SERVICIO NACIONAL DE ADIESTRAMIENTO EN TRABAJO INDUSTRIAL CONTROLISTA DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES MANUAL DE APRENDIZAJE ELECTRÓNICA ANALÓGICA (PARTE I) Técnico de Nivel Operativo. AUTORIZACIÓN Y DIFUSIÓN MATERIAL DIDÁCTICO ESCRITO FAM. OCUPACIONAL : ELECTROTÉCNIA. OCUPACIÓN : CONTROLISTA DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES. NIVEL : TÉCNICO OPERATIVO. Con la finalidad de facilitar el aprendizaje en el desarrollo de la formación y capacitación en la ocupación del CONTROLISTA DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES a nivel nacional y dejando la posibilidad de un mejoramiento y actualización permanente, se autoriza la APLICACIÓN Y DIFUSIÓN de material didáctico escrito referido a ELECTRÓNICA ANALÓGICA (PARTE I). Los Directores Zonales y Jefes de Unidades Operativas son los responsables de su difusión y aplicación oportuna. DOCUMENTO APROBADO POR EL GERENTE TÉCNICO DEL SENATI N° de Página….........194.......…… Firma …………………………………….. Nombre: Jorge Saavedra Gamón Fecha: …………05 – 08 - 01……………. Registro de derecho de autor: 1 ELECTRÓNICA ANALÓGICA INDICE 1. Presentación 2 2. Tarea 1 < Montajes de fuentes de alimentación reguladas con diodo Zener y Transistor. 3 - 68 3. Tarea 2 < Montaje de fuentes de alimentación reguladas con circuito integrado. 69 - 78 4. Tarea 3 < Montaje de circuitos amplificadores con transistores bipolares. 79 - 130 5. Tarea 4 < Montaje de circuitos amplificadores con transistor de efecto de campo. 131 - 170 6. Tarea 5 < Montaje de circuitos con amplificador operacional como circuito inversor y no inversor. 7.- Bibliografía 171 -192 193 CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 2 ELECTRÓNICA ANALÓGICA PRESENTACIÓN El presente Manual de Aprendizaje corresponde al Modulo Formativo 04.04.01 ELECTRÓNICA ANALÓGICA El Modulo Formativo ELECTRÓNICA ANALÓGICA es de aplicación en la ocupación de Controlista de Máquinas y Procesos Industriales. El presente Manual está estructurado por las siguientes tareas 1. Montaje de fuentes de alimentación reguladas con diodo Zener y Transistor. 2. Montaje de fuentes de alimentación reguladas con circuito integrado. 3. Montaje de circuitos amplificadores con transistores bipolares. 4. Montaje de circuitos amplificadores con transistor de efecto de campo. 5. Montaje de circuitos con amplificador operacional como circuito inversor y no inversor. Elaborado en la Zonal : Lambayeque Cajamarca Norte Año : 2005 Instructor : Ing. Juan García Ángeles CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 3 2 ELECTRÓNICA ANALÓGICA TAREA 1 MONTAJE DE FUENTES DE ALIMENTACIÓN REGULADAS CON DIODO ZENER Y TRANSISTOR CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 4 3 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 0,1 A 2N 3055 R4 470 Ω C1 R2 100 Ω 470 μF D5 IN 757 N° ORDEN DE EJECUCIÓN MATERIALES / INSTRUMENTOS 01 02 03 04 Operar Multímetro. Probar trasnformador. Comprobar estados de diodo. Comprobar estado del transistor bipolar ! Armar circuitos de fuentes de alimentación reguladas con diodo zener y transistor bipolar. ! Verificar funcionamiento del circuito. ! Transformador con toma central 220/12V ó 12/1A ! Fusible 1A ! 4 diodos zener 1N757 (u otro zener equivalente de 9V). ! 1 transistor2N30055 (TIP 41 u otro equivalente ! 2 resistencias de 1 Kr, 10Kr de 1/2 w. ! 2 resistencias: 100r, 470r de 1 w ! 1 capacitor 470 μ F (25V ó 50V) ! Multitester ! Osciloscopio 05 06 ! ! ! ! 01 01 PZA. CANT. PERÚ DENOMINACIÓN MATERIAL OBSERVACIONES Montaje de fuentes de alimentación con Diodo Zener y transistor H.T. CONTROLISTA DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES TIEMPO HOJA 1/1 ESCALA: 2004 CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 5 01 REF 4 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN OPERAR MULTÍMETRO En primer lugar se debe conocer acerca del panel de menú de control del Multitester UNITEST HEXAGON para su correcta operación. Un ejemplo de operar correctamente el Multitester UNITEST HEXAGON es medir voltaje en AC y DC. AUTO PROCESO DE EJECUCIÓN 220.3 V lllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllll MEDIR VOLTAJE EN AC 1.Seleccione rango de medición V~ vía el switch de selección de función medición. MAX/MIN CREST SELECT RANGE A~ Ω Temp + Hz HOLD mA ~ μA~ ~ OFF ~ mV 2.Conecte el cable de prueba negro al enchufe Ω/V/ V V ~ V OFF ! Temp A 3.Conecte en cables de prueba a UUT. mAμA MAX 10A HBC FUSED 4.Lea el resultado de medición mostrado de la pantalla. COM ΩV MAX 600V CAT III 100V CAT II MAX 0,5A HBC FUSED + - ~ MEDIR VOLTAJE EN DC AUTO 4.500 V 1.Seleccione el rango medición vía el switch de selección de función de medición. lllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllll 2.Conecte el cable de prueba negro al enchufe COM y cable de prueba rojo al enchufe Ω/V/ MAX/MIN CREST SELECT RANGE Temp Ω + Hz A~ mA ~ μA~ OFF ~ mV 3.Conecte los cables de medición UUT. HOLD V V ~ V ! OFF 4.Lea el resultado de medición mostrado en la pantalla. Temp A mAμA MAX 10A HBC FUSED - CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 6 COM ΩV MAX 0,5A HBC FUSED MAX 600V CAT III 100V CAT II + 5 ELECTRÓNICA ANALÓGICA MEDIR VOLTAJE EN AC Y DC EN mVolt 1.seleccione rango medición mV vía el switch de selección de función de medición. 2.Conecte en cable de prueba negro al enchufe CO M y cable de prueba rojo al enchufe Ω/V/ 3.Usa la tecla Select para seleccionar el tipo de voltaje /~ a ser medido. 4.Conecte los cables de prueba UUT. 5.Lea el resultado de medición mostrado en la pantalla. AUTO 59.98 Hz MAX/MIN CREST SELECT RANGE Temp A~ Ω Hz + Hz HOLD mA ~ μA~ OFF ~ mV V ~ V F El multímetro automáticamente OFF selecciona el rango de medición (ante rango)más apropiado. La tecla función Range es usada para la selección de rango de medición manual. El display puede ser visto durante la medición o si el valor está fluctuando, el valor de medición puede ser congelado. ! Temp A mAμA MAX 10A HBC FUSED COM ΩV MAX 0,5A HBC FUSED MAX 600V CAT III 100V CAT II + - ~ PRECAUCIONES ! Para evitar una descarga eléctrica, las medidas de seguridad válidas y las directivas VDE, tienen que ser observados estrictamente el voltaje de contacto excesivo cuando se trabaje con voltajes que excedan los 120V (60V) DC ó 50V (25V) ms AC. Los valores en paréntesis son válidos para áreas limitadas (tales como por ejemplo medicina, agricultura). CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 7 6 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN PROBAR TRANSFORMADOR El instrumento más idóneo para comprobar un transformador es el multitester. Para determinar si las espiras están en circuito abierto o en corto circuito y para medir la resistencia propia de los arrollamientos se utiliza un ohmímetro con la cual podrá comprobarse adaptando a alta resistencia las pérdidas entre los arrollamientos. PROCESO DE EJECUCIÓN 1.Seleccione el rango de medición /Ω vía el switch de selección de función de medición. 2.Conecte el cable de prueba negro, el enchufe COM y el cable de prueba rojo al enchufe Temp/Ω/ 3.El rango de selección de resistencia está preselccionada si el símbolo aparece en la pantalla de exhibición el rango de medición de resistencia puede ser seleccionado usando la tecla select. 4.Conecte los cables de prueba. 5.Verifique el resultado de medición mostrado en la pantalla. AUTO kΩ MAX/MIN CREST SELECT RANGE Temp Ω + Hz A~ HOLD mA ~ μA~ OFF ~ mV V ~ V 5.1El multímetro automáticamente selecciona el rango de medición (auto rango)más apropiado. La tecla de función es usada para la selección de rango de medición manual. 5.2 Si el display no se puede ver durante la medición o si el valor es fluctuante, el valor de medición puede ser congelado presionando la tecla HOLD. 4.823 lllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllll ! OFF Temp A mAμA MAX 10A HBC FUSED - COM ΩV MAX 0,5A HBC FUSED MAX 600V CAT III 100V CAT II + 5.3 Primer Análisis. Cuando el multitester marca su verdadero valor de la bobina del transformador, se dice que el transformador está en buen estado. 5.4 Segundo Análisis. Cuando el multitester marca .0L, entonces la bobina está abierta, por lo tanto el transformador no funciona adecuadamente. 5.4 Tercer Análisis. Cuando el multitester marca0Ω se dice que existe un cortocircuito. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 8 7 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN COMPROBAR ESTADO DE DIODOS En esta operación se verifica el estado del diodo, es decir si está correctamente o si está averiado. PROCESO DE EJECUCIÓN 1. Seleccione el rango de medición vía switch de selección de función de medición. 2. Conecte el cable de prueba negro al enchufe y el cable de prueba rojo al enchufe Temp/Ω /V 3. Seleccione la prueba de diodo vía la tecla Select. El símbolo diodo aparece en el display. 4. Lea el resultado de la medición en la pantalla. AUTO AUTO 0.600 V MAX/MIN CREST SELECT RANGE Temp Ω V SELECT + Hz A~ HOLD MAX/MIN CREST SELECT RANGE mA ~ μA~ Temp Ω Hz A~ OFF HOLD mA ~ μA~ OFF ~ mV ~ mV V V ~ V ~ V OFF OFF ! ! Temp A SELECT + mAμA MAX 10A HBC FUSED Temp COM ΩV MAX 0,5A HBC FUSED A MAX 600V CAT III 100V CAT II MAX 10A HBC FUSED + - mAμA - COM ΩV MAX 0,5A HBC FUSED MAX 600V CAT III 100V CAT II + PRECAUCIONES Previo a la prueba de diodo, debe asegurarse que el diodo a ser probado no está activo. El descuido a cumplir esta recomendación puede conducir a peligrosas heridas corporales de usuario a causar daños al instrumento. Adicionalmente, voltajes extraños falsean el resultado de medición. F Circuitos semiconductores y resistores en paralelo al diodo puede causar resultados de medición falseados. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 9 8 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OBSERVACIONES - Se debe tener presente que el diodo conduce la corriente con un solo sentido, esto quiere decir que al momento de realizar la medición el diodo solamente mostrará lectura en un solo sentido. I ÁNODO CÁTODO - Cuan do se conecta el cable de prueba rojo al ánodo y el cable de prueba negro al cátodo, en el multitester se muestra una lectura, sin embargo al momento de invertir los cables de prueba y en el multitester se sigue reflejando la lectora, se dice que, el diodo está averiado, es decir se está comportando como cable. - Cuando se conectan las puntas de prueba rojo y negro a los terminales ánodo y cátodo del diodo respectivamente, y en el multitester no se muestra la lectura, cuando se invierten los cables también no muestra lectura se dice que el diodo está averiado, es decir se comporta como un circuito abierto. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 10 9 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN COMPROBAR EL ESTADO DEL TRANSISTOR BIPOLAR En esta operación se verifica el estado del transistor para su aplicación en la fuente de alimentación con transistor. PROCESO DE EJECUCIÓN 1. Seleccione el rango de medición selección de función de medición. MAX/MIN CREST SELECT RANGE Ω Temp vía switch de SELECT + Hz A~ HOLD mA ~ μA~ OFF ~ mV V ~ V OFF 2. Seleccione la prueba de diodo vía tecla Select. El símbolo diodo aparece en el display. 3. Conecte los cables de prueba en los enchufes correspondientes : - Cable de prueba rojo en el enchufe Temp/Ω /V/ - Cable de prueba negro en el enchufe COM. ! Temp A mAμA MAX 10A HBC FUSED COM ΩV MAX 600V CAT III 100V CAT II MAX 0,5A HBC FUSED + - 4. Realice la prueba del transistor bipolar (la prueba es similar a la prueba del diodo). Es decir, medir B-E, B-C y C-E en forma directa e inversa. 0.656 0.626 V MAX/MIN CREST SELECT RANGE Temp Ω SELECT + Hz A~ HOLD MAX/MIN CREST SELECT RANGE mA ~ μA~ OFF ~ mV V Temp Ω SELECT + Hz A~ V HOLD MAX/MIN CREST SELECT RANGE mA ~ μA~ OFF ~ mV Temp V V ~ V ~ V ~ V OFF OFF ! A mAμA MAX 10A HBC FUSED B COM ΩV MAX 0,5A HBC FUSED C E MAX 600V CAT III 100V CAT II A~ mAμA MAX 10A HBC FUSED B COM ΩV MAX 0,5A HBC FUSED MAX 600V CAT III 100V CAT II C ! Temp A mAμA MAX 10A HBC FUSED B E CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 11 mA ~ μA~ OFF ! Temp A HOLD OFF ~ mV V Temp Ω SELECT + Hz COM ΩV MAX 0,5A HBC FUSED MAX 600V CAT III 100V CAT II C E 10 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 4.1 Primer Análisis. Si obtenemos las siguientes mediciones: « B-E La medición directa es 0 y la inversa es 0 « B-C La medición directa está entre 0.6 a 0.7 y la inversa es .0L « C-E La medición directa . 0L y la inversa .0L. Conclusión: Existe un corto circuito entre la Base - Emisor. 4.2 Segundo Análisis. Si obtenemos las siguientes mediciones: « B-E La medición directa está entre 0.6 y 0.7 y la inversa es .0L. « B-C La medición directa es 0 y la inversa 0 « C-E La medición directa es .0L y la inversa .0L. Conclusión: Existe un cortocircuito entre la Base - Colector. 4.3 Tercer Análisis. Si obtenemos las siguientes mediciones: « B-E La medición directa está entre 0.6 y 0.7 y la inversa es .0L. « B-C La medición directa está entre 0.6 y 0.7 y la inversa es .0L. « E-C La medición directa es 0 y la inversa es 0. Conclusión. Existe un cortocircuito entre el Colector - Emisor. .4.4 Cuarto Análisis. Si obtenemos las siguientes mediciones « B-E La medición directa es 0 y la inversa es 0. « B-C La medición directa es 0 y la inversa es 0. « C-E La medición directa es 0 y la inversa es 0. ‘ Conclusión. Existe un cortocircuito total. 4.5 Quinto Análisis. Si obtenemos las siguientes mediciones: « B-E La medición directa está entre 0.6 y 0.7 y la inversa es .0L. « B-C La medición directa está entre 0.6 y 0.7 y la inversa es .0L. « C-E La medición directa es .0L y la inversa es .0L Conclusión. El transistor está en buen estado. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 12 11 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN ARMAR FUENTES DE ALIMENTACIÓN REGULADOS CON DIODO ZENER Y TRANSISTOR BIPOLAR. Conectando un diodo Zener en cascada con el seguidor de emisor, obtenemos un regulador de tensión para carga de mayor valor de corriente. Un regulador mejorado como este puede mantener una tensión y una carga casi constante, a pesar de las variaciones de corriente en la carga, porque el circuito se presenta estable sobre una amplia gama de resistencia de carga. El seguidor Zener es un ejemplo de un regulador serie, cuya corriente de carga pasa también por el transistor. Debido a su simplificación, el regulador serie es muy usado. Con este laboratorio usted montará una fuente de alimentación regulada con un rectificador en puente, un capacitor de filtro y un seguidor Zener. 0,5 A 12 V 4 x 1N4001 220 V 2N 3055 0V R4 470 Ω 12 V R2 100 Ω C1 470 μF/50V D5 IN 757 Figura 1. PROCESO DE EJECUCIÓN 8888 Implemente el circuito de la figura 1 en el protoboard. 1. Verifique el correcto funcionamiento de cada uno de los dispositivos. 2. Encuentre la base, colector emisor con ayuda del multitester Unitest Hexagon. MAX/MIN CREST SELECT RANGE Temp Ω V + Hz A~ HOLD mA ~ μA~ OFF ~ mV V ~ V OFF 2.1 Encuentre la base, en el transistor, es decir, es el terminal común para poder tener las otras mediciones en los terminales del transistor. 2.2 Ubicar el emisor y el colector, es decir, una vez encontrado el punto común y con el otro terminal, medir ambos terminales sobrantes, ambos deben entregar una lectura. El de mayor lectura es el emisor. El de menor lectura es el colector. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 13 ! Temp A mAμA MAX 10A HBC FUSED B E COM ΩV MAX 0,5A HBC FUSED MAX 600V CAT III 100V CAT II C 12 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN VERIFICAR FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO En esta operación se debe verificar el correcto funcionamiento del regulador serie formado por el transistor y el diodo Zener. Cuando aumenta la carga el transistor se excita por la base y la corriente varía para de esta manera asegurar a la tensión en la salida, es decir se mantenga lo más estable posible. PROCESO DE EJECUCIÓN 1. Calcule la tensión de entrada, la tensión Zener y la tensión de salida del seguidor Zener (la tensión de entrada y del capacitor del filtro). El diodo Zener IN 757 tiene una tensión nominal Zener de 9,1V. Anotar las respuestas en la siguiente tabla. TABLA 1 VENTRADA VALORES VZ VSALIDA CALCULADO MEDIDO 2. Monte la fuente regulada 0,5 A 12 V 4 x 1N4001 220 V 2N 3055 0V R4 470 Ω 12 V C1 470 μF/50V R2 100 Ω D5 IN 757 Figura 2. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 14 13 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 3. Mida y anote todos los valores de tensión propuestos listados en la tabla 1. 4. Calcule y anote las tensiones de la figura 2, para cada resistor de carga, propuesto en la tabla 2 (Regulador de tensión). TABLA 2 CARGA RL V SALIDA CALCULADA V SALIDA MEDIDA 100 Ω 1 KΩ 10 KΩ 5. Mida y anote las tensiones en la salida para cada resistor de carga de la tabla 2 (regulador de tensión). 6. Calcule y anote la tensión de ondulación pico a pico en el capacitor de filtro, para cada resistor de carga listado en la tabla 3. TABLA 3 CARGA RL V ONDULACIÓN CALCULADA ENTRADA SALIDA V ONDULACIÓN MEDIDA ENTRADA SALIDA 100 Ω 1 KΩ 10 KΩ 7. Para cada resistor de la carga de la tabla 3 mida y anote la tensión pico a pico en la entrada y en la salida del seguidor Zener. (Atenuación de la ondulación). OBSERVACIÓN Al termino de esta tarea si la ondulación parece ser extraña o errada, puede ser que estén ocurriendo oscilaciones parásitas, un fenómeno indeseable. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 15 14 ELECTRÓNICA ANALÓGICA DIODOS ZENER Los diodos que trabajan en la zona de ruptura se denominan diodos Zener o diodos de Avalancha. Los diodos Zener se usan en aplicaciones para las que se necesita una tensión constante en la región de ruptura. Hay disponibles diodos Zener discretos con tensiones de ruptura especificadas con una tolerancia de + 5%. En la práctica, existen dos mecanismos que pueden causar la ruptura inversa. Para diodos con una tensión de ruptura superior a 6V, el responsable es un efecto conocido como avalancha. Por ello, los diodos con tensiones de disrupción más elevadas se llaman, consecuentemente, diodos de avalancha. Por debajo de los 6V, un fenómeno de la mecánica cuántica, conocido como efecto túnel, es el responsable de la ruptura. Hablando estrictamente, los diodos Zéner son aquellos que se encuentran en el margen inferior de valores de ruptura. Sin embargo, en la práctica, ambos términos se utilizan de manera indistinta para todos los diodos de ruptura. VZ + + - - . VZ VZ + + - - VZ Equivalentes de diodo Zener para los estados a) “encendido” y b) “apagado” (VZ > V > 0V) “Encendido” (a) “Apagado” (a) V1 y R fijas Las redes más simples del diodo Zener aparecen en la figura 1. El voltaje DC aplicado es fijo, así como la resistencia de carga. El análisis puede hacerse fundamentalmente en dos pasos. R R IZ + - Vi VZ + - PZM + RL - Figura 1. Regulador Zener Básico Vi V + + - RL VL - Figura 2. Determinación del estado del diodo Zener CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 16 15 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 1. Determinar el estado del diodo Zener mediante su eliminación de la red y calculando el voltaje a través del circuito abierto resultante. La aplicación resultante del paso 1 a la red de la figura 1 generará la red de la figura 2 donde una aplicación de la regla del divisor del voltaje resultará. RL Vi V = VL = R + R L Si V > VZ el diodo Zener está “encendido” y se puede sustituir el modelo equivalente. Si V < VZ el diodo Zener está “apagado“y se sustituye la equivalencia el circuito abierto. 2. Sustituir el circuito equivalente adecuado y resolverlo para las incógnitas deseadas. R IR IL Para la red de la figura 1 el estado “encendido” dará por resultado la red equivalente de la figura 3. Puesto que los voltajes a través de los elementos paralelos deben ser los mismos, se encuentra que: IZ + - + VZ - Vi + RL VL - PZM VZ = VL Figura 3. La corriente diodo Zener debe determinarse por la aplicación de la ley de corriente de Kirchoff. Esto es: IR = IZ + IL IZ = IR - IL e donde: IL = VL RL e IR = VR V - VL = i R R La potencia disipada por el diodo Zener está determinada por: PZ = VZ IZ el cual debe ser menor que la PZM especificada para el dispositivo. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 17 16 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Antes de continuar es muy importante darse cuenta de que el primer paso se utilizó sólo para determinar el estado del diodo Zener. Si el diodo Zener está en estado “encendido”, el voltaje a través del diodo no es V volts. Cuando el sistema se enciende, el diodo Zener se encenderá tan pronto como el voltaje a través de él sea VZ volts. Se “atará” en este nivel y nunca alcanzará un nivel más alto de V volts. los diodos Zener se utilizan con mayor frecuencia en las redes reguladoras o como un voltaje de referencia. La figura 1 es un regulador simple diseñado para mantener un voltaje fijo a través de la carga RL . Para los valores de voltaje aplicado mayores para el que se quiere para encender el diodo Zener, el voltaje a través de la carga se mantendrá en VZ volts. si el diodo Zener se emplea como un voltaje de referencia, ofrecerá un nivel para comprarlo en función de otros voltajes. Ejemplo a) Para la red de diodo Zener de la figura 2.109 determinar VL · VR · IZ y PZ b) Repetir el inciso a con RL = 3 KΩ + VR R - IZ + + Vi - VZ = 10V 16 V + RL - 12 KΩ VL - PZM = 30 mW Figura 4. Regulador del diodo Zener para el ejemplo SOLUCIÓN: a) Siguiendo el procedimiento sugerido, la red se dibuja. RLVi 1.2KΩ (16V) V= = = 8.73V 1KΩ + 1.2KΩ R + RL R IR IL IZ 1 KΩ + Vi - + 16 V V + RL 1 KΩ - VL - Figura 5. Determinación de V para Regulador del la figura CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 18 17 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Dado que V = 8.73V es menor que VZ = 10V, el diodo está en estado “apagado”, como se muestra en las características de la figura 6. Sustituyendo el equivalente del circuito abierto resultará la misma red que en la figura donde se encuentra que: IZ = (mA) VL = V = 8.73V + VZ VR = Vi - VL = 16V - 8.73 = 7.27V IZ = 0 A VZ = 10 V PZ = VZ IZ = VZ(0A) = 0W 0 VZ 3.73 V b) Aplicando la ecuación resulta: V= RLVi 3 KΩ (16V) = 1KΩ + 3 KΩ R + RL Figura 6. Punto de operación resultante para la red de la figura 4 = 12 V Debido a que V = 12V es mayor que VZ = 10V, el diodo está en estado “encendido”. VL = VZ = 10V VR = Vi - VL = 16V - 10V = 6V y 10 V IL = VL = = 3.33 mA 3 KΩ RL VR 6V IR = = = 6 mA R 1KΩ con e de tal forma IZ = IR - IL =6 mA - 3.33 mA =2.67mA la potencia disipada: PZ = VZ IZ = (10V)(2.67mA) = 26.7 mW la cual es menor que la especificada PZM = 30 mW + VR - R 1 KΩ + Vi - 16 V IZ VZ + - 10 V CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 19 RL + 3KΩ VL - 18 ELECTRÓNICA ANALÓGICA V1 fijo, RL variable Debido al voltaje VZ existe un rango de valores de resistencias (y por tanto, de corriente de carga) que asegurará que el dispositivo Zener está en estado “encendido”. Una resistencia de carga RL muy pequeña generará un voltaje VL a través de la resistencia de carga menor que VZ y el dispositivo Zener estará en estado “apagado”. Para determinar la resistencia de carga mínima de la figura 1 que encenderá el diodo Zener, simplemente se calcula el valor RL y dará como resultado un voltaje de carga VL = VZ. Esto es: Resolviendo RL se tiene: VL = VZ = RLVi R + RL RL min = R VZ Vi - VZ Cualquier valor de resistencia de carga mayor que el de RL asegurará que el diodo Zener está en estado “encendido” y que el diodo puede ser reemplazado por su fuente equivalente VZ. La condición definida establece el RL mínimo pero a su vez especifica el IL máximo como : IL max = VL VZ = RL RL min Una vez que el diodo está en estado “encendido”, el voltaje a través de R permanece constante en: VR = Vi - VZ e IR permanece fija en: IR = VR R La corriente Zener: IZ = IR - IL Resultando un IZ mínimo cuando IL es un máximo y un IZ máximo cuando IL es un valor mínimo debido a que IR es constante. Dado que IZ está limitada a IZM como se especificó en la hoja de datos, afecta el rango de RL y por tanto de IL. Sustituyendo IZM por IZ establece el IL mínimo como: IL min = IR - IZ y la resistencia de carga máxima como: RL max = VZ IL min CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 20 19 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Ejemplo: a) Para la red de la figura sgte. determinar el rango de RL y de IL que resultará que VRL se mantenga en 10V. b) Determinar el valor de la disipación máxima en watts del diodo. 1 KΩ IR IL + IZ VZ = 10V Vi = 50 V RL PZM = 32 mW - Figura 7. Regulador de voltaje SOLUCIÓN a) Para determinar el valor de RL que encenderá el diodo Zener RL-n = RVZ (1KΩ)(10V) 10KΩ = = = 250Ω V i - VZ 50V - 10 V 40 El voltaje a través de la resistencia R se determina de la siguiente manera: VR = Vi - VZ = 50V -10V = 40V El cálculo de la magnitud de IR : IR = VR 40V = = 40 mA R 1KΩ El nivel mínimo de IL se determina así: IL min = IR - IZM = 40 mA - 32 mA = 8 mA Para determinar el valor máximo de RL : IL min = VZ 10 V = = 1.25 KΩ 8 mA IL min CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 21 20 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Una gráfica de VL en función de RL aparecen en la figura (a) y para VL en función de IL en la figura (b). b) P max = VZ IZM = (10V) (32mA) = 320 mW VL VL 10 V 0 10 V 250 Ω 1.25 KΩ RL 0 (a) 8 mA 40 mA IL (b) RL fija, Vi variable Para los valores fijos de RL en la figura 1 el voltaje Vi debe ser lo suficiente grande para encender el diodo Zener. El voltaje de encendido mínimo Vi = Vi min está determinado por: VL = VZ = Vi min = RLVi R + RL (RL+ R)VZ RL El valor máximo de Vi está limitado por la corriente Zener máxima IZM. Debido a que IZM = IR - IL IR max = IZM + IL Debido a que IL está fijo en VZ RL y que IZM es el valor máximo de IZ el máximo Vi se define por: Vi max = VRmáx + VZ Vi max = IRmáxR + VZ CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 22 21 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Ejemplo Determinar el rango de valores de Vi que mantendrán el diodo Zener de la figura 8 en estado “encendido “. I R R + IL 220 Ω IZ + 1.2 KΩ VL RL VZ = 20V Vi - PZM = 60 mW - Figura 8. Regulador para el Solución Vi min = IL = (RL+ R)VZ RL = (1200Ω + 220Ω) (20V) = 23.67 V 1200 Ω VL VZ 20 V = = = 16.67 mA RL RL 1.2 KΩ IR max = IZM + IL = 60 mA + 16.67 mA = 76.67 mA Vi max = IRmáx + VZ = (76.67 mA) (0.22 KΩ) + 20V = 16.87 V + 20V = 36.87 V VL 20 V VL en función de Vi 0 10 20 23.67V 40 Vi 36.87 V CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 23 22 ELECTRÓNICA ANALÓGICA CIRCUITOS REGULADORES DE TENSIÓN A veces, se necesita suministrar tensión en continua a una carga (normalmente, cualquier circuito electrónico, como un amplificador), pero las fuentes primarias de energía eléctrica tienen tensiones variables. Por ejemplo, los circuitos rectificadores que se han estudiado generan salidas con rizado. Además, las tensiones de salida del rectificador cambian cuando la tensión de la línea de corriente alterna fluctúa. para eliminar esas fluctuaciones en la tensión, colocamos un regulador de tensión entre la fuente y la carga. La regulación de entrada es la medida de cuanto cambia la tensión de la carga según va cambiando la tensión de la fuente. Se define como: Regulación de la fuente = ΔVcarga x 100% ΔVSS Icarga + VSS - Regulador de tensión Carga Vcarga Fuente variable Figura 9. Un regulador de tensión proporciona una tensión constante a una carga Donde ΔVcarga es el cambio en la tensiσn de la carga resultante de cambiar ΔVSS en la fuente de entrada. la regulación a plena carga es una medida del cambio en la tensión de la carga medida que cambia la corriente en la carga . Se define como: Regulación de la carga = Vcarga - Vplena-carga x 100% Vplena-carga Donde Vsin-carga es la tensión en la carga para una corriente cero en la carga, y Vplena-carga es la tensión de la carga para la corriente de carga nominal. Idealmente, la regulación a plena carga y de entrada deberían ser cero para la mayoría de aplicaciones. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 24 23 ELECTRÓNICA ANALÓGICA ANÁLISIS DEL CIRCUITO REGULADOR CON DIODO ZENER. INTERPRETACIÓN DE LA CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO R + VSS + Vcarga = -UD UD - Fuente variable ID iD Figura 10. -10.5 -20 -15 -10 -5 vD (V) Línea de carga para VSS = 15 V -5 -10 Línea de carga para VSS = 20 V -15 Curva característica del diodo Zéner con pendiente exagerada -20 En el circuito regulador de tensión de la figura 10, R = 1KΩ y se utiliza un Zener con las características que se muestran en la figura. Encontrar la tensiσn de salida para VSS = 20 V. Determinar el porcentaje de regulaciσn de entrada. Solución: Las rectas de carga para los dos valores de VSS se muestran en la figura 10. Observe que las dos rectas de carga son paralelas. Al examinar se ve que la pendiente de la línea de carga es -1/R. Así, al cambiar la tensión de alimentación, cambiará su posición, pero no su pendiente. Las tensiones de salida se determinan a partir de los puntos de trabajo en los que las rectas de carga se cortan con la curva característica del diodo. las tensiones de salida resultan ser: V0 = 10.0 V para VSS = 15 V, y V0 = 10.5 V para VSS = 20 V. Así, un cambio de 5 V en la tensión de alimentación nos da un cambio de sólo 0.5 V en la tensión de salida regulada. La regulación de entrada es: Regulación de la fuente = ΔVcarga x 100% = 0.5 x 100% = 10% ΔVSS 5 Los diodos Zener reales son capaces de exhibir unas prestaciones mucho mejores que éstas. La pendiente de las curvas características se ha acentuado en la figura 10 en aras de la claridad, pero los diodos Zener reales poseen una pendiente casi vertical en la región de avalancha. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 25 24 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Las tensiones de avalancha de los Zener dependen de la temperatura. En general, los diodos de silicio con tensiones de avalancha menores de 6V presentan una reducción en los valores de tensión de ruptura al aumentar la temperatura. A la inversa, las tensiones de ruptura de unos 6V tienden a incrementar su valor con la temperatura, mientras que las tensiones de ruptura en torno a 6V tienden a ser casi independientes de la temperatura. Más aún , la curva característica tiende a ser más vertical en diodos Zener con tensiones de ruptura cercanas a los 6V. Así, los diodos Zener con tensiones de ruptura de 6V nos proporcionan el mejor comportamiento como referencias de tensiones estables. ANÁLISIS CON LA LÍNEA DE CARGA DE CIRCUITOS COMPLEJOS Cualquier circuito que contenga resistencias, fuentes de tensión, fuentes de corriente y un sólo elemento no lineal de dos terminales, pueden analizarse, mediante la técnica de la línea de carga. En primer lugar se halla el equivalente de Thévenin de la porción lineal del circuito, como se ve en la figura 11. Después, se construye la línea de carga para encontrar el punto de trabajo en la curva característica del dispositivo no lineal. Una vez conocido el punto de trabajo del elemento no lineal, ya pueden hallarse las tensiones y corrientes en el circuito original. Elemento no lineal RT VT Circuito lineal que contiene fuentes de tensión, fuentes de corriente y resistencias Circuito equivalente de Thévenin (b) Circuito Simplificado (a) Circuito Original Figura 11. El análisis de un circuito que contiene un sólo elemento no lineal, no puede realizarse mediante el análisis de línea de carga de un circuito simplificado. Ejemplo: Análisis en carga de un circuito regulador basada en diodo Zener Consideramos el circuito regulador con diodo Zener de la figura 12 (a). La curva característica del diodo se puede ver en la figura 13. Hallar tensión de carga VL y la corriente IS si VSS = 24V, R = 1.2 KΩ, y RL = 6KΩ. R IS RT R + + VSS vL RL - + VSS RL + iD vD - VT (b) Circuito (a) redibujado (b) Circuito con la sección lineal reemplazada por su equivalente de Thévenin - (a) Circuito regulador con carga Figura 12. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 26 25 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Solución: Considerar en primer lugar el circuito tal y como se ha vuelto a dibujar en la figura 12 (b), donde hemos agrupado los elemento lineales a la izquierda del diodo. después, hallar el equivalente de Thévenin de la parte lineal del circuito. La tensión de Thévenin es la tensión de circuito abierto dada por: VT = VSS RL = 20 V R + RL iD (mA) -20 -18 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 vD (V) -5 -10 -15 -20 Figura 13. Curva característica del diodo Zéner para el ejemplo 3.5 Podemos hallar la resistencia de thévenin poniendo a cero la tensión de la fuente. Al reducir VSS a cero, la fuente de tensión se transforma en un cortocircuito. entonces nos quedan R y RL en paralelo, con lo que la resistencia de Thévenin es: RT = R RL = 1 KΩ R + RL El circuito equivalente que resulta se muestra en la figura 12 (c). Ahora, se puede escribir la ecuación de la línea de carga a partir del circuito equivalente. VT + RTiD + VD = 0 Usando los valores hallados para VT y RT, se puede construir la línea de carga que se muestra en la figura 13 y localizar el punto de trabajo. Éste resulta ser VL = -VD = 10,0 V. Una vez conocida VL, podemos hallar las tensiones y corrientes en el circuito original. Por ejemplo, sirviéndonos del valor de la tensión de salida de 10,0V en el circuito original de la figura 12 (a), hallamos que IS = (VSS - VL )/R = 11,67 mA CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 27 26 ELECTRÓNICA ANALÓGICA REGULACIÓN DE VOLTAJES CON TRANSISTORES DISCRETOS Dos tipos de reguladores de voltaje a transistor son el regulador de voltaje en serie y el regulador de voltaje en paralelo. Cada tipo de circuito puede proporcionar un voltaje de salida que regula o mantiene un valor determinado, incluso aunque el voltaje de entrada varíe o cambie la carga conectada a la salida. Regulación del voltaje serie La conexión básica de un circuito regulador serie se muestra en el diagrama de bloques de la figura 14. El elemento serie controla la cantidad de voltaje de entrada que llega a la salida. El voltaje de salida se muestra con un circuito que proporciona un voltaje de retroalimentación para ser comparado con un voltaje de referencia. Vi Vi Elemento de control (Entrada no regulada) (Salida regulada) Circuito de muestreo Voltaje de referencia Figura 14. Diagrama de bloques de un regulador en serie Circuito comparador 1. Si el voltaje de salida se incrementa, el circuito comparador proporciona una señal de control que hace disminuir la cantidad del voltaje de salida del elemento de control en serie y, por lo tanto, mantiene el voltaje de salida. 2. Si el voltaje de salida disminuye, el circuito comparador proporciona una señal de control para incrementar la cantidad del voltaje de salida en el elemento de control en serie. Circuitos Reguladores En la figura 15 se muestra un circuito regulador en serie simple. El transistor Q1 es el elemento de control en serie y el diodo Zener DZ proporciona el voltaje de referencia. La operación de regulación puede describirse de la siguiente manera: 1. Si disminuye el voltaje de salida, aumenta el voltaje base - emisor, causando que el transistor Q1 conduzca más, elevando así el voltaje de salida y manteniendo la salida constante. 2. Si se incrementa el voltaje de salida, disminuye el voltaje base-emisor, causando que el transistor Q1 conduzca menos, reduciendo por tanto, el voltaje de salida y manteniendo la salida constante. Vi (Voltaje no regulado) Vo Q1 (Voltaje regulado) R RL VZ Figura 15. Circuito regulador en serie CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 28 27 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Calcule el voltaje de salida y la corriente Zener en el circuito regulador de la figura 16 para R1 = 1 KΩ Q1 = (β=50) Vi Vo (regulador) 20 V (no regulado) R 220 Ω RL + VZ 12 V – Figura 16. Circuito para el ejemplo Solución: V0 = VZ - VBE = 12V - 0.7V = 11.3 V VCE = Vi - V0 = 20V - 11.3V = 8.7 V IR = 20 V - 12V = 8V = 36.4 mA 220Ω 220Ω Para RL = 1KΩ IL = V0 = 11.3 V = 11.3 mA RL 1 KΩ IB = IC β = 11.3 V = 226 μA 50 IZ = IR - IB = 36.4 mA - 226 μA = 36 mA REGULADOR EN SERIE MEJORADO Un circuito regulador en serie mejorado es el de la figura 17. Las resistencias R1 y R2 actúan como un circuito de muestreo, proporcionando al diodo Zener DZ, un voltaje de referencia y el transistor Q2 controla la corriente de base del transistor Q1 para variar la corriente que pasa por el transistor Q1 para mantener constante el voltaje de salida. Si el voltaje de salida tiende a incrementarse, éste es muestreado por R1 y R2 incrementando el voltaje V2 lo cual causa que el voltaje base - emisor del transistor Q2 se eleve (debido a Q1 Vi (Voltaje no regulado) Vo R4 (Voltaje regulado) R1 + VZ Q2 RL + - VBE2 R3 R2 V2 CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 29 Figura 17. Circuito en serie mejorado 28 ELECTRÓNICA ANALÓGICA que VZ permanece fijo). Si Q2 conduce más corriente, hay menos en la base del transistor Q1, el cual entonces pasa menos corriente a la carga, reduciendo y manteniendo constante el voltaje de salida. Sucede lo opuesto si el voltaje de salida tiende a disminuir, lo que causa que más corriente se aplique a la carga para impedir que el voltaje disminuya. El voltaje V2 proporcionado por las resistencias sensoras R1 y R2 debe ser igual a la suma del voltaje base-emisor de Q2 y el del diodo Zener, esto es: VBE2 + V2 = V2 = R2 V R1 + R2 0 Resolviendo la ecuación para el voltaje regulado de salida V0 V0 = R1 + R2 (VZ + VBE2) R2 Ejemplo ¿Qué voltaje regulado de salida proporciona el circuito de la figura 17 para los elementos de circuito: R1 = 20 KΩ, R2 = 30 KΩ y VZ = 8.3 V? Solución : El voltaje regulado de salida será: V0 = 20 KΩ + 30 KΩ (8.3 V + 0.7 V) = 15V 30 KΩ CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 30 29 ELECTRÓNICA ANALÓGICA EL TRANSISTOR BIPOLAR El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. Al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 18 con la polarización de dc adecuada. La polarización de dc es necesaria para establecer la región de operación adecuada para la amplificación de ac. la capa del emisor se encuentra fuertemente dopada, la base ligeramente dopada y el colector sólo muy poco dopado. Las capas exteriores tienen espesores mucho mayores que el material tipo p o n al que circundan. Para los transistores que se muestran en la figura 18 la proporción del espesor total respecto al de la capa central es de 0.150/0.001 = 150: 1. El dopado de la capa central es también mucho menor que el dopado de las capas exteriores (casi siempre 10: 1 o menos). Este nivel bajo de dopado disminuye la conductividad (aumenta la resistencia) de este material al limitar el número de portadores “libres”. Para la polarización que se muestra en la figura 18 las terminales se indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se desarrollará una apreciación de la elección de esta notación cuando se analice la operación básica del transistor. La abreviatura BJT, de transistor bipolar de unión (del inglés, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta. Si sólo se utiliza un portador (electrón o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar El diodo Schottky es uno de estos dispositivos. E p 0.150 m 0.150 m 0.001m 0.001m n p C E n B VEE p n C B VCC VEE (a) VCC (b) Figura 18. Tipos de transistores: a) pnp, b) npn CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 31 30 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN DEL TRANSISTOR Ahora se describirá la operación básica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura 18a. La operación del transistor npn es exactamente la misma que si se intercambiaran las funciones que cumplen el electrón y el hueco. En la figura 19 se dibujó de nuevo el transistor pnp sin la polarización base-colector. Observese las similitudes entre esta situación y aquella del diodo con polarización directa. El espesor de la región de agotamiento se redujo debido a la polarización aplicada, lo que da por resultado un flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n. + Portadores mayoritarios E – + – + –+ + – p+ + + – – –+ – + + – +– + – –+ n – +– +– – B Región de agotamiento + – VEE Figura 19. Unión con polarización directa de un transistor pnp. Ahora se eliminará la polarización base-colector del transistor pnp de la figura 18a. según se muestra en la figura 20. es pertinente considerar las similitudes entre esta situación y la del diodo con polarización inversa. Recuerde que el flujo de portadores mayoritarios es cero, y da por resultado sólo un flujo de portadores minoritarios, como indica la figura 20. Por consiguiente, en resumen: Una unión p -n de un transistor tiene polarización inversa, mientras que la otra tiene polarización directa. En la figura 21 ambos potenciales de polarización se aplicaron a un transistor pnp, con el flujo resultante indicado de portadores mayoritarios y minoritarios. Obsérvese, en la figura 21, los espesores de las regiones de agotamiento, que indican con claridad cuál unión tiene polarización directa y cuál polarización inversa. Como se indica en la figura 21, habrá una gran difusión de portadores mayoritarios a través de la unión p-n con polarización directa hacia el material tipo n. Así, la pregunta sería si acaso estos portadores contribuirán e forma directa a la corriente de base IB o si pasarán directamente al material tipo p. Debido a que el material tipo n del centro es muy delgado tiene baja conductividad, un número muy pequeño de estos portadores tomará esta trayectoria de alta resistencia hacia el terminal de la base . La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el oren de los microamperes, comparado con los miliamperes para las corrientes del emisor y del colector. La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión con polarización inversa, hacia el material tipo p conectado a la terminal del colector, según se muestra en la figura 21. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 32 31 ELECTRÓNICA ANALÓGICA La razón de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden atravesar la unión con polarización inversa se comprenderá con facilidad si se considera que para el diodo con polarización inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores minoritarios en el material tipo n. En otras palabras, tuvo lugar una inyección de portadores minoritarios al material de la región de la base tipo n. A la combinación de esto, con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la región de agotamiento atravesarán la unión con polarización inversa de un diodo puede atribuírsele el flujo que se indica en la figura 21. + Portadores mayoritarios + Portadores minoritarios – – n + + B p – + – + –+ + – p+ + C –+ – –+ – + + – +– – IE + Portadores minoritarios p n C E IC B + Región de agotamiento Región de agotamiento IB + – VCC VEE Figura 20. Unión con polarización inversa de un transistor npn. VCC Figura 21. Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor Al aplicar la ley de corriente de Kirchoff al transistor de la figura 21, como si fuera un solo nodo, se obtiene: IE = IC + IB y se observa que la corriente del emisor es la suma de las corrientes del colector y de la base. Sin embargo, la corriente del colector está formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios. según se indica en la figura 21. Al componente de la corriente minoritaria se le denomina corriente de fuga y se le asigna el símbolo ICO (corriente IC con la terminal del emisor abierta). Por tanto, la corriente total del colector se determina mediante la ecuación IC = IC mayoritarios + ICO minoritarios CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 33 32 ELECTRÓNICA ANALÓGICA CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN La notación y los símbolos que se usan junto con el transistor en casi todos los textos y manuales que se publican hoy en día, se indican en la figura 22 para la configuración de base común con transistores pnp y npn. La terminología de la base común se deriva el hecho de que la base es común tanto a la entrada como a la salida de la configuración. A su vez, por lo regular la base es la terminal más cercana a, 0 que se encuentra en, el potencial de tierra. IE IE IC p n IC p n p n C E + VEE - - - VEE VCC IE B IB + + B - IB IC VCC IE IB + E IC IB B B (a) (b) Figura 22. Notación y símbolos utilizados con la configuración e base común a) Transistor pnp; b) Transistor npn IE = IC + IB Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores de base común de la figura 22 se requiere de dos conjuntos de características, uno para el punto de excitación ó parámetros de entrada y el otro para el lado de la salida. Como se muestra en la figura 23, el conjunto de entrada para el amplificador de base común relacionará la corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida (VCB). CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 34 33 ELECTRÓNICA ANALÓGICA El conjunto de salida relacionará la corriente de salida (IC ) con un voltaje de salida (VCB) para varios niveles de corriente de entrada (IE), según se muestra en la figura 24. El conjunto de características de salida o colector tiene tres regiones básicas de interés, como se indica: IE = (mA) VCB = 20V 8 7 6 5 4 3 VCB = 10V VCB = 1V 2 1 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 (V) VBE Figura 23. Características del punto de entrada o manejo para un amplificador a transistor de silicio de base común. IC = (mA) Región activa (área sin sombra) 7 mA 6 6 mA 5 4 3 2 Región de saturación 7 5 mA 4 mA 3 mA 2 mA IE = 1 mA 1 IE = 0mA 0 -1 0 5 10 15 20 (V) VCB Región de corte Figura 24. Característica de la salida del colector para un amplificador a transistor de base común en la figura 24 las regiones activa, de corte y de saturación. La región activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsión). En particular: En la región activa, la unión base- colector, se polariza inversamente, mientras que la región emisor-base se polariza directamente. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 35 34 ELECTRÓNICA ANALÓGICA La región activa se define mediante los arreglos de polarización. En el extremo más bajo de la región activa, la corriente del emisor(IE) es cero; esa es la verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de saturación inversa ICO, como lo señala la figura 24. La corriente ICO real es tan pequeña (microamperes) en magnitud si se compara con la escala vertical de IC (miliamperes) que aparece virtualmente sobre la misma línea horizontal en donde IC = 0. Las condiciones de circuito que existen cuando IE = 0. Para la configuración de base común se muestran ne la figura 25. La notación que con más frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas de especificaciones es, como se indica en la figura 25, ICBO. Debido a las mejoras en las técnicas de fabricación, el nivel de ICBO para los transistores de propósito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades e mayor potencial ICBO aparecerá todavía en el rango de microamperes. Además, recuerde que ICBO, así como IS, para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rápidamente con la temperatura. Observese en la figura 24 que cuando la corriente del emisor se incrementa por arriba de cero, la corriente del colector aumenta a una magnitud en esencia igual a aquella de la corriente del emisor, según se determina por las relaciones básicas de corriente en el transistor. Nótese asimismo el efecto casi nulo de VCB sobre la corriente del colector para la región activa. Las curvas indican con claridad que una primera aproximación a la relación entre IE e IC en la región activa está especificada por. ~ I IC = E Como se infiere por su propio nombre, la región e corte se define como la región en la que la corriente del colector es 0 A, según indica la figura 24. Así también: En la región de corte, tanto la unión base- colector como la unión emisor-base de un transistor tienen polarización inversa. E C IE = 0 ICBO = ICO IB B Emisor abierto Colector a base Figura 25. Corriente de saturación inversa CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 36 35 ELECTRÓNICA ANALÓGICA La región de saturación se define como la región a la izquierda de las características de VCB = 0 V. La escala horizontal en esta región se expandió para mostrar con claridad el cambio radical que sufren las características en esta región. Obsérvese el incremento exponencial en la corriente del colector cuando el voltaje VCB se incrementa hacia los 0 V. En la región de saturación, tanto la unió base-colector como la emisor-base están en polarización directa. Las características de entrada de la figura 23 revelan que para valores fijos del voltaje del colector (VCB), conforme se incrementa el voltaje base-emisor, la corriente del emisor aumenta de tal manera que es muy similar a las características del diodo. De hecho, los niveles crecientes de VCB tienen un efecto tan bajo sobre las características que, como una primera aproximación, se pueden ignorar los cambios ocasionados por VCB y sus características pueden dibujarse como se ilustra en la figura 26a. Si se aplica la aproximación de segmentos lineales, dará por resultado las características que se presentan en la figura 26b. Al avanzar un paso más e ignorando la pendiente de la curva, y, por tanto, la resistencia asociada con la unión con polarización directa, se obtendrán las características que denota la figura 26c. Para los propósitos de análisis, el modelo equivalente de la figura 26c se utilizará para todos los análisis en dc de redes de transistores. Es decir, una vez que el transistor se encuentre en estado “encendido”, se supondrá que el voltaje base-emisor es el siguiente: VCB = 0.7V En otras palabras, el efecto de las variaciones debidas a VCB y a la pendiente de las características de entrada se omitirán en tanto sea posible analizar las redes de transistores de tal manera que ofrezcan una buena aproximación a la respuesta real, sin involucrarse demasiado en las variaciones de los parámetros de menor importancia. IE = (mA) IE = (mA) Cualquier VCB 8 7 6 5 4 3 2 1 0 8 7 6 5 4 3 8 7 6 5 4 3 2 1 0,2 0,4 0,6 0,8 (a) 1 (V) VBE IE = (mA) 0 0,7 V 0,2 0,4 0,6 0,8 (b) 1 2 1 (V) VBE 0 0,7 V 0,2 0,4 0,6 0,8 1 (V) VBE (c) Figura 26. Desarrollo del modelo equivalente para ser utilizado para la región base-emisor de un amplificador en modo de dc. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 37 36 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Es importante apreciar en su totalidad el enunciado que establece las características de la figura 26c. Estas especificaciones que con el transistor en estado “encendido” o activo, el voltaje base-emisor será de 0.7V a cualquier nivel de corriente del emisor controlada mediante una red externa. Desde la primera vez que se encuentra cualquier configuración de transistor en el modo de dc, es posible especificar de inmediato que el voltaje base-emisor es de 0.7V si el dispositivo se encuentra en la región activa. Alfa (α) En el modo de dc los niveles de IC e IE debido a los portadores mayoritarios se encuentran relacionados por una cantidad llamada alfa y definida por la siguiente ecuación: αdc = IC IE Donde IC e IE son los niveles de corriente en el punto de operación. Si bien las características de la figura 24, podrían sugerir que α = 1 para los dispositivos prácticos, el nivel de alfa suele extenderse de 0.90 a 0.998, donde la mayoría se aproxima al extremo alto del rango. Debido a que alfa sólo puede definirse para los portadores mayoritarios. IC = αIE + ICBO Para las características de la figura 24 cuando IE = 0 mA, IC es por consiguiente igual a IC BO; no obstante, como se mencionó antes, el nivel de IC BO es con frecuencia tan pequeño que prácticamente no es posible detectarlo en la gráfica de la figura 24. En otras palabras, cuando IE = 0 mA, en la figura 24, IC también parece ser de 0 mA para el rango de valores de VC B. Para las situaciones de ac donde el punto de operación se desplaza sobre la curva de característica, un alfa en ac se define mediante: αac = ΔIC ΔIE VC B = constantes En términos formales, alfa de ac se denomina como la base de base común, cortocircuito o factor de amplificación. Especifica que un cambio relativamente bajo en la corriente del colector se divide entre el cambio correspondiente en IE cuando se mantiene constante el voltaje del colector a la base. En la mayor parte de las situaciones, las magnitudes de αac y αdc son muy cercanas, lo cual permite utilizar la magnitud de una para otra. Polarización La polarización correcta de la configuración de base común en la región activa se puede determinar con rapidez, si se utiliza la aproximación IC = IE, y suponiendo, por el momento que IE = 0 µA. El resultado es la configuración de la figura 27 para el transistor pnp. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 38 37 ELECTRÓNICA ANALÓGICA E C ~I IC = E IE B IB = 0 μA + VEE Figura 27. Establecimiento de la polarización correcta para un transistor npn en base común en la región activa. + VCC La flecha del símbolo define la dirección del flujo convencional para IC ~ = IE. Luego se insertan las fuentes dc con una polaridad tal, que soportarán la dirección resultante de la corriente. Para el transistor npn se invertirán las polaridades. ACCIÓN AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR Ahora que se ha establecido la relación entre IC e IE, se puede explicar la acción básica de amplificación del transistor sobre un nivel superficial utilizando la red de la figura 28. La polaridad dc no aparece en la figura debido a que nuestro interés se limita a la respuesta en ac. Para la configuración de base común, la resistencia ac de entrada es muy pequeña y casi siempre varía entre 10 y 100Ω. La resistencia de salida, según se determinó en las curvas, es muy alta )mientras más horizontales sean las curvas, mayor será la resistencia) y suele variar entre 50KΩ y 1 MΩ (100 kΩ para el transistor de la figura 20). La diferencia en cuanto a resistencia se debe a la unión con polarización directa en la entrada (base-emisor) y la unión con polarización inversa en la salida (base-colector). Utilizando un valor común de 20 Ω para la resistencia de entrada, se encuentra que: Ii = Vi = 200 mV = 10 mA 20 Ω VR Si se asume por un momento que: αac = I (IC = IE ), IL = Ii = 10 mA VL = IL R = (19 mA) (5 kΩ) = 50 V CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 39 38 ELECTRÓNICA ANALÓGICA p Ii + n E C B R1 V = 20 mV p 20 kΩ IL + Ro 100 kΩ R - 5 kΩ VL - Figura 28. Acción básica de amplificación de voltaje de la configuración de base común La amplificación del voltaje es: AV = VL Vi = 50 V = 250 200mV Los valores típicos de la amplificación de voltaje para la configuración de base común varía entre 50 y 300. La amplificación de corriente (IC / IE) es siempre menor que 1 para la configuración de la base común. Ésta última característica debe ser obvia debido a que IC = αIE y α es siempre menor que 1. La acción básica de amplificación se produjo mediante la transferencia de una corriente I dese un circuito de baja resistencia a uno de alta. La combinación de las partes de las dos palabras en itálicas, en la siguiente fórmula, da como resultado el término transistor; esto es: Transferencia + Resistor = Transistor CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN La configuración de transistor que se encuentra más a menudo aparece en la figura 29 para los transistores pnp y npn. Se le denomina configuración de emisor común debido a que el emisor es común o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es común tanto a la terminal de base como a la de colector). Una vez más, se necesitan dos conjuntos de características para describir por completo el comportamiento de la figuración de emisor común: uno para el circuito de entrada o base-emisor y otro para el circuito de salida o colector-emisor. Ambos se muestran en la figura 30. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 40 39 ELECTRÓNICA ANALÓGICA IC IC C C n IB VCC p B p VBB E IE VCC n B n VBB p IB E IE IC IC C C IB IB B B Figura 29. Notación y símbolos utilizados con la configuración de emisor común a) Transistor npn b) Transistor pnp IE E (a) IE (b) E Las corrientes del emisor, colector y base se muestran en su dirección convencional para la corriente. Si bien cambió la configuración del transistor, aún se pueden aplicar las relaciones de corriente que se desarrollaron antes para la configuración de base común. Es decir, IE = IC + IB e IC = α IE. Para la configuración de emisor común, las características de salida son una gráfica de la corriente de salida (IC )en función del voltaje de salida (VCE ) para un rango de valores de corriente de entrada (IB). Las características de entrada son una gráfica de corriente de entrada (IB) en función del voltaje de entrada (VBE) para un rango de valores de voltaje de salida (VCE). IC (mA) IB = (μA) 8 Región de saturación 7 90 μA 80 μA 70 μA 6 50 μA 40 μA 4 30 μA 3 (Región activa) 20 μA 2 1 IB = 0 μA 5 10 15 20 VCE = 1V 20 10 10 μA 0 VCE = 10V 100 90 80 70 60 50 40 30 60 μA 5 VCE = 20V (V) VCE 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 (V) VBE ICEO =βICEO Región de corte Figura 30. Características de un transistor de silicio en la configuración de emisor común a) Características del colector, b) Características de la base. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 41 40 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Obsérvese que en las características de la figura 30, la magnitud de IB se indica en microamperes, comparado con los miliamperes de IC. Considere también que las curvas de IB no son tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en la configuración de base común, lo cual indica que el voltaje del colector a l emisor tendrá influencia sobre la magnitud de la corriente del colector. La región activa para la configuración del emisor común es la parte del cuadrante superior derecho que tiene mayor linealidad, es decir, la región en la que las curvas para IB son casi rectas e igualmente espaciadas. En la figura 30a, esta región existe a la derecha de la línea punteada en VCE sat y por arriba de la curva para IB igual a cero. la región a la izquierda de VCE sat se denomina región de saturación. En la región activa de un amplificador de base común la unión del colector-base se encuentra polarizada inversamente, mientras que la unión base-emisor se encuentra polarizada directamente. Recuerde que estas son las misma condiciones que existieron en la región activa de la configuración de base común. La región activa de la configuración de emisor común se puede emplear también para la amplificación de voltaje, corriente o potencia. La región corte para la configuración de emisor común no está tan bien definida como para la configuración de base común. obsérvese en las características del colector de la figura 30 que IC no es igual a cero cuando IB es cero. Para la configuración de base común cuando la corriente de entrada IE fue igual a cero, la corriente del colector fue igual sólo a la corriente de saturación inversa ICO, de tal forma que en la curva IE = 0 y el eje de los voltajes fue uno para todos los propósitos prácticos. La razón de esta diferencia en las características del colector puede obtenerse a través de un manejo adecuado. Es decir: IC = αIE = ICBO IC = α(IC + IB) + ICBO Volviendo a arreglar da: IC = αIB I + CBO 1-α 1-α Si se considera el caso que recién se analizó, donde IB = 0A, y se sustituye un valor típico como de 0.996, la corriente resultante del colector es la siguiente: ICBO IC = α(0 A) + 1-α 1 -0.996 ICBO = = 250 ICBO 0.004 Si ICBO fuera 1 µA, la corriente resultante del colector con IB = 0A sería 250 (1µA) = 0,25 mA, según se refleja en las características de la figura 30. Como referencia futura, a la corriente del colector definida con la condición IB = 0 µAse le asigna la notación: I ICEO = CEO 1 - α IB = 0 µA CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 42 41 ELECTRÓNICA ANALÓGICA En la figura 31, se demuestra las condiciones para esta corriente recién definida con su dirección asignada de referencia. Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión), el corte para la configuración de emisor común se definirá mediante IC = ICEO. C B ICEO IC = 0 Base abierta Colector a emisor E Figura 31. Condiciones de circuitos relativos a ICEO En otras palabras, la región por abajo e IB = 0 µA debe evitarse si se requiere una señal de salida sin distorsión. Cuando se utiliza como interruptor en el circuito lógico de una computadora, un transistor tendrá dos puntos de operación interesantes: uno en la región de corte y otro en la región de saturación. La condición ideal e corte debe ser IC = 0 mA para el voltaje elegido VCE. Debido a que ICEO suele ser bajo en magnitud para los materiales de silicio, el corte existirá para fines de comunicación cuando IB = 0 µA o IC = ICEO, pero sólo para los transistores de silicio. Sin embargo, para los transistores de germanio, el corte para fines de comunicación se definirá mediante las condiciones que existan cuando IC = ICBO. Dicha condición se puede obtener, por lo regular, para los transistores de germanio mediante la polarización inversa de la unión base-emisor, con unas cuantas décimas de volt. Recuerde que para la configuración de base común se hizo una aproximación al conjunto de características de entrada mediante un equivalente de segmentos lineales, que dió como resultado VBE = 0.7 V para cualquier nivel de IE mayor que 0 mA. Para la configuración de emisor común se puede recurrir al mismo método, lo cual da por resultado el equivalente aproximado de la figura 32. El resultado de sustento a la conclusión anterior respecto a que para un transistor “encendido” o activo, el voltaje de la base-emisor es de 0.7 V. En este caso, el voltaje está fijo para cualquier nivel de corriente de base. IB = (μA) 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 Figura 32. Equivalente de segmentos lineales para las características del diodo de la figura 30b. (V) VBE CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 43 42 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Beta (β) En el modo de dc, los niveles de IC e IB se relacionan mediante una cantidad a la que llamaremos beta y se define mediante la ecuación siguiente: βdc = IC IB donde IC e IB son determinadas en un punto de operación en particular de las características. Para los dispositivos prácticos, el nivel de β suele tener un rango entre cerca de 50 y más de 400, con la mayoría dentro del rango medio. Como para α, β revela ciertamente la magnitud relativa de una corriente respecto a la otra. Para un dispositivo con una β de 200, la corriente del colector equivale a 200 veces la magnitud de la corriente de base. En las hojas de especificaciones, βdc se incluye, por lo regular como hFE, donde la h se obtiene de un circuito equivalente híbrido que se presentará en el capítulo 7. Los subíndices FE se derivan de una amplificación de corriente directa (por las siglas en inglés de forward) y la configuración de emisor común, respectivamente. Para las situaciones de ac, se define en los términos siguientes: βac = ΔIC ΔIB VCE = constantes El nombre formal para βac es factor de amplificación de corriente directa de emisor común. Debido a que por lo general, la corriente del colector es la corriente de salida para una configuración de emisor común y la corriente de base es la corriente de entrada, el término amplificación se incluye en la nomenclatura anterior. El procedimiento para obtener αac a partir de las curvas de característica no se explicó debido a la dificultad para medir realmente los cambios de IC e IE sobre las características. Por lo regular, en las hojas de especificaciones βac se indica como hƒe. Obsérvese que la única diferencia entre la notación que se utiliza para beta dc, específicamente βdc = hFE, radica en el tipo de literal que se emplea para cada cantidad señalada como subíndice. La literal h continúa haciendo referencia al circuito equivalente híbrido y la ƒe a la ganancia de corriente directa (por las siglas en inglés de forward) en la configuración de emisor común. Determine βac para una región de las características definidas por un punto de operación de IB = 25 µA y VCE = 7.5 V, como se indica en la figura 33. La restricción de VCE = constante requiere que se dibuje una línea vertical a través del punto de operación en VCE =7.5 V. En cualquier lugar de esta línea vertical el voltaje VCE es 7.5 V, una constante. El cambio en (Δ IB) se define entonces al elegir dos puntos en cada lado del punto Q a lo largo del eje vertical, y a distancias aproximadamente similares a cada lado del punto Q. Para esta situación, las curvas de IB = 20 µA y de 30 µA cumplen el requisito sin extenderse muy lejos del punto Q. También definen los niveles de IB entre las curvas. Es pertinente mencionar que la mejor determinación suele hacerse manteniendo la Δ IB que se seleccionó tan pequeña como CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 44 43 ELECTRÓNICA ANALÓGICA IC (mA) 9 90 μA 8 80 μA 7 70 μA 60 μA 6 50 μA 5 40 μA 4 Figura 33. Determinación de βac y βdc partir de las características de las características del conductor 30 μA 25 μA 3 20 μA 2 10 μA 1 IB =10 μA 0 5 10 15 20 25 (V) VCE VCE =75 V sea posible. En las dos intersecciones de IB y el eje vertical, los dos niveles de IC pueden determinarse trazando una línea horizontal sobre el eje vertical y leyendo los valores resultantes de IC. El βac resultante para la región se puede determinar mediante: βac = ΔIC ΔIB VCE = constante = = IC2 - IC1 IB2 - Ib1 1 mA 3.2 mA - 2.2 mA = 10 µA 30 µA - 20 µA = 100 La solución anterior revela que para una entrada de ac en la base, la corriente del colector será de aproximadamente 100 veces la magnitud de la corriente base. Si se determina la beta de dc en el punto Q: βdc = ΔIC = 2.7 mA = 108 ΔIB 25 µA Aunque no son exactamente iguales, los niveles de βac y βdc se encuentran razonablemente cercanos y a menudo se pueden utilizar indistintamente . Esto es, si se conoce el nivel de βac, se supone que es de la misma magnitud aproximadamente de βdc, y viceversa. Tome también en cuenta que dentro del mismo lote, el valor de βac variará en alguna medida entre un transistor y el siguiente, aunque cada uno tenga el mismo número de código. Es probable que la variación no sea significativa para la mayor parte de las aplicaciones, por consiguiente, es suficiente validar el sistema aproximado anterior. casi siempre, mientras más bajo sea el nivel de ICEO, más cercanas serán las magnitudes de las dos betas. Debido a que la tendencia se dirige hacia niveles más y más bajos de ICEO, la validación de la aproximación anterior se sustenta aún más. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 45 44 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Si las características tuvieran la apariencia de aquellas que se encuentran en la figura 34, el nivel de βac sería el mismo en todas las regiones de las características. Obsérvese que el paso o incremento en IB se ha fijado en 10 µA, y el espaciamiento vertical entre las curvas es el mismo en cada punto de las características, es decir, 2 mA. El cálculo de βac en el punto Q indicado dará por resultado: βac = ΔIC = 9 mA - 7 mA = 2 mA = 200 ΔIB VCE = constante 45 µA - 35 µA 10 µA Determinar beta de dc en el mismo punto Q dará por resultado: βac = IC = 8 mA = 200 40 µA IB lo cual revela que si las características tienen la apariencia de la figura 34, la magnitud de βac y de βdc será la misma en cada punto de las características. Es importante observar que ICEO = 0 µA. Aunque un conjunto de características de un transistor real nunca tendrá la apariencia de la figura 34, ofrecemos un conjunto e características con el objeto de compararlas con las que se obtienen con un trazador de curvas (que se describirá enseguida). IC (mA) IB = 60 μA 12 11 IB = 50 μA 10 9 Punto Q IB = 40 μA 8 7 IB = 30 μA 6 5 IB = 20 μA 4 3 IB = 10 μA 2 IB = 0 μA (ICEO = 0 μA) 1 0 5 10 15 20 VCE Figura 34. Características en la cual βac es igual en cualquier lado βac = βdc Es posible establecer una relación entre β y α utilizando las relaciones básicas que se han presentado hasta ahora. Al utilizar β = IC / IB se tiene que IB = IC / β, y a partir de α = IC / IE se tiene que IE =IC /α. Al sustituir en: IE = IC + IB se tiene: IC α = IC + IC β y al dividir ambos miembros de la ecuación entre IC se obtiene: 1 1 α =1 + β CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 46 45 ELECTRÓNICA ANALÓGICA o bien en consecuencia β = αβ + α = (β + 1)α α= β β + 1 o bien β= a su vez, recuerde que α 1- α ICEO = ICBO 1-α Pero al utilizar una equivalencia de 1 =β +1 1- α derivado de lo anterior, se encuentra que ICEO = (β + 1)ICBO o bien ICEO ~ = β ICBO Según se indica en la figura 30a. Beta es un parámetro en particular importante porque ofrece un vínculo directo entre los niveles de corriente de los circuitos de entrada y los de salida para una configuración de emisor común. Es decir, IC = β IB y dado que IE = IC + IB = β IB + IB Se tiene IE = (β + 1)IB Polarización La polarización adecuada de un amplificador de emisor común puede determinarse de una manera similar a la presentada para la configuración de base común. Suponga que se le presenta un transistor npn como el que se muestra en la figura 35a y se pide aplicar una polaridad correcta para colocar al dispositivo en la región activa. El primer paso consiste en indicar la dirección de IE según lo establece la flecha en el símbolo del transistor como se muestra en la figura 35b. Después, se presentan las otras CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 47 46 ELECTRÓNICA ANALÓGICA IC IC ? IB VCC IE IB IE + V - BB ? (a) (b) (c) Figura 35. Determinación del arreglo polarización apropiada para una configuración de transistor npn en emisor común. corrientes como se indica, tomando en cuenta la relación de la ley de corrientes de Kirchhoff: IC + IB = IE . Por último, se introducen las fuentes con las polaridades que soportarán las direcciones resultantes de IB e IC, según se muestra en la figura 35c para completar el concepto. El mismo sistema puede aplicarse a los transistores pnp. Si el transistor e la figura 35 tiene un transistor pnp, se invertirán todas las corrientes y polaridades de la figura 35c. CONFIGURACIÓN DE COLECTOR COMÚN La tercera y última configuración de transistor es la configuración de colector común, que se ilustra en la figura 36 con las direcciones adecuadas de corriente y notación de voltaje. La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de impedancia, debido a que tienen una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a las de las configuraciones de base común y de un emisor común. IE IE E p IB C VCC p B p VBB n IB VCC n B E n VBB C IC IC IE IE E E IB IB B B IC (a) (b) C IC C Figura 36. Notación y símbolos utilizados con la configuración de colector común a) Transistor pnp b) Transistor npn CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 48 47 ELECTRÓNICA ANALÓGICA LÍMITES DE OPERACIÓN Para cada transistor hay una región de operación sobre las características, las cuales aseguran que no se rebasen los valores máximos y que la señal de salida exhiba una distorsión mínima. Esta región se definió para las características del transistor de la figura 37. Algunos de los límites de operación se explican por sí solos, tales como la corriente máxima del colector (a la que por lo regular se hace mención normalmente en la hoja de especificaciones como corriente continua del colector) y voltaje máximo del colector al emisor (que a menudo se abrevia como VCEO o V(BR)CEO en la hoja de especificaciones). Para el transistor de la figura 37, IC máximo se especificó como 50 mA y VCEO como 20 V. IC (mA) 70 μA 60 μA 50 50 μA IC máx Región de saturación 40 40 μA PC máx = VCE IC = 300 mW 30 μA 30 20 μA 20 Figura 37. Definición de la región lineal sin (distorsión) de operación para un transistor 20 μA 10 IB =20 μA 0 0,3V VCE sat 5 Región de corte 10 15 ICEO 20 VCE (V) VCE máx La línea vertical relativa a las características que se define como VCE sat especifica el VCE mínimo que puede aplicarse sin caer en la región no lineal denominada como región de saturación. El nivel de VCE sat suele encontrarse en las proximidades de los 0.3 V que se especifican para este transistor. El nivel máximo de disipación se define mediante la ecuación siguiente: PC máx = VCE IC Para el dispositivo de la figura 37, la disipación de potencia del colector se especificó como 300 mW. Así surge la pregunta respecto a cómo graficar la curva de disipación de potencia del colector especificada por el hecho de que PC máx = VCE IC = 300 mW o bien VCE IC = 300 mW En cualquier punto de las características el producto VCE e IC debe ser igual a 300 mW. Si se elige que IC tenga un valor máximo de 50 mA y se sustituye en la relación anterior, se obtiene: VCE IC = 300 mW CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 49 48 ELECTRÓNICA ANALÓGICA VCE (50 mA) = 300 mW VCE = 300 mW = 6V 50 mW Como resultado, se encuentra que si IC = 50 mA, entonces VCE = 6V sobre la curva de disipación de potencia, como se indicó en la figura 37. Si ahora se elige que VCE tenga un valor máximo de 20V, el nivel de IC es el siguiente: (20 V) IC = 300 mW IC = 300 mW = 15 mA 20 V definiendo un segundo punto sobre la curva de potencia. Si ahora se elige un nivel de IC a la mitad del rango medio tal como 25 mA, y se despeja con objeto de obtener el nivel resultante de VCE, obtiene: VCE (25 mA) = 300 mW VCE =300 mW = 12 mA 25 mA y Como también se indica en la figura 37 Por lo regular, se puede dibujar un estimado general de la curva real utilizando los tres puntos que se definieron antes. Desde luego, mientras más puntos se tengan, más exacta será la curva; sin embargo, casi siempre lo único que se necesita es un estimado general. La región de corte se define como la región por abajo de IC = ICEO. Esta región debe evitarse también si la señal de salida debe tener una distorsión mínima. En algunas hojas de especificaciones sólo se incluye ICBO. Entonces, se debe utilizar la ecuación ICEO = βICBO para darse una idea del nivel de corte si no se dispone de las curvas características. la operación en la región resultante de la figura 37 asegurará una distorsión mínima de la señal de salida, y los niveles de corriente y de voltaje que no dañarán al dispositivo. En caso de que no se dispongan de las curvas características, o que éstas no aparezcan en la hoja de especificaciones (cosa que suele ocurrir), sólo habrá que asegurar que IC, VCE, y su producto VCE IC caigan dentro del rango que aparece en la ecuación siguiente: ICEO < IC < IC máx VCE sat < VCE < VCE máx VCE IC < PC máx Para las características de base común, la curva de potencia máxima se define mediante el siguiente producto de cantidades de salida: PC máx = VCB IC CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 50 49 ELECTRÓNICA ANALÓGICA TEORÍA DE LOS SEMICONDUCTORES Existen varios materiales válidos para la fabricación de dispositivos electrónicos de estado sólido; los más destacables son: silicio (Si), germanio (Ge) y arseniuro de galio (GaAs). Silicio intrínseco El modelo de Böhr para un átomo de silicio aislado, consiste en un núcleo que contiene 14 protones y la mayor parte de la masa del átomo con un total de 14 electrones rodeando al núcleo en órbitas específicas. Las órbitas de los electrones se encuentran agrupadas en lo que llamamos capas. La siguiente capa, de mayor energía contiene 8 orbitales. Cada orbital puede tener como máximo un sólo electrón. Así para un átomo de silicio en su estado de energía más bajo, la capa más interna contiene dos electrones, la siguiente capa contiene ocho electrones, y los cuatro electrones que restan ocupan orbitales en la capa exterior, también llamada capa de valencia. Son estos electrones de valencia exteriores, los que proporcionan los portadores de carga en el estado sólido del material. En un cristal de silicio intrínseco (puro), cada átomo se posiciona formando una especie de retícula, con cuatro átomos cercanos. Cada par de átomos cercanos forma un enlace covalente, consiste en dos electrones que orbitan alrededor del par. cada átomo aporta un electrón a cada uno de los cuatro enlaces con sus vecinos. Podemos ver eso claramente en el diagrama de la figura 38. En el cristal real, la disposición de los átomos es tridimensional: cada átomo está en el centro de un tetraedro, con un átomo vecino en cada esquina. Núcleo iónico que consta del núcleo y los electrones interiores +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 Electrones en enlaces covalentes Figura 38. Cristal de silicio intrínseco CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 51 50 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Con temperaturas de cero absoluto, los electrones están en los menores estados de energía disponibles. Así, todos los electrones de valencia forman parte de enlaces covalentes, y no son libres de moverse por el cristal. En estas condiciones, el silicio es un aislante eléctrico. Sin embargo, a «temperatura ambiente» (aproximadamente 300°K), algunos electrones alcanzan la suficiente energía térmica como para liberarse de sus enlaces. Estos electrones libres pueden moverse con facilidad por el cristal. Esta situación se ilustra en la figura 39. Enlace roto Electrón libre Figura 39. La energía térmica puede romper un enlace, creando un hueco y un electrón libre, pudiendo moverse ambos con libertad por todo el cristal. Si aplicamos tensión al silicio intrínseco, fluirá una corriente. Sin embargo, el número de electrones libres es relativamente pequeño comparado con el que encontramos en un buen conductor. Por ello , se clasifica el silicio intrínseco como semiconductor. El silicio 22 10 contiene unos 5 x 10 átomos/cm³. A temperatura ambiente, hay n1 ~ 1,45 x 10 electrones 13 = valencia se ha liberado libres por cm³. Así, sólo un electrón por cada 1,4 x 10 electrones de de su enlace a temperatura ambiente. Conducción por huecos Los electrones libres no son la única manera en la que la corriente fluye por el silicio intrínseco. Un electrón de un enlace cercano puede rellenar un enlace roto, como se ve en la figura 40. Aunque son los electrones del enlace los que realmente se mueven, es mejor centrarnos en el vacío que dejan en los huecos. Podemos imaginar un hueco como un portador de carga positiva que se mueve libremente por el cristal, mientras que los electrones de enlace sólo pueden moverse si hay un gran hueco cercano. En un semiconductor intrínseco, existe un número igual de huecos y electrones libres que pueden moverse con facilidad por el cristal. Llamaremos a la concentración de electrones libres ni, y a la concentración e huecos pi . Así, podemos decir que ni = pi en un material puro. Cuando se aplica un campo eléctrico al cristal, ambos tipos de portadores contribuirán al flujo de corriente. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 52 51 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Estado vacío (hueco) Electrones en enlace covalente Incremento en el tiempo Figura 40. A medida que los electrones se desplazan a la izquierda para llenar un hueco, el hueco se desplaza a la derecha Generación y recombinación Los electrones libres y los huecos son generados por la energía térmica, que causa la ruptura de los enlaces covalentes a una velocidad que depende mucho de la temperatura. Cuanto más alta sea la temperatura, mayor será la velocidad de generación. Por otra parte, cuando un electrón libre encuentra un hueco, puede producirse una recombinación: el hueco y el electrón libre se combinan para formar un enlace covalente. A medida que la concentración de huecos y electrones libres aumenta, la recombinación ocurre con más frecuencia. Así, a una temperatura determinada, existe un equilibrio en el que la velocidad de recombinación iguala a la velocidad de generación de portadores de carga. Al aumentar la temperatura, este equilibrio se corresponde con una cada vez mayor concentración de portadores de carga. Una concentración más alta de portadores de carga proporcionaría una mayor capacidad al material para conducir la corriente eléctrica. Así, la conductividad de un semiconductor intrínseco aumenta con la temperatura. Material semiconductor del circuito n Añadir al cristal pequeñas cantidades de las impurezas apropiadas, afecta de manera espectacular a la concentración relativa de huecos y electrones. Tenemos así un semiconductor extrínseco. Por ejemplo, si añadimos fósforo, que tiene cinco electrones de valencia, los átomos de fósforo se posicionan en la estructura cristalina y forman enlaces covalentes con sus cuatro vecinos. El quinto electrón de valencia sólo está débilmente unido al átomo de fósforo. A temperaturas de trabajo normales, este electrón extra rompe su enlace con el átomo de impureza, y se convierte en un electrón libre. Sin embargo, el átomo de impurezas no crea un hueco; la carga positiva que equilibra al electrón libre está bloqueada en el núcleo iónico del átomo de impureza. Así, podemos crear electrones libres añadiendo al silicio impurezas pentavalentes, llamadas donantes. Al material resultante, se le conoce como material tipo n. Se puede ver la estructura cristalina del silicio de tipo n en la figura 41. En un material de tipo n, la conducción se debe principalmente a los numerosos electrones libres. Así los electrones libres se les llama portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se les llama portadores minoritarios. A temperaturas de trabajo normales, casi todos los átomos donantes aportan su quinto electrón. Decimos entonces que los donantes se han ionizado. Cada átomo donante ionizado CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 53 52 ELECTRÓNICA ANALÓGICA +4 +4 +4 Electrón de valencia extra del átomo donante +4 +4 +5 Átomo donante +4 +4 +4 Figura 41. El silicio de tipo n se crea añadiendo átomos con impurezas de valencia cinco. tiene asociada una carga positiva. Desde luego, la concentración de carga neta en el material es cero. la carga positiva de los donantes ionizados (y huecos) se equilibra con la carga negativa de los electrones libres. Así, podemos igualar la concentración de electrones libres a la suma de las concentraciones de huecos y donantes; es decir, n = p + ND donde ND representa la concentración de átomos donantes. La ley de acción de masa No sólo aumenta la concentración de electrones libres por la adición de átomos donantes; la concentración de huecos se reduce a su vez, porque la mayor concentración de electrones hace más probable la recombinación. resulta que el producto de la concentración de huecos por la concentración de electrones libres es constante (para una temperatura dada). A esto se le llama ley de acción de masas, pn = pi ni donde pi es la concentración de huecos en el material intrínseco, y ni es la concentración de electrones en el material intrínseco. Como se estableció que la concentración de huecos y electrones es igual en los materiales intrínsecos, podemos escribir pn = ni ² Los huecos se van generando continuamente a causa de la energía térmica. Cada hueco recorre el material hasta que se combina con un electrón libre. La vida media de los portadores minoritarios es un parámetro importante en el comportamiento de la conmutación de los diodos y otros dispositivos semiconductores. Llamaremos τp a la vida media de los huecos en un material tipo n. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 54 53 ELECTRÓNICA ANALÓGICA MATERIAL SEMICONDUCTOR DE TIPO p Añadiendo al silicio puro una impureza trivalente, como el boro, se produce un material de tipo p. Cada átomo de impureza ocupa una posición en la retícula cristalina y forma enlaces covalentes con tres de sus vecinos más próximos. El átomo de impureza no tiene el cuarto electrón que se necesita para completar el enlace con su cuarto vecino. A temperaturas de trabajo normales, un electrón de un átomo de silicio cercano se puede desplazar para llenar el cuarto enlace de cada átomo de impureza. Esto crea un hueco que se crea libremente por el cristal. Sin embargo, el electrón se enlaza con el átomo de impureza ionizado. Así, la conducción en el material de tipo p se debe mayoritariamente a los huecos. En un material de tipo p, los huecos se llaman portadores mayoritarios y, los electrones portadores, minoritarios. Desde luego, esta terminología es la inversa a la de los materiales de tipo n. Las impurezas de valencia tres se denominan aceptadores, porque aceptan un electrón extra. Con cada átomo aceptor ionizado, se asocia una carga negativa: hay presentes cuatro electrones enlazados, pero sólo hay la suficiente carga positiva en el núcleo iónico como para equilibrar la carga de tres electrones. la estructura cristalina reticular del silicio de tipo p se muestra en la figura 42. +4 +4 +4 Átomo aceptor +4 +3 +4 Enlace vacante que se llena a la temperatura de funcionamiento +4 +4 +4 Figura 42. El silicio de tipo p se crea añadiendo átomos de impureza con valencia tres. Si llamamos a la concentración de átomos aceptadores NA, podemos escribir: NA + n = p porque la concentración de carga neta del material debe ser cero. La carga negativa de los átomos aceptadores ionizados más la de los electrones libres iguala a la carga positiva de los huecos. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 55 54 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Cómo alternar el tipo de material En la fabricación de circuitos integrados, es necesario añadir impurezas por etapas. Por ejemplo, podemos comenzar con un material de tipo n, parte del cual queremos que cambie a tipo p. Esto se consigue añadiendo aceptadores. Cuando la concentración de aceptadores supera a la concentración de donadores inicial, el material se convierte en uno de tipo p. Después, se pueden añadir más donadores a la región p para volver a cambiarla a tipo n. Para materiales con ambos tipos de impurezas, tenemos: p + ND = n + N A Ejemplo: Cálculo de la concentración de huecos y electrones libres Supongamos que tenemos silicio con NA = 10¹³ átomos /cm³, y ND = 2 x 10¹³ átomos /cm³. La concentración de electrones intrínsecos en el silicio a temperatura ambiente (300 °K) es de 1,45 x 10 -3 10 cm . Hallar las concentraciones aproximadas de huecos y electrones para este material dopado. Solución: Como la concentración de donadores es mayor que la de aceptadores, tenemos un material de tipo n. Así, podemos anticipar que n es mayor que ni, y que p es menos que pi. Reordenando la ecuación anterior, tenemos: n = p + ND - NA Sustituyendo valores en esta ecuación, se obtiene n = p + 10¹³ Como p < ni = 1,45 x 1010cm-3, tenemos: n = ND - NA = 10¹³ cm-3 Usando ahora la ley de ación de masas obtenemos: np ~ = ni² Despejando p y sustituyendo, hallamos: 7 p = 2,1 x 10 cm -3 Observe que la concentración de electrones libres es de unos seis órdenes de magnitud mayor, que la concentración de huecos en este material. -3 A menudo a las unidades de tipo átomos/cm³ (o electrones /cm³), las designaremos con cm , porque el número de átomos (o electrones) es un número que no tiene unidades. Deriva Los portadores de carga se mueven al azar en el cristal debido a la agitación térmica. las colisiones con la retícula provocan que los portadores de carga cambien de dirección con frecuencia. La dirección del desplazamiento tras una colisión es aleatoria. Por tanto, sin ningún campo eléctrico aplicado, la velocidad media de los portadores de carga en cualquier dirección es cero. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 56 55 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Si se aplica un campo eléctrico, se ejerce fuerza en los portadores de carga libres (para los huecos, la fuerza tiene el mismo sentido que el campo eléctrico, mientras que para los electrones, la fuerza tiene un sentido opuesto al del campo). Entre colisión y colisión, los portadores de carga se aceleran en la dirección de la fuerza. Cuando los portadores chocan con la retícula, su dirección de desplazamiento vuelve a ser aleatoria. Así, los portadores de carga no continúan acelerando. El resultado de esto es una velocidad media constante en la dirección de las fuerzas. Al movimiento medio de los portadores de carga debido a la aplicación de un campo eléctrico de le llama deriva. La velocidad de deriva media es proporcional al vector de campo eléctrico ε. Llamaremos al vector de velocidad de deriva de los electrones Vn, y al vector de velocidad de los huecos Vp. Así, podemos escribir: Vn = - μn ε donde la constante de proporcionalidad μn se denomina movilidad de los electrones libres. A causa del signo meno, la dirección de la velocidad e deriva es la contraria a la del campo eléctrico. De igual manera, para los huecos tenemos Vp = - μn ε Para el silicio a 300 °K, la movilidad aproximada e los electrones es de μn = 1 500 cm²/(Vs), mientras que para los μp = 475 cm²/(Vs) (Estos valores son aproximados: los valores exactos dependen de las concentraciones de impurezas y de los defectos del cristal). Para un determinado campo aplicado, los electrones se mueven unas tres veces más rápido que los huecos en el silicio. más tarde, veremos que los transistores se pueden fabricar de manera que la corriente sea transportada principalmente por huecos o por electrones. Para circuitos digitales de gran velocidad y circuitos analógicos de alta frecuencia, los dispositivos en los que la conducción se debe a los electrones son preferibles a aquellos en los que la conducción se debe a los huecos. Difusión Vamos a ver que existen varios mecanismos para crear una concentración mayor de lo normal de huecos o electrones en una región concreta de un cristal semiconductor. A causa de su velocidad térmica aleatoria, la concentración de portadores de carga tienden a disiparse con el tiempo. Esto provoca un flujo de corriente conocido como corriente de difusión. A menos de que se continúe produciendo un exceso de portadores en una región concreta del cristal, la concentración de portadores tiende a convertirse en uniforme, y cesa la corriente de difusión. El experimento de Shockley - Haynes La difusión, la recombinación y la deriva se pueden ilustrar con el experimento, de Shockley Haynes . En este experimento, se observa un exceso de portadores de carga minoritarios en un semiconductor extrínseco. por ejemplo, consideremos la barra de material de tipo n de la CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 57 56 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Fuente de luz intensa que provoca un fogonazo en t = 0 Máscara opaca x a) Configuración del experimento p t = 0+ Concentración de equilibrio t1 > 0 t<0 t=α t2 > t1 x b) No se aplica campo. La figura muestra la difusión y la recombinación p ε t = 0+ t1 > 0 t<0 t=α t2 > t1 x b) Se aplica campo. La figura muestra la difusión, recombinación y deriva Figura 43. Experimento de Shockley-Haynes. figura 43a. En t = 0, un intenso resplandor de luz ilumina una estrecha región de la barra. La luz provoca que se rompan los enlaces covalentes y se incremente la concentración de huecos en la parte iluminada de la barra. La figura 43b, muestra el gráfico de la concentración de huecos en función de X para t = 0+ (es decir, inmediatamente después del resplandor que tiene lugar en t = 0). Con el tiempo, la concentración de huecos se dispersa debido a la difusión. Desde luego, el exceso de huecos tiende a recombinarse, además de a disiparse, debido a la difusión. Así, al final, la concentración de huecos vuelve a su punto de equilibrio. El tiempo que se necesita para que esto tenga lugar depende de la vida media del hueco, τp. Si se aplica al cristal un campo eléctrico externo, los portadores también se desplazan debido a la deriva– véase la figura 43c. En esta sección, hemos estudiado la conducción en los semiconductores. La recombinación, la deriva y la difusión de portadores de carga, son conceptos importantes en la comprensión del comportamiento de estos dispositivos. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 58 57 ELECTRÓNICA ANALÓGICA FÍSICA DEL DIODO DE UNIÓN La unión pn no polarizada Una unión pn consta de un único cristal de material semiconductor, que está dopado para producir material de tipo n en un lado y de tipo p en el otro. Se pueden añadir impurezas al cristal a la medida que va creciendo, o añadirlas más tarde, ya sea por difusión de átomos de impureza en el cristal, ya sea por implantación de iones. En la retícula cristalina, es importante que en la unión de la parte n con la parte p no haya ninguna interrupción. Esto sólo será posible si la unión se construye como un sólo cristal. Sin embargo, resulta instructivo imaginar la formación de una unión pn juntando un cristal de tipo p y un cristal de tipo n. Antes de unir las dos mitades de la unión, el lado n tiene una alta concentración de electrones libres y una baja concentración de huecos. En el material de tipo p tenemos la condición inversa. Inmediatamente después de unir los dos tipos de materiales , nos encontramos con un gradiente de concentración a lo largo de toda la unión para ambos tipos de portadores (Figura 44). p n Concentración de portadores n p Figura 44. Si una unión pn pudiera formarse juntando un cristal de tipo n y un cristal de tipo p, existirá en la unión un elevado gradiente de concentración de huecos y de electrones inmediatamente después de unir dos cristales. Los portadores de carga se difunden siempre que exista un gradiente de concentración (a menos que algún tipo de fuerza se oponga a la difusión). En consecuencia después de formarse la unión, los huecos se difunden del lado p al lado n y los electrones se difunden en sentido contrario. Esta difusión mutua causa que la carga negativa neta crezca en el lado p de la unión (porque están saliendo huecos cargados positivamente y están entrando electrones). de igual manera, la carga positiva crece en el lado n. Así, se crea un campo CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 59 58 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Este campo se opone a que continúe la difusión, la cual pronto cesa por completo. Después de difundirse a través de la unión, los portadores de carga se convierten en portadores minoritarios que se recombinan con rapidez. El resultado es que se forma una zona de carga espacial en la unión, que se extiende una corta distancia hacia ambos lados. Podemos ver esto en la figura 45a. Prácticamente, no existe ningún portador de carga libre en la zona de carga espacial. En el lado p de la zona de carga espacial, existe una capa de cargas negativas enlazadas: la carga asociada con los átomos aceptadores ionizados. Algunos de los huecos que equilibran originalmente esta carga negativa, han cruzado al lado n y algunos se han combinado con electrones que cruzaron dese el lado n. En el lado p de la región de vaciamiento, existe una capa de cargas negativas enlazadas. Zona e carga espacial Aceptador ionizado Donante ionizado p n ε (a) Unión pn p (b) Concentración de huecos x p (c) Concentración de electrones libres x Figura 45. La difusión de portadores mayoritarios hacia los lados opuestos provoca la aparición en la unión de una zona de carga espacial CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 60 59 ELECTRÓNICA ANALÓGICA De igual forma, en el lado n de la zona de carga espacial, tenemos una capa de cargas positivas enlazadas, que constituyen la carga positiva asociada con los átomos donantes ionizados. En la figura 45a, se muestra la capa de átomos aceptadores cargados negativamente justo en el interior del lado p, y la capa de átomos donantes cargados positivamente justo en el interior del lado n. Por supuesto, los átomos aceptadores se extienden por todo el material p, pero fuera de la zona de carga espacial, su carga negativa se equilibra con la carga positiva de los huecos. De igual forma, los átomos donantes se extienden por todo el material n y, fuera e zona de carga espacial, su carga positiva se equilibra por la carga negativa de los electrones libres. En las figuras 45b y 45c se puede ver un gráfico de la concentración de huecos y electrones libres en función de la distancia. Observamos que la concentración de carga neta y el campo eléctrico resultante se encuentran confinados a la zona de carga espacial. Por supuesto, todo el cristal es eléctricamente neutro: la carga positiva en el lado n de la zona de carga espacial se equilibra con la carga negativa en el lado p. El efecto principal del campo eléctrico en la zona de carga espacial es evitar que continúe la difusión de portadores mayoritarios a través de la unión. Por ejemplo, un hueco del lado p que intente cruzar la unión, experimentará una fuerza que le empujará de vuelta al lado p. Decimos que existe una barrera de potencial electrostático para los portadores mayoritarios. Un electrón que cruza del lado n al lado p pierde energía en la zona de carga espacial a causa del campo eléctrico. Así, el electrón ve en la unión una barrera, que llamamos Φ0, es normalmente de aproximadamente 1 electrón voltio. De igual manera, los huecos del lado p tienen menos energía potencial que los huecos del lado n. Si no se aplica ninguna tensión externa a la unión, dos corrientes iguales, pero opuestas, cruzan la unión, de manera que el flujo de corriente neta es cero. Una componente de la corriente se debe a los portadores minoritarios de ambos lados de la unión que entran en la zona de carga espacial. Por ejemplo, los huecos del lado n que entran en la zona de carga espacial se ven arrastrados por el campo eléctrico hacia el lado p. De igual forma, los electrones del lado p que entran en la zona de carga espacial, se ven arrastrados hacia el lado n. Esta corriente minoritaria se dirige del lado n al lado p. Por otra parte, portadores mayoritarios, particularmente energéticos, pueden cruzar la zona de carga espacial en dirección opuesta al campo, dando lugar a una corriente que fluye desde el lado p al lado n. La unión pn en polarización inversa Una unión pn está polarizada en inversa si se aplica una fuente de tensión externa con la polaridad positiva aplicada al lado n respecto al lado p, como se muestra en la figura 46. La tensión aplicada ayuda al campo de la barrera de potencial en la zona de carga espacial. Así, los portadores mayoritarios se ven sujetos aún más firmemente en sus lados respectivos de la unión. Como los portadores mayoritarios se ven apartados de la unión, la zona de carga espacial se hace mayor. Aplicando una tensión superior a unas pocas décimas de voltios, la corriente dada a los portadores mayoritarios se reduce prácticamente a cero. Por tanto, sólo los portadores minoritarios contribuyen a la corriente estando en polarización inversa. La corriente inversa es pequeña ya que hay pocos portadores minoritarios libres. Además, como la corriente se ve limitada por el número de portadores de carga minoritarios es casi independiente del valor de la tensión inversa CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 61 60 ELECTRÓNICA ANALÓGICA - + p n Figura 46. En polarización inversa, la zona de carga espacial se hace más ancha. La concentración de portadores minoritarios se mantiene a ambos lados de la unión gracias a la generación térmica. A medida que aumenta la temperatura, aumenta la concentración de portadores minoritarios y la corriente inversa. La corriente a través de una unión pn se relaciona con la tensión aplicada mediante la ecuación de Shockley: vD iD = Is exp -1 nVT En la polarización inversa, vD es negativa, vD y si es lo suficientemente grande en magnitud, la ecuación puede escribirse como iD = -Is. Por lo tanto, podemos identificar la corriente de saturación Is como la corriente aportada por los portadores minoritarios al atravesar la unión. El diseñador del dispositivo puede controlar el valor de Is seleccionando el grado de dopaje. Por ejemplo, si ambos lados de la unión, están muy dopados, las concentraciones de portadores minoritarios son muy pequeñas, e Is es pequeña. Por el contrario, un dopaje ligero (ya sea en un lado o en los dos) da lugar a valores de Is más altos. Los diodos de silicio -14 normales de pequeña señal tiene una Is del orden de 10 A. Además de depender de los valores de dopaje, el valor de Is depende del área de unión. El valor de Is es aproximadamente proporcional al área de unión. Un diodo que se vaya a utilizar en aplicaciones en aplicaciones de rectificación de alta potencia debe tener un área de unión grande, para permitir que la potencia disipada se dispare sin un aumento excesivo de la temperatura. Así, Is es mucho mayor en dispositivos de alta potencia que en los de baja potencia. Además, Is aumenta con la temperatura, duplicándose aproximadamente cada 5°C, debido al incremento de generación térmica de los portadores minoritarios. La corriente de polarización inversa que se observa en los diodos de silicio reales es mucho mayor que Is, debido a efectos secundarios que no se tienen en cuenta en la ecuación de Shockley, particularmente, debido a la generación de portadores en la zona de carga espacial. Por ello, no se puede encontrar ningún valor de Is válido en la zona de polarización directa midiendo la corriente inversa real. De todas formas, aunque la corriente inversa real es mucho mayor que Is, la corriente inversa normalmente es lo suficientemente pequeña como para despreciarla en el cálculo de circuitos. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 62 61 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Con corrientes elevadas, la caída de tensión óhmica provocada por el flujo de corriente a través del semiconductor dopado se hace significativa. Esta caída de tensión puede representarse colocando una resistencia RS en serie con la unión modelada por la ecuación de Shockley. En este caso, los valores de tensión y de corriente en los terminales del dispositivo se relacionan del siguiente modo vD = n VT [ n (iD /IS) + 1] + RS iD Normalmente, RS varía entre 10Ω y 100Ω para dispositivos de pequeña señal. La unión pn en polarización directa Si se aplica una tensión positiva al lado p respecto del lado n, la unión pn se polariza directamente. La polarización directa actúa oponiéndose al campo existente en la zona de carga espacial, que se hace más estrecha mientras el campo eléctrico disminuye. Así, la barrera de potencial para los portadores mayoritarios disminuye, y fluye una corriente elevada por la unión. En la práctica, existe una barrera de potencial incluso con polarización directa. Si se aplicara suficiente polarización directa para reducir la barrera de potenciala cero influiría una corriente excesivamente elevada y la unión se destruiría por sobrecalentamiento. Después de atravesar la unión, los portadores se difunden alejándose de ella, hasta que se combinan con los portadores mayoritarios. Por ejemplo, los electrones del lado n superan la barrera y cruzan al lado p, donde se convierten en portadores minoritarios. Estos electrones se difunden en el lado p, y al final se combinan con huecos. En la figura 47, se ilustran las concentraciones de electrones y huecos en función de la distancia en una unión con polarización directa. Observe que la concentración de huecos p es más alta en el material de tipo p, y decrece rápidamente al cruzar la zona de carga espacial, por que el campo empuja a los huecos de vuelta hacia el lado p. En el lado n, se observa una densidad de huecos decreciente con la distancia, porque los huecos se combinan con electrones a medida que se difunden. Al alejarse de la unión, en el lado n, Concentraciones de portadores Tipo p Tipo n n p Unión x Figura 47. Concentración de portadores en función de la distancia para una unión pn polarizada en directa. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 63 62 ELECTRÓNICA ANALÓGICA la concentración de huecos viene determinada por nivel de dopaje del donante. Lo mismo puede aplicarse a la concentración de electrones. Parte de la corriente que atraviesa la unión se debe a los huecos, y parte a los electrones. Por tanto, podemos dividir la corriente en corriente de huecos y corriente de electrones. La corriente total será la suma de estas dos componentes. Al alejarse de la unión en el lado n, la concentración de huecos desciende, y la corriente predominante es la corriente de electrones . De igual forma, cuanto mayor es la distancia hacia la unión en el lado p, la corriente que predomina es la corriente de huecos. El diseñador del dispositivo puede controlar la parte de la corriente debida a electrones que atraviesa la unión, seleccionando apropiadamente los niveles de dopaje en los dos lados de la unión. Por ejemplo, si el lado n está muy dopado comparado con el lado p, la corriente que cruza la unión es mayoritariamente de electrones. Por el contrario, si el lado p está más dopado, la corriente en la unión es predominantemente de huecos. CONMUTACIÓN Y COMPORTAMIENTO EN ALTA FRECUENCIA Hemos visto que la unión pn conduce poca corriente cuando está inversamente polarizad, mientras que conduce con facilidad corrientes elevadas cuando está polarizada directamente. En muchas aplicaciones, como circuitos lógicos de alta velocidad y rectificadores de alta frecuencia, son deseables diodos que puedan conmutar con rapidez entre los estados de conducción y no conducción. Desgraciadamente, la unión pn presenta dos mecanismos de almacenamiento de carga que ralentizan la conmutación. Ambos mecanismos pueden modelarse como capacidades no lineales. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 64 63 ELECTRÓNICA ANALÓGICA FUNCIONAMIENTO BÁSICO DEL TRANSISTOR BIPOLAR npn Un bipolar npn está formado por una fina capa de material de tipo p entre dos capas de material de tipo n, como puede verse en la figura 48a (la figura está simplificada respecto al dispositivo real; no obstante, la configuración que se muestra en una aproximación a la parte activa de los transistores actuales dentro de un CI). En el dispositivo, se forman dos uniones pn: la unión colector-base y la unión emisor-base. Vamos a ver que la corriente que fluye por una unión afecta a la corriente en la otra unión. En esta interacción la que hace al bipolar muy útil como interruptor o como amplificador. Llamaremos a las diferentes capas emisor, base y colector, como se muestra en la figura 48a. En la figura 48b, se muestra el símbolo de circuito de un bipolar npn así como las direcciones de referencia que usaremos en los bipolar npn para las corrientes y las tensiones. Colector C Tipo n Base iC iB Tipo p B Tipo n vCE+ _ + vBE iE _ E Emisor (a) Estructura física simplificada (b) Símbolo esquemático Figura 48. El transistor bipolar npn Funcionamiento básico en la región activa Veamos cómo están relacionadas las corrientes y tensiones de un bipolar. En la figura 49 se ve un transistor npn conectado a fuentes de tensión variables. Como el terminal emisor es común a ambas fuentes de tensión, decimos que en este circuito el transistor está en una configuración de emisor común. Una de las uniones pn se polariza directamente aplicando una tensión con la polaridad positiva en el lado p. Funcionando normalmente como amplificador, la unión base-emisor está directamente polarizada y la unión base-colector está inversamente polarizada. Llamamos a esto región activa de funcionamiento. El funcionamiento en esta región se ~ 0,6V para polarizar en directa la unión base-emisor. consigue aplicando un valor vCE = entonces, si tenemos vE > vBE, la unión colector- base está inversamente polarizada ya que la tensión que pasa por ella viene dada por vBC = vBE - vCE. La corriente de emisor iE es la corriente que pasa por la unión base-emisor polarizada en directa y depende de vBE, justo de la misma manera en que la corriente depende de la tensión en un diodo de unión pn. En otras palabras, se cumple la ecuación de Shockley. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 65 64 ELECTRÓNICA ANALÓGICA iC C n Colector iB B iC p Base n Emisor vCE + C iB - vBE + vCE - vBE E iE + - E (a) + - iE (b) Figura 49. Transistor npn con fuentes de polarización variables Con los cambios apropiados, la ecuación, se convierte en: iE = IES exp vBE VT -1 Hemos igualado a uno el coeficiente de emisión n, porque ése es el valor apropiado para la mayoría de transistores de unión. los valores característicos de la corriente de saturación -12 -17 IE se encuentran comprendidos entre 10 y 10 A, dependiendo del área de la unión y de otros factores. Recordemos que, a una temperatura de 300 °K, el valor VT es, aproximadamente, 26 mV. La región del emisor tiene un alto nivel de dopaje comparada con la base. A causa del elevado dopaje, la concentración de electrones libres en el emisor es mucho mayor que la concentración de huecos en la base. Por tanto, la corriente IE que pasa por la unión baseemisorconsiste, sobre todo, en electrones que fluyen de emisor a la base. Los electrones que cruzan la unión se convierten en portadores minoritarios en la unión de la base y se difunden alejándose de la unión del emisor y yendo hacia la unión del colector. Cuando los electrones llegan a la zona de carga espacial, de la unión del colector, se ven arrastrados por el campo eléctrico a la región del colector. Recuerde que el campo eléctrico en la zona de carga espacial está orientado del lado n hacia el lado p. La región de la base es muy delgada y en ella se producen muy pocas recombinaciones. Por tanto, la mayoría de electrones que entran en la base, acaban por verse empujados hacia el colector. Una pequeña fracción de la corriente que pasa por la unión base-emisor, proviene del terminal de la base. Existen varias razones para ello. En primer lugar, parte de la corriente que cruza la unión base-emisor consiste en huecos que cruzan de la base al emisor y estos huecos siguen llegando a través del terminal de la base. Otra contribución a la corriente de base provienen de electrones que se combinan con huecos en la región de la base. En un transistor bipolar típico, la corriente e la base es del orden del 1% de la corriente del emisor. El flujo de portadores de carga en el transistor npn puede verse en la figura 50. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 66 65 ELECTRÓNICA ANALÓGICA C iC Figura 50. Flujo de corriente para un transistor pnp en la región activa. La mayor parte de la corriente se debe a electrones que se desplazan del emisor al colector a través de la base. La corriente de base está compuesta por huecos que cruzan de la base al emisor y por huecos que se recombinan con electrones en la base. Recombinación _ iB B _ + + _ + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ iE E Resumiendo, al aplicar una polarización directa a la unión base-emisor, se produce un flujo de corriente a través de la unión. Sin embargo, la mayor parte de esta corriente la aporta iC, más que iB. Con un circuito adecuado, este efecto permite amplificar una señal que se aplique a la unión base-emisor. DIAGRAMA DE BLOQUES DE FUENTE DE ALIMENTACIÓN REGULADA CON DIODO ZENER Y TRANSISTOR VLINEA AN TR R O AD RM O F S SÍMBOLO DEL DIODO ZENER R DO A IC IF T C RE RO LT I F TRANSISTOR NPN CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 67 R DOOR A UL T G SIS R E R AN E C. TR ZEN R CI ON C VDC TRANSISTOR PNP 66 ELECTRÓNICA ANALÓGICA SEÑAL ALTERNA 12 V 0V CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 68 12 0 12 220 VAC 12 V t SEÑAL RECTIFICADA SEÑAL FILTRADA t VDC SEÑAL CONTINUA t ESQUEMA DE CIRCUITO DE FUENTE DE ALIMENTACIÓN REGULADA CON DIODO ZENER Y TRANSISTOR 67 ELECTRÓNICA ANALÓGICA PRECAUCIONES PARA EL USO DEL DIODO RECTIFICADOR, ZENER Y EL TRANSISTOR BJJ p Se debe tener presente que el diodo es un dispositivo muy usado en la electrónica, es por eso que cuando se desarrolla un proyecto se debe tener presente sus características de corriente, tensión y potencia para poder seleccionar así al diodo. p Si sobrepasamos la tensión inversa aplicada al diodo, este se destruye. Es por eso que debemos seleccionar correctamente el diodo. p Hay diodos que trabajan en la región de ruptura, a estos diodos se les llama diodos Zener, se debe tener cuidado al seleccionar al diodo, ya que es importante que esté preparado para manejar la corriente que pase por él. p El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales base, colector y emisor, la mala ubicación de sus terminales en una tarjeta electrónica puede ocasionar que se averíe. p Se debe tener presente que el transistor para que se comporte como amplificador, en primer lugar debe estar bien polarizado. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 69 68 ELECTRÓNICA ANALÓGICA TAREA 2 MONTAJE DE FUENTES DE ALIMENTACIÓN REGULADAS CON CIRCUITO INTEGRADO CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 70 69 ELECTRÓNICA ANALÓGICA + Vo 2 1 IN OUT 7812 GND C 470 μF 0.01 μF 3 FUENTE DE ALIMENTACIÓN REGULADA FIJA CON CI IN + Vo OUT LM 317 ADJ R1 470 μF R2 FUENTE DE ALIMENTACIÓN REGULADA DE VOLTAJE AJUSTABLE CON CI N° ORDEN DE EJECUCIÓN 01 ! Identificar terminales de CI regulador 02 MATERIALES / INSTRUMENTOS ! ! ! Armar circuitos de fuentes de ! alimentación regulados con CI ! ! ! 01 01 PZA. CANT. PERÚ DENOMINACIÓN Transformador de 220 VAC a 12-0-12 Diodos 1N4004. Condensadores 470 µf/50V, 0.01 µF. Circuitos integrados 7812, LM 317. Resistencia de 220 Ω. Potenciómetro de 10 KΩ. MATERIAL OBSERVACIONES Montaje de fuentes de alimentación con Circuito integrado H.T. CONTROLISTA DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES TIEMPO HOJA 1/1 ESCALA: 2004 CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 71 02 REF: EA 70 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN Identificar los terminales del C.I. regulador Por lo general, para identificar los terminales del C.I. regulador se realiza con la ayuda de un manual como por ejemplo el NTE electronics, el cual nos brinda las características de los circuitos integrados, así como también su forma y medidas del dispositivo electrónico. PROCESO DE EJECUCIÓN 1. Buscar en el manual NTE / Electronics en cross reference según el código del C.I. Su reemplazo NTE. 2. Buscar en numerical index (indice numérico) según el reemplazo (NTE tipe N°) la page N°, diag. N° y description. 3. Buscar la page N° y según el diag N° nos permite conocer la forma, número de pines y su descripción de cada uno de ellos. 4. Buscar en dimensional out line drawings las dimensiones exactas de C.I. con el N° de diagrama. OBSERVACIÓN Se debe tener presente que existen muchos manuales, de distintas marcas como el NTE ELECTRONICS, ECG, etc. sin embargo, estos manuales se distinguen del resto por que a parte de las características de C.I. regulador, estos muestran sus formas, disposición de pines y dimensiones. OPERACIÓN Armar circuitos de fuentes de alimentación regulados con C.I. En esta operación se realiza la construcción de circuitos de fuente de alimentación reguladas con C.I., éstas pueden ser de voltaje fijo positivo, voltaje fijo negativo o de voltaje ajustable. PROCESO DE EJECUCIÓN 1. Implemente el circuito de la figura en Protoboard. A IN OUT + Vo 12 220 VAC 7812 GND 0 12 470 μF/50V CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 72 0.01 μF 71 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 2. Mida y anote los valores en la siguiente tabla. CALCULADO MEDIDO Tensión eficaz del secundario Frecuencia de ondulación en A Tensión de pico a pico de la ondulación en A Tensión media a la salida Vo 3. Implemente el circuito de la figura en Protoboard. IN4004 A IN + Vo OUT 12 VAC 220 VAC 7905 GND 0 12 VAC 0.01 μF 470 μF/50V 4. Mida y anote los valores en la siguiente tabla. CALCULADO MEDIDO Tensión eficaz del secundario Frecuencia de ondulación en A Tensión de pico a pico de la ondulación en A Tensión media a la salida Vo 5. Implemente el circuito de la figura en Protoboard. IN4004 IN 12 VAC 220 VAC LM 317 ADJ 0 12 VAC Vo OUT R1 470 μF/ 50V R2 CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 73 72 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 6. Mida y anote los valores de Vo cuando R2 es mínimo y R2 es máximo MEDIDO CALCULADO Tensión media a la salida Vo cuando R2 mín Tensión media a la salida Vo cuando R2 máx REGULADORES DE VOLTAJE DE C.I. Los reguladores de voltaje comprenden una clase de CI ampliamente usados. Los CI reguladores contienen la circuitería de la fuente de referencia, el amplificador comparador, el dispositivo de control y la protección de sobrecarga, todo en un sólo CI. Aunque la construcción interna del CI es algo diferente de la descrita para los circuitos reguladores de voltaje discretos, la operación externa es casi la misma. Los reguladores integrados ofrecen regulación para un voltaje positivo fijo, un voltaje negativo fijo o un voltaje ajustable. Una fuente de alimentación puede construirse usando un transformador conectado a la línea de alimentación de ac para cambiar el voltaje ac a la amplitud deseada, luego se rectifica ese voltaje, filtrandolo con un condensador y un filtro RC y, por último, se puede regular el voltaje dc con un CI regulador. Los reguladores se pueden seleccionar para operación con corrientes de carga desde cientos de miliamperes hasta decenas de amperes, correspondiendo a rangos de potencia desde miliwatts hasta decenas de watts. VOLTAJE DIFERENCIAL SALIDA - ENTRADA + IN CORR. DE CARGA IL OUT REGULADOR DE VOLTAJE GND VOLTAJE DE ENTRADA NO REGULADO VOLTAJE DE ENTRADA NO REGULADO CARGA - RANGO DE VOLTAJE DE ENTRADA Avo REGULACIÓN DE CARGA REGULACIÓN DE LÍNEA Figura 1. Representación en bloque de un regulador de voltaje de tres terminales Reguladores de voltaje de tres terminales La figura1, muestra la conexión básica de un CI regulador de voltaje de tres terminales con una carga. El regulador de voltaje fijo tiene un voltaje de entrada, un voltaje de salida regulado, Vo, en una segunda terminal y estando la tercera terminal conectada a tierra. Para un regulador seleccionado, la lista de especificaciones del dispositivo de CI lista un rango de voltajes sobre el cual puede variar el voltaje de entrada para mantener un voltaje de salida regulado en un rango de corriente de carga. Las especificaciones también listan la cantidad de cambio de voltaje de salida resultantes de un cambio en la corriente de carga (regulación de la carga) o de un voltaje de entrada (regulación de la línea) CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 74 73 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Reguladores de voltaje positivo fijos Los reguladores de la serie 78 proporcionan voltajes regulados fijos desde 5 a 25 V. La figura 21 muestra cómo un CI de éstos, un 7812, está conectado para proporcionar un voltaje de salida regulado de + 12 V de dc. Un voltaje de entrada no regulado, Vi, es filtrado por el condensador C1 y se conecta a la termina IN (entrada) del CI. La terminal OUT (salida) del CI proporciona +12 V regulados que son filtrados por un condensador C2 (principalmente para cualquier ruido de alta frecuencia). 