O‘ZBEKISTON RESPUBLIKАSI RAQAMLI TEXNOLOGIYALАR VАZIRLIGI MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI SAMARQAND FILIALI “KOMPYUTER TIZIMLARI” KAFEDRASI "Kompyuter tizimlari" kafedrasi "Raqamli qurilmalarni loyihalashga kirish" fanidan Mavzu:Bir turdagi MDYA-tranzistorlarida bajarilgan MElar. Bajardi:OBIDOV ABDULAZIZ Qabul qildi Samarqand– 2024 Mavzu:Bir turdagi MDYA-tranzistorlarida bajarilgan MElar. REJA 1) Bir turdagi MDYa – tranzistorli mantiq 2) MDYa – tranzistorlarda yasalgan mantiqiy elementlar (KMDYaM) 3) Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda yasalgan elementlar Bir turdagi MDYa – tranzistorli mantiq (MDYaTM) asosida yuklamasi MDYa – tranzistorlar asosida yaratilgan elektron kalit - invertorlar yotadi (3.1- rasm). Sxemada passiv elementlarning ishlatilmasligi, IMSlar tayyorlash texnologiyasini soddalashtiradi. Mantiqiy IMSlar tuzishda n – yoki p – kanali induktsiyalangan MDYa – tranzistorlardan foydalanish mumkin. Ko’proq n – kanalli tranzistorlar qo’llaniladi, chunki elektronlarning harakatchanligi kovaklarnikiga nisbatan yuqori bo’lganligi sababli mantiqiy IMSlarning yuqori tezkorligi ta’minlanadi. Bundan tashqari, n– MDYa TM sxemalar kuchlanish nominali va mantiqiy 0 va 1 sathlari bo’yicha TTM sxemalar bilan to’liq muvofiqlikka ega. Bir turdagi MDYa – tranzistorli mantiqdan foydalanib EMAS, YOKI, HAM, YOKI-EMAS hamda HAM-EMAS mantiqiy elementlari quriladi. 1-rasm. Dinamik yuklamali MDYA – tranzistorli kalit Dinamik yuklamali MDYA – tranzistorli kalit( EMAS ME) sxemasida 3.1– rasmda keltirilgan. Bu sxemada yuklama sifatida ishlatilayotgan VT2 tranzistor doim ochiq holatda bo’ladi, chunki ularning zatvorlari kuchlanish manbaining musbat qutbiga tutashgan. U tok cheklagichlar (dinamik qarshiliklar) vazifasini bajaradi. Agar qayta ulanuvchi VT1 tranzistorni kirishidagi potentsial U0 dan kichik bo’lsa, ya’ni UKIR<U0 (mantiqiy 0) bo’lsa, u holda bu tranzistor berk bo’ladi. Bu vaqtda yuklamadagi VT2 tranzistor stok toki ham nolga teng bo’ladi. Shu sababli, sxemaning chiqishida manba kuchlanishi EM qiymatiga yaqin bo’lgan, ya’ni mantiqiy birga mos kuchlanish o’rnatiladi. Bir turdagi MDYa – tranzistorli mantiqdan foydalanib YOKI mantiqiy elementini yig’ish uchun VT1 va VT2 tranzistorlarini stoklari manbaning musbat qutbiga ulanadi, istoklari ketma-ket holda VT0 tranzistoriga ulanadi 2-rasm. n – MDYa tranzistorli YOKI mantiqiy elementi Bir turdagi MDYa – tranzistorli mantiqdan foydalanib HAM mantiqiy elementini yig’ish uchun VT1 va VT2 tranzistorlarini ketma-ket ulab, ya’ni VT1 tranzistorni stokiga VT2 tranzistorni istogi ulanadi. VT2 tranzistorni stogi manbaning musbat qutbiga ulanadi, VT1 tranzistorning stogi ketma-ket holda VT0 tranzistoriga ulan 3-rasm. n – MDYa tranzistorli HAM mantiqiy elementi Sodda 2YOKI-EMAS ME sxemalari 3.4 – rasmda keltirilgan. Bu sxemada yuklama sifatida ishlatilayotgan VT0 tranzistorlar doim ochiq holatda bo’ladi, chunki ularning zatvorlari kuchlanish manbaining musbat qutbiga tutashgan. Ular tok cheklagichlar (dinamik qarshiliklar) vazifasini bajaradi. 2YOKI-EMAS sxemada VT1 va VT2 tranzistorlar parallel ulanadi. 2YOKI –EMAS elementda biror kirishga yuqori sath kuchlanishi (U1KIRU0) berilsa, ChIQ 0mos ravishda VT1 yoki VT2 tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy 0 (U0 U ) o’rnatiladi. Agar ikkala kirishga mantiqiy 0 darajasi berilsa, VT1 va VT2 berk bo’ladi. Chiqishda esa yuqori sath kuchlanishi – mantiqiy 1 o’rnatiladi. 