1 – laboratoriya ishi
Mavzu: IMS tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish.
Ishning maqsadi: IMS tayyorlash texnologiyasining asosiy bosqichlari,
ularning topologiyasi bilan tanishish va IMS belgilanish tizimini o‘rganib chiqish.
Qisqacha nazariy ma’lumot:
Elektronika o‘zining yarim asrlik tarixi davomida IMSlar elementlari
o‘lchamlarini kamaytirish yo‘lida rivojlanmoqda. 1999 yilda mikroelektronika
texnologik ajratishning 100 nmli dovonini engib nanoelektronikaga aylandi. Hozirgi
vaqtda 45 nmli texnologik jarayon keng tarqalgan. Bu jarayon optik litografiyaga
asoslanishini aytib o‘tamiz.
Mikroelektron qurilmalar (IMSlar) yaratishning ananaviy, planar jarayon
kabi, usullari yaqin 10 yillik ichida iqtisodiy, texnologik va intellektual chegaraga
kelib qolishi mumkin, bunda qurilmalar o‘lchamlarini kamaytirish va ularni tuzilish
murakkabligining oshishi bilan harajatlarning eksponensial oshishi kuzatiladi.
Muammoni nanotexnologiyalar usullarini qo‘llagan holda yangi sifat darajasida
echishga to‘g‘ri keladi.
1. Laboratoriya mashg’ulotini bajarish uchun topshiriqlar.
2. 2 ta listga IMS tayyorlash texnologiyasining asosiy bosqichlarini yozish va
rams,chizmalarini chizish va baholangandan keyin xemis tizimiga joylash.
3. Laboratoriya prinsipal va ishchi sxemasini o‘qish va tushuntirib berish.
4. Laboratoriya ishini sxema yordamida stentda yig‘ish va ishlatib ko‘rsatish.
5. Programmasini tuzish.
Laboratoriya ishini bajarish stenti
IMSni ichki tuzilish
IMSni ichki ko’rinishi
1.1. IMS belgilanish tizimini o‘rganib chiqish va berilgan IMSlar majmuidagi har
bir IMS uchun qisqacha xarakteristika berish: funksional vazifasi, texnologiyasining
turi, qo‘llanish sohasi, asosiy parametrlari.
2.1. Namoyish qiluvchi maket va ko‘rgazmali qurollar bilan tanishib chiqing.
2.2. Berilgan majmuadagi IMSning nomini, turining klassifikatsiyasini va har bir
IMS turkumini aniqlang.
2.3. Ma’lumotnomadan foydalanib o‘rganilayotgan IMSga xarakteristika bering:
bajaradigan vazifasi, qo‘llanio‘sohasi, asosiy elektr parametrlari.
2.4. IMS tayyorlash asosiy bosqichlaridan foydalanib, IMS tayyorlash texnologik
bosqichlarining ketma – ketligi haqida umumiy bayon bering va ularga qisqacha
xarakteristika bering.
2.5. Kuzatilayotgan tasvir qaysi texnologik bosqichga ta’luqli.
2.6. Mikroskop ostida tugallangan kichik va o‘rta darajali integratsiyadagi IMS
topologiyasini ko‘rikdan o‘tkazing.
0
1
2
3
5
4
IMS prinsipal sxemalari
- berilgan sxemalarda asosiy belgilanishlari;
- berilgan sxemalarda har bir IMS uchun qisqacha xarakteristika;
- yarimo‘tkazgich va gibrid IMSlar tayyorlash texnologik bosqichlarini bayoni;
void setup() {
pinMode(13, OUTPUT); // объявляем пин 13 как выход
}
void loop() {
digitalWrite(13, HIGH); // зажигаем светодиод
delay(1000); // ждем 1 секунду
digitalWrite(13, LOW); // выключаем светодиод
delay(1000); // ждем 1 секунду
}
(har bir labaratoriya baholangandan keyin yuklanadi baxolanmagan hemis
tizimiga yuklangan laboratoriyalar baholanmaydi).
Nazorat savollari
1. Integral mikrosxema (IMS) nima ?
2. IMS asosiy xususiyati nimada ?
3. IMS elementi va komponentasi deb nimaga aytiladi ?
4. Pardali, gibrid va yarim o‘tkazgichli IMSlarning bir – biridan farqi nimada?
5. Nima sababli tranzistorli tuzilma turli IMS elementlari yasashda asosiy
hisoblanadi ?
6. Integral mikrosxema elementlarini izolyasiyasi qanday amalga oshiriladi ?
2 – laboratoriya ishi
Mavzu: BTda yasalgan UE kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish
Ishning maqsadi: Umumiy emitter sxemasida ulangan bipolyar tranzistorda
yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlarini o‘lchash.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:
Ishda 2.1- rasmda ko‘rsatilgan, umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar
tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlari o‘lchanadi.
Qisqacha nazariy ma’lumot:
Tranzistor (inglizcha: transfer — koʻchirmoq va rezistor) — elektr tebranishlarni
kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3
elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy
elementi.
Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga
ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda
ikkala turdagi (p-tipli va n-tipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarimoʻtkazgichlar
ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n oʻtish hisobiga ishlaydi
va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir
turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning
bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni
emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish
orqali amalga oshiriladi.
Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro
atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli
texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni
siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng
miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi —
IGBT ishlab chiqildi.
1. Laboratoriya mashg’ulotini bajarish uchun topshiriqlar.
2. 2 ta listga BTda yasalgan UE kuchaytirgich sxemasini asosiy bosqichlarini
yozish va rams,chizmalarini chizish va baholangandan keyin xemis tizimiga
joylash.
3. Laboratoriya prinsipal va ishchi sxemasini o‘qish va tushuntirib berish.
4. Laboratoriya ishini sxema yordamida stentda yig‘ish va ishlatib ko‘rsatib
berish.
2.1-rasm. UE sxemasidagi BTda bajarilgan
sodda kuchaytirgich bosqichi sxemasi.
Tranzistor aktiv rejimda ishlaydi. RB va RK rezistorlar o‘zgarmas tok bo‘yicha
ish rejimini ta’minlaydilar. Bu vaqtda RB yordamida baza tokining o‘zgarmas tashkil
etuvchisi o‘rantiladi.
I Б 0 
E K  U БЭ 0 E K

