MINISTÉRIO DA EDUCAÇÃO
UNIVERSIDADE FEDERAL DE GOIÁS
ESCOLA DE ENGENHARIA ELÉTRICA, MECÂNICA E DE COMPUTAÇÃO
PLANO DE ENSINO
DISCIPLINA:
PERÍODO:
CURSO:
CARGA HORÁRIA:
SEMESTRE LETIVO:
DIAS / HORÁRIOS:
PROFESSOR:
Eletrônica I
6º
Engenharia de Computação
64 h
2023/1
terça-feira e quinta-feira /08h50min–10h40min (CAE – sala 202)
Luiz Henrique Reis de Jesus (luiz_henriquerj@ufg.br)
1. OBJETIVOS
Oferecer ao estudante conhecimentos que permitam:
Conhecer os principais componentes eletrônicos;
Analisar circuitos que utilizam o amplificador operacional;
Analisar circuitos que utilizam transistores TBJ e FET ;
Utilizar a simulação computacional na análise e projeto de algumas classes de circuitos eletrônicos.
2. EMENTA
Amplificadores Operacionais: Circuitos Básicos e Amplificadores em Baixa Frequência; Transistor Bipolar
de Junção; Transistor de Efeito de Campo; Fontes de Alimentação Reguladas.
3. PROGRAMA
Unidade I: Amplificadores Operacionais (Amp.Op.)
O Amp.Op. ideal
Configuração inversora
Configuração não-inversora
Exemplos de circuitos com Amp.Ops
Resposta em frequência de sistemas de primeira ordem
Desempenho dos amplificadores operacionais
Imperfeições dos Amp.Ops.
Unidade II: Transistores Bipolares de Junção (TBJ)
Estrutura física do transistor bipolar de junção (TBJ)
Modos de operação do TBJ: transistor NPN e transistor PNP
Análise CC de circuitos com transistores
Amplificadores com TBJ
Modelos equivalentes de pequenos sinais
Análise gráfica
Polarização do TBJ
Configurações básicas em estágios simples
Operação como chave
Outras características dos TBJ.
Unidade III: Transistores de Efeito de Campo (FET)
Estrutura física do transistor de efeito de campo (FET) tipo enriquecimento e tipo depleção
Análise CC de circuitos com transistores
Polarização do FET
Amplificadores com FET
Modelos equivalentes de pequenos sinais
Análise gráfica
Configurações básicas em estágios simples
Operação como chave
Outras características dos FETs.
MINISTÉRIO DA EDUCAÇÃO
UNIVERSIDADE FEDERAL DE GOIÁS
ESCOLA DE ENGENHARIA ELÉTRICA, MECÂNICA E DE COMPUTAÇÃO
Unidade IV: Fontes de alimentação reguladas
Configuração de fontes de alimentação reguladas
Reguladores de tensão integrados para fontes fixas
Reguladores de tensão integrados para fontes ajustáveis.
4. METODOLOGIA DE ENSINO
Aulas teóricas expositivas (quadro e datashow);
Estudo dirigido para a resolução de exercícios;
Utilização de simulação computacional.
5. AVALIAÇÃO
Avaliação
1º Teste
2º Teste
3º Teste
Optativa
Peso
3,2
3,4
3,4
*
Data Prevista
25/05/2023
18/07/2023
15/08/2023
24/08/2023
Conteúdo provável
Unidade I
Unidade II
Unidade III e IV
Todo o conteúdo
Os Listas Avaliativas previstas na tabela serão individuais, discursivas e com consulta.
A avaliação optativa somente será oferecida a quem não atingiu a nota para aprovação na disciplina. A nota
obtida nesta prova substituirá a menor nota dos testes com o seu respectivo peso.
Eventualmente, poderão ser aplicadas avaliações rápidas, com ou sem consulta, contendo uma ou duas questões
para serem feitas em sala-de-aula ou ambiente virtual, podendo ou não contribuir para a obtenção da média. A
frequência mínima para aprovação é de 75% da carga horária total (64 horas-aula).
6. CRONOGRAMA
Unidade I
O AmpOp ideal
Configuração inversora
Configuração não-inversora
Exemplos de circuitos com AmpOps
Resposta em frequência de sistemas de primeira ordem
Desempenho dos amplificadores operacionais
Imperfeições do AmpOps
Avaliação: 1º teste
Carga horária desta unidade (horas-aula):
Carga horária
2
1
1
4
4
3
3
2
20
Unidade II
Estrutura física do transistor bipolar de junção (TBJ)
Modos de operação do TBJ: transistor NPN e transistor PNP
Análise CC de circuitos com transistores
Polarização do TBJ
Amplificadores com TBJ
Modelos equivalentes de pequenos sinais
Análise gráfica
Configurações básicas em estágios simples
Operação como chave
Outras características dos TBJ
Avaliação: 2º teste
Carga horária desta unidade (horas-aula):
Carga horária
2
2
2
2
2
2
1
2
2
2
2
21
MINISTÉRIO DA EDUCAÇÃO
UNIVERSIDADE FEDERAL DE GOIÁS
ESCOLA DE ENGENHARIA ELÉTRICA, MECÂNICA E DE COMPUTAÇÃO
Unidade III
Estrutura física do transistor de efeito de campo (FET) símbolos
Polarização de amplificadores discretos e integrados com JFETs
Amplificadores com JFET
Modelos equivalentes de pequenos sinais
Configurações básicas em estágios simples
Operação como chave
Exemplos de circuitos com JFETSs
Carga horária desta unidade (horas-aula):
Carga horária
3
2
2
4
2
2
2
17
Unidade IV
Configuração de fontes de alimentação reguladas
Reguladores de tensão integrados para fontes fixas
Reguladores de tensão integrados para fontes ajustáveis
Avaliação: 3° teste
Carga horária desta unidade (horas-aula):
Carga horária
1
1
2
2
6
7. BIBLIOGRAFIA
SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth C. Microeletrônica. Pearson / Prentice Hall, São Paulo, 5ª Edição, 2007,
848p. ISBN: 978-85-7605-022-3. (livro texto)
BOYLESTAD, Robert; NASHELSKY, Louis. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. PrenticeHall do Brasil, 5a Edição, 1994. (livro texto)
8. BIBLIOGRAFIA COMPLEMENTAR
SEDRA, ADEL S.; SMITH, KENNETH C. MICROELETRÔNICA. PEARSON / PRENTICE HALL,
SÃO PAULO, 4ª EDIÇÃO, 2000, 848P. ISBN: 85-346-1044-4. (LIVRO TEXTO)
MILLMAN, Jacob; GRABEL, Arvin. Microeletrônica -Volumes I e II. McGraw-Hill, Lisboa, 2a Edição,
1992. (leitura complementar)
PERTENCE Jr, Antonio. Amplificadores Operacionais e Filtros Ativos. Editora McGraw-Hill, São Paulo,
2ª edição. (leitura complementar)