4-rasm. n – MDYa tranzistorli YOKI-EMAS mantiqiy element sxemasi Sodda 2HAM-EMAS ME sxemasi 3.5 – rasmda keltirilgan. Bu sxemada yuklama sifatida ishlatilayotgan VT0 tranzistorlar doim ochiq holatda bo’ladi, chunki ularning zatvorlari kuchlanish manbaining musbat qutbiga tutashgan. Ular tok cheklagichlar (dinamik qarshiliklar) vazifasini bajaradi. 2HAM-EMAS sxemada VT1 va VT2 tranzistorlar ketma – ket ulanadi. Agar qayta ulanuvchi tranzistorlar birining kirishidagi potentsial busag’aviy potentsial U0 dan kichik bo’lsa, ya’ni UKIR<U0 (mantiqiy 0) bo’lsa, u holda bu tranzistor berk bo’ladi. Bu vaqtda yuklamadagi VT0 tranzistor stok toki ham nolga teng bo’ladi. Shu sababli, sxemaning chiqishida manba kuchlanishi EM qiymatiga yaqin bo’lgan, ya’ni mantiqiy birga mos kuchlanish o’rnatiladi. Ikkala kirishga mantiqiy 1 sathga mos (U1KIR U0) ChIQ musbat0 potentsial berilsa, ikkala tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy 0 (U0 U ) o’rnatiladi. 5-rasm. n– MDYa tranzistorli YAM-EMAS mantiqiy element sxemasi. Ikki kirishli element sxemasi 4– rasmda keltirilgan. Ikkaola kirishga mantiqiy nolga mos signal berilsa n – kanalli VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi, r – kanalli VT3 va VT4 tranzistorlar ochiladi. Berk tranzistorlarning kanalidagi tok juda kichik ( 10-10A). Demak, manbadan tok deyarli iste’mol qilinmaydi va sxemaning chiqishida Yem ga yaqin potensial o‘rnatiladi (mantiqiy bir darajasi). Agar biror kirish yoki ikkala kirishga mantiqiy bir darajasi berilsa, VT1 va VT2 tranzistorlar ochiladi va element chiqishida potensial nolga yaqin bo‘ladi. Element 2YoKI-EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 0,01 0,05 mVtni, tezkorligi esa 10 20 ns ni tashkil etadi. Yuklama tranzistori VT0 doim ochiq. Chiqishda juda kichik kuchlanish darajasi U0ChIQ ni ta’minlash maqsadida ochiq VT1 va VT2 tranzistorlarning kanal qarshiliklari VT0 tranzistor kanal qarshiligidan kichik bo‘lishi kerak. Shu sababli VT1 va VT2 tranzistorlar kanali qisqa va keng qilib, yuklamadagi tranzistor kanali esa - uzun va tor qilib yasaladi. Biror kirishga yoki ikkala kirishga mantiqiy bir darajasiga mos keluvchi musbat potensial berilsa, (U1KIR UBO‘S), bir yoki ikkala tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy nol o‘rnatiladi (U0ChIQ UBO‘S). Agar ikkala kirishga ham mantiqiy nol berilsa, u holda VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi. Chiqishdagi potensial mantiqiy birga mos keladi. Element 2YoKI –EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 0,1 1,5 mVt, tezkorligi esa - 10 100 ns ni tashkil Foydalanilgan adabiyotlar: 1. AripovX.K.,AbdullaevA.M.vaboshqalar.Sxem 2. 3. 4. 5. 6. 7. otexnika.T; TAFFAKUR BUSATONI, 2013y. Ugryumov YE.P. Sifrovaya sxemotexnika.SPb.;BXV, Sankt-Peterburg 2000. Kuchumov A.N.Elektronika i sxemotexnika. 2002. Stepanenko I.P. Osnovi mikroelektroniki: Uchebnoye posobiye dlya vuzov. - 2-ye izd, pererab. I. Dop.-M.: Laboratoriya Bazovix Znaniy, 2001. N.P. Babich, I.A. Jukov. Kompyuternaya sxemotexnika. Uchebnoye posobiye K.: MKPress, 2004, 576s. Karlashuk V.I. Elektronnaya laboratoriya na IBM RS. 2006. Kardashev G.A. Sifrovaya elektronika na personalnom kompyutere Electronics Workbench i Micro-Cap- M Goryachaya liniya-Telekom. 2003311s.