,
RБ
RБ
(2.1)
demak, kollektor toki ham
I K 0    I Б 0  I КЭО    I Б 0 ,
(2.2)
RK rezistor kollektor toki o‘zgaruvchan tashkil etuvchisini kuchlanish manbai orqali
qisqa tutashuvdan himoya qiladi. RK>>RYU bo‘lishi tavsiya etiladi. Bir vaqtning
o‘zida RK kattaligi kollektordagi kuchlanish o‘zgarmas tashkil etuvchisiga ta’sir
ko‘rsatadi, chunki
U КЭ 0  E K  I K 0RK .
(2.3)
Berilgan EK va RK qiymatlarida o‘zgarmas tok bo‘yicha tranzistor ishchi nuqtasi
ikkita parametr bilan emas, balki bitta parametr IB (0) yoki IK(0) yoki UKE(0) orqali
beriladi. O‘lchashda UKE(0) dan foydalangan qulay.
Signal manbai uG va YUklama o‘zgarmas tok rejimida tranzistorga ta’sir
ko‘rsatmasligi uchun, UBE(0) ishchi diapazonda kichik qarshiliklarga ega bo‘lgan
bo‘luvchi kondensatorlar SB va SK ulanishi kerak.
Kuchaytirgich bosqichi asosiy parametrlarini hisoblash uchun quyidagi
formulalardan foydalanish mumkin:
 RВХ  r ' Б  h21Э rЭ

RЮ

 KU   h21Э
RКИР ;

K  h
21Э
 1

 RЧИК  RK
Bu erda R НЭ 
(2.4)
RK RЮ
uТ
26 мВ

; rЭ 
.
RK  RЮ
I Э 0 I K 0
Emitter zanjirida manfiy teskari aloqa YUzaga keltiruvchi RE rezistor mavjud
bo‘lganda
 RКИР.ТА  h21Э RЭ

RЮ

;
K

 U .ТА R
Э

(2.5)
2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
2.1. O‘zgarmas tok bo‘yicha tranzistor rejimini o‘rnatish.
2.1.1. 3.2 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing (bu 3.1 – rasmda keltirilgan
kuchaytirgich bosqichi sxemasining tranzistor ishchi nuqtasini aniqlovchi qismi).
2.2-rasm. Kuchaytirgich ishchi rejimini o‘rnatish.
E2 =10V
RK =3,3k
RB =10-56k o‘rnating.
O‘zgarmas U БЭ 0  , U КЭ 0  kuchlanishlarni o‘lchash uchun voltmetrlarni
ulang.
2.1.2. E1 kattalikni o‘zgartirib borib, U КЭ 0 
Е2
 5В (*) bo‘lgan hol uchun
2
tranzistort ishchi nuqtasini tanlang.
U БЭ 0  kuchlanishni o‘lchang va o‘zgarmas tashkil etuvchilarini aniqlang.
Baza toki
I Б 0 
Е1  U БЭ 0
RБ
(2.6)
I К 0 
kollektor toki
Е 2  U КЭ 0
RК
(2.7)
va baza tokini statik uzatish koeffitsienti
 
I K 0
I Б 0
(2.8)
(*) Real sxemalarda E1 = E2 qilib hamda mos RB kattaliklari tanlanadi
2.1.3. 2.1.2- banddagi o‘lchash va hisoblarni boshqa ikkita ishchi nuqta uchun
takrorlang ( U КЭ 0  = 0,25E2 va U КЭ 0  = 0,75E2).
2.1 - jadval
UKE(0), V
2,5
5
7,5
Formula
E1
UBE(0), V
IB(0), mA
3.6
IK(0), mA
3.7
β
3.8
2.2. Kuchaytirgich bosqichi asosiy parametrlarini o‘lchash.
3.1. 3.3 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing (oldingi bandda yig‘ilgan sxemani
to‘ldiring).
2.3-rasm. Kuchaytirgich bosqichiga signal berish sxemasi.
2.2.2. UKE(0) = 0,5E2 ishchi nuqtani o‘rnating.
2.2.3. Voltmetrlarni o‘zgaruvchan kuchlanishlarni o‘lchash rejimiga o‘tkazing.
Sxema kirishi va chiqishiga ossilograf ulang. Signal generatoridan f=1000Gs
chastota va Ugm amplitudaga ega bo‘lgan shunday sinusoidal kuchlanish beringki,
sxemaning chiqishida amplitudasi Uchiq.m = Ukem =1–2B ga teng bo‘lgan
o‘zgaruvchan kuchlanish hosil bo‘lsin.
Ossilograf yordamida signal buzilishlari yo‘qligiga ishonch hosil qiling.
Kuchaytirgich kaskadi chiqishidagi kuchlanish fazasi kirishga nisbatan
inverslanayotganligiga ishonch hosil qiling. Kirishdagi o‘zgaruvchan kuchlanish
Ukir..m=Ubem, chiqishdagi o‘zgaruvchan kuchlanish Uchiq..m=Ukem va (voltmetrni qayta
ulab) generator chiqishidagi Ugm kuchlanish amplitudalarini o‘lchang.
O‘lchash natijalarini 2.2 – jadvalga kiriting.
2.2.4. O‘zgaruvchan tashkil etuvchilarning amplitudalarini hisoblang.
Kirish toki
I Бm  I КИРm 
U Гm  U БЭm U Гm

,
RГ
RГ
(2.9)
va chiqish toki
I ЧИК .m 
U КЭm
RЮ ,
(2.10)
Hamda kollektor toki o‘zgaruvchan tashkil etuvchisi
I к .m 
U КЭm
.
RЮ
(2.11)
O‘lchashlar asosida kuchaytirish koeffitsientlari qiymatlarini hisoblang.
Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti
KU 
U КЭm
U БЭm ,
(2.12)
tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti
KI 
kirish qarshiligi
I чик.m
I кир.m ,
(2.13)
RКИР 
U кир.m
I кир.m ,
(2.14)
va baza tokining uzatish differensial koeffitsienti
h21Э 
I Km
I Бm .
(2.15)
Natijalarni 2.2 – jadvalga kiriting.
2.2.5. O‘lchangan baza tokining uzatish differensial koeffitsienti h21Э uchun
kuchlanish bo‘yicha nazariy kuchaytirish koeffitsienti (2.2) va kirish qarshiligi (2.1)
qiymatlarini hisoblang va 2.2 – jadvalga kiriting
( r’B = 100 Om deb oling).
2.2 - jadval
UKE(0), V
0,25
E2
0,5
E2
0,75
E2
Formula
UGm
Ukir..m
Uchiq..m
Ikir..m
2.9
Ichiq..m
2.10
IK.m
2.11
KI
2.13
h21E
2.15
Rkir, kOm
o‘lchangan. 2.14
hisoblangan 2.4
KU
o‘lchangan 2.12
hisoblangan 2.2
2.2.6. 2.2.2-2.2.5 bandlarda bajarilgan o‘lchash va hisoblarni boshqa ikkita ishchi
nuqta (UKE(0) = 0,25E2 va UKE(0) = 0,75 E2) uchun takrorlang.
2.2.7. Uch nuqta yordamida bog‘liqlik grafiklarini quring
 va h21Э  f I K 0
Nazariy va tajribada o‘lchangan
Rкир  f I K 0
K U  f I K 0 
K I  f I K 0  bog‘liqliklarni quring.
UKE(0) kuchlanishga mos keluvchi IK(0) qiymatni 2.1 – jadvaldan oling.
3.3. Kuchaytirgich bosqichi ishiga tashqi YUklama ta’sirini tahlil qilish.
3.2 va 3.4 formulalardan foydalanib RYU= 0,1; 1; 3,3; 4,7; 10 kOm qiymatlar uchun
K U  f R Ю  bog‘liqlikni quring.
Hisobot mazmuni:
- o‘lchash sxemalari;
- olingan bog‘liqliklar jadvallari va grafiklari;
- o‘lchash va hisoblash natijalarining tahlili.
(har bir labaratoriya baholangandan keyin yuklanadi baxolanmagan xemis
tizimiga yuklangan laboratoriyalar baholanmaydi).
Nazorat savollari
1. BTli sodda kuchaytirgich bosqichi ishlash prinsipini tushuntiring.
2. BTli sodda kuchaytirgich bosqichi ishchi nuqtasini qaysi parametrlar belgilaydi?
3. Kuchaytirgich differensial parametrlarini keltiring. Bu parametrlar tajribada
qanday o‘lchanadi ?
3-laboratoriya ishi
Mavzu: BTda yasalgan UE kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish
Ishning maqsadi: UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy
statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va
tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.
Qisqacha nazariy ma’lumot:
Tranzistorning yaratilishi XX asrning eng muhim voqealaridan biri boʻlib, 1833yilda ingliz olimi Maykl Faradey yarimoʻtkazgich material — kumush sulfidi bilan
oʻtkazgan tajribadan boshlangan yarimoʻtkazgichlar elektronikasi sohasining keskin
rivojlanishiga sabab boʻldi.
1874-yil nemis fizigi Karl Ferdinand Braun metall-yarimoʻtkazgich kontaktida bir
tomonlama oʻtkazuvchanlik hodisasini aniqladi.
1906-yili injener Grinlif Vitter Pikkard nuqtaviy yarimoʻtkazgichli diod-detektorni
ixtiro qildi.
1910-yilda ingliz fizigi Uilyam Ikklz baʼzi bir yarimoʻtkazgichlar elektr
tebranishlarini hosil qilishi mumkinligini aniqladi. 1922-yilda esa Oleg Losev,
maʼlum kuchlanishlarda manfiy differensial qarshilikka ega boʻlgan diodlarni
yaratdi. Ushbu diodlar, keyinchalik, detektorli va geterodinli radiopriyomniklarda
qoʻllanildi.
Bu davrning oʻziga xos tomonlaridan biri shunda ediki, u vaqtda yarimoʻtkazgichlar
fizikasi hali yetarlicha keng oʻrganilmagan edi. Barcha yutuqlar, asosan, tajribalar
tufayli qoʻlga kiritilgandi. Olimlar, kristall ichida qanday fizik hodisalar roʻy
berayotganini tushuntirib berishga qiynalishgan. Baʼzida notoʻgʻri xulosalarga ham
kelishgan.
Shu bilan birga, 1920-1930-yillarda chet davlatlarda radiotexnika sohasiga elektron
lampalar kirib keldi. Bu soha yarimoʻtkazgichlar fizikasiga qaraganda kengroq
oʻrganilgan boʻlgani uchun koʻp mutaxassis-radiotexniklar aynan shu sohada
ishlagan.. Yarimoʻtkazgichli diodlarga esa moʻrt va „injiq“ qurilmalar sifatida baho
berilgan. Oʻsha vaqtlarda yarimoʻtkazgichlarning katta imkoniyatlarini hech kim
payqamagan.
1.Laboratoriya mashg’ulotini bajarish uchun topshiriqlar.
2. 2 ta listga BTda yasalgan UE kuchaytirgich sxemasini
asosiy
rams,chizmalarini chizish va baholangandan keyin xemis tizimiga joylash.
3. Laboratoriya prinsipal va ishchi sxemasini o‘qish va tushuntirib berish.
4. Laboratoriya ishini sxema yordamida stentda yig‘ish va ishlatib ko‘rsatisb
berish.
Grafik ko’rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog’liqlik
tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. Umumiy emitter ulanish sxemasida
mustaqil o’zgaruvchilar sifatida baza toki i B va kollektor – emitter kuchlanishi
u КE tanlanadi, shunda:
u EB  f iB , u КE 

(3.1)
iК  f iB , u КE 
Ikki o’zgaruvchili funktsiya grafik ko’rinishda xarakteristikalar oilasi kabi
tasvirlanadi.
BT kirish xarakteristikalari oilasi 3.1 a- rasmda, chiqish xarakteristikalar
oilasi 3.1 b-rasmda keltirilgan.
a)
b)
3.1-rasm
Xarakteristikalarning har biri quyidagi bog’liqlik bilan ifodalanadi:
u EB  f i B  , u КE  const
bo’lganda
i К  f u КE  , i B  const bo’lganda
(3.2)
(3.3)
Kichik amplitudali siganllar bilan ishlanganda I Bт , U BEт , I Km , U КEт
i B 0 
va U КE 0  qiymatlar bilan beriladigan ixtiyoriy ishchi nuqta atrofidagi nochiziqli
bog’liqliklar (3.1-3.3), chiziqli tenglamalar bilan almashtirilishi mumkin, masalan
tranzistorning h- parametrlar tizimidan foydalanib.
U BEт  h11 I Bт  h12U КEт

