FS45MR12W1M1_B11 EasyPACK™ModulmitCoolSiC™TrenchMOSFETundPressFIT/NTC EasyPACK™modulewithCoolSiC™TrenchMOSFETandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 25A / IDRM = 50A PotentielleAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • DC/DCWandler • Motorantriebe • USV-Systeme PotentialApplications • HighFrequencySwitchingapplication • DC/DCconverter • Motordrives • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • NiederinduktivesDesign • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • Lowinductivedesign • Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften • IntegrierterNTCTemperaturSensor • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures • IntegratedNTCtemperaturesensor • PressFITcontacttechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.1 2020-03-27 FS45MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Spannung Drain-sourcevoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom Pulseddraincurrent Gate-SourceSpannung Gate-sourcevoltage Tvj = 175°C, VGS = 15 V Tvj = 25°C VDSS 1200 V TH = 75°C ID nom 25 A ID pulse 50,0 A -10 / 20 V verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax VGSS CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. 45,0 59,0 66,0 max. 4,50 5,55 Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance ID = 25 A VGS = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage GesamtGateladung Totalgatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Ausgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance COSSSpeicherenergie COSSstoredenergy Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload ID=10,0mA,VDS=VGS,Tvj=25°C (testedafter1mspulseatVGS=+20V) VGS(th) VGS = -5 V / 15 V, VDS = 600 V QG 0,062 µC Tvj = 25°C RGint 4,0 Ω Ciss 1,84 nF Coss 0,11 nF Crss 0,014 nF Eoss 44,0 µJ IDSS 0,10 Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V VDS = 1200 V, VGS = -5 V Tvj = 25°C VDS = 0 V Tvj = 25°C ID = 25 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 1,00 Ω ID = 25 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 1,00 Ω ID = 25 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 1,00 Ω ID = 25 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 1,00 Ω ID = 25 A, VDS = 600 V, Lσ = 30 nH di/dt = 5,20 kA/µs (Tvj = 150°C) VGS = -5 V / 15 V, RGon = 1,00 Ω ID = 25 A, VDS = 600 V, Lσ = 30 nH du/dt = 41,6 kV/µs (Tvj = 150°C) VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 1,00 Ω VGS = 20 V VGS = -10 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VGS = -5 V / 15 V, VDD = 800 V VDSmax = VDSS -LsDS ·di/dt RG = 10,0 Ω tP ≤ 2 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 2 µs, Tvj = 150°C proMOSFET/perMOSFET TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions RDS on 3,45 mΩ 120 400 IGSS 8,20 7,40 7,40 6,30 6,70 6,70 35,2 38,9 38,9 16,4 16,4 16,4 0,30 0,37 0,37 0,033 0,035 0,035 td on tr td off tf Eon Eoff V µA nA ns ns ns ns mJ mJ ISC 210 205 A A RthJH 1,54 K/W Tvj op -40 150 °C BodyDiode/Bodydiode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues BodyDiode-Gleichstrom DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175°C, VGS = -5 V TH = 75°C ISD CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage Datasheet min. ISD = 25 A, VGS = -5 V ISD = 25 A, VGS = -5 V ISD = 25 A, VGS = -5 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 2 VSD A 8 typ. 4,60 4,35 4,30 max. 5,65 V V2.1 2020-03-27 FS45MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C R25 AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C P25 B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K VISOL 3,0 kV 5,00 -5 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm CTI > 200 RTI 140 °C VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 20 Gewicht Weight G typ. max. 18 24 nH 125 °C 50 N g The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidlines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime. Datasheet 3 V2.1 2020-03-27 FS45MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) VGS=15V ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=20V 50 50 TVj = 25 °C TVj = 125 °C TVj = 150 °C 45 40 40 35 35 30 30 ID [A] ID [A] 45 Tvj = 25 °C 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VDS [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 SchaltzeitenMOSFET(typisch) switchingtimesMOSFET(typical) tdon=f(ID),tr=f(ID),tdoff=f(ID),tf=f(ID) VGS=-5V/15V,RGon=1Ω,RGoff=1Ω,VDS=600V,Tvj=150°C 3 4 5 6 7 8 VGS [V] 9 10 11 12 9 10 SchaltzeitenMOSFET(typisch) switchingtimesMOSFET(typical) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) VGS=-5V/15V,ID=25A,VDS=600V,Tvj=150°C 1 1 tdon tr tdoff tf tdon tr tdoff tf t [µs] 0,1 t [µs] 0,1 0,01 0,001 0,01 0 Datasheet 5 10 15 20 25 30 ID [A] 35 40 45 50 0,001 4 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ohm] 7 8 V2.1 2020-03-27 FS45MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/15V,RGon=1Ω,RGoff=1Ω,VDS=600V SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/15V,ID=25A,VDS=600V 0,70 0,70 Eon, Tvj = 125°C, Eon, Tvj = 150°C, Eoff, Tvj = 125°C, Eoff, Tvj = 150°C, Eon, Tvj = 125°C, Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C, Eoff, Tvj = 150°C 0,50 0,50 0,40 0,40 E [mJ] 0,60 E [mJ] 0,60 0,30 0,30 0,20 0,20 0,10 0,10 0,00 0 5 10 15 20 25 30 ID [A] 35 40 45 0,00 50 SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA) ID=f(VDS) VGS=-5V/15V,Tvj=150°C,RG=1Ω 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ω] 7 8 9 10 TransienterWärmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t) 55 10 ID, Modul ID, Chip 50 Zth: MOSFET 45 1 40 ZthJH [K/W] ID [A] 35 30 25 0,1 20 15 0,01 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,076 0,221 0,453 0,79 τi[s]: 0,000603 0,00674 0,0363 0,161 5 0 0 Datasheet 200 400 600 800 VDS [V] 1000 1200 1400 0,001 0,001 5 0,01 0,1 t [s] 1 10 V2.1 2020-03-27 FS45MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 6 V2.1 2020-03-27 FS45MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 7 V2.1 2020-03-27 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition2020-03-27 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2020InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen. IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer’sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies’productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.
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