3.4 光电发射信号和金属中的窄带
在 Ni 和 Ce 金属化合物中观察到的卫星是以下事实的直接结果，
即在这些材料中 d 和 f 电子在相对较窄能带中移动。这意味着在时间
尺度上实验中，系统不能完全弛豫，因此在 PES 实验中观察到复杂
的激发光谱。例如 Ni 材料，3d 带宽约为 3eV，EF 附近的实验 EDC
将粗略地反映多晶样品中重整化的单电子态密度，Ce 金属的 4f 带宽
约为 0.1eV 或更小，EF 附近的 EDC 的含义不太明显。
在这方面特别感兴趣的是具有特别，费米能量下的高密度状态，
因此表现出一些非常有趣的电子特性，这种系统具有比热系数，相比
于铜γ=1，这些系统称为重费米子系统，如果用正常的自由电子形式
来描述它们，大'Y 意味着非常大的有效质量，EF 附近约 0.8eV 宽的
结构是“松弛”4f 峰，因此反映了 4f 激发光谱尽可能接近基态，因为它
可以在低分辨率的 PES 实验中测量
该光谱在图 3.34 中与相同材料的点接触测量结果进行了比较，
据信，这些实验大约测量了费米能量周围的重整化单粒子态密度，在
这种情况下，其宽度仅为几 meV。两种测量类型的比较令人信服地
表明，对于此类材料，无法使用标准（低分辨率）PES 技术测量适当
的激发函数(1.61)。然而，从核心能级，我们可以通过给定的分析获
得重费米子系统中“f 能级”占用的间接信息。
另一方面，先进的（高分辨率）光发射实验可以在分辨率上与点
接触测量相媲美，并且可能包含更多信息。低温与高分辨率 UPS 设
备的结合在高度相关的系统（如铈化合物）中形成了非常详细的电子
结构，高分辨率数据，与 Ce 金属的高分辨率 PES 数据（图 2.28）
和图 3.30 中的数据进行比较表明，点接触技术可以粗略地测量“真正
的”4f 带宽，这些光谱只有很小的 4f 贡献，因为在该光子能量下 4f 光
截面较低。
在面板 a 的光谱中看不到自旋轨道分裂，TK<100K 的 Ce 系统，
其中明确考虑了该杂质与导带(H)之间的耦合强度。在 T=0 时，该模
型导致费米能量附近发生所谓的近藤共振。这是一个具有结合能
kBTK（TK：近藤温度）的多体态，它堆积了 EF 附近的态密度，近
藤共振有时用于在铈化合物的价带 PES 中观察到的费米能量附近的
所有强度。
T>TK 时 ， 近 藤 共 振 弱 ， 例 如 ， T=300Kin"(γ-Ce(TK=70K) ，
T=300KinCeAl(TK=2K)，在最简单的 GUnnarssonSchonhammer 计
算中，从 T=0K 扩展到 T=300K 因此会削弱近藤共振，从而也会削弱
EF 附近的强度。然而，这与实验数据不太吻合，
（图 3.35）在 T=300K
时显示 EF 附近的强度数据。这个问题可以通过最简单形式的杂质模
型忽略内部 4f（单离子）激发来解决，它忽略了以下方面：在固体中，
原则上必须在能带图中描述 4f 电子（尽管由于 4f 电子的高度局域化，
该能带很窄）
，在带中存在“单粒子”激发，这可能是造成 T»TK 在 EF
附近观察到的大部分强度的原因，通过考虑自旋轨道相互作用和晶体
场相互作用进入杂质模型，
图 3.36 描绘了具有自旋轨道相互作用(Eso)和晶体场相互作用
(ECF)的单一杂质模型中的模型计算[3.174]，该系统的 Kondo 温度为
TK=35K(CeSi2)。在低于 TK 的 T=15K 处，顶部光谱具有三个特征：
280meV 处的 4fi/2 峰、35meV 处的晶体场峰和 EF 处的 Kondo 峰。
该光谱表明 Kondo 峰对 EB 的总信号贡献很小的强度 500meV,小 TK
材料。如果引入 18meV 的仪器展宽(Einst)，则晶体场峰和 Kondo 共
振不再可区分,通过将温度升高到 T»TK，Kondo 共振减弱，但
400meV~EB~EF 的总强度大致保持不变，因为该强度的大部分是由
晶体场和自旋轨道激发给出的。然而，对于实际的定量计算，人们必
须求助于一种易于管理的模型，而杂质模型在这里取得了相当大的成
功。
筛选图片包含 f 电子与价带之间的杂化,Ef 是 f 电子的（未杂化）
电离能，Tm 是局域化的 f 电子和价带杂化矩阵元素，然后，我们提
到，除了晶体场和自旋轨道激发产生的贡献外，在 GunnarssonSchonhammer 计算中从 f2 态混合到初始态[3.140]获得了 EF 附近的
温度无关强度，