Universidad Veracruzana
Ingeniería en Instrumentación Electrónica
Física de Semiconductores y Materiales
Practica 4
Facilitador: Gonzales Maruinez Francisco Javier
Equipo:
Jovany Villalva Cervantes
Carabeo Lopez Darwin Alberto
CALLEJAS FLORES ELIA Guadalupe
PINO HERNANDEZ ISAAC DE JESUS
Lara Hernández Daniel
Tercer semestre
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Objetivo: El propósito de esta práctica es familiarizarse con la caracterización y el
análisis de un transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor) mediante la construcción y estudio de sus curvas de transferencia y
salida.
Materiales Utilizados:
Transistor MOSFET (tipo y modelo específicos).
Fuente de alimentación.
Multímetro.
Resistencias y elementos de conexión.
Placa de circuito o protoboard.
Osciloscopio.
Procedimiento:
Conexión del Circuito:
• Se montó el circuito en una placa de circuito o protoboard, conectando el
transistor MOSFET con la fuente de alimentación y resistencias necesarias
según el datasheet del componente.
Medición de Parámetros:
• Se midieron los parámetros clave del MOSFET, como Vgs (tensión
compuerta-fuente), Id (corriente de drenador), y Vds (tensión drenadorfuente), utilizando un multímetro.
Curva de Transferencia:
• Se varió la tensión en la compuerta (Vgs) y se midió la corriente de drenador
(Id) para construir la curva de transferencia del MOSFET. Se identificaron las
regiones de saturación, corte y triodo.
Curva de Salida:
• Manteniendo una tensión de compuerta constante, se varió la tensión
drenador-fuente (Vds) y se midió la corriente de drenador (Id) para construir
la curva de salida. Se analizaron las regiones de saturación y corte.
Análisis de Datos:
• Se analizaron los datos recopilados para determinar la región de operación
del MOSFET y se compararon los resultados con las especificaciones del
datasheet.
Verificación con Osciloscopio:
• Se utilizó un osciloscopio para visualizar las formas de onda de entrada y
salida del MOSFET, verificando el comportamiento en diferentes condiciones
de operación.
Resultados:
Se obtuvieron curvas de transferencia y salida que caracterizan el comportamiento
del MOSFET.
Se identificaron las regiones de operación y se verificó que el dispositivo operara
dentro de los límites seguros.
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Conclusiones:
La práctica proporcionó una comprensión práctica del comportamiento del MOSFET
y cómo los cambios en las condiciones de operación afectan sus características.
Se reforzaron conceptos teóricos sobre las regiones de saturación, corte y triodo.
La experiencia con el osciloscopio permitió visualizar la respuesta dinámica del
MOSFET.
1. Eje X e Y:
• Eje X: Representa la variable de entrada, generalmente la tensión en la
compuerta del MOSFET (Vgs) o la corriente de entrada.
• Eje Y: Representa la variable de salida, típicamente la corriente que fluye
desde el drenador a la fuente (Id) o la tensión drenador-fuente (Vds).
2. Curva de Transferencia (Id vs. Vgs):
• Muestra cómo la corriente de drenador (Id) varía con la tensión de la
compuerta a la fuente (Vgs).
• Caracteriza la región de saturación, corte y triodo del MOSFET.
3. Curva de Salida (Id vs. Vds):
• Ilustra cómo la corriente de drenador (Id) cambia con la tensión drenadorfuente (Vds) para un valor dado de Vgs.
• Revela la región de saturación y corte del MOSFET.
4. Región de Operación:
• Identifica la región en la que el MOSFET está operando (saturation, corte,
triodo) según las curvas de transferencia y salida.
5. Zona Segura:
• Se debe asegurar que la operación del MOSFET se encuentre dentro de sus
límites seguros de corriente y tensión para evitar daños.
Evidencias en Imágenes: