DS家族介紹
INNO-CREATER,
⼀家不斷挑戰⾃我的材料及零件公司
總代理:
鼎微科技股份有限公司
AONE MICROTECH CO., LTD.
Confidential
- 集團概況
- 公司概況
- 塗層解決⽅案
- 訊號完整性 (SI) 分析
- 主要附屬公司
- 專案介紹 (測試探針 &
- G1塗層簡介
- ⾼頻（RF）測試座設計
- G1塗層應⽤結果
和分析解決⽅案
- 業務領域
測試座)
- 品質競爭⼒
- 基於⼈⼯智慧的電氣設計
- 驗證基礎設施
優化
- 專利狀況
Confidential
2 5/27/25
Confidential
Confidential
끊임없이 도전하는 소재·부품 1st INNO-Creator
• Tigris investment
• DS Neolux
(⾸爾)
• DS Technopia
• DS Testics
（天安）
(⼤⽥)
• DS Holdings
• DS HI-Metal
• DS Industrial
• DS Galvatec
• 유하푸른재단
• DS Navcours (蔚⼭)
•
Confidential
DS 緬甸
(財團法⼈）
公司名單
§ -
-
§
DS 集團總部
§ OLED Core 中間材料
§
規劃與管理
§ 研究⼆次電池的CPI和電極保護器
§
尋找新業務投資
-
§ 鋁/鋅 電鍍
§ 製造半導體接合材料（封裝）
§ 錫球、導電球、粉末和錫膏
§ SN等 ⾦屬冶煉
-
-
§ 國防、航空航太、PNT
⼯業 開發與製造
§ 產品OLED顯⽰屏 材料
§ AMOLED 材料 & Encap
-
§ 半導體 測試探針、測
試座
§ ⾦融、顧問、投資
§ 半導體化學材料的複合及精製
§ HCDS 和 薄膜沉積材料
Confidential
§ 獎學⾦和研發⽀援項⽬
半導體
顯⽰
§ 錫球、MSB、CSB
§ 粉劑、膏劑
§ HCDS、OMCTS、TDMAS、DIPAS
§ 測試探針 &測試座
§ OLED材料（HTL、RH、R'、G'等）
§ 導電粒⼦ (Conductive Particle)
半導體 材料 / 組件
新發展為了成⻑
商業
團體
§ 量⼦點材料 (Quantum Dot)
顯⽰材料
汽⾞及⼆次電池
新發展促成⻑
§ 國防、⾃動駕駛、無⼈駕駛⾶⾏、
航空航太等
§ 尋找並投資新的未來技術
Confidential
汽⾞及⼆次電池
§ EMI屏蔽/散熱材料、Ag NW、低溫接合材料
§ ⼆次全固態電池及添加劑
Confidential
Confidential
끊임없이 도전하는 소재·부품 1st INNO-Creator
公司資料
姓名
地址
地點
DS Testics
成⽴⽇期
2018年12⽉
13, Sojeongsandan-ro, Sojeong-myeon, Sejong-si,
Republic of Korea (⼤韓⺠國)
營業內容 ⽣產、銷售電⼦元件
產品
半導體 測試探針、測試座
歷史
年
事件
2018年
Gened公司建⽴（Testics）
2019年
被認定為新創企業
ISO認證 9001、ISO14001
資本（15萬美元）
2020年
⼊選全球IP明星企業
被選定為有望出⼝企業
2021年
被選為早期新創封裝企業
2022年
100萬招商引資
實現出⼝100萬美元
2023年
併⼊DS集團 (650萬吸引投資)
Confidential
測試簧針
COK
測試座
類型 01 Brilliant Probe
§
G1 探針（奈⽶ 塗層）
2.00mm
4.00mm
1.00mm
2.00mm
0.00mm
0.00mm
Φ0.180
Φ0.150
Φ0.140
類型 02 Apollo Probe
§ ⼤電流（⾼達6A@0.5p）、 ⾼低溫 (-55~200C)
適⽤於PMIC⼤電流、⾼低溫測試。
類型 03 Genesis Probe
§ N1~N3 探針
⾼硬度維⽒針，可延⻑使⽤壽命 (⾼達 650Hv）
使⽤⾼硬度維⽒材料升級普通針，可延⻑使⽤壽命
類型 04 Nimble Probe
§ ⾼頻探頭 （⾼達 50 ~ 60GHz @ -1db）
通過應⽤適當的阻抗控制,
最⼤限度地減少⾼頻測試時的
插⼊損耗和回波損耗
Confidential
插⼊損耗
回波損耗
DS Testics ⽤於針柱塞的原料和電鍍特性總結
1. 特點
材料 (Material)
電鍍 (Plating)
鈹銅
(BeCu)
SK4
鈀合⾦
(Pd-Alloy)
⾦鈷
(AuCo)
鈀鈷
(PdCo)
PdCoA
(鈀鈷⾦)
銠
(Rh)
熱處理硬度
(Heat treatment
hardness)
Hv380~420
Hv600~650
Hv450~550
Hv140~160
Hv500~600
Hv500~600
Hv700~800
電阻率&電導率
(Resistivity &
Electrical Conductivity)
7.68uΩ·cm
44uΩ·cm
13~23uΩ·cm 49.0x106 S/m 9.3x106 S/m
耐侵蝕性
(Erosion Resistance)
好的
不佳
⾮常好
⾮常好
⾮常好
⾮常好
⾮常好
磁性
(Magnetic)
無磁
⾼磁
無磁
無磁
無磁
無磁
無磁
⾼溫特徵
(High-temperature
characteristics)
熔點
870 ℃
熔點
1,000 °C
熔點
1,000 °C
熔點
1,000℃
熔點
1,000 °C
熔點
1,000℃
（預計）
熔點
1,000 °C
最⼤厚度
(Maximum thickness)
-
-
-
3.0微⽶
(um)
1.5微⽶
3.0微⽶
1.5微⽶
影像
(Imagine)
Confidential
30x106 S/m 23.3x106 S/m
針對客戶使⽤進⾏最佳化的客製化解決⽅案，包括原材料、電鍍和尖端形狀
配合AONE生產
2. 組合
標準探針
(Standard Probe)
鈀鈷⾦探針
(PdCoAu Probe)
G1 塗層探針
(G1 Coating Probe)
MEMS探針
(MEMS Probe)
材料 (Materials)
鈹銅 (BeCu)
鈹銅 (BeCu)
鈹銅 (BeCu)
微機電系統 (MEMS)
熱處理硬度
(Heat-treatment
hardness)
Hv380~420
Hv380~420
Hv380~420
>Hv900
電阻率 (resistivity)
7.68uΩ·cm
7.68uΩ·cm
7.68uΩ·cm
4.33nΩ·cm
規格 (specifications)
鍍⾦
鍍PdCoAu
鍍⾦+G1塗層
鍍⾦
表⾯硬度
(surface hardness)
Hv160
Hv500~600
Hv160
Hv160
電導率
(electric conductivity)
49.0x106 S/m
30x106 S/m
49.0x106 S/m
49.0x106 S/m
優勢
(strength)
• 交貨迅速
• 透過標準化規格證明穩定
性
• 改善 Sn 轉變抑制
• 由於鍍層硬度⾼，表⾯
硬度提⾼
• 改善 Sn 轉變抑制
• 透過應⽤G1塗層實現
接觸電阻的穩定化
• 極⾼的硬度提⾼了耐磨性
• 確保穩定的接觸⼒和⾼
耐磨性
弱點
(weakness)
• 硬度低導致磨損快
• 由於錫沾黏⽽導致快速
污染
• 與⾦相⽐電導率較低
• ※ 電導率：
Au> PdCoAu > PdCo
(低於Au但⾼於PdCo ）
• 與標準探頭相⽐，交貨時
間延⻑約 2 天
• 由於採⽤G1塗層⽽導致
單價上漲
• 製造成本⾼導致單價⾼
• 製造過程中採⽤標準探
頭 交貨期相對較慢
外觀 (visual)
原
料
表
⾯
處
理
概
括
Confidential
-11 -
下⼀代功率半導體的⼤電流測試產品
1. 0.50mm 4.4A continuous Probe Pin
測試條件：10分鐘
檢查數量 ：10個
[ 規格 10.4~15.6gf ]
Force (力) [gf]
20 .0gf
15 .0gf
10 .0gf
5.0 gf
