UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
DEPARTAMENTOS ACADÉMICOS
CURSO: DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
TIPO DE PRUEBA:
PRACTICA No.
1
Ex. PARCIAL
Ciclo Académico: 2021-1
Fecha:
14/05/2021
Duración:
1h 40Min
COD. CURSO:
EX. FINAL
EE 418Q
EX. SUST.
PARTE 3 (20 MINUTOS)
Preguntas.
1. ¿A cuántos eV aproximadamente de la banda de conducción ( 𝐸𝐶 − 𝐸𝐷 ) está
ubicado el nivel de estados permitidos de electrones ( 𝐸𝐷 ) dentro de la banda
prohibida en el semiconductor tipo n de silicio con 𝐸𝐺 =1.1eV?
2. ¿Porque motivo un semiconductor tipo p o tipo n se vuelve intrínseco?
Responder con relación a la temperatura.
3. ¿Cuál es la condición para la cual, la ecuación (5-30) sea válida? Responder
con relación a la ionización de los átomos donadores y la temperatura.
𝐸𝐹 = 𝐸𝐶 − 𝑘𝑇 ∙ 𝑙𝑛
𝑁𝑐
𝑁𝐷
𝑒𝑐𝑢𝑎𝑐𝑖ó𝑛 (5 − 30)
𝐸𝐹 ; 𝐸𝑛𝑒𝑟𝑔𝑖𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑛𝑖𝑣𝑒𝑙 𝑑𝑒 𝐹𝑒𝑟𝑚𝑖
𝐸𝐶 ; 𝐸𝑛𝑒𝑟𝑔𝑖𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑛𝑖𝑣𝑒𝑙 𝑚𝑎𝑠 𝑏𝑎𝑗𝑜 𝑑𝑒 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑐𝑖ó𝑛
𝑁𝐶 ; 𝐷𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑒𝑓𝑒𝑐𝑡𝑖𝑣𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑠𝑡𝑎𝑑𝑜𝑠 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑐𝑖ó𝑛
𝑁𝐷 ; 𝐶𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑑𝑜𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟𝑒𝑠
Nota: Responder en dos o tres líneas cada pregunta.
Cada pregunta vale 1 punto.