(3.4)
I Кт  h21 I Bт  h22U КEт
yozish mumkin, bu erda h11E 
u BE
, u KE  const bo’lganda
i B
h21E 
i К
,
i B
h12 E 
u BE
i  const
u КE , B
u KE  const bo’lganda
bo’lganda
(3.5)
h22 E 
i К
u КE ,
i B  const bo’lganda
h- parametrlar (3.5) formulalari yordamida xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi
mumkin (h11E va h12E – kirish xaratkeristikalar oilasidan, h21E va h22E – chiqish
xarakteristikalar oilasidan).
Amaliy hisoblarda ko’pincha BT statik xarakteristikalarini bo’lakli- chiziqli
aprroksimatsiyasidan ham keng foydalanishadi. (3.2- rasmga qarang)
3.2-rasm
Approksimatsiyalangan kirish xaratkeristiklari uchun
u BE  U BO'S bo' lg anda  iB  0

u BE  U BO'S (3.6)

u

U
bo
'
lg
anda

i

BO 'S
B
 BE
r KIR

ga egamiz.
Chiqish xarakteristikalari uchun esa
 u KE
,
r
 К .TO 'Y
iК  
i  u КE ,
 B r К
U КE  U КE .ТO 'Y ,
to' y.  rejimi
aktiv  rejim
(3.7)
3.6 va 3.7 formulalarda
UBO’S- emitter o’tishdagi bo’sag’aviy kuchlanish,
r KIR - tranzistor kirish qarshiligining o’rta qiymati ( r KIR  r ' B ),
rК .ТO 'Y - to’yinish rejimidagi tranzistor chiqish qarshiligi
(boshlang’ich
sohada).
rК .ТO 'Y 
u КE
, iB  const va
iК
u КE  U КE .ТO 'Y
(3.8)

r К - aktiv rejimda chiqish qarshiligi ning o’rta qiymati.
rК 
u КE
i B  const va u КE  U КE .ТO 'Y bo’lganda
i К
(3.9)
2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
2.1. Tajriba o’tkazishga tayyorgarlik ko’rish:
Tranzistor tuzilishi va chegaraviy parametrlari bilan tanishib chiqing, tranzistor
haqidagi ma'lumotlarni yozib oling, o’lchash uchun jadval tayyorlang.
3.1 – jadval
Kirish va boshqarish xarakteristikalari
EB
V
UBE
V
IB
mkA
IK
mA
3.2 - jadval
Tranzistor chiqish xarakteristikalari
IB,
mkA
uKE
V
iK
mA
uKE
V
iK
mA
uKE
V
iK
mA
va
h.z.
3.3 – rasmda keltirilgan o’lchash sxemasini yig’ing. Tranzistor tsokolining sxemasi
3.4 – rasmda keltirilgan. Rezistor
qarshiliklari R1= (5–10 ) kOm va R2=(5101000) Om.
3.4-rasm
3.5- rasm
2.2. u КE = 5 V o’zgarmas kuchlanish qiymatida tranzistorning kirish va boshqarish
xarakteristiklarini o’lchang. O’lchash natijalari va hisoblarni 3.1 - jadvalga kiriting.
2.3. Chiqish xarakteristiklar oilasini o’lchang:
Chiqish xarakteristiklar oilasini baza tokining iB=0 mkA qiymatidan boshlab har
50 mkA qiymatlari uchun o’lchang. Kollektor toki bu vaqtda ko’rsatilgan chegaraviy
u КE kuchlanish qiymatining o’zgarish oralig’i
shunday tanlanishi kerakki, aktiv ( u КE > u BE ) va to’yinish ( u КE < u BE ) rejimlarida
qiymatlardan oshmasligi kerak;
3-5 ta nuqta olish mumkin bo’lsin.
3. O’lchash natijalarini ishlash:
3.1. Kirish, boshqaruv va chiqish xararteristikalar oilasi grafigini quring.
uKE =5 V, iB =100 mkA nuqtada tranzistor parametrlarini aniqlang
h11E 
3.2.
i K
u BE
i K
h

h

21
E
,
i B , 22 E u КE
i B
Baza toki 100 mkA bo’lganda chiqish xararteristikasini quring. Chiziqli –
bq’lak approksimatsiyani amalga oshirib U КE .ТO 'Y , I К .ТO 'Y , rК .ТO 'Y , rK larni
hisoblang.
(har bir labaratoriya baholangandan keyin yuklanadi baxolanmagan xemis
tizimiga yuklangan laboratoriyalar baholanmaydi).
4. Nazorat savollari.
1. BT UE ulanish sxemada ishlash printsipi, emitter va kollektor p-n o’tishlar, baza
sohasi ahamiyati haqida gapirib bering.
2. Emitter toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo’nalishlarini p-n-p
hamda n-p-n turli BT uchun ko’rsating.
3. Baza toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo’nalishlarini p-n-p
hamda n-p-n turli BT uchun ko’rsating.
4-laboratoriya ishi
Mavzu: Maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich sxemasini tadqiq
etish
Ishning maqsadi: Maydoniy tranzistor statik xarakteristikalari va
differentsial parametrlarini o’rganish, tranzistor ishiga temperaturaning ta'sirini
tadqiq etish.
Kerakli jihozlar
1. Vafli (breakboard)
2. Arduino uno platasi (ta’minot manbayi sifatida)
3. Kabellar
4. Kalonka
5. Maydoniy transistor (n-tipli)
6. Reostat
7. Resistor
8. Kondensator
9. USB kabel
1.Laboratoriya mashg’ulotini bajarish uchun topshiriqlar.
2. 2 ta listga Maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich sxemasi va
rams,chizmalarini chizish va baholangandan keyin xemis tizimiga joylash.
3. Laboratoriya prinsipal va ishchi sxemasini o‘qish va tushuntirib berish.
4. Laboratoriya ishini sxema yordamida stentda yig‘ib va ishlatib ko‘rsatish.
Maydoniy tranzistor yoki unipolyar tranzistorlarning yaratilishi avstriya-vengriyalik
fizik Yuliy Edgar Lilienfild nomi bilan bogʻliq. U tokni boshqarishning yangi yoʻlini
taklif qilgan. U taklif qilgan usulga koʻra, tok uzatish yoʻli boʻylab unga koʻndalang
elektr maydon qoʻyiladi. Bu elektr maydon zaryad tashuvchilarga taʼsir qilib,
oʻtkazuvchanlikning yoʻnalishini oʻzgartiradi. Ushbu kashfiyot uchun Kanada
(1925-yil 22-oktabrda) va Germaniyada (1928-yilda) patent olgan.
1934-yilda nemis fizigi Oskar Xayl ham Buyuk Britaniyada ixtiro qilgan „kontaktsiz
rele“si uchun patent olgan. Maydoniy tranzistorlar sodda elektrostatik effektga
asoslangan va unda kechadigan jarayonlar bipolyar tranzistorlarga qaraganda oddiy
boʻlishiga qaramasdan toʻliq ish holatidagi maydoniy tranzistorlarni yasash uchun
juda koʻp vaqt ketdi.
1920-yilda patentlangan va hozirda kompyuter sanoatining asosini tashkil etadigan
birinchi MDS maydoniy tranzistor birinchi boʻlib 1960-yilda amerikalik olimlar
Kang va Atallaning ishidan soʻng yaratilgan boʻlib, ular kremniy sirtini oksidlash
orqali uning sirtida dielektrikining kremniy dioksidining juda yupqa qatlamini hosil
qilishni taklif qildilar. Bu qatlam oʻtkazgich kanalidan metall zatvorni izolyatsiya
qilish vazifasini bajarardi. Bunday bunday tuzilishga MOS strukturasi deyiladi
(Metall-oksid-yarim oʻtkazgich, inglizcha metall-oxide-semiconductor).
XX asrning 90-yillaridan boshlab esa MOS-struktura bipolyar tranzistorlardan
yetakchilikni tortib oldi.
Laboratoriya ishida tuzilishi va sxemalarda shartli belgilanishi 4.1- rasmda
keltirilgani kanali r- turli maydoniy tranzistor tadqiq etiladi.
a)
b)
4.1-rasm
Stok toki zatvorga kuchlanish berish orqali boshqariladi, ya'ni
boshqarilayotgan p-n o’tishga teskari kuchlanish UZI>0 beriladi. UZI dagi berkitish
kuchlanishi ortgan sari hajmiy zaryad sohasining kengligi ortib boradi. Natijada
berilgan USI kuchlanish qiymatida kanal kengligi kichrayadi, uning qarshiligi RK
ortadi, demak stok bilan istok oralig’idagi stok toki IS kamayadi. 4.2- rasmda
boshqarish xarakteristikasi IS= f (UZI) keltirilgan.
Boshqaruvchi p-n o’tishning hajmiy zaryad sohasi va asos bilan kanal
orasidagi
p-n o’tish birikkandagi (stok toki IS nolga teng bo’ladigan) zatvor
kuchlanishi qiymati bo’sag’aviy kuchlanish UBO’S deb ataladi.
4.2-rasm
To’yinish rejimida ishlayotgan maydoniy tranzistor
xarakteristikasini quyidagi bog’liqlik bilan approksimatsiyalash qulay.
 1  U ZI 

