométrico ao longo do qual as direções das tensões principais são as mesmas em todos os seus pontos”. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Franjas Isóclinas (ou Isoclínicas) São franjas coloridas observadas no lugar geométrico em que ocorrem as tensões principais. Este parâmetro é facilmente identificado no polariscópio circular, que tem a propriedade de eliminar o parâmetro das isóclinas. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Franjas Isóclinas (ou Isoclínicas) Quando a fonte for luz branca, as isóclinas são formadas por faixas de diferentes colorações, sendo estas seqüenciadas em ordens de franjas (N): - Franja de ordem N = 0 --- Preta - Franja de ordem N = 1 --- transição violeta/azul - Franja de ordem N = 2 --- transição vermelho/verde - A partir deste ponto todas as franjas de ordens inteiras são determinadas pela transição vermelho/verde EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática N ο³ 1 ο ο³ 2 ο½ ο fο³ t Prof. Leonardo Kyo Kabayama 55 EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Prof. Leonardo Kyo Kabayama 56 EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Fotoelasticiade Exemplo de Aplicações A fotoelasticidade tem em vários campos da engenharia, medicina, odontologia, podendo citar entre eles: EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Exemplos de Aplicações 1. Determinação precisa de fatores de concentração de tensões; 2. Determinação qualitativa da distribuição de tensões em componentes, localizando pontos mais solicitados e suas direções principais para que se possa fazer uma análise posterior por outro método de análise de tensões tais como a utilização de extensômetros elétricos, com conseqüente economia; 3. Determinação das direções principais nos dentes, durante a mastigação no campo da odontologia; 4. Determinação da distribuição de tensões na estrutura óssea em corpos humanos tais como, na coluna, nos membros superiores e inferiores do corpo humano, em medicina. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Exemplos de Aplicações 1. Determinação precisa de fatores de concentração de tensões; EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática O fator de concentração de tensões (Kt) pode ser obtido a partir da relação entre a tensão máxima (σmax) na região de descontinuidade e a tensão nominal (σn). Kt = (σmax) / (σn) No caso da utilização da técnica fotoelástica, o fator de concentração de tensões pode ser obtido a partir da razão entre a ordem da franja no ponto de máxima tensão (N1) e a ordem na região fora do alcance do efeito do concentrador de tensões (N2): Kt = (N1) / (N2) EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Exemplos de Aplicações 2. Determinação qualitativa da distribuição de tensões em componentes, localizando pontos mais solicitados e suas direções principais para que se possa fazer uma análise posterior por outro método de análise de tensões tais como a utilização de extensômetros elétricos, com conseqüente economia; EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Na fotoelasticidade bidimensional convencional, um modelo é construído com uma chapa de material fotoelástico. O modelo é colocado em um polariscópio com o seu plano normal paralelo ao eixo do polariscópio. São aplicados carregamentos ao modelo e são registrados e interpretados os padrões de franjas referentes às isóclinas e às isocromáticas. Assumindo-se que as tensões perpendiculares à placa (direção z) são iguais a zero (σz = 0), pode-se obter a diferença entre as tensões principais e as direções das tensões principais. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Exemplo de modelo fotoelastico bidimensional submetido a carregamento (setas vermelhas) e visto em um polariscopio de transmissão. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Exemplos de Aplicações 3. Determinação das direções principais nos dentes, durante a mastigação no campo da odontologia; EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Padrão de franjas fotoelásticas obtidas obtido com a aplicação de 100 N sobre uma prótese metálica. ROBERTO ADRIAN MARKARIAN BIOMECÂNICA DA TRANSMISSÃO DE CARGAS A IMPLANTES UNITÁRIOS EM FUNÇÃO DOS MATERIAIS PROTÉTICOS - ANÁLISE FOTOELÁSTICA E DINÂMICA EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática Exemplos de Aplicações 4. Determinação da distribuição de tensões na estrutura óssea em corpos humanos tais como, na coluna, nos membros superiores e inferiores do corpo humano, em medicina. EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática ANÁLISE FOTOELÁSTICA DE UM MODELO DE VÉRTEBRA HUMANA COM PARAFUSO PEDICULAR DAYANA POUSA PAIVA DE SIQUEIRA, SARAH FAKHER FAKHOURI, CLEUDMAR AMARAL DE ARAÚJO, HELTON LUIZ APARECIDO DEFINO, ANTÔNIO CARLOS SHIMANO EME505P – Resistência dos Materiais II – Prática ANÁLISE FOTOELÁSTICA DE UM MODELO DE VÉRTEBRA HUMANA COM PARAFUSO PEDICULAR DAYANA POUSA PAIVA DE SIQUEIRA, SARAH FAKHER FAKHOURI, CLEUDMAR AMARAL DE ARAÚJO, HELTON LUIZ APARECIDO DEFINO, ANTÔNIO CARLOS SHIMANO