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3. 分别简述 BJT 和 MOSFET 的早期效应（Early Effect）：
(1) BJT 的早期效应 &
• 当集电极-基极电压 () 增加时 + 集电结的耗尽区宽度变⼤ + 基区宽度变窄
5称为基区调制效应< ｡
• 结果是基区内的载流⼦复合减少 + 导致集电极电流 () 随 增加⽽增⼤ ｡
• 此效应使得输出特性曲线在饱和区并非完全⽔平 + ⽽是有轻微的上升趋
势｡
(2) MOSFET 的早期效应 &
• 类似于 BJT + MOSFET 的早期效应是由于沟道⻓度调制效应引起的 ｡
• 当漏极-源极电压 () 增加时 + 耗尽区进入沟道 + 使有效沟道⻓度减⼩ + 增
加了跨导 ｡
• 导致漏极电流 () 不再完全饱和 + ⽽是略微增加 + 表现为输出特性曲线的
斜率略⼤于零 ｡
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