Subject
Year
: Digital System
: 2009
Memory and Storage
Chapter 24
Overview
•
•
•
•
EPROM
Flash Memories
Memory Expansion
Special Type of Memories
Programmable ROM
• PROM adalah suatu tipe ROM khusus. Berbeda
dengan ROM biasa yang sudah terprogram dari
pabrik, ROM ini berada dalam kondisi kosong,
dan dapat diprogram dengan alat atau cara
khusus.
• PROM menggunakan cara penulisan yang sama
dengan ROM lainnya yaitu dengan fusing untuk
menyimpan data bit. Dimana link memorynya
akan “dibakar” ke jalur tertentu untuk
menandakan apakah data yang disimpan 0 atau
1. Setelah proses tersebut maka data yang ada
tidak dapat diubah.
Programmable ROM
• Fusable link dalam PROM dalam setiap memory, dalam
proses pemrograman jika data yang ditulis adalah 0
maka fuse diputuskan.
Programmable ROM
• Ada 3 teknologi yang digunakan dalam
pembuatan fuse :
– Metal: bahan yang digunakan adalah nichrome.
Ketika diprogram fuse tersebut diberikan arus yang
akan memutuskan cell.
– Silikon: terbuat dari polycrystalline silicon. Ketika
diprogram fuse akan dilelehkan oleh arus dan
menciptakan suatu insulasi.
– PN Junction: disebut juga avalanched induced
juction, terdiri dari 2 pn juction, ketika diprogram arus
akan menshort salah satu junction dan sisa nya
menjadi forward-biased diode yang
merepresentasikan data bit.
• PROM disebut juga One-Time Programming IC
EPROM
• EPROM adalah sebuah ROM yang dapat
dihapus. Berbeda dengan PROM yang hanya
dapat diprogram sekali, EPROM dapat
diprogram ulang apabila data pada memory
dihapus terlebih dahulu.
• Sebuah EPROM menggunakan array
NMOSFET dengan struktur insolated gate.
Isolated gate transistor ini tidak mempunyai
koneksi elektrik dan dapat menyimpan data
listrik untuk waktu yang lama
EPROM
• Data dalam array ini direpresentasikan oleh ada atau
tidaknya charge pada storing gate.
• Penghapusan dari data bit adalah proses yagn
menghapus gate charge.
• Ada 2 tipe erasable PROM yaitu UVEPROM dan
EEPROM
Flash Memory
• Flash memory adalah memory dengan
kapasitas besar yang bersifat non-volatile.
• Flash memory menggunakan transistor MOS
yang teridir dari sebuah control gate dan floating
gate.
• Floating gate dapat menyimpan elektron apabila
mendapatkan tegangan yang cukup pada
control gate nya.
• Sebuah data bernilai 0 apabila transitor tercharge elektron dan menyimpan 1 apabila tidak
ter-charge elektron.
Flash Memory
• Besarnya jumlah charge pada floating gate akan
menentukan apakah transistor akan menyala dan
menyalurkan arus dari Drain ke Source ketika operasi
sread berlangsung.
Comparison Table
• Table perbandingan antara jenis-jenis memory
Aplikasi dari Flash Memory
• Flash memory mempunyai beberapa aplikasi yang
dipakai pada komputer yaitu:
–
–
–
–
Memory module
Magnetic storage Hard Disk
Floppy Disk
Megneto Optical Storage (CD-ROM, DVD-ROM)
Memory Expansion
• Word-length Expansion
To increase the word length of a memory, the number of
bits in the data bus must be increased. For example. an
8-bit word length can be achieved by using two
memories. each with 4-bit words as illustrated in Figure
10-38(a). As you can see in part (b), the 16-bit address
bus is commonly connected to both memories so that
the combination memory still has the same number of
addresses (2 16 = 65.536) as each individual memory.
The 4-bit data.
Bina Nusantara University
13
Memory Expansion
Bina Nusantara University
14
Special Type of Memory
• First In-First Out (FIFO) Memories
This type of memory is formed by an arrangement of
shift registers. The term FIFO refers to the basic
operation of this type of memory, in which the first data
bit written into the memory is the first to be read out.
• Last In-First Out (LIFO) Memories
The LIFO (last in-first out) memory is found in
applications involving microprocessors and other
computing systems. It allows data to be stored and then
recalled in reverse order: that is, the last data byte to be
stored is the first data byte to be retrieved.
Bina Nusantara University
15
Special Type of Memory
• CCD Memories
The CCD (charge-coupled device) memory stores data
as charges on capacitors. Unlike the DRAM, however,
the storage cell does not include a transistor. High
density is the main advantage of CCDs.
Bina Nusantara University
16