0.0 gf
Spec out
Initial
0.5A
1.0A
1.5A
2.0A
2.5A
3.0A
3.5A
4.0A
Hig h Current
13.0gf
12.8gf
13.0gf
13.0gf
12.8gf
13.0gf
13.1gf
12.9gf
12.8gf
Normal
13.2gf
13.5gf
12.7gf
12.5gf
10.9gf
10.0gf
6.7gf
0.0gf
0.0gf
※ 與0.50Pitch普通接腳相⽐，允許電流增加約2倍
2. 0.40mm 3.0A continuous Probe Pin
測試條件：10分鐘
檢查數量 ：10個
[ 規格 10.4~15.6gf ]
Force (力) [gf]
20 .0gf
15 .0gf
10 .0gf
5.0 gf
0.0 gf
Spec out
Initial
0.5A
1.0A
1.5A
2.0A
2.5A
3.0A
Hig h Current
13.0gf
12.8gf
13.0gf
13.0gf
12.8gf
12.8gf
12.4gf
Normal
12.8gf
13.2gf
12.7gf
11.2gf
9.8gf
8.4gf
0.0gf
※ 與0.40Pitch普通接腳相⽐，允許電流增加約2倍
Confidential
記憶體與⾮記憶體半導體的細間距
1. 細間距 (Fine Pitch)
5.00mm
4.00mm
3.00mm
2.00mm
1.00mm
0.00mm
Φ0.180
Φ0.180
Φ0.150
Φ0.150
Φ0.140
Φ0.125
2. ⻑度短 (Short Length)
2.00mm
1.50mm
1.00mm
0.50mm
0.00mm
0.30Pitch
Confidential
0.50Pitch
0.40Pitch
0.40Pitch
使⽤電⼦模擬提供最佳化的⾼頻解決⽅案
1.
0.35mm Pitch, GSG
-1.0dB @ 34.19GHz
單端訊號
插⼊損耗： -1.0分⾙
GND 1
17.82GHz
GND 3
34.19GHz
G
反射損耗： -20.0dB
SIG 1 或GND 2
S
37.79GHz
G
4.73GHz
S
G
16.42GHz
9.06GHz
GND 4
G
S
G
32.28GHz
G
G
G
5.91GHz
S
G
G
2.
0.30mm Pitch, GSG
-1.0dB @ 31.74GHz
單端訊號
Confidential
GND 1
插⼊損耗： -1.0分⾙
13.87GHz
反射損耗： -20.0dB
2.84GHz
SIG 1 或GND 2
G
S
31.74GHz
13.71GHz
G
S
GND 3
G
35.05GHz
33.08GHz
G
G
12.21GHz
GND 4
S
G
7.60GHz
G
G
S
G
G
類型 01 Erg Socket
類型 02 Gaya Socket
• 通⽤測試
• POP測試
- 使⽤優質材料最⼤限度地減少應⼒
- 採納 精密加⼯及檢驗，穩定品質
- 運⾏模擬以獲得精確的接觸針
- 供給裝置浮動導軌及 設備指南 解決⽅案
- 採⽤特殊塗層技術提供防⽌
SN污染的解決⽅案
- 維護簡單
- 降低成本（提⾼測試良率）
- 延⻑壽命
- 垂直定位功能
- 卓越的訊號完整性
- 設計時盡量減少硬體數量
應⽤ IOT, SLT, PMIC, GPU
應⽤ CPU, AP, IOT, Memory, PMIC, GPU
類型 03 Sig² Socket
類型 04 Silla Socket
• ⾼頻測試
• 晶圓級測試
- 實現⾼速 43Ghz/32Gbps
- 應⽤同軸佈局
- 阻抗控制技術
- 實現低接觸電阻
- 使⽤適當的材料來抵抗溫度和濕度的變化
- 透過分析確保硬度的設計
- 透過分配接地來提⾼訊號完整性
- 申請 空氣 空間 到 提升 別針 介電常數
- 實現低接觸電阻
- 使⽤適當的材料來抵抗溫度和濕度的變化
- 採⽤陶瓷材質
- 透過分析確保硬度的設計
- 出⾊的訊號完整性