2 1 + IN + OUT 7812 GND Vo C1 _ Vo C2 3 _ Figura 2. Conexión de un regulador de voltaje 7812 La tercera terminal del CI se conecta a tierra (GND). Aunque el voltaje de entrada puede variar a lo largo de un rango de voltaje permisible, y la carga de salida puede variar sobre un rango aceptable, el voltaje de salida permanece constante dentro de los límites de variación de voltaje especificados. Estas limitaciones están indicadas en las hojas de especificaciones del fabricante. En la tabla siguiente se proporciona una lista de CI reguladores de voltaje. TABLA Reguladores de voltaje positivos en la serie 7800 Parte CI 7805 7806 7808 7810 7812 7815 7818 7824 Voltaje de salida (V) Vi mínimo (V) +5 +6 +8 +10 +12 +15 +18 +24 7,3 8,3 10,5 12,5 14,6 17,7 51,0 27,1 La conexión de un 7812 en una fuente de alimentación completa se muestra en la conexión de la figura 3. El voltaje de línea ac (120 V rms) se reduce a 18 V rms a través de cada mitad de transformador con derivación central. Luego, un rectificador de onda completa y un filtro de condensador proporcionan un voltaje de dc no regulado, que se muestra como un voltaje de dc cercano a los 22 V, con un rizo de unos cuantos volts, como entrada al regulador de voltaje. Luego, el CI. 7812 proporciona una salida que son +12 V de dc regulados. VIN VOUT 25,46 V pico +12V 1 ciclo CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 75 74 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 2 1 IN + OUT 7812 GND C 120 V rms 470 μF Vo= +12 V 0.01 μF 3 _ 18 V rms (cada mitad) Figura 3. Fuente de alimentación de +12V. ESPECIFICACIONES DE LOS REGULADORES DE VOLTAJE POSITIVOS La hoja de especificaciones de los reguladores de voltaje es tipificada y se muestra en la figura 4 para el grupo de reguladores de voltaje positivos de la serie 7800. Se debe tomar en cuenta algunas consideraciones sobre los parámetros más importantes. Salida Voltaje nominal Regulador de salida Común Entrada 5V 6V 8V 10V 12V 15V 18V 24V Valores absolutos máximos: Voltaje de entrada Disipación total continua 40 V 2W 7805 7806 7808 7810 7812 7815 7818 7824 Rango de temperatura de operación al aire libre -65 a 150°C Parámetro Mín. Tip. Máx Unidades Voltaje de salida Regulación de la entrada Rechazo de rizo Regulación de salida Resistencia de salida Voltaje de diferencia Corriente de salida en cortocircuito Corriente de salida de pico 11,5 12 3 71 4 0,018 2,0 350 2,2 12,5 120 V mV dB mV Ω V mA A 55 100 Figura 4. Datos de la hoja de especificaciones para el CI regulador de voltaje. Voltaje de salida: La especificación para 7812 muestra que el voltaje de salida es +12 V, pero puede ser tan bajo como 11,5 V o tan alto como 12,5 V. Regulación de salida: La regulación de voltaje de salida se ve que es de 4 mV hasta un máximo de 100 mV (a corrientes de salida desde 0,25 a 0,75 A) Esta información especifica que el voltaje de salida puede variar típicamente sólo 4 mV para los 12 V dc indicados. Corriente de salida en cortocircuito: La cantidad de corriente está limitada típicamente a 0,35 A, si la salida estuviera en corto circuito (presumiblemente por accidente o por la falla de algún otro componente). CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 76 75 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Corriente de salida de pico: Mientras la corriente máxima especificada es de 1,5 A para esta serie de CI, la corriente pico e salida típica que puede consumir una carga es 2,2 A. Esto muestra que aunque el fabricante proporcione un valor nominal de 1,5 A, el CI puede suministrar un poco más de corriente (posiblemente por un periodo de tiempo corto). Voltaje de diferencia: La diferencia de voltaje es de 2 V, y es la diferencia mínima de voltaje entre las terminales de entrada- salida que debe mantenerse si el CI va a trabajar como un regulador. Si el voltaje de salida cae demasiado abajo, o si la salida sube de forma que no se mantengan al menos 2 V entre la entrada y la salida del CI, éste ya no proporcionará regulación de voltaje. Por tanto, se debe mantener un voltaje de entrada lo suficientemente grande para asegurar que se proporcione el voltaje. Reguladores de voltaje negativos fijos Los Ci de la serie 7900 proporcionan reguladores de voltaje negativos, similares a los usados para voltajes positivos. En la tabla se muestra una lista de CI reguladores de voltaje negativo. Como se muestra, los CI reguladores están disponibles para un rango de voltajes negativos fijos, proporcionando el CI seleccionado el voltaje de salida especificado, mientras se mantengan el voltaje de entrada mayor que el valor mínimo de entrada. Por ejemplo, el 7912 proporciona una salida de -12 V, mientras que la entrada al CI regulador sea más negativa que -14,6 V. TABLA Parte CI 7905 7906 7908 7910 7912 7915 7918 7924 Ejemplo: Reguladores de voltaje positivos en la serie 7900 Voltaje de salida (V) Vi mínimo (V) -5 -6 -8 -10 -12 -15 -18 -24 -7,3 -8,3 -10,5 -12,5 -14,6 -17,7 -51,0 -27,1 Dibuje una fuente de alimentación usando un puente rectificador de onda completa, un filtro de condensador y un CI regulador para una salida de +5 V. Solución El circuito resultante se muestra en la figura 5 Vm= 5V 2 1 IN 120 V rms + - C= 250 μF + OUT 7805 GND 3 Vo= 5V 0.01 μF Figura 5. Fuente de alimentación positiva de 5 V. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 77 76 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Ejemplo: Para una salida de transformador de 15 V y un condensador de filtro de 250 µF, calcule el voltaje de entrada mínimo cuando se conecta una carga que consume 400 mA. Solución Los voltajes a través del condensador de filtro son Vr (pico) = 3 Vr (rms) = 3 2,4 Idc 2,4 (400) = 3 = 6,65 V 250 C Vdc (pico) = Vm- Vr (pico) = 15 V - 6,65 V = 8,35 V Debido a que la entrada excursiona alrededor de este nivel de dc, el voltaje de entrada mínimo puede caer hasta un valor Vi (bajo) = Vdc - Vr (pico) = 15 V - 6,65 V = 8,35 V Debido a que este voltaje es mayor que el mínimo requerido para el CI regulador (a partir de la tabla Vi = 7,3 V), el CI puede proporcionar un voltaje regulado a la carga dada. Ejemplo: Determine el valor máximo de la corriente de carga a la cual se mantiene la regulación para el circuito de la figura 5. Solución Para mantener Vi (mín) > 7,3 V Vr (pico) < Vm - Vi (mín) = 15 V - 7,3 V = 7,7 V Por lo que Vr (rms) = Vr (pico) 7,7 V = = 4,4 V 1,73 3 El valor de la corriente de carga es entonces Idc = Vr (rms)C (4,4 V)(250) = = 458 mA 2,4 2,4 Cualquier corriente superior a este valor es demasiado grande para que el circuito mantenga la salida del regulador a +5 V. Reguladores de voltaje ajustables Los reguladores de voltaje también se encuentran en configuraciones de circuito que permiten que el usuario ponga el voltaje de salida al valor regulado deseado. El Lm317, por ejemplo, puede operar con el voltaje de salida regulado a cualquier valor dentro del rango de voltaje de 1,2 V a 37 V. La figura 6 muestra cómo se puede ajustar el voltaje regulado de salida en un Lm317. La resistencia R1 y R2 ajustan la salida a cualquier voltaje deseado entre el rango de ajuste (1,2 a 37V). El voltaje de salida puede calcularse con: Vo (rms) = Vref 1 + con valores típicos de Vref = 1,25 V e R2 + Iadj R2 R1 Iadj = 100 µA CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 78 77 ELECTRÓNICA ANALÓGICA + + VOUT VIN LM 317 ADJ VREF R1 VIN Figura 6. Conexión del regulador de voltaje ajustable LM 317. Vo IADJ R2 Ejemplo: Determine el voltaje regulado en el circuito de la figura 6 con R1 = 240Ω y R2 = 2,4 kΩ Solución ( VO = 1,25 V 1 + 2,4 kΩ 240 Ω ) + (100 µA)(2,4 kΩ) =13,75 V + 0,24 V = 13,99 V Ejemplo: Determine el voltaje regulado en el circuito de la figura 7. D1 Solución IN 4002 Vo VOUT VIN D1 LM 317 + 120 V rms C= 470 μF ADJ R1 240 kΩ IN 4002 0.01 μF R2 1,8 kΩ +C 2 C1 10 μF Figura 7. Regulador de voltaje ajustable positivo para el ejemplo El voltaje de salida calculado es: ( VO = 1,25 V 1 + 1,8 kΩ 240 Ω ) + (100 µA)(1,8 kΩ) = 10,8V Una revisión del voltaje de condensador de filtro muestra que se puede mantener una diferencia entre entrada - salida de 2 V con al menos una corriente de carga de 200 mA. PRECAUCIONES p Se debe identificar correctamente el CI regulador, ya que su mala conexión, puede causar que se dañe. p Se debe tener presente las características del CI regulador como por ejemplo, su corriente máxima, si se excede esta corriente, el CI regulador se daña. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 79 78 ELECTRÓNICA ANALÓGICA TAREA 3 MONTAJE DE CIRCUITOS AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 80 79 ELECTRÓNICA ANALÓGICA +10 V R2 1 kΩ R1 10 kΩ 1 μF C1 - R4 3,9 kΩ C 2 1μF + - R9 3,9 kΩ R7 10 kΩ C3 1μF + - + 2N3904 2N3904 R5 68 Ω 1 kHz R10 68 kΩ R12 1,2 kΩ 20 mVpp R3 2,2 kΩ R6 1kΩ + C4 - 470 μF CHI 1 N° 01 02 03 04 05 ORDEN DE EJECUCIÓN + R11 1kΩ R8 2,2 kΩ C5 - 470 μF CHI 2 MATERIALES / INSTRUMENTOS ! (02) Transistores 2N3904. Operar fuentes de alimentación. Operar osciloscopio. ! (12) Resistencias: (02) de 68 Ω, (03) de Operar generador de señales. 1 kΩ, (01) de 1,2 kΩ, (02) de 2,2 kΩ, (02) Armar circuitos amplificadores con de 3,9 kΩ, (02) de 10 kΩ, todas de 1/4 W. transistores bipolares. ! Verificar ganancia de tensión y ! (05) Capacitores: (03) de 1 μF, (02) de corriente 47 μF (10 V o más). ! ! ! ! ! (01) Protoboard. 01 01 PZA. CANT. PERÚ DENOMINACIÓN MATERIAL OBSERVACIONES Montaje de circuitos amplificadores con transistores bipolares H.T. CONTROLISTA DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES TIEMPO HOJA 1/1 ESCALA: 2004 CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 81 03 REF: EA 80 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN Operar fuente de alimentación Mediante la fuente de alimentación un circuito electrónico tiene vida, es decir, si no suministramos tensión a un circuito electrónico, este circuito no cumplirá su fin para el cual se construyó. En los laboratorios de electrónica se usan fuentes de alimentación programables como la fuente MOTECH AMREL / AMERICA RELIANCE INC. PROCESO DE EJECUCIÓN 1. Pulsar la tecla POWER para encender el equipo. 2. Programar la tensión que se necesita para el circuito. Por ejemplo, si necesito + 5V, ENTER ON/OFF y automáticamente la primero presionar la tecla 5 después fuente se coloca en 5 V positivo. Si necesito -5 V, primero presionar la tecla - V SET y luego presionar la tecla 5 después ENTER ON/OFF automáticamente la fuente se coloca en 5 V negativo. Si se necesita fuente simétrica, colocando la tensión que se requiera ya sea positiva o negativa, al presionar la tecla TRACK automáticamente la tensión es la misma en la salida positiva y negativa, es decir con signos contrarios con respecto al común. 3. Pulse la tecla + I SET y programe la corriente para que pueda trabajar el circuito. Por ENTER ejemplo: pulsar 1 Si estamos trabajando con fuentes simétricas (+V y -V), programar - I SET y luego: 1 ENTER OBSERVACIÓN La fuente de alimentación tiene una opción para seleccionar una tensión fija que puede ser 5 V ó 3,3 V. Presionar la tecla 5V/3.3 V y después OUTPUT ON/OFF , también en la pantalla se aprecia la tensión seleccionada con un cursor en 5 V ó 3.3 V. También existe una tecla BEEP al pulsarla, se activa un sonido, en el caso de ocurrencia de un cortocircuito la fuente lanza un sonido( BEEP). CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 82 81 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 4 3 1 7 AMERICAN REALIANCE INC. 6 5 9 8 10 PROGRAMMABLE LINEAR POWER SUPPLY LPS-305 FUNCTION / DATA ENTRY INDEP. TRACK cv cc cv cc 5V 3.3V +VSET +ISET 7 8 -VSET + 9 _ -ISET 4 5 6 TRACK 5V/3.3V BEEP 2 3 1 + _ CLEAR +OUTPUT OUTPUT ON/OFF 0 POWER ENTER ON / OFF ON OFF 5V / 3.3V 11 2 24 +240 VC MAX COM2 13 12 22 23 _ 14 + COM1 15 16 17 20 21 19 18 Figura A. LCD display message 1 3 cv cc cv cc ALL OUTPUT OFF 20.00 V - 15.00 V INDEP. TRACK 5V 3.3V 4 2 CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 83 82 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN Operar Osciloscopio Mediante el uso del osciloscopio se puede verificar la amplitud de la señal así como también frecuencia, periodo, etc. Mediante el osciloscopio también se puede verificar el correcto funcionamiento de cada dispositivo. PROCESO DE EJECUCIÓN 1. Verifique la conexión del equipo Osciloscopio Asegurar la correcta conexión entre la conexión de protección (masa del aparato) y el conducto de protección de red (masa de la red eléctrica) por lo que se deberá conectar el aparato como primero a la red. Después se podrán conectar los cables de medida a las entradas del aparato y a continuación se conectan estos con el objeto a medir sin tensión. Una vez conectado todo, se podrá poner bajo tensión el circuito a medir. 2. Pulse la tecla AUTO SET Se recomienda entonces la pulsación de la tecla AUTO SET. Mediante el conmutador de red POWER de color rojo se pone en funcionamiento el aparato, iluminándose en un principio varios de los diodos luminosos. Entonces el osciloscopio se ajusta según los ajustes utilizados en el último trabajo. Si después de unos 20 segundos de tiempo de calentamiento no se establecen los trazos o el readout, es recomendable pulsar la tecla AUTO SET. Con el trazo visible, se regula con INTENS/FOCUS una luminosidad media y se ajusta la máxima nitidez posible. Es aconsejable efectuar estas regulaciones con el acoplamiento de entrada en posición GD (ground = masa). Entonces queda la entrada desconectada. Así se asegura de que no puedan entrar señales perturbadoras por la entrada que puedan influenciar el ajuste de la nitidez del foco. Para la protección del tubo de rayos catódicos , es conveniente trabajar sólo con la intensidad necesaria que exige el trabajo. Especial precaución debe de darse cuando se trabaja con un haz fijo y en forma de punto. Si queda ajustado demasiado luminoso, podría deteriorar la capa fluorescente del interior de la pantalla. Además es perjudicial para el cátodo del tubo, si se enciende y apaga rápidamente y consecutivamente el osciloscopio. 3. Realice si es necesario la rotación de la traza TR A pesar del blindaje de mumetal al rededor del TRC, no es posible excluir todas las influencias magnéticas de tierra sobre trazo. Estas varían según la situación del osciloscopio en el puesto de trabajo. Entonces el trazo no va paralelo a las líneas de la retícula. Se puede corregir en unos cuantos grados (ver “Mandos de control y readout” > E: MAIN MENU > 1. TRACE ROT.). CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 84 83 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 4. Verifique las sondas de prueba del osciloscopio La sonda atenuadora debe estar exactamente adaptada a la impedancia de entrada del amplificador de medida para transmitir correctamente la forma de la señal. Para este trabajo, un generador incorporado en el osciloscopio proporciona una señal rectangular con un tiempo de subida muy corto (<4nS en la salida de 0,2 Vpp) y una frecuencia de aprox. 1kHz ó 1 Mhz. la señal rectangular se puede tomar de ambos bornes concéntricos situados debajo de la pantalla. Suministra una señal de 0,2 Vpp + 1 % para sondas atenuadoras 10:1. La tensión corresponde a una amplitud de 4 div., si el atenuador de entrada del osciloscopio está ajustado al coeficiente de deflexión de 5 mV/div. El diámetro interior de los bornes es de 4,9 mm, y corresponde al diámetro exterior del tubo de aislamiento de sondas modernas (conectadas al potencial de referencia) de la serie F (normal internacional). Sólo así se obtiene una conexión a masa muy corta, que permite obtener la presentación de señales con frecuencia alta y una forma de onda sin distorsión de señales no senoidales. 4.1. Ajustes a 1 kHz El ajuste de este condensador (trimer) compensa (en baja frecuencia) la carga capacitiva de la entrada del osciloscopio. Con este ajuste el atenuador capacitivo obtiene la misma relación que un atenuador óhmico. Esto da como resultado, la misma atenuación de la tensión para frecuencias altas y bajas que para tensión continua (este ajuste no es necesario ni posible con sondas 1:1 fijas o sondas conmutadas a 1:1). Una condición para el ajuste es que el trazo vaya paralelo a las líneas horizontales de la retícula (véase «Rotación del haz TR»). Conectar la sonda atenuada 10:1 a la entrada CH.1, no pulsar tecla alguna, conmutar el acoplamiento de entrada a DC, el atenuador de entrada a 5mV/div. y el conmutador TIME/DIV. a 0,2ms/div. (ambos en posición calibrada), conectar la sonda 10:1 al borne CAL. Incorrecto Correcto Incorrecto En la pantalla aparecen dos periodos. Seguidamente hay que ajustar el trimer de compensación de baja frecuencia, cuya localización se describen en la información adjunta a la sonda. El trimer se ajusta con el destornillador aislado que se adjunta hasta que las crestas de la señal rectangular vayan exactamente paralelos a las líneas horizontales de la retícula (ver dibujo 1 kHz). La altura de la señal debe medir 4div. + 0,12 div. (3%). Los flancos de la señal quedan invisibles durante este ajuste. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 85 84 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 4.2. Ajuste a 1MHZ Las sondas Hz51, 52 y 54 se pueden ajustar con alta frecuencia. Están provistas de redes para la compensación de distorsiones por resonancias (trimers en combinación con bobinas y condensadores). Con ellas es muy sencillo ajustar la sonda óptimamente en el margen de la frecuencia límite superior del amplificador de medida. Con este ajuste no sólo se obtiene el ancho de banda máximo para el servicio con sonda, sino también un retardo de grupo constante al límite del margen. Con esto se reducen a un mínimo las distorsiones cerca del flanco de subida (como sobreoscilaciones, redondeamiento, postoscilaciones, etc. en la parte superior plana). De este modo, con las sondas HZ51, 52 y 54, se utiliza todo el ancho de banda del osciloscopio sin distorsiones de la forma de curva. Para este ajuste con alta frecuencia es indispensable un generador de onda rectangular con un tiempo de subida muy corto (típico 4ns) y una salida de baja impedancia interna (aprox. 50Ω), que entregue una tensión de 0,2 Vpp con una frecuencia de 1 Mhz. La salida del calibrador del osciloscopio, cumple estas condiciones. Conectar las sondas atenuadoras del tipo HZ51, 52 o 54 a la entrada del canal I, seleccionar la frecuencia el calibrador de 1MHz, elegir el acomplamiento de entrada en DC, ajustar el atenuador de entrada en 5mV/div y la base de tiempos en 100ns/div. (en posiciones calibradas). Introducir la punta de la sonda en el borne de 0,2 Vpp. Sobre la pantalla aparecerá una señal cuyos flancos rectangulares son visibles. Ahora se realiza el ajuste en AF. Se debe observar para este proceso, la pendiente de subida y el canto superior izquierdo del impulso. En la información adjunta a las sondas se describe la situación física de los elementos de ajuste de la sonda. Los criterios para el ajuste en AF son los siguientes: ? Tiempo de subida corto que corresponde a una pendiente de subida prácticamente vertical. ? Sobreoscilación mínima con una superficie horizontal lo más recta posible, que corresponde a una respuesta en frecuencia lineal. La compensación en AF debe efectuarse de manera, que la señal aparezca lo más cuadrada posible. Las sondas provistas de la posibilidad de un ajuste en AF son en comparación a las de tres ajustes más simples de ajustar. Sin embargo, tres puntos de ajuste permiten una adaptación más precisa de la sonda al osciloscopio. Al finalizar el ajuste en AF, debe controlarse también la amplitud de la señal con 1 Mhz en la pantalla. Debe tener el mismo valor que el descrito arriba bajo el ajuste de 1 kHz. Incorrecto Correcto Incorrecto Es importante atenerse a la secuencia el ajuste primero 1 kHz i luego i Mhz, pero no es necesario repetir el ajuste. Cabe notar también que las frecuencias del calibrador 1 kHz y 1 Mhz no sirven para la calibración de la deflexión del tiempo del osciloscopio (base de tiempos). Además, la relación de impulso difiere del valor 1:1. las condiciones para que los ajustes de atenuación de los controles (o controles del coeficiente de deflexión) sean fáciles y exactos, son: crestas de impulso horizontales, altura de impulso calibrada y potencial cero en la cresta de impulso negativo. La frecuencia y la relación de impulso no son críticas. 5. Conectar la sonda de prueba del osciloscopio para realizar la medición y seleccionar el tipo de acoplamiento DC, AC, GND; así como también el canal de medición. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 86 85 ELECTRÓNICA ANALÓGICA INPUT CHI (X) - Borne BNC (25) Este borne sirve como entrada para la señal del amplificador de entrada del canal I. La conexión externa del borne queda conectada galvánicamente con el conducto de protección (de red). A la entrada se le ha consignado la siguiente tecla (26): En modo XY se conecta esta entrada amplificador de medida X. INPUT CH I 1MΩII 18pF max. 400 Vp 25 INPUT CH II 1MΩII 18pF x1/x10 max. 400 Vp AC/DC/GND 26 27 TRIG. EXT. x1/x10 INP. (z) AC/DC/GND 28 29 CAT II max. 100 Vp 30 (26) AC/DC/GND -x1/x10 - Tecla con dos funciones AC/DC/GND: Si se está trabajando en un modo en el cual el canal I está activo, se visualiza, mediante una breve pulsación sobre la tecla, un menú desplegable; este presenta „AC” (tensión alterna), „DC” (tensión continua) y „GND” (entrada desconectada). El modo activo del acoplamiento de señal se indica con una iluminación más intensa. Cada breve pulsación sobre la tecla, conmuta el modo de acoplamiento señal en el menú desplegable. Después de que ya no se visualiza el menú desplegable, se presenta el ajuste seleccionado en el readout después del coeficiente de desvío, mediante el signo „~” o „=” o „GND”. Con „GND” (ground) la señal que está acoplada a la entrada BNC no puede generar el desvío del trazo y en modo Yt se presentará, en modo de disparo automático, sólo un trazo sin desvío en dirección Y (posición del trazo „0 Voltios”); en modo XY no se genera ningún desvío del trazo en dirección X. El readout presenta la posición del trazo “0 Voltios” con símbolos (Yt: ; XY: una flecha en la línea de retícula inferior ), sin que sea preciso conmutar a „GND”. Véase YPOS/CURS.I (6). En posición „GND” queda desconectado el mando rotatorio VOLTS/DIV. (14). Facto de atenuación x1/x10: Mediante una pulsación prolongada sobre la tecla, se puede conmutar en el readout el coeficiente de desvío de canal 1 entre 1:1 y 10:1. En la indicación del coeficiente de desvío y durante la medición de tensión mediante cursores, se tiene encuentra una sonda atenuadora 10:1 conectada, si ante el coeficiente de desvío se presenta un símbolo de una sonda (p.ej.. “símbolo de sonda, Y1...”) Atención! Si se mide sin sonda atenuadora (1:1), se deberá desactivar el símbolo de sonda; sino resultaría una indicación errónea del coeficiente de desvío y se darían valores de tensión erróneos midiendo con ayuda de los cursores. Borne de masa El borne está determinado para ser usado por conectores tipo banana de 4 mm. El borne está conectado galvánicamente con el conducto de protección (de red). El borne se utiliza como potencial de referencia en modo de CT (Comprobador de componentes), pero puede ser utilizado también durante medidas de tensiones continuas o tensiones alternas de baja frecuencia como conexión de medida de potencial de referencia. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 87 86 ELECTRÓNICA ANALÓGICA INPUT CH II - Borne BNC (28) El borne de BNC sirve para la entrada de la señal al amplificador de entrada de canal II. La conexión externa del borne queda conectada galvánicamente con el conducto de protección (de la red). En modo de funcionamiento XY se conecta la entrada al amplificador de medida X. A la entrada se le asignan las teclas que a continuación se detallan: (29) AC/DC/GND -x1/x10 - Tecla con dos funciones INPUT CH I 1MΩII 18pF max. 400 Vp 25 INPUT CH II 1MΩII 18pF x1/x10 max. 400 Vp AC/DC/GND 26 27 TRIG. EXT. x1/x10 INP. (z) AC/DC/GND 28 29 CAT II max. 100 Vp 30 AC/DC/GND: Si se está trabajando en un modo en el cual el canal II está activo, se visualiza, mediante una breve pulsación sobre la tecla, un menú desplegable; este presenta „AC” (tensión alterna), „DC” (tensión continua) y „GND” (entrada desconectada). El modo activo del acoplamiento de señal se indica con una iluminación más intensa. Cada breve pulsación sobre la tecla, conmuta el modo de acoplamiento señal en el menú desplegable. Después de que ya no se visualiza el menú desplegable, se presenta el ajuste seleccionado en el readout después del coeficiente de desvío, mediante el signo „~” o „=” o „GND”. Con „GND” (ground) la señal que está acoplada a la entrada BNC no puede generar el desvío del trazo y en modo Yt se presentará, en modo de disparo automático, sólo un trazo sin desvío en dirección Y (posición del trazo „0 Voltios”); en modo XY no se genera ningún desvío del trazo en dirección X. El readout presenta la posición del trazo “0 Voltios” con símbolos (Yt: ; XY: una flecha en la línea de retícula inferior ), sin que sea preciso conmutar a „GND”. Véase YPOS/CURS.II (8). En posición „GND” queda desconectado el mando rotatorio VOLTS/DIV. (18). Facto de atenuación x1/x10: Mediante una pulsación prolongada sobre la tecla, se puede conmutar en el readout el coeficiente de desvío de canal 2 entre 1:1 y 10:1. En la indicación del coeficiente de desvío y durante la medición de tensión mediante cursores, se tiene encuentra una sonda atenuadora 10:1 conectada, si ante el coeficiente de desvío se presenta un símbolo de una sonda (p.ej.. “símbolo de sonda, Y2...”) Atención! Si se mide sin sonda atenuadora (1:1), se deberá desactivar el símbolo de sonda; sino resultaría una indicación errónea del coeficiente de desvío y se darían valores de tensión erróneos midiendo con ayuda de los cursores. TRIG. EXT. /INPUT (Z) -Borne BNC con función doble. La impedancia de entrada es de 1 M II 20pF. La conexión externa del borne queda conectado galvánicamente con la línea de protección (de red). Mediante la breve pulsación de la tecla Z-ON/OFF-VAR (24) se puede modificar la función la CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 88 87 ELECTRÓNICA ANALÓGICA función del borne TRIG. EXT. (30). El borne puede ser usado como entrada de disparo externo o como entrada para la modulación Z (intensidad de luminosidad de trazo). TRIG. EXT.: El borne BNC sólo actúa como entrada para señal de señales de disparo (externas), cuando el readout indica “ext” como fuente de disparo. El acoplamiento de disparo de señal se elige mediante la tecla TRIG. SOURCE (17). Entrada Z: Se está trabajando en modulación Z, cuando el readout indica a la derecha de la indicación del acoplamiento de entrada „Z”. En combinación con „disparo externo”, „base de tiempos retardable” („sea”, „del” o „dTR”) o modo de „Component Tester” no se dispone de la modulación Z o se desactiva esta automáticamente. El borrado del trazo se efectúa por nivel alto TTL (lógica positiva). No quedan permitidas las tensiones superiores a los + 5V, para la modulación del trazo. 6. Seleccione la tecla AUTO MEASURE Esta tecla se encuentra debajo de la pantalla del osciloscopio y nos permite medir en DC, Frecuencia, Periodo, Peak+, Peak-, TRIGGER LEVEL, OFF. 1. AUTO MEASURE Los resultados de medición de los diferentes puntos del menú se refieren a la señal de medida, con la que se realiza el disparo. Las mediciones de tensión sólo se posibilitan, si se trabaja en acoplamiento de disparo de AC o DC. Las mediciones en tensión continua precisan de un acoplamiento de entrada en DC. Esto es válido igualmente para las partes de tensión continua de tensiones mezcladas. Con señales de medida de una frecuencia elevada, se deberá tener en cuenta la respuesta en frecuencia del amplificador de disparo utilizado; es decir, la precisión de medida se reduce. Referido a la presentación de la señal se obtienen desviaciones, ya que la frecuencia de los amplificadores de medida Y difieren de los amplificadores de disparo. Al medir tensiones alternas de baja frecuencia (< 20 Hz), la indicación seguirá el comportamiento de la tensión. Si se trata de tensiones con forma de impulsos, se pueden obtener variaciones del valor de medida indicado. la magnitud de esta variación depende de la relación de frecuencia de la señal medida y de la pendiente seleccionada (/ \ (9)). Las mediciones de frecuencia y periodos precisan, que se hayan cumplido las condiciones de disparo (TR-LED (10)) se ilumina y con señales por debajo de los 20 Hz se deberá trabajar en disparo manual (normal). las señales de muy baja frecuencia precisarán un tiempo de medida de varios segundos. Para evitar errores de medida, deberá encontrarse la presentación de la señal dentro de los límites del reticulado de la pantalla; es decir, no se podrá tener una sobreexcitación de pantalla o imagen. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 89 88 ELECTRÓNICA ANALÓGICA DC- presenta el valor de tensión continua mediado (véase „indicador de valor mediado”). Frecuency - posibilita las medidas en frecuencia. Con señales complejas, influye el punto de disparo en la presentación. Period - para mediciones de duración de periodos. También aquí influye el punto de medida en la indicación. Peak + - indica la variación positiva de las tensiones alternas (punto de cambio de incremento de signo). la parte de tensión continua de tensiones mezcladas se tienen en cuenta en modo de acoplamiento de entrada DC. Peak Peak - indica la tensión de diferencia (tensión alterna) entre el valor de incremento positivo y negativo. No se miden las partes de tensión continua. Trigger Level - para la presentación de la tensión de referencia en el comparador de disparo. El disparo sólo se realiza , cuando esta tensión se sobrepasa con suficiente margen de tensión (depende del ajuste de la pendiente de disparo). Off - no se realiza una medición automática y se presenta con readout. OBSERVACIONES Se recomienda que después de seleccionar el tipo de medición, se debe seleccionar la tecla AUTO SET para obtener una mejor lectura. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 90 89 CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 91 37 CT 36 0.2VPP CAL. SEL. 35 UNIT 6 34 33 32 31 SELECT MEASURE MAIN MENU SOURCE ON CURSOR GLUE SET OFF CH1: =100mV CH2: ~ 100mV CHP TB: 500 ms Δt : 100 ns SR5 OSCILOSCOPIO 14 2 CUR 25 15 INPUT CHI (X) 1MΩII 18pF VAR. CHI 26 16 AC/DC/GND x1/x10 DUAL MENU TRIG. SOURCE VAR. max. 400VP 27 28 INPUT CHII 1MΩII 18pF CHII NM AT 1mV 17 18 19 INV. 20v VAR 1mV VAR 10 50 MHz Instruments 11 HAMEG 9 TRIG. MODE LEVEL HO 20 29 INP. (Z) 50ms 30 24 max. 100VP TRIG. EXT VAR. Z-ON/OFF VAR 13 XMAG x10 SAVE X-POS. DEL. MODE ON OFF 0.5s PUSH LONG PUSH BOTH 21 22 21 AC/DC/GND x1/x10 DEL. POS MENU TR NM HM 504 RECALL 5 VOLTS/DIV. 12 ANALOG OSCILLOSCOPE Y-POS/CURS.II RM 8 VOLTS/DIV. CURSOR POS READ OUT INTEMS/FOCUS 7 4 VOLTS/DIV. 20v max. 400VP RO A FOC ! 3 Y-POS/CURS.I AUTOSET POWER 1 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 90 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN Operar generador de señales El generador de funciones es un equipo muy especial que nos permite generar una señal ya sea cuadrada, senoidal, triangular y a frecuencias del orden de Hz a MHz. PROCESO DE EJECUCIÓN 1. Pulse la tecla POWER de encendido y seleccione el tipo de señal que dese: senoidal, cuadrada o triangular. 2. Seleccione el rango de frecuencia presionando la tecla que corresponde (1, 10, 100) Hz, (1, 10, 100) kHz, 1 MHz. 3. Conecte al terminal OUTPUT (50 Ω) la sonda del generador. 