高功率元件電性測量技術與實驗 Electrical Characterization Technology and Laboratory of Power Devices 崔 秉 鉞 工程四館 641室 Tel : 5131570 e-mail : bytsui@nycu.edu.tw 高功率元件測量-崔秉鉞 Syllabus-1 先生不知何許人也 52年出生於嘉義 • 台南永福國小、台北木柵國小、台北木柵國 中、台北南門國中、台北建國中學 70年 就讀交大 電子工程學系 74年 就讀交大 電子研究所 碩士班 76年 就讀交大 電子研究所 博士班 81年 任職工業技術研究院 電子工業研究所 88年 回母系任教 118年1月31日退休 高功率元件測量-崔秉鉞 Syllabus-2 我與半導體功率元件的緣分 76年暑期聽胡正明教授短期課程，內含Switching Power Semiconductor Devices。 77年修葉清發教授「功率元件」課程，參與Power Integrated Circuits翻譯工作。 90~95年，與漢磊科技合作研發Si UMOSFET及IGBT。 100~103年，與工研院電光所合作研發SiC元件與製程。 103~105年，與瀚薪科技合作研發SiC元件與製程。 106~109年，與漢磊科技合作研發SiC UMOSFET。 107~111年，執行科技部半導體射月計畫之「碳化矽單晶片功率系統平台」。 111~115年，執行國科會「次世代化合物半導體前瞻研發專案計畫」之「高壓碳化矽 元件與電路之單晶片應用整合」。 其它產學合作 • 達爾科技、鴻揚半導體、鴻海研究院、工研院電光所、閎康科技、環球晶圓、漢民系統、力積電、勝芯微等等 。 高功率元件測量-崔秉鉞 Syllabus-3 課程目標 Measurement and characterization is the basis of all scientific activity. Without measurement, quantitative description on phenomenon becomes impossible. The validity of measurement and characterization depends on the test structure, test method, and test system. • • • Test system can be purchased from venders but test structures must be designed in-house because they depend on process and product strongly. Improper designed test structure not only results in false data but also misleads our judgment. Test system outputs data no matter test structure and test method are correct or not. This course provides an almost complete training on the test structure, test method, and test system of static and dynamic characterization for power semiconductor devices. 高功率元件測量-崔秉鉞 Syllabus-4 課程內容 週次 課程主題 實作進度 教授/助教 一 Introduction 分組名單確定 崔秉鉞、吳添立/陳翰葳 二 Electrical Measurement and GPIB Operation Probe station setup 崔秉鉞/温宇新、林韋呈 三 Sheet Resistance, Carrier Concentration, Contact Resistance B1500 & HL5500PC 崔秉鉞/闕壯軒 四 Diode Characterization (PiN and SBD) B1500 崔秉鉞/徐豈文 五 MOSFET Characterization B1500 崔秉鉞/陳玟淑 六 High Current and High Voltage Measurement B1505A 崔秉鉞/陳翰葳、林韋呈 七 Independent Practice 八 1st Written Examination and Practical Test 1ST Operation examination 九 MOS Capacitor Characterization B1500 吳添立/劉桂宏 十 Interface State Extraction - C-V and Conductance Methods B1500 吳添立/劉桂宏 B1500 吳添立/劉桂宏 Dynamic Characterization PD1500A 吳添立/廖偉喆、林韋呈 (Keysight) DLTS Characterization HCP601GH 崔秉鉞/張承恕 十一 Interface State Extraction - Charge Pumping Technique 十二 十三 十四 十五 十六 Independent Practice 十七 2nd Written Examination and Practical Test 高功率元件測量-崔秉鉞 2nd Operation examination Syllabus-5 Handout download 參考書目 • IP: 140.113.225.213 • ID: student • Password: student • Port: 54112 • Dir://課程資料(student)/高功率元件測量實驗 References: • Semiconductor Material and Device Characterization – Dieter K. Schroder, 2nd ed. or 3rd ed. • 高功率元件測量-崔秉鉞 Operation Manuals and Application Notes of Instruments Syllabus-6 成績考核 實作報告 30% • • 每單元實作，每組繳交一份報告，同組同分。 主筆人必須平均輪流擔任。 上機考40% • • 兩次上機考，各佔20%，共40%。 由助教安排時間，就實作項目每人抽考一項。 筆試30% • 高功率元件測量-崔秉鉞 兩次筆試，各佔15%，共30%。 Syllabus-7 分組方式 限額15人，優先順序為：第一順位是電研所學生(含錄取新生)，第二順位是 電機學院學生，第三順位是國半院和產創院學生(含錄取新生)，第四順位是 校內其它單位學生。 • • 若到某順位超額，從該順位選修人抽籤至額滿為止。 未能選課的同學，請詳述修課理由，由授課老師決定是否加簽。 三人一小組，推舉小組長一名。 請在02/24 (一) 23:59之前，將小組名單及小組長聯絡資料e-mail給大助教陳 翰葳。 無法完成分組的同學，由大助教分配組別。 實作教學一次一組，教學時間約1~1.5小時，之後自行找時間練習。 實作時間由單元助教和同學們另行約定。 高功率元件測量-崔秉鉞 Syllabus-8 助教群 姓名 高功率元件測量-崔秉鉞 電子郵件 陳翰葳 weich.ee12@nycu.edu.tw 温宇新 wennew.ee08@nycu.edu.tw 林韋呈 wclin.st11@nycu.edu.tw 闕壯軒 los900423.ee12@nycu.edu.tw 徐豈文 taroice.ee12@nycu.edu.tw 陳玟淑 wen13.ee12@nycu.edu.tw 廖偉喆 weinycuee.ee11@nycu.edu.tw 劉桂宏 morrisliu.ii13@nycu.edu.tw 張承恕 andychang.ee12@nycu.edu.tw Syllabus-9