- 維護簡單
應⽤ 5G Mobile, PIM, Defence
Confidential
應⽤ Wafer, PMIC, PIM等
硬度計
Confidential
拋光機
鑲樣機
Confidential
Confidential
Confidential
끊임없이 도전하는 소재·부품 1st INNO-Creator
韓國德⼭Testics (DSTT) 開發差異化表⾯處理技術， 強化產品競爭⼒， 提升抗靜電能⼒。
為了提⾼潤滑性、提⾼耐磨性和抑制錫轉移，需要多種解決⽅案來改善探針特性。
透過以奈⽶級厚度透明地塗覆元素合⾦來提⾼產品品質的技術。
G1塗層 (G1 Coating)
(厚度：150~250nm)
鍍⾦ (Au Plating)
(厚度：2.0~3.0um)
鍍鎳 (Ni Plating)
(厚度：2.0~3.0um)
原料 (Raw Material)
( BeCu , SK4 , Pd Alloy等 )
Confidential
-19 -
1. ESD（靜電放電， Electrostatic Discharge) 效果
•
隨著細間距化，探針的尺⼨變得更⼩，接近⼈類頭髮粗細的尺⼨，導致靜電對⼯⼈的⼯作能⼒造成顯著損失
•
透過塗覆具有ESD效果的塗層，可以改善探針製造過程中出現的靜電現象
2. 接觸電阻穩定化
•
透過具有潤滑性的微細元素粒⼦，強化電鍍過程中產⽣的凹坑、針孔（微孔）等表⾯不平衡，進⽽使表⾯穩定
1. ESD效果⽐較
樣品材質：⾳樂線
樣品材質：⾳樂線
表⾯處理：鍍⾦
表⾯處理：鍍⾦ + G1 塗層
Confidential
2. 接觸電阻穩定化
坑
針孔
G1塗層
-20 -
3. 抑制尖端污染並簡化清潔
3.1. 抑制Sn的化學鍵
3.2. 抑制Sn的物理結合
- 抑制與Sn化學鍵合成分的塗層應⽤
- 改善凹坑、針孔等表⾯不平衡現象
- 透過提⾼表⾯潤滑性來抑制錫的物理結合
“ 防⽌尖端污染 ，提⾼污染物的清潔效果”
Confidential
4. 測試條件
4.1.測試樣品條件
G1 塗層測試樣品 （G1 Coating Test Sample)
頂部針頭 (Top Plunger)
No.
材料
後處理
G1塗層
1號
鈹銅
鎳/⾦
-
2號
鈹銅
鎳/⾦
200奈⽶
3號
鈀合⾦
鏡⾯處理
-
4號
鈀合⾦
鏡⾯處理
200奈⽶
⾏動
類型
測試
兼距
單
動
0.65
毫⽶
間距
全部的
⻑度
3.60
毫⽶
底部
針頭
⾏程
接觸
⼒量
(Stroke)
(Force)
(Bottom
plunger)
25.0gf
±20%
鈹
銅
鍍
⾦
0.55
毫⽶
內管
彈簧
(Barrel)
(Spring)
PBT
鍍⾦
琴
弦
鍍
⾦
數量
全部的
數量
50
個
300
個
4.2.測試組件
RFL Tester
Confidential
SAC305 Plate
(40mmx40mm)
Test Jig Ass’y
Pin
Measurement
Pin Press Test
SEM & EDS
5. 測試探針尖端
5.1. 初始探針尖端
No.01
No.02
No.03
No.04
( BeCu+Ni /Au @ 無塗層)
（鈹銅+鎳/⾦@G1塗層）
（鈀合⾦@無塗層）
(鈀合⾦@G1塗層）
5.2. 30k Sn 板壓⼒測試後的探針尖端
No.01
No.02
No.03
No.04
( BeCu+Ni /Au @ 無塗層)
（鈹銅+鎳/⾦@G1塗層）
(鈀合⾦@無塗層）
（鈀合⾦@G1塗層）
Confidential
6. 測試分析
6.1. BeCu+Ni /Au @ 無塗層 (No.01 )
掃描電⼦顯微鏡 (SEM)
能譜分析 (EDS)
數據 (DATA)
最初
⾼錫殘留 16%
30k
6.2. BeCu+Ni /Au @ G1 塗層 (No.02 )
掃描電⼦顯微鏡 (SEM)
能譜分析 (EDS)
最初
低錫殘留量 9%
30k
Confidential
數據 (DATA)
6.3. 鈀合⾦ @ 未塗佈 (No.03)