I S  I S max 
U
 BO'S 
boshqaruv
2
(4.1)
bu erda maksimal stok toki zatvor – istok kuchlanishi nol IS max – UZI = 0 ga mos
keluvchi boshlang’ich stok toki.
Boshqaruv xarakteristikasidan (4.2- rasm) xarakteristika tikligi aniqlanishi
mumkin.
S
dI S
dU ZI U SI  const .
(4.1) approksimatsiyadan foydalanilganda tiklik quyidagicha aniqlanadi:
S
2 I S max 
U 
1  ZI  ,
U BO'S  U BO'S 
(4.2)
Maydoniy tranzistor chiqish xarakteristikalar oilasi 7.3 – rasmda keltirilgan.
Xarakteristikaning boshlang’ich sohasi (USI<USI TO’Y) chiziqli rejimga mos keladi.
Bu rejimda kanal butun istok-stok oralig’ida mavjud bo’ladi, shuning uchun USI
U SI
I

S
ortgan sari, chiziqli qonunga mos ravishda stok toki
R K ham ortadi.
USI<USI.TO’Y da tranzistor to’yinish rejimiga o’tadi, bu sohada stok toki IS stok
kuchlanishi USI ga kuchli bog’liq bo’lmaydi. Ikki rejim chegarasi hisoblangan
to’yinish kuchlanishi USI.TO’Y zatvordagi kuchlanish UZI ga bog’liq bo’ladi va
quyidagi formuladan aniqlanadi: USI.TO’Y=UZI–UBO’S. Chiqish xarakteristikasidan
(4.3 - rasm) chiqish qarshiligi aniqlanishi mumkin
rCHIQ 
U SI
I S U SI  const
4.3-rasm
Bu kattalik to’yinish rejimida hisoblansa, katta qiymatga ega bo’ladi, shuning uchun
tranzistor kuchaytirgich sifatida ishlatilayotganda sxemaning sokinlik nuqtasi shu
rejimda tanlanadi. Chiziqli rejimda tranzistor chiqish qarshiligi zatvordagi
kuchlanish UZI ga bog’liq va taxminan tanlangan ishchi nuqtada USI kuchlanishini
IS tokka nisbati ko’rinishida yoki 7.3 – formuladan aniqlanishi mumkin.
RK 
bu erda R K 0 
RK 0
U ZI
1
U BO'S
,
(4.3)
U BO'S
.
3I S max
2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
2.1. 4.4- rasmda keltirilgan sxema, o’lchash asboblari o’lchanadigan KP103
maydoniy tranzistor pasport ko’rsatmalari bilan tanishib chiqing. (5- ilovaga qarang)
Sokol rasmini chizib oling va tadqiq etilayotgan tranzistorning chegaraviy
parametrlari USI.CHEG, IS.CHEG, PCHEG qiymatlarini yozib oling. 4.4 – rasmda
keltirilgan sxemani yig’ing.
4.4-rasm
2.2. Stok kuchlanishining USI=1/3 USI.CHEG va 2/3 USI.CHEG qiymatlari uchun ikkita
boshqaruv xarakteristikasini o’lchang (USI.CHEG qiymati pasport ko’rsatmalaridan
olinadi). O’lchash natijalarini 4.1 – jadvalga kiriting va undan foydalanib boshqaruv
xarakteristikasini quring. Tajribada UZI kuchlanish qiymatini 0 dan bo’sag’aviy
kuchlanish UBO’S gacha o’zgartiring.
2.3. Zatvordagi kuchlanishning uchta qiymatida (UZI=0; 0,25UBO’S; 0,5UBO’S)
chiqish xarakteristikalar oilasi IS=f(USI) ni o’lchang.
Tajriba o’tkazishdan avval IS – USI koordinatalar tizimida tranzistorning ruxsat
etilgan ishchi rejimi sohalarini belgilab oling. (4.5 - rasm)
4.1 – jadval
IS, mA
UZI, V
USI=1/3 USI.CHEG
USI=2/3 USI.CHEG
Izoh: RS.CHEG chizig’ini qurish uchun USI kuchlanishining 0 dan USI.CHEG qiymatlari
oralig’ida ixtiyoriy bir nechta qiymatlari tanlanadi va shu nuqtalarda stok toki
IS=RS.CHEG /USI hisoblanadi.
Tajribada olingan nuqtalarni 4.2 – jadvalga kiriting va tayyorlangan grafikda
ularni belgilang (4.5 - rasm). Bunda tranzistor uchun ishlash ruxsat etilgan sohadan
chiqib ketmaslikka e'tibor bering.
4.4-rasm
4.2 – jadval
USI, V
UZI=0
IS, mA
UZI=0,25UBO’S
UZI=0,5UBO’S
2.4. Tranzistor stok tokiga temperatuning ta'sirini tadqiq etish. Tadqiq etilayotgan
tranzistorni termostatga joylashtiring va tegishli temperatura qiymatini o’rnating,
stok kuchlanishning USI=1/3USI.CHEG qiymatida va T=40 0C
va 80 0C
temperaturalarda ikkita boshqaruv xarakteristikasi IS=f(UZI) ni o’lchang.
O’lchash natijalarini 4.3 – jadvalga kiriting va ulardan foydalanib T=40 0C va
80 0C temperaturalardagi ikkita boshqaruv xarakteristikasi IS=f(UZI) ni quring.
4.3 – jadval
IS, mA
UZI, V
0
T=40 S
T=800S
3. Tajribada olingan natijalarni ishlash.
3.1. 2.2. bandda o’lchangan boshqaruv xarakteriskalarini 7.1 – ifoda yordamida
approksimatsiyalang. Approksimatsiya natijalarini Qurilgan IS=f(UZI) grafigida aks
ettiring.
3.2. Boshqaruv xarakteristikalaridan foydalanib, tranzistor tikligini
USI=1/3
USI.CHEG ishchi nuqtada aniqlang
S
I S
U ZI U SI  const
S qiymatini xuddi shu nuqta uchun 7.2 – formula yordamida ham aniqlang.
3.3. 2.3 – bandda o’lchangan chiqish xarakteristikalar oilasida USI TO’Y =UZI – UBO’S
oraliqqa mos keluvchi, chiziqli rejim bilan to’yinish rejimi orasidagi chegarani
ko’rsating.
3.4. Chiqish xarakteristikalar oilasidan foydalanib, quyidagi ishchi nuqtalar
uchun tranzistor chiqish qarshiligini aniqlang:
- to’yinish rejimida (USI=1/3USI CHEG, UZI=0,25UCHEG);
- chiziqli rejimda USI=0 va zatvor kuchlanishining uchta qiymatida (UZI=0;
0,25UBO’S; 0,5UBO’S).
Hisoblashlar natijalarini 7.4 – jadvalga kiriting va ulardan foydalanib chiziqli
rejim uchun rCHIQ ning UZI ga bog’liqlik grafigini quring.
4.4 – jadval
RCHIQ, kOm
UZI,V
USI=1/3USI.CHEG
USI=0
UZI=0
UZI=0,25UCHEG
UZI=0,5UCHEG
3.5. 2.4 – bandda o’lchangan boshqaruv xarakteristikalarida, turli temperaturalarda
o’lchangan boshqaruv xarakteristikalari kesishadigan termo barqaror nuqtaning IST
va UZIT koordinatalarini aniqlang.
4. Hisobot mazmuni.
1) tadqiq etilayotgan tranzistor pasport ko’rsatmalari;
2) o’lchash sxemasi;
3) o’lchangan bog’liqliklar jadval va grafiklari;
4) boshqaruv xarakteristikasining approksimatsiya, hisoblangan tranzistor
xarakteristikasining tikligi S va chiqish xarakteristikalari rCHIQ natijalari.
(har bir labaratoriya baholangandan keyin yuklanadi baxolanmagan xemis
tizimiga yuklangan laboratoriyalar baholanmaydi).
5. Nazorat savollari.
1. Zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorni tasvirlang va
ishlash mexanizmini tushuntiring.
5-laboratoriya ishi
Mavzu: BTda yasalgan barqaror tok generatorini tadqiq etish.
Ishning maqsadi: Tajriba yo‘li bilan BTda yasalgan barqaror tok generatorini
amplituda va amplituda - chastotaviy xarakteristikalarni o‘lchash, kuchaytirgich
elementlari parametrlari uning xususiyatlariga qanday ta’sir ko‘rsatishini
o‘rganishdan iborat.
1. Laboratoriya mashg’ulotini bajarish uchun topshiriqlar.
2. 2 ta listga BTda yasalgan barqaror tok generatorini asosiy bosqichlarini yozish
va rams,chizmalarini chizish va baholangandan keyin xemis tizimiga joylash.
3. Laboratoriya prinsipal va ishchi sxemasini o‘qish va tushuntirib berish.
4. Laboratoriya ishini sxema yordamida stentda yig‘ish va ishlatib ko‘rsatish.
2. Qisqacha nazariy ma’lumot:
Bipolyar tranzistor deb o‘zaro ta’sirlashuvchi ikkita p-n o‘tish va uchta
elektrod (tashqi chiqishlar)ga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgich asbobga aytiladi.
Tranzistordan tok oqib o‘tishi ikki turdagi zaryad tashuvchilar - elektron va
kovaklarning
harakatiga
asoslangan.
Bipolyar tranzistor p-n-p va n-p-n o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan uchta yarim
o‘tkazgichdan tashkil topgan (22 a va b-rasm). Endilikda keng tarqalgan n-p-n
tuzilmali
bipolyar
tranzistorni
ko‘rib
chiqamiz.
Tranzistorning kuchli legirlangan chekka sohasi (n+ - soha) emitter deb ataladi
va u zaryad tashuvchilarni baza deb ataluvchi o‘rta sohaga (r - soha) injeksiyalaydi.
Keyingi chekka soha (n - soha) kollektor deb ataladi. U emiitterga nisbatan
kuchsizroq legirlangan bo‘lib, zaryad tashuvchilarni baza sohasidan ekstraksiyalash
uchun xizmat qiladi. Emitter va baza oralig‘idagi o‘tish emitter o‘tish,
kollektor va baza oralig‘idagi o‘tish esa -kollektor o‘tish deb ataladi
Zatvori teskari siljitilgan p-n o‘tish bilan boshqariladigan unipolyar tranzistor
stok-zatvor xarakteristikalari va stok xarakteristikalari oilalari 5.1-rasmda
keltirilgan.
O‘rganilayotgan r-kanalli KP103I turdagi tranzistorning ish rejimi UZI>0 mos
keladi.
5.1- rasm. p-n o‘tish bilan boshqariladigan unipolyar tranzistor
stok-zatvor xarakteristikalari va stok xarakteristikalari oilalari
Bunda zatvor toki nolga yaqin bo‘ladi (0,001 mkA ga yaqin, teskari ulangan
p-n o‘tish toki).
Odatda tranzistorning ishchi nuqtasi dinamik stok-zatvor xarakteristika to‘g‘ri
chiziqli sohasining o‘rtasi yaqinida olinadi. Bunda bipolyar signallar uchun dinamik
diapazonning maksimal qiymatiga erishiladi.
5.2-rasmda kuchaytirgich bosqichining prinsipial sxemasi ko‘rsatilgan. SR1 va
SR2 kondensatorlar kaskadlarni o‘zgarmas tok bo‘yicha ajratib turadi. R3 rezistor esa
zatvor zanjirida zaryadlarning oqishini ta’minlaydi.
Unipolyar tranzistorli sxemalar ishlashini tahlil qilishda tranzistorning kichik
signal (differensial) parametrlari ishlatiladi; R1– ichki (differensial) qarshilik, Sstok-zatvor xarakteristikasining ishchi nuqtadagi tikligi. YUqori chastotalarda
tranzistorning elektrodlari orasidagi (SZI, SZS, SSI – nomlanishi mos ravishda kirish,
uzatish va chiqish) sig‘imlari hisobiga olinishi kerak. O‘rta chastotalarda –
sxemaning reaktiv komponentalari hisobga olinmasa, kuchlanish bo‘yicha
kuchaytirish koefitsientini hisoblash uchun K0=S(RYU) formulani topish qiyin emas,
