1. 3D E-K 그래프 해석
2. 에너지 방출은 거의 없고 운동량 변화가 큰 것: phonon(빛 방출 x)
3. DOS 유도 할 줄 알아야함
4. nondegenerate(doner의 첨가로 에너지 상태가 겹친 것) 조건 : Ec-Ef>>>>kT
5. intrinsic 재료의 특징
1) 불순물 x, 결합 x
2) 전자 홀 쌍은 오로지 열에너지의해 생성
3) n=p=ni
6. doping 특징
1)전기적 광학적 구조적 특징 조절해줌
2)도핑된 재료를 extrinsic 재료라고 부른다.
7. Acceptor 는 홀을 만들고 doner는 전자를 만든다.
8. 전하 중성 조건: 전자와 홀이 이온화 dopant에 상호작용하기 때문에 전체 charge는 0
하지만 pn접합시 space charge가 생긴다.
9. Na와 Nd를 알면 전자또는 홀의 농도를 알수 있다.
10. 그래프 설정할 줄 알아야한다.
11. recombination의 종류
1)direct 열적(phonon) 빛(photon)방출
2)trap-assist(SRH) 오로지 열방출 전자가 Et에 있다가 정공과 재결합, 에너지 두 번 잃는다
3)Auger 전도 대역에서 전자 출동-한 전자는 정공과 재결합,나머지는 에너지를 얻고 다시
열에너지를 방출하며 경계면 도달 (조건: 높은 농도여야함)
12.impact ionization 위는 재결합 이젠 생성.
에너지 충만한 전자가 결정 격자와 충돌해서 자신은 에너지를 잃고 그 에너지로 전자와 양공
을 만든다.
13.low-level injection
빛이나 외부 힘으로부터 생성된 캐리어의 수가 기존 존재하는 캐리어보다 매우 작은 경우
델타p(t)<<<<p0
14 아래 그림 해석할 줄 알아야함
15 quasi-fermi level
과잉 캐리어가 있지만 equilibrium이라고 가정하고 과잉캐리어의 Fermi level을 해석한 것
16 quasi-fermi level의 차(Fn-Fp)의 의미는 열적 평형으로부터의 척도이다
17 drift에서의 온도영향
1) impurity scttering은 온도가 작아질수록 작아진다. 추우면 느리게 움직이는 것처럼
2) Lattice 는 온도가 작아질수록 커진다. 격자의 흔들림이 작아져서 방해 줄어들기 때문에
움직이기 쉽다.
18 velocity saturation
조건: 높은 전기장
전자 에너지 accumulate -> optical phonon으로 방출
19 홀 효과
1) 캐리어의 농도와 type을 알 수 있다.
2) 로런츠 힘은 캐리어의 이동에 자기장이 있을 경우 발생한다.
3) 로런츠 힘으로부터 전위가 생긴다.
20 Quantom hall effect
이동도와 자기장이 높을 때 발생 (계단형 그래프를 그린다,)
21 diffusion eqautions 의 조건 5가지
1)전기장 =0 drift 무시한다
2)generation x g=0
3)low level injection
4)uniform doping dn0/dx=0
5)steady state
22 포아송 방정식 유도 할 줄 알아야함