Uploaded by 张松尧

STM simulation

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VASP软件计算模拟材料STM图的方法
厦门大学
2013-10
目的&意义
 STM是低维材料、固体表面研究的利器
 与实验联系更加密切,便于理论联系实际
前期准备
 VASP
 P4VASP
Windows版下载地址:
http://pan.baidu.com/netdisk/singlepublic?fid=692574_2187860052
执行方法
 1.结构弛豫
INCAR:
System = relax
ISIF = 3
ENCUT = **
ISMEAR = **
SIGMA = **
ISTART = 0
NSW = 500
IBRION = 2
PREC = Accurate
LWAVE = .FALSE.
LCHARG = .FALSE.
EDIFF = **
根据需要:
ISPIN = 2
LVDW = .TRUE.
VDW_RADIUS = **
 2.静态计算
INCAR:
System = static calculation
ISIF = 2
ENCUT = **
ISMEAR =**
SIGMA = **
ISTART = 0
NSW =0
IBRION = -1
PREC = Accurate
LWAVE = .TRUE.
LCHARG = .TRUE.
EDIFF = **
根据需要:
ISPIN = 2
LVDW = .TRUE.
VDW_RADIUS = **
执行方法
 3.电荷计算
输入文件:
INCAR
KPOINTS
POSCAR
POTCAR
WAVECAR(from Step2)
INCAR:
System = PARtial CHarGe
ISIF = 2
ISTART = 1
ISMEAR = **; SIGMA = **
NSW = 0
IBRION = -1
PREC = Accurate
LWAVE = .TRUE.
LPARD = .TRUE.
NBMOD = -3 ; EINT = -0.1
LSEPB = .FALSE. ; LSEPK = .FALSE.
LCHARG = .TRUE.
ENCUT = **
EDIFF = **
根据需要:
ISPIN = 2
LVDW = .TRUE.
VDW_RADIUS = **
注释
 第3步计算跟普通的静态计算非常相似,只是把WAVECAR作为一项输入
文件,然后增加红色字体的那几行设置即可:
LPARD = .TRUE.→计算部分分解的电荷密度。如果只设置这一行,则VASP还是
会只计算总电荷密度,并且不会生成目标文件PARCHG,而是只有CHGCAR。
EINT = -0.1 →可以给出2个实数,如果只给出一个,则另一个被自动设置为费米
能级的值。该设置是要确定需要计算的能带的能量范围。
NBMOD = -3 →计算的本征值在计算范围内的电子的分电荷密度,其电荷密度由
费米能级标定。
LSEPB = .FALSE. →采用默认值,不将每个能带的电荷密度分别写入
PARCHG.nb,而是合在一起写入PARCHG。
LSEPK = .FALSE. →不将每个k点的电荷密度分别写入PARCHG.nk,而是合在
一起写入PARCHG。每个k点的权重由KPOINTS文件确定。
计算结果分析
 将P4VASP解压,将第3步计算的输入输出文件拷贝至本
地电脑的P4VASP文件夹内,与p4vsap.dat等文件并列。
 打开p4vasp.dat,导入计算所得vasprun.xml,采用其中的
STM模块,设置相应参数即可。
Thanks for your attention!
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