Section name | Section Symbol The microscopic insight into thermal evolution of the platinum buffer layer on Gr/Ge(110)/Si(110) samples Katarzyna Kwieciena , Marta Przychodniab, Norbert Przywieczerskia, Semir ElAhmarb, Wawrzyniec Kaszubc, Tymoteusz Ciukc, Wojciech Koczorowskib,d and Tomasz Grzelab. a Faculty of Technical Physics, Poznan University of Technology, Piotrowo 3, 60-965 Poznań, Poland b Institute of Physics, Poznan University of Technology, ul. Piotrowo 3, 60-965 Poznań, Poland c The Łukasiewicz Research Network - ITME, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warsaw, Poland d Centre for Advanced Technologies, Adam Mickiewicz University, ul. Umultowska 89C, 61-614 Poznań, Poland Rozwój mikroelektroniki, opartej głównie na krzemie (Si), jest mocno ograniczony ze względu na limity wynikające z praw fizyki. W związku z tym poszukuje się nowych materiałów, które mogłyby zastąpić Si w konkretnych zastosowaniach. Do takich materiałów zalicza się monowarstwa atomów węgla - grafen (Gr). Gr pomimo posiadania obiecujących właściwości fizycznych nadal nie zrewolucjonizował mikroelektroniki, a wiąże się to z kilkoma istotnymi problemami wpływającymi na jakość warstwy Gr: metoda jego wytwarzania (defekty powstające w wyniku przenoszenie na inne podłoże) oraz tworzenie efektywnych i stabilnych kontaktów elektrycznych do powierzchni Gr. Niniejsza praca przedstawia badania ewolucji termicznej cienkiej warstwy metalu (Pt, ~10 nm) na układzie Gr/Ge(110)/Si(110), w celu określenia wpływu warstw Gr na oddziaływania zarówno z warstwą grafenową jak i półprzewodnikowym podłożem. Docelowo analiza adsorpcji pojedynczych atomów metali, z atomową zdolnością rozdzielczą, pozwoli na określenie oddziaływań atomowych atom metaliczny - warstwa grafenu. Zagadnienie to jest istotne z punktu widzenia wytwarzania niskooporowych kontaktów do warstwy grafenowej i układu grafenu/Ge a w przyszłości wierzymy, iż wyniki są będą istotne ze względu na optymalizację procesu wytwarzania urządzeń elektronowych zawierających grafen wytworzony na podłożu półprzewodnikowym. Acknowledgements The work was partially financed from the statutory funds of The Łukasiewicz Research Network - ITME. TG and MP acknowledge the Polish Ministry of Science and Higher Education for financial support (Project No. 06/62/SBAD/6208). SA, RC and WK acknowledge the Polish Ministry of Science and Higher Education for financial support (Project No. 06/62/SBAD/1922). References [1] Should be justified to the left.