bu erda RYU– YUklama qarshiligi.
5.2- rasm. Kuchaytirgich bosqichining prinsipial sxemasi.
Yuqori chastotalarda Yuklamani shuntlovchi sig‘imlarni e’tiborga olmaslikni
iloji yo‘q. SHuntlovchi sig‘imlarni berilgan kaskadning chiqish sig‘imi, keyingi
kaskadning kirish sig‘imi (Yuklama sig‘imi) va montajning parazit sig‘imi tashkil
etadi. Bu sig‘imlar o‘zaro parallel ulangan. Tranzistorning turi va RYU berilgan holda
o‘tkazish oralig‘i kengligini faqat sig‘im qarshilik (RC) qiymatini kichiklashtirib
kengaytirish mumkin. Lekin bu holda kuchaytirish koeffitsienti KU kamayadi.
Past chastotalarda (PCH) ajratuvchi kondensator (SR) ning qarshiligi sezilarli
bo‘ladi. Kuchaytirgichning o‘tkazish polasasini PCH tomoniga kengaytirish uchun
SR va RYU qiymatlarini oshirish zarur.
Kuchaytirgichning chastotasi bo‘yicha o‘tkazish oralig‘ini kengaytirishning
va demak, kuchaytirilgan impul signallarining buzilishini kamaytirishning
usullaridan biri kuchaytirgichga korrektorlovchi qo‘shimcha maxsus zanjir ulashdan
iborat. Bunday zanjirli kuchaytirgich prinsipial sxemasi 5.3. a-rasmda keltirilgan.
RF, SF zanjir kuchaytirgichning past chastotadagi xususiyatlarini, LK drossel esa –
Yuqori
chastotadagi
xususiyatlarini
yaxshilaydi.
Ularning
ta’siri
korreksiyalanmagan kuchaytirgichda kuchaytirishni pasayishi kuzatiladigan
ma’lum chastotatalr oralig‘ida tranzistorning chiqish (stok) zanjirida qarshilikni
oshirishga asoslangan. Past chastotatalarda chiqish zanjirining ekvivalent sxemasini
4.3. b-rasmda keltirilgandak ko‘rsatish mumkin. Uni chizishda R1 va RF qiymati RS
dan juda katta deb faraz qilingan (chastota bo‘yicha keng oraliqli kuchaytirgichlarda
amaliyotda, ko‘p hollarda, shunday bo‘ladi). Ushbu ekvivalent sxemadan ko‘rinib
turibdiki, agar Rf Sf va RYU SR ko‘paytmalar tengligi bajarilsa, chiqish kuchlanishi
chastotaga bog‘liq bo‘lmaydi.
LK drossel (tranzistorning stok zanjirida Yuqori chastotani korreksiyalovchi
element) qo‘shish kuchaytirgichning chiqish zanjirida parallel tebranish kontur hosil
qiladi. Bu tebranish konturining rezonans chastotasi fREZ korrektorlanmagan
kuchaytirgich Yuqori chegaraviy chastotasiga yaqin qilib olinadi. Rezonans
chastotasida va uning yaqinidagi chastotalarda parallel LC konturning qarshiligi
korreksiyalanmagan kuchaytirgich tranzistori chiqish zanjiri qarshiligidan katta
bo‘lgani sababli korreksiyalangan kuchaytirgichning (fREZ atrofidagi) chiqish
kuchlanishi ham katta qiymatga ega bo‘ladi. O‘tkichi, amplituda-chastotaviy va
faza-chastotaviy xarakteristikalarining eng yaxshi shakllarini hosil qilish uchun
tebranish konturi assilligi Q qiymati kichik qilib olinadi.
Maketning tavsifi
Sxemasi 5.4-rasmda keltirilgan maket KP103I unipolyar tranzistor asosida
yig‘ilgan kuchaytirgichdir. G1 sozlagich yordamida zatvor-istok kuchlanishi (UZI)
ni o‘zgartirish mumkin. Uning qiymatlarini o‘lchash uchun o‘zgarmas kuchlanishni
o‘lchov asbob yoki kirish ochiq ossillograf klemmalarga ulanadi. Stok toki
qiymatlari maketga o‘rnatilgan milliampermetr (UU-1 ulagich “1” xolatda, shkalasi
20 mA) yordamida o‘lchanadi. Maketda stok zanjiridagi elementlarni ulagichlar
holatini o‘zgartirib almashtirish imkoniyati ko‘zda tutilgan: R3 (U9-11 ulagich 10
holatda); R1 va R2, L va S1 yoki S2 (U9-11 ulagich 11 xolatda; U1-2 ulagich 1
holatda (S1) yoki 2 holatda (S2)); kaskadlararo aloqa zanjirida ajratuvchi
kondensatorlar S5 yoki S6 (U3-4); YUklama zanjiri parametrlari; S4, R5 (U5-6
ulagich 5 holatda) yoki S7, R5 (U5-6 ulagich 6 holatda). Elementlar parametrlarini
bunday o‘zgarishlar imkoniyati kuchaytirgich xarakteristikalariga elementlar
parametrlari ta’sirini o‘rganish imkonini tug‘diradi.
Kuchaytirgichning chastotaviy hususiyatlarini korreksiyalash (to‘g‘rilash)
uchun maketda S1/S2 kondensatorlar, past chastotalarda R5 rezistor, YUqori
chastotalarda L drossel ko‘zda tutilgan.
Maketda o‘rnatilgan elementlarning nominal qiymatlari:
R1=4,7 kOm
R6=910 kOm
S4=750 pF
R2=4,7 kOm
R7=100 kOm
S5=4700 pF
R3=2,7 kOm
S1=2200 pF
S6=130 pF
R4=470 kOm
S2=100 pF
S7=300 pF
R5=4,7 kOm
S3=0,1 mkF
L=5500 mkGn
a)
b)
5.3 – rasm. Korrektorlovchi qo‘shimcha maxsus zanjirli kuchaytirgich (a)
va uning past chastotatalardagi ekvivalent sxemasi (b).
Ishni bajarish tartibi
1. Tranzistorning statik (RC=0 U9-11 ulagich 9 holatda) va dinamik (RC=R3
U9-11 ulagich 10 holatda) stok zatvor xarakteristikalarni o‘lchang va bitta chizmada