掃描電⼦顯微鏡 (SEM)
能譜分析 (EDS)
數據 (DATA)
最初
高錫殘留 31%
30k
6.4. 鈀合⾦ @ G1塗層 (No.04)
掃描電⼦顯微鏡 (SEM)
能譜分析 (EDS)
最初
低錫殘留量 17%
30k
Confidential
數據 (DATA)
7. 測試分析
7.1. BeCu+Ni /Au @ 無塗層 & G1 塗層
■ No.1 : BeCu+Ni / Au [無塗層]
[毫歐] [毫歐]
1500
451
481
488
500
402
1200
900
231
600
300
366
358
400
300
233
221
200
143
70
59
0
100
0
Initial
1k
3k
5k
7k
10k
15k
20k
30k
Air
Nylon
SUS
■ No.2 : BeCu+Ni / Au [G1 塗層]
[毫歐] [毫歐]
1500
500
415
1200
421
400
355
278
900
296
300
259
204
171
600
163
200
128
300
72
57
0
100
0
Initial
Confidential
1k
3k
5k
7k
10k
15k
20k
30k
Air
Nylon
SUS
Avg.
#.2
#.4
#.6
#.8
#.10
#.12
#.14
#.16
#.18
#.20
#.22
#.24
#.26
#.28
#.30
#.32
#.34
#.36
#.38
#.40
#.42
#.44
#.46
#.1
#.3
#.5
#.7
#.9
#.11
#.13
#.15
#.17
#.19
#.21
#.23
#.25
#.27
#.29
#.31
#.33
#.35
#.37
#.39
#.41
#.43
#.45
#.47
Avg .
#.2
#.4
#.6
#.8
#.1 0
#.1 2
#.1 4
#.1 6
#.1 8
#.2 0
#.2 2
#.2 4
#.2 6
#.2 8
#.3 0
#.3 2
#.3 4
#.3 6
#.3 8
#.4 0
#.4 2
#.4 4
#.4 6
#.4 8
#.5 0
#.1
#.3
#.5
#.7
#.9
#.1 1
#.1 3
#.1 5
#.1 7
#.1 9
#.2 1
#.2 3
#.2 5
#.2 7
#.2 9
#.3 1
#.3 3
#.3 5
#.3 7
#.3 9
#.4 1
#.4 3
#.4 5
#.4 7
#.4 9
7.2. 鈀合⾦ @ 無塗層 & G1塗層
■ No.3 : Pd 合⾦[無塗層]
[毫歐] [毫歐]
467
1500
410
409
500
434
429
1200
400
288
900
300
257
222
600
200
126
114
300
63
59
0
100
0
Initial
1k
3k
5k
7k
10k
15k
20k
30k
Air
Nylon
SUS
■ No.4 : Pd合⾦[G1塗層]
[毫歐] [毫歐]
1500
500
373
1200
389
397
421
389
293
900
300
266
242
600
400
300
200
152
131
67
65
0
100
0
Initial
Confidential
1k
3k
5k
7k
10k
15k
20k
30k
Air
Nylon
SUS
Avg .
#.2
#.4
#.6
#.8
#.1 0
#.1 2
#.1 4
#.1 6
#.1 8
#.2 0
#.2 2
#.2 4
#.2 6
#.2 8
#.3 0
#.3 2
#.3 4
#.3 6
#.3 8
#.4 0
#.4 2
#.4 4
#.4 6
#.4 8
#.5 0
#.1
#.3
#.5
#.7
#.9
#.1 1
#.1 3
#.1 5
#.1 7
#.1 9
#.2 1
#.2 3
#.2 5
#.2 7
#.2 9
#.3 1
#.3 3
#.3 5
#.3 7
#.3 9
#.4 1
#.4 3
#.4 5
#.4 7
#.4 9
Avg .
