Uploaded by Youssef Elloumi

tp-1-compte-rendu (1)

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Compte Rendue Electronique tp n1 :
Transistor Bipolaire
Réalisée par:
- Elloumi Youssef
-Ben Hadj Yahia Amen
-Nesrine Ben Miled
– Biskri Ilyess
IIA 2\2
2024/2025
1.Introduction:
1.1
Contexte :
Les transistors bipolaires à jonction (TBJ) sont des composants électroniques
composés de trois régions de semi-conducteurs : l’émetteur, la base et le
collecteur. Dans un TBJ NPN, un faible courant appliqué à la base permet de
contrôler un courant plus fort entre l’émetteur et le collecteur, offrant ainsi des
fonctions d’amplification et de commutation. Les TBJ sont utilisés dans de
nombreuses applications électroniques en raison de leur efficacité et de leur
petite taille.
1.2 Objectif :
Le but de cette séance de TP est de comprendre le fonctionnement des
Transistors Bipolaire et d’analyser ce comportement à travers les courbes
caractéristiques du Transistor.
2. Méthodologie expérimentale
2.1 Matériel
• Resistance B1 1k
• Potentiomètre RV1
• Potentiomètre RV2
• Pile E1 1V
• Générateur de Tension E2 15V
• Transistor Q1 BC107
• Ampèremètre
• Voltmètre
Schéma un Transistor BC107
Schéma d’un potentiomètre
2.2 Montage
2.3 Résultats
• VCE = 1V
IB(µA) 10.2
VBE(V) 0.7
21.1
43
62.7
81.6
100
0.72
0.74
0.75
0.76
0.76
21.4
43.9
60
80.4
100
0.72
0.74
0.75
0.76
0.76
21.4
43.2
60.5
80
100.1
0.72
0.74
0.75
0.76
0.76
• VCE = 5V
IB(µA) 10.2
VBE(V) 0.7
.VCE=10V
IB(µA) 10.2
VBE(V) 0.7
3.Analyse Théorique:
3.1 Observations
On observe qu’on obtient 3 courbes presque confondues, croissantes et non
linéaires, (comportement similaire à une diode)
3.2 Interprétation
Dans cette expérience, on observe que le transistor bipolaire présente des
comportements similaires à ceux d’une diode, surtout en ce qui concerne la
jonction base-émetteur. Quand cette jonction est polarisée en direct, elle
réagit de manière semblable à une diode.
On remarque également que la tension collecteur-émetteur () a un effet sur
la tension base-émetteur (), mais cet effet est limité. Même si varie, ne
change que légèrement, de quelques dizaines de millivolts. Cette
caractéristique est cruciale dans les applications électroniques, car elle
assure que le transistor peut rester stable malgré des variations de . Cette
stabilité est essentielle pour garantir un fonctionnement fiable dans divers
circuits électroniques et intégrés.
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