chizing. Dinamik xarakteristikalarda sinusoidal signal buzilishlari minimal
bo‘ladigan ishchi nuqtalar tanlang va ularni keyinchalik kuchaytirgichning
amplituda (AX) va amplituda-chastotaviy (ACHX) tasniflarini o‘lchashda
foydalaning.
Zatvor istok orasidagi o‘zgarmas kuchlanish qiymati G1 sozlagich yordamida
sozlanadi. Uning qiymatini KT-2 nuqtaga ulangan kirishi “ochiq” ossilograf yoki
boshqa o‘zgarmas kuchlanishning ulchov asbob bilan o‘lchanadi. (U1-U ulagich
“11” holatda, shkala 20 mA).
Ish
bandi
1
Ulagich xolati
U1-2
U3-4
U5-6
U16-20
2
4
5
9/10/11
U1-U
HH
“11”
2
2. 5 kGs chastotada RC=R1+R2 va RC=R3 bo‘lgan hollar uchun
kuchaytirgichning amplitudaviy tasniflarini o‘lchang va bitta chizmaga chizing.
Kirishdagi va chiqishdagi kuchlanishlarini o‘lchash uchun millivoltmetr
(o‘zgaruvchan kuchlanishlarni o‘lchovchi asbob) yoki ossillograf ishlatish mumkin.
Bunda kuchlanishni o‘lchovi asbob mos ravishda NN1 YOki NN4 (NN5) larga
ulanadi.
Stok zanjiridagi R1 rezistorni S2 kondensator bilan shuntlang.
Kuchaytirgichning kirishiga (kirish1) tashqi generatordan sinusoidal
kuchlanish bering.
5.4 – rasm. Tadqiq etilayotgan kuchaytirgich bosqichi sxemasi.
Ish davomida ossillograf yordamida chiqish kuchlanishi ko‘rinishini kuzatish
zarur. Chiqish signali ossillogrammasini kuzatish bilan bir vaqtda G1 sozlagich
yordamida ishchi nuqtaning o‘rnini o‘zgartira boring va chiqish signali buzilishlari
eng kichik bo‘ladigan holatni toping.
Sezilarli chiziqli buzilishlar kuzatilmagan holat uchun kirishdagi sinusoidal
kuchlanish amplitudasining maksimal UKIR.MAX ni aniqlang.
Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti KU ni toping.
O‘lchashlar natijasiga ko‘ra UCHIK=f(UKIR) bog‘lanishni chizing.
Ish
bandi
2
U1-2
2
Ulagich xolati
U3-4
U5-6
4
6
U16-20
10/11
U1-U
HH
U
1/4(5)
3. Kuchaytirgichning uch xil variantlari uchun amplituda-chastotaviy
tasniflarini o‘lchang va bitta chizmada yarimlogarifmik masshtabda chizing:
a) korreksiyalanmagan kuchaytirgich uchun R3,C5, C4, R5 lar ishlagan holda
b) korreksiyalanmagan kuchaytirgich uchun R3,C6, C7, R6 lar ishlagan holda
v) past va Yuqori chastotalarda chastotaviy xususiyatlari korreksiyalangan
kuchaytirgich uchun L, R1, R2, C1, C6, C7, R6 lar ishlagan holda.
Kuchaytirgichning kirishiga tashqi generatordan kirishga berilishi mumkin
bo‘lgan sinusoidal kuchlanish amplitudasining maksimal qiymati (UKIR.MAX) ning
yarmidan katta bo‘lmagan sinusoidal kuchlanish bering. ACHX larni o‘lchashda
o‘lchovlarni (1,2,5) EM (kGs) (n=-2,-1, 0,1,2,3…) chastotalarda o‘lchash tavsiya
etiladi.
Ish
Ulagich xolati
U1-U
HH
bandi
U1-2
U3-4
U5-6 U16-20
3a
2
3
5
10
U
1/4(5)
3b
2
4
6
11
U
1/4(5)
3v
1
4
6
11
U
1/4(5)
4. Impulsli signallarni chastotaviy o‘zgarish oralig‘i keng kuchaytirgichdan
o‘tishini o‘rganing. Buning uchun kuchaytirgichning xar xil variantlari (3a, 3b, 3v
bandlar) kirishiga to‘g‘ri burchakli impuls beruvchi generatordan amplitudasi 0,5
UKIR.MAX , davomiyligi 10 mks, chastotasi 10 kGs bo‘lgan signal kiritib ossillograf
ekranida tashqi sinxronizatsiya rejimida chiqish signalini kuzatish va
kuchaytirgichning xar bir varianti uchun chiqish signali parametrlari front
davomiyligi tf, uzilish davomiyligi tC, impuls uchining nisbiy tushishini baholang.
Kuchaytirgichning chiqishida kuzatilgan signallarni bitta chizmaga chizing.
Olingan natijalarni kuchaytirgichni chastotaviy o‘tkazish oralig‘i pastki fP va
YUqori fYU chegaraviy qiymatlarini topish uchun foydalaning.
Kuchaytirgich kirituvchi to‘g‘ri burchakli impuls buzilishlari va
kuchaytirgich detallari parametrlari orasidagi bog‘liqlikni aniqlang.
Ish
bandi
4a
4b
4v
U1-2
2
2
1
Ulagich xolati
U3-4
U5-6
3
5
4
6
4
6
U16-20
10
10
11
U1-U
HH
U
U
U
1/4(5)
1/4(5)
1/4(5)
Hisobot mazmuni:
- ishning nomi.
- ishni bajarishdan ko‘zlangan maqsad.
- laboratoriya ishi bajariladigan maketning prinsipial sxemasi.
- bajarilgan ishning xar bir bosqichi uchun – bosqich nomi va natijalar (jadvali,
grafiklari va ossillogrammasi).
- olingan natijalar bo‘yicha xulosa.
(har bir labaratoriya baholangandan keyin yuklanadi baxolanmagan xemis
tizimiga yuklangan laboratoriyalar baholanmaydi).
Nazorat savollari
1. Unipolyar tranzistorning statik va dinamik stok-zatvor xarakteristikalari o‘zaro
nima bilan farq qiladi?
2. Tranzistorning Yuklamali xarakteristikasi nima va u qanday quriladi?
3. Kuchaytirgichda past va Yuqori chastotali buzilishlarning sabablari nimalarga
bog‘liq?