#.2
#.4
#.6
#.8
#.1 0
#.1 2
#.1 4
#.1 6
#.1 8
#.2 0
#.2 2
#.2 4
#.2 6
#.2 8
#.3 0
#.3 2
#.3 4
#.3 6
#.3 8
#.4 0
#.4 2
#.4 4
#.4 6
#.4 8
#.5 0
#.1
#.3
#.5
#.7
#.9
#.1 1
#.1 3
#.1 5
#.1 7
#.1 9
#.2 1
#.2 3
#.2 5
#.2 7
#.2 9
#.3 1
#.3 3
#.3 5
#.3 7
#.3 9
#.4 1
#.4 3
#.4 5
#.4 7
#.4 9
8.結果
8.1.⼒與硬度
確認塗佈前後沒有負載差異。
確認的塗層不會對表⾯硬度產⽣影響。
8.2.阻⼒
預計電阻會因絕緣塗層⽽不穩定，但在採⽤ G1 塗層的產品中，電阻穩定了約 10% 或更多。
這被認為是由於表⾯穩定和潤滑效應⽽導致接觸點穩定。
8.3.錫遷移
8.3.1. 化學轉變：浸錫測試顯⽰⾁眼可⾒的減少。
8.3.2. 物理轉變
30K試驗後Sn殘留量的差異：EDS分析結果顯⽰Sn含量有差異（16% > 9%, 31% > 17%）
確認易於清潔：
確認⽤空氣和尼⿓刷清潔時阻⼒迅速降低，使⽤ SUS 電刷時也會出現相同的電阻下降
（由於冠部損壞 (crown damage)，削的壽命會縮短）。
Confidential
Confidential
Confidential
끊임없이 도전하는 소재·부품 1st INNO-Creator
Die
測試座
PCB
Confidential
1. S-Parameter
2. Parasitic Elements (RLC)
3. TDR
4. Eye-Diagram
5. Cross Talk
6. Smith Chart
7. Thermal Simulation
Confidential
S-參數
當⾼速訊號施加到探針上時，⼀些訊號被傳輸，⼀些訊號
被反射和返回。這可能會降低傳輸訊號並導致測試失敗。
發射的訊號是數位波形，但實際上，數位波形是由各種正
弦波和餘弦波組合⽽成。對於每個訊號頻率，該⽐率都不
同，每個頻率的訊號傳輸和反射速率表⽰為 S 參數。
Parasitic Effect (RLC)
迄今為⽌，接觸電阻⼀直是探針產品性能的代表性指標。在⾼速訊
號中，不僅出現接觸電阻，也開始出現作為交流損耗因素的寄⽣成
分。字⾯意思是指線路寄⽣的元件，寄⽣元件包括R（電阻）、L（
電感）、C（電容）、G（電導）。寄⽣分量在直流中不易看⾒，但
當⾼速訊號流經線路時，寄⽣成分開始變得可⾒。⾼速訊號的品質
是由這些寄⽣元件決定的，⽽這個元件並不是由單⼀探針的個別特
性決定的，⽽是由多個探針放置的測試座的排列、間距、 寬度和⻑
度決定的。
Confidential
TDR
這是⼀種透過將脈衝波輸⼊到傳輸線（PCB 圖案/跡線、
電纜、連接器）並利⽤返回反射的返回時間和尺⼨來分析
線路電氣特性的⽅法。通常，您可以檢查每個部分的阻抗。
與以單⼀值表⽰的特性阻抗不同，透過檢查每個部分的阻
抗，您可以預測反射波將在哪個點發⽣。
Eye Diagram
眼圖可以被視為訊號完整性分析的最終解釋結果。使⽤導
出的頻域結果，您可以在實際時域中套⽤隨機⽅波並檢查
輸出。⽅波最終代表0和1，但是如果訊號因損耗⽽衰減，
那麼區分0和1可能會出現問題。⼀般情況下，不會對探針
進⾏單⼀分析，⽽是將PCB與各個系統連接成⼀個整體來
進⾏分析。
Confidential
53.5ohm
代號
插⼊損耗
@-1dB
A1
超過 20GHz
2.83
0.96 0.25
62.07
15.44
A3
超過 20GHz
3.52
0.84 0.30
53.03
15.81
B2
超過 20GHz
15.10
0.77 0.33
48.34
15.85
B4
7.55
2.21
0.91 0.30
55.64
16.41
C4
5.86
1.40
1.04 0.25
64.73
16.08
Confidential
回波損耗 電感 電容 特徵
傳播
@-20dB [nH] [pF] 阻抗[ Ω ] 延遲[ps]
1.TDR: 透過 TDR 分析，您可以檢查探針各部分的阻抗，並規劃更改設計以提⾼⾼頻性能。
A
B
C
A
B
C
類⽐腳圖
A1
A2
A3
A4
B1
B2
B3
B4
C1
C2
C3
C4
紅⾊：信號/ 藍⾊：接地
2. Eye Diagram: 透過施加隨機訊號，您可以檢查與實際環境類似的結果，以了解測試插座實際發⽣了多少損耗。
Confidential
不含探針
帶探頭別針
3. PS-NEXT（Power Sun Near End Crosstalk）
𝑃𝑆𝑁𝐸𝑋𝑇 𝑓 =
−10log(Σ10!"#$%! (')/*+ ）
4. PS-FEXT（Power Sun Far End Crosstalk）
𝑃𝑆𝐹𝐸𝑋𝑇 𝑓 =
−10log(Σ10!,#$%! (')/*+ ）
Confidential
5. EMI（Electromagnetic Interference）
透過分析測試插座發出的電磁輻射量，您可以分析它如何影響相鄰的 PCB。
測試座的 EMI
6. 測試插座分析，包括 PCB
安裝在PCB上的測試插座的電氣性能可能會有所不同，主機板的電氣性能也可能會有所不同。包含 PCB
的分析可提供更精確的模擬結果。
裹
包
體
導
半
Confidential
座
插
試
測
板
主機
1. 需要AI分析嗎？
§
可以在預設計階段使⽤ 3D 模型進⾏模擬
§
基於元模型、深度學習等最新AI演算法進⾏設計
§
利⽤預先學習的⼈⼯智慧為基礎的數據可以優化半導體探針的設計
§
僅在引腳設計範圍內提供最佳設計尺⼨
2. 什麼是元模型(meta model)？
§
對每個變數組合的分析結果進⾏分析的模型（敏感度分析）
§
⼀種 ROM（降階模型），它從輸⼊變數中選擇有效的設計變數和變數範圍，並根據輸⼊變數預測
效能，⽽無需額外的模擬。
§
由於元模型是分析模型，因此最佳化變數可在幾秒鐘內匯出。
設計範圍
元模型
任命
(metamodel) 分析
Confidential
設計最佳化
產品設計
最好的
最差
Confidential
基於元模型得出最佳設計結果
3. 綜合評估各變項的影響
S參數
1
基於設計變數的訊號損失分析
2.
元模型創建
4. 得出每個零件的最佳化尺⼨
§ 透過創建已經學習的元模型可以進⾏即時效能評估，⽽不是在設計後評估效能
§ 基於模擬數據⽽不是簡單計算的⼈⼯智慧學習模型具有極⾼的準確性
Confidential
晶⽚I/O數量不斷增加，由於產品運⾏速度的提⾼，整體球圖分析的重要性⽇益增加。解讀整個球圖需要
太多時間。透過引⼊基於⼈⼯智慧的分析解決⽅案，計劃開發⼤規模球圖套件（例如⾼級套件），以⾮常
快的速度產⽣結果。
Ex) 基於AI學習的即時數據結果預測
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Confidential
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끊임없이 도전하는 소재·부품 1st INNO-Creator
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Spring Spec
Tip Type
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UC "92A
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,345(C(6/C(aN E (!"/ E C @
,-./(?(012a2?A""N B
Confidential
§
鈹銅 (BeCu)
§
SK 4
§
N1 (>520 Hv)
2. 客戶可以定製尖端類型
Barrel (內管)
3. 客戶可以調整⻑度和直徑
1. 材料 (Material)
Spring (彈簧)
Plunger (針頭)
Confidential
1. 材料 (Material)
1.材料 (Material)
§
⿈銅 (Brass Tube)
§
PBT
§
Ni Alloy
2. 客戶可以調整⻑度和直徑
§
Music Wire (SWP)
§
SUS
2. 要獲取有關彈簧接觸⼒量和⾏程的信息，需要請求
台灣獨家代理 : 耀勝集團&鼎微科技股份有限公司
Confidential
45
Unlimitedly Challenging,
1st INNO-Creator of Materials and Parts
The First INNO-Creator via Unlimited Challenge
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