4. conecte el terminal rojo de la sonda del generador al terminal rojo del osciloscopio y el terminal negro del generador al terminal negro del osciloscopio. 5. El canal al cual se ha conectado la sonda del generador. Presionando CHI o CHII del osciloscopio y después presionar AUTOSET. 6. Varíe la amplitud o frecuencia según sea el caso en el generador de funciones. 7. Verifique que el dato de frecuencia coincida con el dato del generador de funciones seleccionando la tecla “MEASURE” y después frecuencia. 8. Verifique la amplitud presionando la tecla del osciloscopio “MEASURE y después “AMPLITUD” ya sea en DC o V pico+ ó Vpico - ó V pico pico. CONTROL AMPLITUD 1 2 TENSIÓN OFFSET SELECTOR RANGO 3 SELECTOR FUNCIÓN 4 RANGE Hz AMPLITUD DC OFFSET 1M OUTPUT MAIN 100K 10K SWEEP 1K FUNCTION 100 SWEEP SWEEP RATE WIDTH 10 1 FRECUENCY SYNC POWER 50Ω SALIDA PRINCIPAL 5 6 SALIDA 11 8 7 SEÑAL TTL CONMUTADOR RANGO BARRIDO BARRIDO CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 92 9 CONTROL 10 INTERRUPTOR AMPLITUD CONTROL BARRIDO FRECUENCIA 91 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 1. Control de amplitud. Determinamos la amplitud de la señal de salida. 2. Tensión Offset: Superponemos un determinado nivel de tensión continua a la señal de salida previamente ajustada. 3. Selector de rango de frecuencias: Determinamos el margen de frecuencias en el que nos vamos a mover con el control de frecuencias. 4. Selector de función: Determinamos la forma de la señal de salida. 5. Salida principal: Aquí disponemos de la señal previamente seleccionada y ajustada a nuestros requerimientos. 6. Señal de salida TTL: Dependiendo del tipo de generador, podemos disponer de una señal cuadrada de una amplitud fija predeterminada y de una frecuencia variable a través de los controles. 7. Conmutador de barrido: Disponemos de un barrido interno que habilita los controles rango de barrido (8) y amplitud de barrido (9). 8. Rango de barrido: Ajusta el rango de la señal interna de barrido y la repetición del mismo. 9. Control de amplitud de barrido: Ajusta la amplitud de la señal de barrido interna. 10. Control de frecuencia: Ajusta la frecuencia de salida dentro del rango seleccionado en (3). 11. Interruptor CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 93 92 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN Armar circuitos amplificadores con transistores bipolares. Existen muchos tipos de amplificadores con transistores, uno de ellos puede ser el emisor común y estos pueden colocarse en cascada, es decir, la salida amplificada de la primera etapa del emisor común puede ser usada como entrada para otra etapa de EC. De esta forma podemos montar amplificadores multi etapas con una ganancia de tensión de valor alto. PROCESO DE EJECUCIÓN CÁLCULOS 1. Calcule en la figura 1 las tensiones en la base, emisor y colector de cada etapa. Anote sus respuestas en la tabla 1. +10 V R1 1 kΩ R2 10 kΩ C1 1 μF - R4 3,9 kΩ C 2 1μF + - R7 10 kΩ R9 3,9 kΩ C3 1μF + - + 20 mVpp 2N3904 2N3904 R5 68 Ω 1 kHz R3 2,2 kΩ R10 68 kΩ + R6 1kΩ C4 - 470 μF R8 2,2 kΩ R11 1kΩ R12 1,2 kΩ + C5 - 470 μF Figura 1 2. Calcule el valor CA pico a pico de la tensión en la base, emisor y colector de cada etapa (figura1) en la tabla 2 CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 94 93 ELECTRÓNICA ANALÓGICA PRUEBAS 3. Implemente el amplificador de dos etapas e la figura 1. 4. Mida la tensión en la base, emisor y colector de cada etapa. Anote sus datos en la tabla 1. Considerando la tolerancia de los resistores que están siendo usados, las tensiones medidas deben de estar de acuerdo con las tensiones calculadas. 5. Mida la tensión CA pico a pico en la base, emisor y colector de cada etapa. Anote sus datos en la tabla 2 . Estas medidas deben estar de acuerdo con los valores calculados. EFECTO DE LA CARGA 6. Abra el circuito desconectando el capacitor de acoplamiento entre la primera y segunda etapa. Obsérvese la atención de CA en el colector del primer estado. Reconecte el capacitor de acoplamiento y note que la señal CA disminuye significativamente. No continúe hasta entender y explicar por qué la señal disminuye. 7. Abra el circuito desconectando el capacitor de acoplamiento entre el segundo estado y el resistor de carga. Observe la tensión CA en el colector de la segunda etapa. Reconecte el capacitor de acoplamiento y note la fuerte disminución de la señal . VERIFICACIÓN DE DEFECTOS 8. Suponga que en la figura 1 C4 esté abierto ¿esto produce un defecto en la primera o segunda etapa. Anote su respuesta (1 ó 2) en la tabla 3. 9. Simule el efecto indicado anteriormente en el circuito. Mida las tensiones CC y CA. Antes de medir cada tensión calcule estos valores. entonces cuando realice la medición sabrá donde está el defecto. 10. Calcule cada tensión propuesta en la tabla 3 en la etapa con defecto. Mida y anote las tensiones. 11. Repita los pasos del 8 al 10 para cada defecto propuesto en la tabla 3. 12. Pida a su instructor para que simule un defecto en su circuito. 13. Localice, repare y elimine el defecto. 14. Repita los pasos 12 y 13 cuantas veces juzgue necesario su instructor. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 95 94 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Tabla 1. Tensiones CC Calculado TRANSISTOR VB VE Medido VC VB VE VC 1 2 Tabla 2. Tensiones CA Calculado TRANSISTOR vb ve Medido vc vb ve vc 1 2 Tabla 3. Verificación de defectos Calculado VB VE Medido VC vb ve vc C4 Abierto R4 en corto R10 en corto R3 Abierto C5 Abierto CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 96 95 ELECTRÓNICA ANALÓGICA CUESTIONARIO PARA EL LABORATORIO 1. La tensión CC calculada en la base de la primera etapa fue aproximadamente: a) b) c) d) 1,1 V 1,8 V 6,28 V 10 V 2. La tensión CC medida en el colector de la segunda etapa fue: a) b) c) d) 1,1 V 1,8 V 6,28 V 10 V 3. La tensión CA en la base de la segunda etapa fue aproximadamente: a) b) c) d) 5 mV 12 mV 100 mV 1,4 V 4. La tensión CA en el emisor de la segunda etapa fue aproximadamente: a) b) c) d) 5 mV 12 mV 100 mV 1,4 V 5. La ganancia e tensión entre la base de la primera etapa y el colector de la segunda etapa fue aproximadamente: a) b) c) d) 10 115 230 1000 6. Explique por qué la señal disminuye cuando el capacitor de acoplamiento fue reconectado en el paso 6. VERIFICACIÓN DE DEFECTOS 7. Explique qué sucede cunado el capacitor de derivación de emisor se abre. 8. Suponga que en la primera etapa de la figura 1 el colector emisor estuviera en corto. ¿Cuál será la impedancia de entrada aproximada que la base “ve” de la base de la primera etapa?. Justifique su respuesta. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 97 96 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN Verificar ganancia de tensión y corriente Para hallar la ganancia de tensión se necesita de la tensión de salida entre la tensión de entrada ΔV = VOUT/VIN; así como también para hallar la ganancia de corriente se necesita la corriente de salida entre la corriente de entrada ΔI = IOUT/IIN. +10 V R2 1 kΩ IN RS 10 kΩ 1 μF C1 - R4 3,9 kΩ C 2 1μF + - R9 3,9 kΩ R7 10 kΩ C3 1μF + - + 2N3904 OUT 2N3904 R5 68 Ω R10 68 kΩ R12 1,2 kΩ 1 kHz 20 mVpp R3 re = 25 mV IB 2,2 kΩ + R6 1kΩ ΔV = C4 - 470 μF R8 2,2 kΩ R11 1kΩ + C5 - 470 μF VOUT ~ Re = VIN re 1. Determine el valor de la resistencia de realimentación parcial, para la segunda etapa con el fin de obtener una ganancia total de tensión de aproximadamente 75. Anote este valor en la parte superior de la tabla 1. 2. Sustituya el resistor del circuito que proyecto. Mida y anote la ganancia de tensión de la primera etapa (entre base y colector). Ahora mida y anote la ganancia de tensión en la segunda etapa, cada una con respecto a tierra. 3. Mida y anote la ganancia de tensión total (entre la base de la primera y el colector de la segunda etapa, cada una concerniente a tierra del circuito. 4. Calcule la CA de entrada en la resistencia de 1 kΩ RS, usando la fórmula: Ient = VS - Vent RS Use el valor medio de Vent, seguidamente calcule la impedancia de entrada: Zent = Vent Ient CALCULADO ΔV = ΔI = Zi = Zo = MEDIDO ΔV = ΔI = Zi = Zo = CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 98 97 ELECTRÓNICA ANALÓGICA AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES GENERALIDADES El análisis o diseño de un amplificador a transistor requiere de un conocimiento tanto para la respuesta en dc como para la respuesta en ac del sistema. Muy a menudo se asume que un transistor es un dispositivo mágico que puede elevar el nivel de una señal de entrada de ac, sin la asistencia de una fuente externa de energía. En realidad el nivel de potencia de salida de ac mejorado es el resultado de una transferencia de energía desde las fuentes e dc aplicadas. Por tanto, el análisis o diseño de cualquier amplificador electrónico tiene dos componentes: la porción de dc y la porción de ac. Por fortuna, el teorema de la superposición puede aplicarse y la investigación de las condiciones de dc puede separarse por completo de la respuesta de ac. Sin embargo, se debe tener en cuenta que durante el estado de diseño o síntesis, la elección de los parámetros para los niveles requeridos de dc afectarán la respuesta en ac y viceversa. El nivel de dc de un transistor en operación es controlado por diversos factores, incluyendo el rango de puntos de operación posibles sobre las características del dispositivo. El rango para el amplificador a BJT . Una vez definidos los niveles de voltaje y de corriente de dc se debe construir una red que establecerá el punto de operación deseado. Cada diseño también determinará la estabilidad del sistema, es decir, que tan sensible es el sistema a las variaciones de temperatura. Aunque en este capítulo se analiza cierta cantidad de redes, existe una similitud fundamental entre el análisis de cada configuración debido al uso recurrente de las siguientes relaciones básicas, que son importantes para un transistor. VBE = 0,7 V IE = (β + 1)IB = IC IC = β IB Una vez que están analizadas las primeras redes, la solución de las siguientes se tornará más clara. En la mayoría de los casos, la corriente IB base es la primera cantidad que debe determinarse. Las ecuaciones para IB son tan familiares para una cantidad de configuraciones que una ecuación puede derivarse de otra sólo con eliminar o añadir uno o dos términos. PUNTO DE OPERACIÓN El término polarización comprende todo lo relacionado para la aplicación de voltajes de dc, que ayudan a establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para los amplificadores a transistores el voltaje y corriente de dc resultantes establecen un punto de operación sobre las características que definen una región que se utilizará para la amplificación de la señal aplicada. Debido a que el punto de operación es un punto fijo sobre las características, CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 99 98 ELECTRÓNICA ANALÓGICA también se le llama punto de reposo (abreviado punto Q, por la sigla en inglés de quiescent point). La figura muestra una característica general de salida de un dispositivo con cuatro puntos de operación indicados. El circuito de polarización puede diseñarse para establecer la operación del dispositivo en cualquiera de estos puntos o de otros dentro de la región activa. Los valores máximos están indicados en las características de la figura 8 mediante una línea horizontal para la corriente del máxima colector IC máx, y una línea vertical cuando sea el voltaje máximo el colector -emisor VCE máx. La restricción de máxima potencia se define por la curva PC máx en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas se encuentra la región de corte, definida por IB < 0 μA, y la región de saturación, definida por VCE < VCE máx. El dispositivo BJT puede estar en polarización para operar fuera de estos límites máximos , pero el resultado de tal operación podría ser un recorte considerable de la vida del dispositivo, o bien la destrucción del dispositivo. Cuando se confina la región activa puede seleccionarse muchas áreas o puntos de operación diferentes. El punto Q que se elige a menudo depende del empleo del circuito. De cualquier manera, se pueden considerar algunas diferencias entre los diversos punto mostrados en la figura 1 para presentar algunas ideas básicas acerca del punto de operación y, por tanto, del circuito e polarización. IC (mA) 80 μA 70 μA IC máx 25 60 μA 20 50 μA 40 μA PC máx 15 30 μA Saturación B 10 5 D 10 μA C IB = 10 μA A 0 20 μA VCE mín 5 10 15 Corte 20 VCE máx VCE (V) Figura 1. Varios puntos de operación dentro de los límites de operación de un transistor. Si no se utilizara la polarización, el dispositivo estaría al principio completamente apagado, dando por resultado un punto Q en A, es decir, cero corriente a través del dispositivo (y cero voltaje a través de él). Debido a que es necesario polarizar un dispositivo de forma que pueda responder al rango completo de la señal de entrada, el punto A no sería precisamente el adecuado. Para el punto B, si la señal se aplica al circuito, el dispositivo tendrá una variación en corriente y voltaje desde el punto de operación, permitiendo al dispositivo reaccionar (y posiblemente amplificar) tanto ante las excursiones positivas como CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 100 99 ELECTRÓNICA ANALÓGICA negativas de la señal de entrada. Si la señal de entrada se elige correctamente, el voltaje y la corriente del dispositivo tendrán variación, pero no la suficiente como para llevar al dispositivo hacia el corte o a la saturación. El punto C permitiría cierta variación positiva y negativa de la señal de salida, pero el valor pico a pico estaría limitado por la proximidad de VCE = 0/ IC= 0 mA. La operación en el punto C también acarrea inquietud acerca de las no linealidades presentadas por el hecho de que hay un cambio rápido en las curvas de IB en esta región. En general, es preferible operar donde la ganancia del dispositivo es muy constante (o lineal) para asegurar que la amplificación a través de la excursión completa de la señal de entrada es la misma. El punto B es una región de espaciamiento más lineal y, por tanto, de operación más lineal. El punto D establece el sitio de operación del dispositivo cerca del nivel de voltaje y potencia máxima. la excursión del voltaje de salida en la dirección positiva se encuentra entonces limitada para no exceder el voltaje máximo. Por tanto, el punto B parece ser el mejor punto de operación en términos de ganancia lineal y la excursión más grande posible de voltaje y coriente. Ésta es por lo general la condición deseada para los amplificadores de pequeña señal, pero no necesariamente es el caso para los amplificadores de potencia. En este análisis, nos concentramos básicamente en la polarización del transistor para la operación de amplificación en pequeña señal. Existe otro factor para la polarización muy importante que todavía podemos considerar . Una vez que seleccionamos y polarizamos el BJT en un punto de operación, también debe tomarse en cuenta el efecto de la temperatura. Este factor ocasiona que cambien los parámetros, como la ganancia en corriente del transistor (βac) y la corriente de fuga del transistor (ICEO). Las mayores temperaturas dan como resultado las mayores corrientes de fuga en el dispositivo, causando un cambio en la condición de operación establecida por la red de polarización. El resultado es que el diseño de la red debe ofrecer también un grado de estabilidad en temperatura, de tal forma que dichos cambios ocasionen la menor cantidad de modificaciones en el punto de operación. La estabilidad del punto de operación puede especificarse mediante un factor de estabilidad S, el cual indica el grado de cambio en el punto de operación debido a una variación en la temperatura. Es mejor un circuito de gran estabilidad; comparada con la estabilidad de varios circuitos polarizados. Para que el BJT esté polarizado en su región lineal o de operación activa, los siguientes puntos deben resultar exactos: 1. La unión base-emisordebe tener una polarización directa (voltaje de la región p más positivo) con un voltaje de polarización directa resultante de aproximadamente 0,6 a 0,7 V. 2. La unión base-colector debe tener una polarización inversa (voltaje de la región n más positivo) con un voltaje de polarización inversa resultante de cualquier valor dentro de los límites máximos del dispositivo. Obsérvese que para la polarización directa el voltaje a través de la unión p-n es p-positiva, mientras que para la polarización inversa es opuesto (inverso) con n-positiva. Este énfasis sobre la letra inicial debe ofrecer un medio para ayudar a memorizar la polaridad necesaria de voltaje. La operación en las regiones de corte, saturación y lineal de las características del BJT se ofrecen de la siguiente manera: CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 101 100 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 1. Operación en la región lineal: Unión base-emisor con polaridad directa Unión base-colectar con polarización inversa 2. Operación en la región de corte: Unión base-emisor con polarización inversa 3. Operación en la región de saturación: Unión base-emisor con polarización directa Unión base-colector con polarización directa CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA El circuito de polarización fija de la figura 2 ofrece una introducción relativamente directa y simple al análisis de la polarización en dc de transistores. Aunque la red utilice un transistor npn, con el sólo hecho de cambiar todas las direcciones de corriente y los voltajes de polarización . Las direcciones de corriente de la figura 2 son las reales, y los voltajes están definidos por la notación estándard de doble subíndice. Para el análisis en dc, la red debe aislarse de los niveles de ac, reemplazando los capacitores por un equivalente del circuito abierto. Más adelante, la fuente VCC de dc puede separarse en dos fuentes (para propósitos de análisis solamente), como se muestra en la figura 3 para permitir una separación de los circuitos de entrada y de salida. También reduce la unión de las dos corrientes que fluyen hacia la base IB. Como se observa, la separación es válida, como lo muestra la figura 3, donde VCC está conectada directamente a RB y RC, justo como en la figura 2. VCC VCC Señal de salida en ac IC RC RB C1 IC RC RB C Señal de entrada en ac VCC C2 C IB + IB + B+ VCE _ B + VCE _ VBE _ _ VBE E Figura 2. Circuito de polarización fija E Figura 3. Equivalente de dc de la figura 2 CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 102 101 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Polarización directa base- emisor + Considere primero la malla del circuito baseemisor de la figura 4. Cuando escriba la ecuación de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj, se obtendrá: - RC VCC + - + +VCC - IB RB - VBE = 0 IB VBE Nótese la polaridad de la caída de voltaje a través de RB establecida por la dirección indicada de IB. Cuando se resuelve la ecuación para la corriente IB da por resultado lo siguiente: IB = - Figura 4. Malla base-emisor VCC - VBE RB Es verdad que la ecuación 4 no es difícil de recordar si se toma en cuenta que la corriente de base es la corriente a través de RB, y de acuerdo con la ley de Ohm dicha corriente es el voltaje a través de RB dividido entre la resistencia RB. El voltaje a través de RB es el voltaje VCC aplicado en un extremo menos la caída a través de la unión base-emisor (VBE). Debido a que el voltaje VCC y el voltaje base-emisor son constantes RB, fija el nivel de la corriente de base para el punto de operación. RC + IC + + - VCC VCE - Figura 5. Malla colector-emisor Malla colector-emisor La sección colector emisor de la red aparece en la figura 5 con la dirección de la corriente IC indicada y la polaridad resultante a través de RC. La magnitud de la corriente del colector está directamente relacionada a IB mediante: VCC RC + - C IC = β IB Es interesante observar que debido a que la corriente de base está controlada por el nivel de RB y que IC está relacionada a IB por la constante β, la magnitud de IC no es una función de la resistencia RC. El cambio de RC hacia cualquier nivel no afectará el nivel de IB o de IC mientras se permanezca en la región activa del dispositivo. + - E Figura 6. Medición de VCE y VC CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 103 102 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Sin embargo, como se verá más adelante, el nivel de RC determinará la magnitud de VCE, el cual es un parámetro importante. La aplicación de la ley de Kirchhoff en la dirección del sentido de las manecillas del reloj alrededor de la malla cerrada indicada en la figura 5 dará por resultado lo siguiente: VCE + IC RC - VCC = 0 VCE = VCC - IC RC y la cual establece que el voltaje a través de la región colector-emisor de un transistor en la configuración de polarización fija es el voltaje de alimentación menos la caída a través de RC. Como un breve repaso de la notación de subíndice sencillo y doble, recuerde que: VCE = VC - VE donde VCE es el voltaje colector -emisor y VC y VE son los voltajes del colector y del emisor a tierra, respectivamente. Pero en este caso, debido a que VE = 0V, se tiene que : VCE = VC Además, ya que VBE = VB - VE y que VE = 0 V, entonces VBE = VB Tenga presente que los niveles de voltaje como VCE son determinados mediante la colocación de la punta de prueba roja (positiva) del voltímetro en la terminal del colector y la punta de prueba negra (negativa), a la terminal del emisor según se muestra en la figura 6. VC es el voltaje del colector a la tierra y se mide según la misma figura. En este caso las dos lecturas son idénticas, pero en las redes que siguen las dos pueden ser muy diferentes. Comprender la diferencia entre ambas medidas puede ser muy importantes para la localización de fallas en las redes de transistores. Ejemplo Determinar lo siguiente para la configuración de polarización fija de la figura 7. a) b) c) d) IB e ICo VCEo VB y VC VBC CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 104 103 ELECTRÓNICA ANALÓGICA VCC = +12V RC 2,2 kΩ RB 240 kΩ C2 Salida en ac 10 μF + Entrada en ac C1 IB β = 50 B+ 10 μF VBE VCE _ _ Figura 7. Circuito dc de polarización fija para el ejemplo Solución: a) IB = VCC - VBE = 12V - 0,7V = 47,08 μA RB 240kΩ IB = β IBQ = (50)(47,08 μA) = 2,35 mA b) VCEQ = VCC - IC RC = 12V - (2,35 mA)(2,2 kΩ) = 6,83 V c) VB = VBE = 0,7 V VC = VCE = 6,83 V d) La utilización de la notación del subíndice doble da por resultado VBC = VB - VC = 0,7 V - 6,83 V = - 6,13 V y el signo negativo revela que la unión tiene polarización inversa, como debe ser para la amplificación lineal. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 105 104 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Saturación del transistor El término saturación se aplica a cualquier sistema donde los niveles han alcanzado sus máximos valores. Una esponja saturada es aquella que no puede contener otra gota de líquido. Para un transistor que opera en la región de saturación, la corriente es un valor máximo para el diseño en particular. El cambio en el diseño puede ocasionar que el nivel e saturación correspondiente pueda llegar a incrementarse o descender. Desde luego, el nivel más alto de saturación está definido por la corriente máxima del colector, y se proporciona en la hoja de especificaciones. Las condiciones de saturación se evitan normalmente porque la unión base-colector ya no se encuentra con polarización inversa y la señal de salida amplificada se distorsionará. Un punto de operación en la región de saturación se describe en la figura 8a. Nótese que se trata de un región donde las curvas características se juntan y el voltaje colector-emisor se encuentra en o por debajo de VCE máx. Además, la corriente del colector es relativamente alta en las características. Si se aproximan las curvas de la figura 8a, a las que aparecen en la figura 8b,el método directo para determinar el nivel de saturación se toma aparente. En la figura 8a la corriente es más o menos alta y el voltaje VCE se asume de 0 volts. Al aplicar la ley de Ohm, puede calcularse la resistencia entre los terminales del colector y las del emisor de la siguiente manera: RCE = VCE 0V = = 0Ω IC IC máx IC IC máx IC punto Q IC máx 0 0 VCE VCE máx punto Q (a) VCE (b) Figura 8. Región de saturación a) real b) aproximada. La aplicación de los resultados al esquema de la red resultaría en la configuración de la figura 9. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 106 105 ELECTRÓNICA ANALÓGICA C RCE = 0 Ω (VCE = 0 V · IC = IC máx) Figura 9. Determinación de IC máx E Por tanto, y para el futuro, si existiera una necesidad inmediata de conocer la corriente máxima del colector (nivel de saturación) para un diseño en particular, sólo se inserta un equivalente de corto circuito entre el colector y el emisor del transistor y se calcula la corriente resultante del colector. En resumen, sólo haga VCE = 0V. Para la configuración de polarización fija de la figura 10 el corto circuito se aplicó, causando que el voltaje a través de RC se convierta en el voltaje aplicado VCC. La corriente de saturación resultante para la configuración de polarización fija es: IC sat = VCC RC VCC RC RB + VRC = VCC IC máx + VCE = 0 V - Figura10. Determinación de IC máx para la configuración de polarización Una vez que IC máx se conoce puede tenerse idea de la corriente máxima posible del colector para el diseño escogido, y el nivel bajo, el cual debe permanecer si se espera una amplificación lineal. Ejemplo Determine el nivel de saturación para la red de la figura 7. Solución: IB = VCC = 12 V = 5,45 μA RC 2,2 kΩ CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 107 106 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Análisis de recta de carga El análisis hasta el momento se hizo utilizando el nivel de β correspondiente con el punto Q resultante. Ahora, se investigará la forma en que los parámetros de la red definen el rango posible de puntos Q y la manera en que se determina el punto Q real. La red de la figura 11a establece una ecuación de salida que relaciona las variables de IC y VCE de la siguiente manera: VCE = VCC - IC RC Las características de salida del transistor también relacionan las dos variables como se IC y VCE muestra en la figura 11b. En esencia, se tiene una ecuación de redes y un conjunto de características que utilizan las mismas variables. La solución común de las dos sucede donde se satisfacen las restricciones establecidas por cada una de manera simultánea. Eso es similar a encontrar la solución para dos ecuaciones simultáneas: una establecida por la red y la otra por las características del dispositivo. Las características del dispositivo de IC en función de VCE se ofrecen en la figura 11b. Ahora, se debe superponer la línea recta definida por la ecuación 12 sobre las características. El método más directo para graficar la ecuación 12 sobre las características de salida es mediante el hecho de que una línea recta se encuentra definida por dos puntos. Si se elige que IC sea 0 mA, entonces se especifica el eje horizontal como la línea sobre la cual está localizado un punto. Al sustituir IC = 0mA en la ecuación 12 se encuentra que: VCE = VCC - (0)RC VCE = VCC - IC RC y definiendo un punto para la línea recta de acuerdo con la figura 12. VCC IC + RB RC - IC (mA) 50 μA 40 μA 7 6 30 μA 5 + 4 VCE IB 8 - 20 μA 3 10 μA 2 IB =10 μA 1 0 5 10 15 VCE (V) ICEQ (a) (b) Figura 11. Análisis de la recta de carga: a) la red b) las características el dispositivo. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 108 107 ELECTRÓNICA ANALÓGICA IC VCC RC Punto Q Figura 12. Recta de carga para polarización fija VCE = 0V IBQ Recta de carga 0 VCC VCE IC = 0 mA Ahora, si se elige que VCE sea 0V, lo que establece al eje vertical como la línea sobre la cual estará definido el segundo punto, se tiene que IC está determinado por la siguiente ecuación: 0 = VCC - IC RC IC = e VCC RC VCE = 0V Según aparece en la figura 12. Al unir los dos puntos definidos por las ecuaciones 13 y 14, se puede dibujar la línea recta. A la línea resultante sobre la gráfica de la figura 12, se le llama recta de carga debido a que es definido por el resistor de carga RC. Mediante la solución para el nivel resultante de IB puede establecerse el punto Q real que se muestra en la figura 12. Si el nivel de IB cambia al variar el valor de RB, el punto Q se desplaza hacia arriba o hacia abajo sobre la recta de carga como se indica en la figura 13. Si VCC se conserva fijo y se cambia RC, la recta de carga se moverá e acuerdo con la figura 14. Si IB se mantiene fijo, punto Q se desplaza como se indica en la misma figura. Si RC se mantiene fijo y VCC varía, la recta de carga se mueve igual que en la figura 15. VCC R1 IC VCC RC IB3 Punto Q Punto Q VCC R3 IB2 Punto Q 0 R1>R2> R1 VCC R2 Punto Q Punto Q Punto Q IBQ IB1 VCC Figura13. Movimiento de punto Q con niveles crecientes de IB VCE 0 VCC VCE Figura14. Efecto de los niveles crecientes de RC sobre la recta de carga y el punto Q. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 109 108 ELECTRÓNICA ANALÓGICA IC VCC 1 RC VCC > VCC > VCC 1 VCC 2 3 2 RC VCC 3 Punto Q Punto Q Punto Q RC IBQ VCE 0 VCC3 VCC2 VCC1 Figura15. Efecto de valores pequeños de VCC sobre la recta de carga y el punto Q. Ejemplo Dada la recta de la carga de la figura 16 y el punto Q definido, calcule los valores requeridos de VCC, RC y RB para la configuración de polarización fija. Solución: A partir de la figura 16 IC VCE = VCC -=20V 60 μA 12 IC = 50 μA 10 40 μA RC = 8 30 μA 6 Punto Q IB = 20 μA 4 RB = 10 μA 2 0 IC = 0 μA 5 10 15 20 VCC RC y e IC = 0 mA VCE = 0V VCC = 20V = 2 kΩ 10mA IC VCC- VBE RB VCC- VBE = 20V - 0,7V = 772 kΩ 25 μA IB VCE Figura 16. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 110 109 ELECTRÓNICA ANALÓGICA VCC CIRCUITO DE POLARIZACIÓN ESTABILIZADO EN EMISOR La red de polarización de dc de la figura 17, contiene un emisor en el resistor para mejorar el nivel de estabilidad respecto al de la configuración de polarización fija. La mejor estabilidad se demostrará a través de un ejemplo numérico que veremos posteriormente en esta sección. El análisis se llevará a cabo cuan do examine en primer lugar la malla basev emisor, y posteriormente utilizando los i resultados para investigar la malla colectoremisor. IC RC RB vo C2 IB C1 Figura17. Circuitos de polarización BJT con resistor de emisor. IE RE Malla emisor-base La malla emisor-base de la red de la figura 17 puede dibujarse de nuevo igual como se indica en la figura 18. La ley de voltaje de Kirchhoff al rededor de la malla indicada en el sentido de las manecillas del reloj dará por resultado la siguiente ecuación: + VCC - IB RC - VBE - IB RE = 0 IE = (β + 1) IB Sustituyendo por IE en la ecuación resultará: VCC - IB RC - VBE - (β + 1) IB RE = 0 La agrupación de los términos ofrecerá lo siguiente: - IB (RB + (β + 1) RE) + VCC - VBE = 0 Multiplicando por (-1) se tiene: IB (RB + (β + 1) RE) + VCC + VBE = 0 con IB (RB + (β + 1) RE) + VCC - VBE y resolviendo para IB da IB = VCC - VBE RB + (β + 1) RE Nótese que la única diferencia entre esas ecuaciones para IB y la que se obtuvo para la configuración de polarización fija es el término (β + 1)RE CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 111 110 ELECTRÓNICA ANALÓGICA + RB _ IB IB RB B VCC VBE VCC VBE RE E + (β + 1)RE IE _ Figura19. Figura18. Malla base - emisor La figura 19, la solución para la corriente IB dará por resultado la misma ecuación obtenida. Obsérvese que además del voltaje de la base al emisor VBE, el resistor RE se refleja de regreso al circuito de entrada de la base por un factor (β + 1). En otras palabras, el resistor del emisor, que forma parte de la malla colector-emisor, “aparece como” (β + 1) RE en la malla de la base al emisor, debido a que β es normalmente 50 o más, el resistor del emisor aparenta ser mucho mayor en el circuito de la base. Por tanto, para la configuración de la figura 20 puede ser de utilidad en el Ri = (β + 1) RE análisis que seguirá a continuación. Ofrece un forma relativamente sencilla para recordar la ecuación. B β Ri =(β + 1)RE RE Figura 20. Nivel reflejado de impedancia de RE Utilizando la ley de Ohm, se sabe que la corriente a través de un sistema es el voltaje dividido entre la resistencia del circuito. Para el circuito de la base al emisor, el voltaje neto es VCC - VBE. Los niveles de resistencia son RB más RE reflejado por (β + 1). Malla colector - emisor La malla colector-emisor se encuentra dibujada de nuevo en la figura 21. La ley de Kirchhoff para la malla indicada en la dirección de las manecillas del reloj dará por resultado: + IE RE + VCE + IC RC - VCC = 0 Sustituyendo IE @ IC y agrupando términos da VCE = VCC - IC (RC + RE ) = 0 CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 112 111 ELECTRÓNICA ANALÓGICA y VCE = VCC - IC (RC + RE ) + RC VE = IE RE mientras que el voltaje del colector a la tierra puede determinarse VCE = VC - VE IC - El voltaje de un único subíndice VE es el voltaje del emisor a la tierra y se determina por + + VCE - VCC - RB + IE - y VC = VCE + VE o Figura 21. Malla colector -emisor VC = VCC - IC RC El voltaje en la base respecto a tierra puede determinarse a partir de VB = VCC - IB RB VB = VBE + VE Ejemplo Para la red de polarización en emisor de la figura 22 calcule: a) b) c) d) e) f) g) +20 V IB IC VCE VC VE VB VBC 2 kΩ 430 kΩ 10 μF vo 10 μF vi β = 50 Figura 22. Circuito de polarización con estabilización en el emisor 1 kΩ 40 μF Solución a) IB = VCC - VBE 20V -0,7V = 430 Ωk + (51)(1 kΩ) RB + (β + 1)RE = 19,3 V = 40,1 μF 481 kΩ CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 113 112 ELECTRÓNICA ANALÓGICA b) IC = β IB = (50) (40,1 μA) = 2,01 mA e) VE = VC - VCE =15,98 V - 13,97 V = 2,01 V c) VCE = VCC - IC (RC + RE) f) =20V - ( 2,01 mA) (2 kΩ + 1 kΩ) = 20V - 6,03 V = 13,97 V d) VC = VCC - IC(RC =20V - ( 2,01 mA) (2 kΩ) = 20V - 4,02 V = 15,98 V VB = VBE + VE =0,7 V + 2,01 V = 2,71 V g) VBC = VB - VC =2,71 V - 15,98 V = - 13,27 V (con polarización inversa como se requiere) Nivel de saturación VCC RC El nivel de saturación del colector o la corriente máxima del colector para un diseño de polarización en emisor puede determinarse si se utiliza el mismo método aplicado para la configuración de polarización fija: se aplica un cortocircuito entre las terminales del colector- emisor como se muestra en la figura 23, y luego se calcula la corriente del colector resultante para la figura 23. IC sat = VCC = 0V VCC RC + RE RE La adición del resistor de emisor reduce el nivel de saturación del colector, abajo del que obtuvo con una configuración de polarización fija utilizando el mismo resistor el colector. Ejemplo IC máx Figura 23. Determinación de IC sat para el circuito de polarización con estabilidad en emisor. Determine la corriente de saturación para la red del ejemplo de la figura 22. Solución: IC sat = = VCC RC + RE 20 V 20 V = 2 kΩ + 1 kΩ 3 kΩ = 6,67 mA que es más o menos el doble del nivel de ICQ para el ejemplo CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 114 113 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Análisis por recta de carga El análisis por recta de carga para la red de polarización en emisor es poco diferente de la que se encontró para la configuración de polarización fija. IC VCC RC + RE Punto Q 0 Figura 24. Recta de carga para la configuración de polarización en emisor IBQ VCC VCE La ecuación de la malla colector-emisor que define la recta de carga es la siguiente: VCE = VCC - IC (RC + RE) La sección de IC = 0 mA da VCE = VCC IC = 0 mA Según se obtiene para la configuración de polarización fija. La elección de VCE = 0 V da IC = VCC RC + RE VCE = 0 V Como se muestra en la figura 24. Los diferentes niveles de IBQ desplazarán, desde luego, el punto Q hacia arriba o hacia abajo de la recta de carga. POLARIZACIÓN POR DIVISIÓN DE VOLTAJE En las configuraciones de polarización previas a la corriente de polarización ICQ y el voltaje de VCEQ polarización eran una función de la ganancia n corriente (β) del transistor. Sin embargo, debido a que β es sensible a la temperatura, especialmente para los transistores de silicio y de que el valor real de veta por lo general, no está bien definido, lo mejor sería desarrollar un circuito que fuera menos dependiente o, de hecho, independiente de la beta del transistor. La red a la que nos referimos es configuración de polarización por división de voltaje de la figura 25. Si se analiza sobre una base exacta la sensibilidad a los cambios en beta, resulta ser muy pequeña. Si los parámetros del circuito se eligen adecuadamente, los niveles resultantes de ICQ y de VCEQ pueden ser casi totalmente independientes de beta. Recuerde que en análisis anteriores el punto Q estaba definido por un nivel fijo de ICQ y de VCEQ, como se muestra en la figura 26. El nivel de IBQ cambiará con el cambio en beta, pero el punto de operación definido sobre las características por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si se utilizan los parámetros adecuados del circuito. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 115 114 ELECTRÓNICA ANALÓGICA IC VCC RC R1 C2 VCC Punto Q ICQ IBQ (resultante) C1 R2 RE 0 VCE VCEQ Figura 26. Definición del punto Q para la configuración de polarización por divisor de volyaje. Figura 25. Configuración de polarización por división de polarización por divisor de vltaje Como antes se observó, existen dos métodos que pueden aplicarse para analizar la configuración del divisor del voltaje. El motivo principal para elegir los nombres en esta configuración será más obvio en el análisis que sigue. El primero que vamos a demostrar es el método exacto que puede aplicarse en cualquier configuración de divisor de voltaje. Al segundo se le llama método aproximado y puede introducirse sólo si son satisfechas las condiciones específicas. R1 B R2 VCC RE Análisis exacto El lado de entrada de la red de la figura 25, puede volver a dibujarse según se muestra en la figura 27 para el análisis en dc. La red equivalente Thévenin a la izquierda de la terminal de la base puede encontrarse de la siguiente manera: THEVENIN Figura 27. Redibujo de la malla de entrada de la red de la figura 25 RTh : La fuente de voltaje se reemplaza por un cortocircuito equivalente como se indica en la figura 28. Rth = R1 II R2 R1 R2 RTh Figura 28. Determinación de ETh CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 116 115 ELECTRÓNICA ANALÓGICA RTh : La fuente de voltaje VCC regresa al circuito y el voltaje de circuito abierto Thévenin de la figura 29 se calcula de la siguiente manera: L a aplicación de la regla del divisor de voltaje: + R1 ETh = BR2 = R2 VCC R1 + R2 R2 VCC + VR2 ETh - - Figura 29. Determinación de ETh Después se vuelve a dibujar la red Thévenin como se muestra en la figura 30 e IBQ puede calcularse al aplicar primero la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj para la malla que se indica: ETh - IB RTh - VBE - IE RE = 0 Sustituyendo IE = (β + 1)IB y resolviendo para IB IB = ETh - VBE RTh + (β + 1)RE Aunque la ecuación 30 aparece al principio diferente de las que se desarrollaros antes, obsérvese que el numerador es, una vez más, una diferencia de dos niveles de voltaje y que el denominador es la resistencia de la base más el resistor de emisor reflejado por (β + 1). Una vez que IB se conoce, las cantidades restantes de la red pueden establecerse de la misma manera como fueron desarrolladas para la configuración de polarización en emisor. Esto es. RTh B + VCE = VCC - IC (RC + RE ) IB ETh VBE RE E IE Figura 30. Inserción del circuito equivalente de Thévenin CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 117 116 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Ejercicio Determine el voltaje de polarización de dc VCE y la corriente IC para la siguiente configuración de divisor de voltaje de la figura 31. +22 V 10 kΩ IC 39 kΩ 10 μF vo 10 μF vi VCE 1,5 kΩ 3,9 kΩ β = 140 50 μF Figura 31. Solución: RTh = R1 II R2 = ETh = = IB = = (39 kΩ) (3,9 kΩ) = 3,55 kΩ 39 kΩ + 3,9 kΩ R1 VCC R1 + R2 (39 kΩ) (22 kΩ) =2V 39 kΩ + 3,9 kΩ ETh - VBE RTh + (β + 1)RE 2 V - 0,7 V 1,3 V = 3,55 kΩ + (141)(1,5 kΩ) 3,55 kΩ + 211,5 kΩ = 6,05 μA IB = β IB = (140)(6,05 μA) = 0,85 mA VCE = VCC - IC (RC + RE ) = 22V - (0,85 mA)(10 kΩ + 1,5 kΩ) = 22V - 9,78 V = 12,22 V CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 118 117 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Análisis aproximado La sección de entrada de la configuración del divisor de voltaje se representa por la red de la figura 32. La resistencia Ri es la resistencia equivalente entre la base y tierra para el transistor con un resistor emisor RE. La resistencia reflejada entre la base y el emisor está definida por Ri = (β + 1)RE. Si Ri es mucho mayor que la resistencia R2, la corriente IB será mucho menor que I2 (la corriente siempre busca la trayectoria de menor resistencia), e I2 será aproximadamente igual a I1. Si se acepta la aproximación de que IB es esencialmente cero comparada con I1 o I2, entonces I1 = I2 y R1 y R2 pueden considerarse elementos en serie. VB = R2 VCC R1 + R2 Debido que Ri = (β + 1)R~E = βRE, la condición que definirá en caso que pueda aplicarse a la aproximación, será la siguiente: βRE > 10R2 En otras palabras, si beta a veces es el valor de RE es por lo menos 10 veces el valor de R2, la aproximación podrá aplicarse con un alto grado de precisión. Una vez determinado VB, el nivel VE de puede calcularse a partir de: I1 IB + - VE = VB - VBE R1 VCC y la corriente del emisor podrá calcularse a partir de: + I2 R2 VB IE = R1 VE RE ICQ ~ = IE - El voltaje del colector -emisor se encuentra determinado por: R1 >> R2 (I1 ~ = I2) VCE = VCC - IC RC - IE RE Figura 32. Circuito de polarización parcial para calcular el voltaje de base aproximado VB ~I pero dado que IE = C VCEQ = VCC - IC (RC + RE ) El voltaje a través de R2 que en realidad es el voltaje base, puede calcularse mediante el uso de la regla del divisor de voltaje (de ahí el nombre para la configuración) esto es, El punto Q (según se determinó mediante ICQ y VCEQ) es por tanto independiente del valor de beta. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 119 118 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Saturación del transistor El circuito de salida del colector-emisor para la configuración del divisor de voltaje tiene la misma apariencia que el circuito de polarización en emisor. La ecuación resultante para la corriente de saturación (cuando VCE se hace cero volts) es, por tanto, la misma que se obtuvo para la configuración de polarización en emisor. Esto es, Icsat = ICmáx = VCC RC + RE Análisis por recta de carga Las similitudes con el circuito de salida de la configuración de polarización en emisor dan como resultado las mismas intersecciones para la recta de carga de la configuración del divisor de voltaje. Por tanto, la recta de carga tendrá la misma apariencia que la de la figura 24. con IC = VCC RC + RE VCE = 0 V VCE = VCC I = 0 mA C y El nivel de IB desde luego se determina mediante una ecuación diferente para las configuraciones de polarización por divisor de voltaje y de polarización en emisor. POLARIZACIÓN DE DC POR RETROALIMENTACIÓN DE VOLTAJE Un nivel mejorado de sensibilidad también se obtiene mediante la introducción de una trayectoria de retroalimentación desde el colector a la base, como se muestra en la figura 33. Aunque el punto Q no es totalmente independiente de beta (aún bajo condiciones aproximadas), la sensibilidad a los cambios en beta o a las variaciones en temperatura son normalmente menores que las encontradas en la configuración de polarización fija o de polarización en emisor. De nuevo, el análisis se hará examinando en primer lugar la malla emisor-base y aplicando los resultados a la malla colector-emisor. Malla base-emisor La figura 34 muestra la malla base-emisor para la configuración de retroalimentación de voltaje. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al rededor de la malla en el sentido de las manecillas del reloj dará por resultado: VCC - I’C RC - IB RB - VBE - IE RE = 0 CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 120 119 ELECTRÓNICA ANALÓGICA VCC + RC RC vo I’C IC RB IB vi C1 - C2 RB + - + VCE VCC - IC IB + VBE - IE RE I’C IE + RE - Figura 33. Circuito de polarización de dc con retroalimentación de voltaje Figura 34. Malla base-emisor para la base de la figura 33 Es importante observar que la corriente a través de RC noes IC sino I’C (donde I’C = IC + IB). Sin embargo, el nivel de IC e I’C supera por mucho el nivel normal de IB y la aproximación I’C ~ = IC ~ ~ por lo general se utiliza. Sustituyendo I’C = IC = β IB e IE = IC resultará: VCC - βIB RC - IB RB - VBE - βIB RB = 0 Si se arreglan los términos, se tiene VCC - VBE - βIB (RC + RE ) - IB RB = 0 y resolviendo para IB dará IB = VCC - VBE RB + β(RC + RE) El resultado es muy interesante en cuanto a que el formato es muy similar a las ecuaciones para IB obtenidas para configuraciones anteriores. El numerador es de nuevo la diferencia entre los niveles disponibles de voltaje, mientras el denominador es la resistencia de la base más los resistores del colector y del emisor reflejados por beta. Por tanto, la trayectoria de retroalimentación da por resultado un reflejo de la resistencia RC de regreso al circuito de entrada, muy similar al reflejo de RE. En general, la ecuación para IB ha tenido el siguiente formato: IB = V’ R B + βR ’ CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 121 120 ELECTRÓNICA ANALÓGICA con la ausencia de R’ para la configuración de polarización fija R’ = RE para la configuración ~ β), y R’ = R + R para la configuración de de polarización en emisor (con (β + 1) = C E retroalimentación del colector. El voltaje V’ es la diferencia entre los dos niveles de voltaje. Ya que IC = β IB, ICQ = βV’ RB + βR’ En general, mientras más grande sea βR’ comparado con RB menor será la sensibilidad de ICQ ~ β R’ , entonces a las variaciones en beta. Obviamente, si βR’ > RB y RB + β R’ = ICQ = βV’ V’ ~ βV’ = = R’ RB + βR’ βR’ e ICQ es independiente al valor de beta. Debido a que R’ normalmente es mayor para la configuración de retroalimentación de voltaje que para la configuración de polarización en emisor, la sensibilidad a las variaciones en beta será menor. Dese luego, R’ es cero Ohms para la configuración de polarización fija y por tanto bastante sensible a las variaciones de las variaciones en beta. Malla colector-emisor La malla colector-emisor para la red de la figura 33, se presenta en la figura 35. la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff para la malla indicada en la dirección de las manecillas del reloj dará por resultado IE RE + VCE + I’C RC - VCC = 0 I’C ~ I y que I = I , se tiene Debido a que I’C = C E C + RC - IC (RC + RE) + VCE - VCC = 0 IC y + VCE = VCC - IC (RC + RE ) VCC VCE IE La cual es exactamente la obtenida para las configuraciones de polarización en emisor y de polarización por divisor de voltaje. + - RE Figura 35. Malla colector-emisor para la red de la figura 33. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 122 121 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Ejemplo Determinar los niveles de reposo de ICQ y de VCEQ para la red de la figura 36. Solución IB = 10 V VCC - VBE RB + β(RC + RE) 4,7 kΩ 250 kΩ = 10 V - 0,7 V 250 kΩ + (90)(4,7 kΩ + 1,2 kΩ) = 9,3 V = 9,3 V 250 kΩ + 531kΩ 781 kΩ vo 10 μF vi β = 90 10 μF = 11,91 μA 12 kΩ ICQ = β IB = (90)(11,91 μA) = 1,07 mA VCE = VCC - IC (RC + RE ) Figura 36. Red para el ejemplo = 10 V - (1,07 mA)(4,7 kΩ + 1,2 kΩ) = 10 V - 6,31 V = 3,69 V Ejemplo Determine el nivel de IB y de VC para la red de l figura 37. 18 V 3,3 kΩ 91 kΩ 110 kΩ 10 μF vo R1 10 μF 10 μF R2 vi β = 75 510 Ω 50 μF Figura 37. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 123 122 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Solución En este caso la resistencia de la base para el análisis en dc está compuesto de dos resistores con un capacitor conectado a partir de la unión con tierra. para el modo de dc, el capacitor es equivalente a un circuito abierto y RB = R1 + R2 Resolviendo se obtiene: IB = VCC - VBE RB + β(RC + RE) = 18 V - 0,7 V (91 kΩ + 110 kΩ) + (75)(3,3 kΩ + 0,51 kΩ) = 17,3 V 17,3 V = 201 kΩ + 285,75 kΩ) 486,75 kΩ = 35,5 μA IC = β IB = (75)(35,5 μA) = 2,66 mA VC = VCC - I’C RC ~ = VCC - IC RC = 18 V - (2,66 mA)(3,3 kΩ) = 18 V - 8,78 V = 9,22 V Condiciones de saturación ~ I que es una ecuación para la coriente de saturación y resulta Utilice la aproximación de I’C = C ser la misma que se obtuvo para las configuraciones del divisor de voltaje y de polarización en emisor. Esto es Icsat = ICmáx = VCC RC + RE Análisis por recta de carga Proseguimos con la aproximación I’C ~ = IC y da por resultado la misma recta e carga definida para las configuraciones del divisor de voltaje y de polarización en emisor. El nivel de IBQ será definido por la configuración de polarización elegida. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 124 123 ELECTRÓNICA ANALÓGICA CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES Antes de que la señal de alterna sea acoplada al transistor, se debe establecer un punto de operación (Q), normalmente en el punto medio de la recta de carga de cc. De esta forma, la señal de entrada , puede producir fluctuaciones abajo y arriba de este punto Q. Los tres tipos básicos de polarización de transistores son la polarización de la base, polarización con realimentación del emisor y polarización con realimentación del colector. Como se sabe, éstos no son los mejores tipos de polarización si se desea un punto Q estable, sin embargo, se verán estos tipos de polarización en amplificadores de pequeñas señales. En este laboratorio montará estos tres tipos de polarización para verificar el funcionamiento de cada uno. De lo observado en el laboratorio los defectos más comunes en transistores son colectoremisor abierto. Para simular colector-emisor en cortocircuito vamos a hacer un puente entre el colector, base y emisor; esto es equivalente a cortocircuitar ambos diodos. Para simular un colector-emisor abierto vamos a quitar el transistor del circuito, lo que es igual a abrir ambos diodos. EQUIPAMIENTO: ! 1 fuente de alimento 15 V. ! 7 resistores: 100Ω, 680Ω, dos de kΩ, 220 kΩ, 270 kΩ, 470 kΩ todos de un 1/4 de W. ! 3 transistores 2N3904 (BC 337 o equivalente). ! 1 multímetro digital. PROCEDIMIENTO Polarización de la base 1. En la figura 38 use hFE típico para calcular IB, IC y VC. Anote sus respuestas en la tabla A. +15 V 680 Ω 270 kΩ 2N 3904 Figura 38 2. Monte el circuito de la ilustración 38. Mida y anote los valores propuestos en la tabla A. 3. Repita los pasos 2 y 3 para los otros transistores CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 125 124 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Polarización con realimentación +15 V 4. En la figura 39 use hFE típico para calcular IC, VC y VE. Anote sus respuestas en la tabla B. 1 kΩ 470 kΩ 2N 3904 5.Monte el circuito de polarización con realimentación de emisor de la figura 39. 100 R 6.Repita los pasos 5 y 6 para los otros transistores. Figura 39. Polarización con realimentación del colector +15 V 1 kΩ 7. En la figura 40 use hFE típico para calcular y anotar los valores propuestos en la tabla C. 220 kΩ 8. Monte el circuito de la figura 40. Mida y anote todos los valores propuestos en la tabla C. 2N 3904 9. Repita los pasos 7 y 8 para los otros transistores. Figura 40. Verificación de efectos 10. En la figura 40, suponga que la resistencia de la base está abierta. Calcule y anote la tensión en el colector VD en la tabla D. 11. Repita el paso 10 para los otros defectos propuestos en la tabla D. 12. Monte el circuito de la figura 40 simulando cada defecto propuesto en la tabla D. Mida y anote la tensión en el colector. Proyecto 13. Proyecto u n circuito de la polarización con retroalimentación del colector usando un 2N3904 con las especificaciones siguientes: VCC = 10 V y IC = 2 mA. RESULTADOS PARA EL LABORATORIO CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 126 125 ELECTRÓNICA ANALÓGICA TABLA A. Polarización de la base Transistor Calculado IB IC Medido VC IB IC VC 1 2 3 TABLA B. Polarización con rendimiento de emisor Transistor Calculado IB IC Medido VC IB IC VC 1 2 3 TABLA C. Polarización con rendimiento de colector Transistor Calculado IB IC Medido VC IB IC VC 1 2 3 TABLA D. Verificación de defectos Defecto VC calculado VC medido Resistor 220 kΩ abierto Resistor 220 kΩ en corto Resistor 1 kΩ abierto Resistor 1 kΩ en corto Colector emisor abierto Colector emisor en corto CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 127 126 ELECTRÓNICA ANALÓGICA FORMAS DE ONDA DE CIRCUITOS AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES +10 V 3,6 kΩ 10 kΩ 0V C +1,8 V +6,04 V B 1 μF/ 16V 10 m Vpp 1 kHz E 2,2 kΩ 1 kΩ 470 μF/ 16V +1,1 V CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 128 127 ELECTRÓNICA ANALÓGICA PRECAUCIONES SOBRE EL USO DE GENERADORES DE SEÑALES E INSTRUMENTOS DE MEDICIÓN EL OSCILOSCOPIO HAMEG Hm504 Este aparato ha sido construido y verificado según las normas de seguridad para Aparatos Electrónicos de Medida VDE0411 parte 1ª, indicaciones de seguridad para aparatos de medida, control, regulación y de laboratorio y ha salido de fábrica en perfecto estado de técnico seguridad. Se corresponde también con la normativa europea EN 61010-1 o a la normativa internacional CEI 10101. El manual de instrucciones y el plan de chequeo y las instrucciones de mantenimiento contienen informaciones y advertencias importantes que deberán ser observadas por el usuario para conservar el estado de seguridad del aparato y garantizar un manejo seguro. La caja, el chasis y todas las conexiones de medida están conectadas al contacto protector de red (tierra). El aparato corresponde a la clase de protección I. Las partes metálicas accesibles para el usuario están comprobadas con respecto a los polos de red con 2200V 50Hz. A causa de la conexión con otros aparatos de red, en ciertos casos pueden surgir tensiones de zumbido en el circuito de medida. Esto se puede evitar fácilmente conectando un transformador de aislamiento (clase de protección III) entre el osciloscopio y la red. Por razones de seguridad, el aparato sin transformador de aislamiento solamente deberá conectarse a enchufes con puesta a tierra según las normas de vigor. El aparato deberá estar conectado a un enchufe de red antes de conectarlo a circuitos de señales de corriente. Es inadmisible inutilizar la conexión del contacto de seguridad. Como en la mayoría de tubos electrónicos, el tubo de rayos catódicos también produce rayos-γ. Pero en este aparato la dosis iónica es muy inferior al valor permisible de 36pA/Kg. Cuando haya razones para suponer que ya no es posible trabajar con seguridad, hay que apagar el aparato y asegurar que no puede ser puesto en marcha sin querer. Tales razones pueden ser: ? el aparato muestra daños visibles, ? el aparato contiene piezas sueltas ? el aparato ya no funciona, ha pasado un largo tiempo de almacenamiento en condiciones adversas (p. ej. al aire libre o en espacios húmedos), ? Su transporte no fue correcto (p.ej. en un embalaje que no correspondía a las condiciones mínimas requeridas por los transportistas). Condiciones de funcionamiento El osciloscopio ha sido determinado para ser utilizado en los ambientes de la industria, de los núcleos urbanos y empresas. Por razones de seguridad, sólo se debe utilizar el osciloscopio si ha quedado conectado a un enchufe con conexión a masa según normas de seguridad. No está permitido desconectar la línea de protección (tierra). El conector de red debe enchufarse, antes de conectar cualquier señal al aparato. Margen de temperatura ambiental admisible durante el funcionamiento:+10°C...+40°C. Temperatura permitida durante el almacenaje y el transporte: -40°C...+70°C. Si durante el almacenaje se ha producido condensación, habrá que climatizar el aparato durante 2 horas antes de ponerlo en marcha. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 129 128 ELECTRÓNICA ANALÓGICA El osciloscopio está destinado para ser utilizado en espacios limpios y secos. Por eso no es conveniente trabajar con él en lugares de mucho polvo o humedad y nunca cuando exista peligro de explosión. También se debe evitar que actúen sobre él sustancia químicas agresivas. El osciloscopio funciona en cualquier posición. Sin embargo, es necesario asegurar suficiente circulación de aire para la refrigeración. Por eso, en caso de uso prolongado, es preferible situarlo en posición horizontal o inclinada (sobre el asa). Los orificios de ventilación siempre deben permanecer despejados. Los datos técnicos y sus tolerancias sólo son válidos después de un tiempo de precalentamiento de 30 minutos y a una temperatura ambiental entre 15°C y 30°C. Los valores sin datos de tolerancia deben considerarse como valores aproximados para un aparato normal. Mantenimiento del Osciloscopio HAMEG Es aconsejable controlar periódicamente algunas de las características más importantes del osciloscopio. Sólo así se puede garantizar que la presentación de todas las señales sea tan exacta como lo indican los datos técnicos. Los métodos e control descritos en el plan de chequeo del presente manual se pueden aplicar sin necesidad de comprar costosos aparatos e medida. Sin embargo, se recomienda la adquisición del SCOPE-TESTER HAMEG Hz 60, que por un precio asequible ofrece cualidades excelentes para tales tareas. Se recomienda limpiar de vez en cuando la parte exterior del osciloscopio con un pincel. La suciedad incrustada en la caja, el asa y las piezas de plástico y aluminio se puede limpiar con un paño húmedo (agua con 1% de detergente suave). Para limpiar la suciedad grasienta se puede emplear alcohol de quemar o benzina para limpieza (éter de petróleo). La pantalla se puede limpiar con agua o benzina para limpieza (pero no con alcohol o disolventes), secandola después con un paño limpio y seco sin peluza. Después de la limpieza, es aconsejable tratarla con un spray antiestático convencional, idóneo para plásticos. En ningún caso el líquido empleado para efectuar la limpieza debe penetrar en el aparato. La utilización de otros productos puede dañar las superficies plásticas y barnizadas. Circuito e protección Este equipo está provisto de una fuente e alimentación conmutada, con una protección e sobrecarga hacia las tensiones y corrientes. En caso de avería, puede ser que se oiga un ruido continuado (click). Tensión de red El equipo trabaja con tensiones de red alternas desde 100V hasta 240V. Por esta razón no dispone de una conmutación de tensión de red. El fusible de entrada de red queda accesible desde el exterior. El borne del conector de red y el portafusibles forman una unidad. El cambio de fusible de red sólo debe y puede realizarse (con la unidad de portafusibles no deteriorada), si se desenchufó el cable de red. Después habrá que levantar la tapita protectora del portafusibles mediante un destornillador pequeño. Este se utiliza, apoyándolo y haciendo suavemente palan ca en los pequeños orificios laterales situados al lado de los contactos de conexión. El fusible se puede entonces extraer y cambiar. El portafusibles se inserta, salvando la presión de los muelles latee permite la reparación de fusibles o hacer puentes. Los daños por esta causa, quedan excluidos de la garantía del equipo. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 130 129 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Tipo de fusible: Tamaño 5 x 20 mm; 250V~ IEC 127, h. III; DIN 41662 (ó DIN 41571, h.3) Desconexión: lenta (T) 0,8A ¡Atención! En el interior del aparato se encuentra en la zona de la fuente conmutada un fusible: Tamaño 5x20mm; 250~, C; IEC 127, h.III; DIN 41662 (ó DIN 41571, h.3) Desconexión: rápida (F) 0,8A ¡Este fusible no debe ser repuesto por el usuario! EL GENERADOR DE FUNCIONES - Conectar el generador con un cable de alimentación con terminal de puesta a tierra. - En el caso de un cortocircuito, el generador de unciones tiene un fusible de protección, se recomienda en caso de algún problema cambiarlo por otro fusible de 0,5 A -Se recomienda realizarle una limpieza de tarjetas como parte de un plan de mantenimiento. PROTECCIÓN DE TRANSISTORES CONTRA EFECTOS TÉRMICOS - El transistor es un dispositivo muy sensible a la temperatura, su característica de hfe se afecta si aumenta su temperatura, es por eso que se recomienda, para transistores que trabaja a potencias medianas y altas, el uso de disipadores de aluminio. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 131 130 ELECTRÓNICA ANALÓGICA TAREA 4 MONTAJE DE CIRCUITO AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 132 131 ELECTRÓNICA ANALÓGICA +15 V 2,2 kΩ 1 μF + - VSALIDA 1 μF RL 4,7 kΩ 0,1 Vpp 1 kHz 220 kΩ 2,2 kΩ N° 01 02 ORDEN DE EJECUCIÓN 100 μF MATERIALES / INSTRUMENTOS ! 01 Generador de funciones. ! Verificar el estado de JFET ! Armar circuito amplificador con ! 01 Fuente de alimentación de CC. de 0 AISU. transistor JFET ! 03 JFETS MPF102 (25 K30A ó equivalente). ! 04 Resistores: 1 KΩ, 2,2 kΩ, 4,7 kΩ, 220 kΩ, todos de 1/4 W. ! 03 Capacitores de 1 μF, 100 μF (16 V o más). ! 01 Potenciómetro 4,7 kΩ. ! 01 Osciloscopio 01 01 PZA. CANT. DENOMINACIÓN Montaje de circuito amplificador con transistor de efecto de campo PERÚ CONTROLISTA DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 133 MATERIAL H.T. 04 OBSERVACIONES REF TIEMPO HOJA 1/1 ESCALA: 2004 132 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN Armar circuito amplificador con transistor JFET Desde que la curva de la trasnconductancia del JFET es parabólica, la operación de amplificación de surtidor o fuente común produce una distorsión cuadrática, por esto un amplificador de surtidor o fuente común es generalmente preferido para operar en señal pequeña. Los amplificadores a JFET no pueden competir con los amplificadores a transistores bipolares cuando la ganancia de tensión está en juego. Debido al hecho que gm es relativamente bajo, el amplificador de surtidor o fuente común típico tiene una ganancia de tensión relativamente bajo. El amplificador de drenador común, más conocido como surtidor seguidor, es análogo al amplificador seguidor de emisor. La ganancia de tensión se aproxima a la unidad y la impedancia de entrada se aproxima al infinito, limitado sólo por los resistores externos conectados al terminal de compuerta.. El surtidor emisor es un circuito muy popular y se encuentra generalmente en la entrada de los instrumentos de medida. PROCESO DE EJECUCIÓN 1. Suponga que el JFET de la figura tiene un gm típico de 2000 μS. Calcule la ganancia de tensión sin carga, la tensión de salida y la impedancia de salida. Anote sus respuestas en la tabla1. +15 V 2,2 kΩ 1 μF + - VSALIDA 1 μF - + RL MPF 102 0,1 Vpp 1 kHz 220 kΩ + 2,2 kΩ - 100 μF Figura 1. 2. Monte el circuito con RL con valor igual al infinito (sin resistor de carga). 3. Ajuste el generador de funciones a 1kHz con un nivel de señal de 0,1 Vpp en la entrada. 4. Observe la señal en la salida. Ella debe tener una señal amplificada. Mida y anote la tensión de salida pico a pico. Después calcule la ganancia de tensión. Anote sus respuestas como medida A en la tabla 1. 5. Conecte el potenciómetro de 4,7 kΩ como carga variable. Ajuste esta carga hasta que la tensión en la salida sea la mitad de la tensión sin carga. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 134 133 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 6. Desconecte el potenciómetro y mida sus resistencia. Anote este valor como Vsalida en la tabla 1. Observación: Acaba de encontrar la impedancia de Thévenin o de salida por el método de emparejamiento de impedancias. 7. Repita los pasos 1 al 6 usando ahora los otros JFETs. SURTIDOR COMÚN 8. Suponga que el valor típico de gm sea de 2000 μS en la figura 2. Calcule la ganancia de tensión sin carga, la tensión de salida y la impedancia de salida. Anote sus respuestas en la tabla 2. 9. Monte el circuito con RL igual al infinito. Ajuste la frecuencia a 1 kHz y el nivel de la señal de 1 Vpp en la entrada. +15 V C1 1 μF - MPF 102 + C2 100 μF 0,1 Vpp + - VSALIDA R1 1 kHz 220 kΩ R2 2,2 kΩ RL Figura 2. 10. Mida y anote la tensión de salida. Calcule la ganancia de tensión y anote este valor como A en la tabla 2. 11. Mida y anote la impedancia de salida por el método de emparejamiento de impedancias, usado anteriormente. 12. Repita el paso 7 usando ahora los otros JFETs. Repita los pasos 8 al 11 usando los otros JFETs. VERIFICACIÓN DE DEFECTOS 13. En la tabla 3 están listados síntomas cc y ca para el diagrama de la figura 2. ¿Qué tipos de defectos podrían producir tales síntomas? Antes de cada respuesta deberá simular el defecto en el circuito. Después mida y anote las tensiones cc y ca para verificar si el defecto causa el referido síntoma. Anote el defecto en la tabla 3. 14. Repita el paso 13 para los otros síntomas listados. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 135 134 ELECTRÓNICA ANALÓGICA PROYECTO 15. Diseñe el diagrama de un surtidor de fuente como el de la figura 2, por ejemplo con polarización por divisor de tensión. Suponga que VGS sea -2V. Determine los valores de R1 y R2 para que la tensión VS sea de +7,5V. Anote los valores de los resistores en la parte superior de la tabla 4. 16. Monte el surtidor de fuente que diagramó. Mida la tensión cc en el terminal de la fuente. Anote VS en la tabla 4. Ahora ajuste la tensión de entrada a 1 Vpp. Mida la tensión ca de salida. Calcule y anote la ganancia de tensión sin carga. 17. Repita e paso 16 para cada JFET. RESULTADO DEL LABORATORIO Tabla 1. Amplificador surtidor común Calculado JFET Vsalida Medido Vsalida A Vsalida Vsalida A 1 2 3 Tabla 2. Amplificador surtidor seguidor Calculado JFET Vsalida Medido Vsalida A Vsalida Vsalida A 1 2 3 Tabla 3. Verificador de defectos Síntomas cc Síntomas ca VG VD VS Vg Vd Vs Vsalida 0 0 0 0 15 V 15 V 15 V 0 3,7 V 3,7 V 3,7 V 0 1V 1V 0 1V 0 0 0 0 0 0 0,82 V 0 0 0 0 0 Tabla 4. Proyecto R1 = JFET Defecto R2 = VS A 1 2 3 CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 136 135 ELECTRÓNICA ANALÓGICA CUESTIONARIO PARA EL LABORATORIO 1. La ganancia de tensión calculada de la tabla 31,1 es aproximadamente: a) 0,44 b) 1 c) 4,4 d) 9,4 c) 5 kΩ d) 220 kΩ 2. La impedancia de salida es próxima a: a) 407 Ω b) 2,2 kΩ 3. La ganancia de tensión de surtidor de fuente fue aproximadamente de: a) 0,5 b) 0,8 c) 1 d) 4,4 4. El surtidor de fuente tuvo una impedancia e salida próxima a: a) 0 b) 100 Ω c) 200 Ω d) 400 Ω 5. La ventaja principal de un amplificador a JFET es: a) Su alta ganancia de tensión b) Su baja corriente de drenaje c) Su alta impedancia de entrada d) Su alto valor de transconductancia 6. Compare la ganancia de tensión de un amplificador surtidor común como el de la figura 31,1 con un amplificador de emisor común con transistor bipolar. VERIFICACIÓN DE DEFECTOS 7. En al figura 31,2 , todos los valores de tensión cc están normales. La tensión ca en la compuerta y la tensión en el terminal de la fuente están normales. No hay tensión en la salida. ¿Cuál debe ser el defecto más probable? 8. Todos los valores de tensión están normales en la figura 31,2. Todas las tensiones ca son cero. ¿Cuál debe ser el defecto más probable? PROYECTO 9. ¿Cómo obtuvo los valores R1 y R2? CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 137 136 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN Verificar el estado de JFET. El transistor JFET (JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR) o transistor de efecto de campo de juntura es un dispositivo unipolar por que su operación depende de un solo tipo de portador de carga. Los JFET pueden ser de canal N o canal P Los transistores JFET se emplean en circuitos amplificadores y circuitos de conmutación tales como circuitos inversores o variadores de frecuencia para el control de motores eléctricos. SÍMBOLO El siguiente es el símbolo del JFET. D D G D D: DRENADOR N G: GATE O COMPUERTA G S: SURTIDOR S TRANSISTOR JFET DE CANAL N G P P S TRANSISTOR JFET DE CANAL P S ESTRUCTURA FÍSICA ASPECTO FÍSICO DE ALGUNOS JFET CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 138 137 ELECTRÓNICA ANALÓGICA IDENTIFICACIÓN DE LOS TERMINALES DEL JFET Para identificar los terminales del transistor JFET-canal N se sigue el mismo procedimiento de la verificación de los terminales del transistor BJT, tipo NPN. Se considera las siguientes equivalencias con el BJT. El drenador equivale al Colector El surtidor equivale al Emisor La compuerta o Gate equivale a la Base PROCESO DE EJECUCIÓN 1. Solicite un transistor JFET, canal N 2. Identificar la compuerta o Gate haciendo uso del ohmímetro. 3. Efectúe los siguientes montajes. 1 2 3 1 2 3 OHM + OHM - 1 2 3 MHO POSICIÓN 2 OHM OHM + OHM POSICIÓN 1 POSICIÓN 3 4. En cuál de las tres posiciones obtuvo la condición de BAJA RESISTENCIA /BAJA RESISTENCIA ? 5. ¿Qué terminal le corresponde a la compuerta o Gate? PRUEBA DEL JFET CON EL OHMÍMETRO BAJA/ALTA +/- -/+ OHM D G OHM R1/R2 S +/- +/- Un JFET canal N en buenas condiciones, empleando el ohmímetro debe indicar lo siguiente : -/+ OHM -/+ BAJA/ALTA CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 139 138 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Observe que entre drenador y surtidor, a diferencia del transistor BJT, en el JFET nos indica un cierto valor de resistencia, porque se trata de una barra de silicio. PROCESO DE EJECUCIÓN 1. Inserte el JFET en el protoboard, ayudandose con el alicate de puntas. No doble los terminales del JFET. 2. Realice los siguientes montajes, e indique si las lecturas con el ohmímetro son de BAJA o ALTA resistencia. + OHM - D C S D OHM + D C S D G G S + OHM S - Lectura con el ohmímetro OHM + Lectura con el ohmímetro D D G C S D OHM C S D S + + G OHM - S - Lectura con el ohmímetro OHM OHM + + Lectura con el ohmímetro CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 140 139 ELECTRÓNICA ANALÓGICA D G C S D OHM C S D OHM G - S - D + OHM S + + Lectura con el ohmímetro OHM + - Lectura con el ohmímetro 3. Determine la condición de operatividad del JFET canal N 4. Usando el manual de semiconductores ECG complete la siguiente tabla Número del transistor Descripción VGS (off) IDSS BVGSS Transconductancia 5. Escriba sus conclusiones. CURVA CARACTERÍSTICA DEL JFET ID (mA) 8 VGS= 0 V La siguiente es la familia de curvas características del JFET. Observe que mientras en el transistor BJT se obtenía una curva para cada valor de corriente de Base (IB); en el JFET se obtiene una curva para cada valor de voltaje entre Gate y surtidor (VGS), lo que indica que el JFET se controla por tensión, mientras que el BJT se controla por corriente. -1 V 6 -2 V 4 -3 V -4 V 2 -5 V 5 10 15 VDS (voltios) CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 141 140 ELECTRÓNICA ANALÓGICA PROCESO DE EJECUCIÓN 1. Monte el siguiente circuito. 220 V 6V - + CH1 D 2V G 20 kΩ + 3,9 kΩ S GND 1 kΩ -CH2 2. En el osciloscopio, presione la tecla INVERT para seleccionar -CH2. 3. En el osciloscopio presione la tecla X,Y 4. Ubique el punto en el centro de la pantalla del osciloscopio con una intensidad de brillo moderada. 5. Coloque el control VOLTIOS/DIV de CH1 en 2 Voltios. 6. Coloque el control VOLTIOS/DIV de CH2 en 2 Voltios. 7. Lentamente varíe el potenciómetro. Ahora deberá visualizar una curva para cada posición del potenciómetro. 8. Dibuje la familia de curvas características del transistor JFET canal N. 9. Escriba sus conclusiones ESPECIFICACIÓN TÉCNICA DEL TRANSISTOR JFET canal N. Un transistor JFET canal N se especifica indicando: 1. El código o número del transistor. Por ejemplo: Un transistor ECG 312. 2. Sus parámetros importantes: Tipo, gms, VGS (off), Idss. Por ejemplo: Un transistor JFET canal N, 5500 μSiemens, 6 Voltios, 5¨- 15 mAmperios. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 142 141 ELECTRÓNICA ANALÓGICA AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET GENERALIDADES: El transistor de efecto de campo (FET) (por las siglas en inglés Fielld Effect Transistor) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza para aplicaciones diversas que se asemejan en una gran proporción, a las del transistor BJT. Aunque existen importantes diferencias entre los dos tipos de dispositivos, también es cierto que tienen muchas similitudes. La diferencia básica entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje como se muestra en la figura b. En otras palabras, la corriente IC de la figura 1a es una función directa del nivel de IB. Para el FET la corriente ID será una función de voltaje VGS aplicado al circuito de entrada como se muestra en la figura b. En cada caso, la corriente del circuito de salida está controlado por un parámetro del circuito de entrada, en un caso se trata de un nivel de corriente y en el otro de un voltaje aplicado. IC ID (Corriente de control)IR BJT FET + (Voltaje de control)VGS - (a) (b) Figura 1. Amplificadores controlados por a)corriente y b) voltaje De la misma manera que existen transistores bipolares npn y pnp, hay transistores de efecto de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante considerar que el transistor BJT es un dispositivo bipolar; el prefijo bi indica que el nivel de conducción es una función de dos portadores de carga, los electrones y los huecos. El FET es un dispositivo unipolar que depende únicamente de la conducción o bien, de electrones (canal -n) o de huecos (canal -p. El término “efecto de campo” en el nombre seleccionado merece cierta explicación. Toda la gente conoce la capacidad de un imán permanente para atraer limaduras de metal hacia él sin la necesidad de un contacto real. Uno de los rasgos más importantes del FET es una gran impedancia e entrada. A un nivel desde 1 a varios cientos de megaohms excede por mucho los niveles típicos de resistencia de entrada de las configuraciones con transistor BJT, un punto muy importante en el diseño de amplificadores lineales de ac. Por otro lado, el transistor BJT, tiene una sensibilidad mucho más alta a los cambios en la señal aplicada; es decir, la variación en la corriente de salida es obviamente mucho mayor para el BJT, que la que produce en el FETpara el mismo cambio de voltaje aplicado. Por esta razón, las ganancias normales de voltaje en ac para los amplificadores a BJT son mucho mayores que para los FET. En general, los FET son más estables a la temperatura que los BJT, y los primeros son por lo general más pequeños en construcción que los BJT, lo cual los hace muco más útiles en los circuitos integrados (IC) (por las siglas en ingles de, Integrated Circuits). Sin embargo, las características de construcción de algunos FET los pueden hacer más sensibles al manejo que los BJT. En este capítulo se presentarán dos tipos de FET: el transistor de efecto de campo de unión (JFET) (por las siglas en inglés de, Junction Field Effect Transistor) y el transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) (por la siglas en inglés de Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect transistor). La categoría MOSFETse desglosa después en los tipos decremental e incremental. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 143 142 ELECTRÓNICA ANALÓGICA El transistor MOSFET se ha convertido en uno de los dispositivos más importantes en el diseño y construcción de los circuitos integrados para las computadoras digitales. Su estabilidad térmica y otras características generales lo hacen muy popular en el diseño de circuitos para computadoras. Sin embargo, como elemento discreto en un encapsulado típico de sombrero alto, se debe manipular con cuidado. CONSTRUCCIÓN Y CARACTERÍSTICAS DE LOS JFET Como se indicó anteriormente, el JFET es un dispositivo de tres terminales, con una terminal capaz de controlar la corriente de las otras dos. La construcción básica del JFET de canal -n se muestra en la figura 2. Obsérvese que la mayor parte de la estructura es del material de tipo n que forma el canal entre las capas interiores del material del tipo -p. La parte superior del canal de tipo n se encuentra conectada por medio de un contacto óhmico a la terminal referida como el drenaje (D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de un contacto óhmico a una terminal referida como la fuente (S) (por su sigla en inglés, Source). Los dos materiales de tipo p se encuentran conectado entre sí y también a una terminal de compuerta (G) (por la sigla en inglés de, Gate). Por tanto, el drenaje y la fuente se hallan conectadas a los extremos del canal de tipo n y la entrada a las dos capas de material de tipo p. Durante la ausencia e cualesquiera potenciales aplicados el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarización. El resultado es una región de agotamiento en cada unión, como se muestra en la figura 2 la cual se asemeja a la región de un diodo sin polarización. Recuerde también que la región de agotamiento es aquella que no presenta portadores libres y es, por tanto, incapaz de soportar la conducción a través de la región. Drenaje Contactos óhmicos Canal - n Compuerta (G) Figura 2. Transistor de efecto de campo de unión (JFET) n Región de agotamiento Región de agotamiento Fuente Fuente(S) En raras ocasiones son perfectas las analogías y aveces pueden causar confusiones; sin embargo, la analogía de la figura 3 proporciona cierto sentido sobre el control del JFET a través de la terminal de compuerta y acerca de lo adecuado de la terminología aplicada a las terminales del dispositivo. La fuente de la presión del agua se parece al voltaje aplicado desde el drenaje a la fuente que establecerá un flujo de agua (electrones), a través de la llave (fuente). La “compuerta”, mediante una señal aplicada (potencial), controla el flujo de agua (carga) hacia el “drenaje”. Las terminales del drenaje y de la fuente se encuentran en los extremos opuestos del canal -n como en la figura 2 porque la terminología está definida para el flujo de electrones. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 144 Compuerta Drenaje Figura 3. Analogía hidráulica para el mecanismo de control del JFET. 143 ELECTRÓNICA ANALÓGICA VGS = 0, VDS algún valor positivo En la figura 4 se ha aplicado un voltaje positivo VDS a través del canal, y la entrada se conectó directamente a la fuente con objeto de establecer la condición VGS = 0 V. El resultado es que la compuerta y la fuente tienen el mismo potencial y una región de agotamiento en el extremo inferior de cada material p similar a la distribución de la condición de sin polarización de la figura 2. En el instante en que se aplica el voltaje el voltaje VDD (= VDS), los electrones serán atraídos a la terminal del drenaje, estableciendose la corriente convencional ID con la dirección definida de la figura 4. La trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las corriente de drenaje y fuente son equivalentes (ID = IS). Bajo las condiciones que aparecen en la figura 4, el flujo de carga se encuentra relativamente sin ninguna restricción y sólo lo limita la resistencia del canal -n entre el drenaje y la fuente. + 2v + D IS Región de agotamiento + 1.5v e 1.5v + e 1v G + VDD n VDS e VGS = 0v S IS VDS= 2v 0.5v + e 1v + 0.5v - 0v _ Figura 5. Potenciales variables y polarización inversa a través de unión p-n de un JFET de canal -n Figura 4. JFET en VGS = 0 V y VDS >0 V Es importante observar que la región de agotamiento es más amplia cerca de la parte superior de ambos materiales de tipo p. La razón por el cambio de tamaño de la región se describe mejor por medio de la ayuda de la figura 5. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal -n la resistencia del canal se puede desglosar en las divisiones que aparecen en la figura 5. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a través del canal que se indican en la misma figura. El resultado es que la región superior del material de tipo p estará polarizada de manera inversa con cerca de 1,5 V, con la región inferior polarizada en forma inversa únicamente con 0,5 V. Recuerde a partir de la discusión de la operación del diodo, que mientras mayor es la polarización inversa aplicada, más ancha es la región de agotamiento, de ahí que la distribución de la región de agotamiento es como se muestra en la figura 5. El hecho de que la unión p-n esté polarizada de forma inversa a través de toda la longitud del canal ocasiona una corriente en la entrada de cero amperes como se muestra en la misma figura. El hecho de que IG = 0 A es una característica importante del JFET. En cuanto el voltaje VDS se incrementa desde 0 a unos cuantos volts, la corriente aumenta como lo determina la ley de Ohm y la gráfica de ID en función de VDS aparece de acuerdo con la figura 6. La relativa rectitud de la gráfica indica que para la región de valores pequeños de VDS, la resistencia es en esencia constante. Cuando VDS se eleva y se acerca al nivel referido como VP en la figura 6, las regiones de agotamiento de la figura 4 se harán amplias ocasionando una reducción notable en el ancho del canal. La trayectoria e conducción reducida causa que se incremente la resistencia, lo que ocasiona la curva en la gráfica 6. Mientras más horizontal es la curva, mayor la resistencia, los que sugiere que la resistencia está alcanzando un número “infinito” de ohms en la región horizontal. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 145 144 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Si VDS se eleva a un nivel donde parece que las dos regiones de agotamiento se “tocan”, como se muestra en la figura 7 resultará una condición referida como estrechamiento. Al nivel de VDS que establece esta condición se le conoce como voltaje de estrechamiento y se denomina como VP (por su sigla en inglés, Pinch-off), como se muestra en la figura 6. En realidad, el término “estrechamiento” es un nombre inapropiado que sugiere que la corriente ID se detiene y que cae a 0 A. Sin embargo, como lo muestra la figura 6, éste difícilmente es el caso, porque ID mantiene un nivel de saturación como IDSS en la figura 6. En realidad , aún existe un pequeño canal con una corriente de densidad muy alta. El hecho de que ID no caiga con el estrechamiento y mantenga el nivel de saturación indicado en la figura 6 se verifica con el siguiente hecho la ausencia e una corriente de drenaje eliminaría la posibilidad de niveles de potencial diferentes a través del material del canal del material -n con objeto de establecer los niveles variantes de polarización inversa a lo largo de la unión p-n. El resultado sería una pérdida de la distribución de la región de agotamiento que motivó el estrechamiento inicial. Estrechamiento D ID IDSS Nivel de saturación VGS = 0V Aumento de la resistencia debido al estrechamiento del canal G VDS = VP + VGS = 0 Resistencia del canal-n 0 S VDS Figura 6. Figura 7. Mientras VDS se incremente más alla de VP, la región del encuentro cercano entre las dos regiones de agotamiento incrementa su longitud a lo largo del canal, pero el nivel de ID permanece esencialmente constante. Por tanto, una vez que VDS > VP, el JFET tiene las características de una fuente de corriente. Como se muestra en la figura 8, la corriente está fija en ID = IDSS, pero el voltaje VDS (para aquellos niveles >VP) está determinado por la carga aplicada. La elección de la notación IDSS se deriva del hecho de que es la corriente del drenaje a la fuente (por sigla en inglés de, Source) con una conexión de cortocircuito (por la sigla en inglés de, Short) de la entrada a la fuente. Mientras continúa la investigación de las características del dispositivo, tenemos que: Estrechamiento (VGS = 0v, VDS > VP) + ID = IDSS VDS CARGA - Figura 8. Fuente de corriente equivalente para VGS = 0v, VGS = 0v, VDS > |VP| IDSS es la corriente máxima de drenaje para un JFET y está definida mediante las condiciones VGS = 0 V y VDS > I VP I. Obsérvese en la figura 6 que VGS = 0 V para toda la curva. Los siguientes párrafos describen la manera en que las características de la figura 6 resultan afectadas por los cambios de VGS. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 146 145 ELECTRÓNICA ANALÓGICA VGS < 0 V El voltaje de la compuerta a la fuente denotado por VGS es el voltaje que controla al JFET. Así como se establecieron varias curvas para IC en función de VCE para diferentes niveles de IB y para el transistor BJT, se pueden desarrollar curvas de ID en función de VDS para varios niveles de VGS para el JFET. Para el dispositivo de canal -n el voltaje de control VGS se hace más y más negativo a partir de su nivel VGS = 0 V. Es decir, la terminal de la compuerta se hace a niveles de potencial más y más bajos en comparación con la fuente. En la figura 9 se aplica un voltaje negativo de -1 V entre las terminales de la compuerta y la fuente para un nivel bajo de VDS. El efecto del VGS aplicado de polaridad negativa es el de establecer regiones de agotamiento similares a las que se obtuvieron con VGS = 0 V, pero a niveles menores de VDS. Por tanto, el resultado de aplicar una polarización negativa en la compuerta es alcanzar un nivel de saturación a un nivel menor de VDS como se muestra en la figura 10 para VGS = -1 V. El nivel resultante de saturación para ID se ha reducido y de hecho continuará reduciéndose mientras VGS se hace todavía más negativo. Obsérvese también en la figura 10 la manera en que el voltaje de estrechamiento continúa cayendo en una trayectoria parabólica conforme VGS se hace más negativo. Eventualmente, cuando VGS = -VP, VGS será lo suficientemente negativo como para establecer un nivel de saturación que será en esencia 0 mA, por otro lado, para todos los propósitos prácticos el dispositivo ha sido “apagado”. En resumen: ID + D Figura 9. Aplicación de un voltaje negativa la entrada de un JFET. IG = 0A G + VDS > 0V 1V + ID (mA) IDSS 8 Ubicación de los valores de estrechamiento VGS = -1V Región de saturación Región óhmica S IS - VGS = 0V 7 6 5 VGS = -1V 4 3 2 VGS = -2V VGS = -3V VGS = -4V=VP 1 0 5 10 15 20 25 VDS = (V) VP (para VGS= 0V) Figura 10. Características del JFET de canal -n con IDSS = 8 mA y VP = 4 V. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 147 146 ELECTRÓNICA ANALÓGICA El nivel de VGS que da por resultado ID = 0 mA se encuentra definido por VGS = VP, siendo VP un voltaje negativo para los dispositivos de canal -n y un voltaje positivo para los JFET de canal -p. En la mayor parte de las hojas de especificaciones, el voltaje de estrechamiento se encuentra especificado como VGS (apagado) en vez de VP. La región a la derecha del estrechamiento en la figura 10 es la región empleada normalmente en los amplificadores lineales (amplificadores con una mínima distorsión de la señal aplicada), y se le refiere como la región de corriente constantes, saturación o región de amplificación lineal. Resistor controlado por voltaje La región a la izquierda del estrechamiento de la figura 10 es conocida como la región óhmica o de resistencia controlada por voltaje. En esta región al JFET se le usa en realidad como un resistor variable (posiblemente para un sistema de control de ganancia automática) cuya resistencia se encuentra controlada por medio del voltaje de la compuerta a la fuente. Obsérvese en la figura 10 que la pendiente para cada curva, y por tanto la resistencia del dispositivo entre el drenaje y la fuente para VDS < VP, es una función del voltaje aplicado VGS . rd = ro (1 - VGS/VP)² donde rO es la resistencia con VGS = 0V y rd es la resistencia en un nivel particular de VGS. Para un JFET de canal -n con rO igual a 10 kΩ (VGS = 0 V, VP = -6 V), la ecuación dará por resultado 40 kΩ en VGS = -3 V. Dispositivos del canal -p ID El JFET de canal -p está construido exactamente de la misma manera que el dispositivo de canal -n de la figura 2 con una inversión de los materiales tipo p y tipo n, como se muestra en la figura 11. Las direcciones de corriente definidas están invertidas, como las polaridades reales para los voltajes VGS y VDS. Para el dispositivo de canal -p, éste será estrechado mediante voltajes crecientes positivos de la compuerta a la fuente, y la notación de doble subíndice para VDS, por tanto, dará como resultado voltajes para VDS sobre las características de la figura 12 la cual tiene una IDSS de 6 mA y un voltaje de estrechamiento de VGS = +6V. No se debe confundir por el signo de menos para VDS. Éste simplemente indica que la fuente se encuentra a un potencial mayor que el drenaje. D + + + IG = 0A G + n VDS n + + VGG - VGS = VGG - + VDD - + p + S IS - Figura 11. JFET de canal- p CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 148 147 ELECTRÓNICA ANALÓGICA IDS(mA) 7 VGS = +0V 6 5 Figura 12. Características de JFET de canal-p con IDSS = 6 mA y VP = +6 V. VGS = +1V 4 VGS = +2V 3 Región de ruptura VGS = +3V 2 VGS = +4V 1 0 -5 -10 -15 VGS = +5V -20 -25 VDS Se observa en los niveles altos de VDS que la curvas suben repentinamente a niveles que parecen ilimitados. El crecimiento vertical es una indicación de que ha sucedido una ruptura y que la corriente a través el canal (en la misma dirección en que normalmente se encuentra) ahora está limitada únicamente por el circuito externo. Aunque no aparece en la figura 10 para el dispositivo de canal -n, sucede para el canal -n cuando se aplica suficiente voltaje. Esta región puede evitarse si el nivel de VDS máx ,de las hojas de especificaciones, y el diseño es tal, que en nivel tal de VDS es menor que el valor máximo para todos lo valores de VGS. Símbolos Los símbolos gráficos para los JFET de canal -n y de canal -p se presentan en la figura 13. Obsérvese que la flecha se encuentra apuntando hacia adentro para el dispositivo de canal -n de la figura 13a, con objeto de representar la dirección en la cual fluiría IG si la unión p-n tuviera polarización directa. La única diferencia en el símbolo es la dirección de la flecha para el dispositivo de canal -p (figura 13b). D D + + ID ID G G VDS + VGS VDS + VGS - - S S Figura 13. Símbolos del JFET: a) de canal - n b) de canal - p Resumen Una cantidad importante de parámetros y relaciones se presentaron ene esta sección. Otros, cuya referencia será frecuente en el análisis de este capítulo, así como el siguiente para los JFET de canal n, se describen a continuación: La corriente máxima se encuentra definida como IDSS y ocurre cuando VGS = 0V y VDS > I VP I como se muestra en la figura 14a. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 149 148 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Para los voltajes de la compuerta en la fuente VGS menores que (más negativos que) el nivel de estrechamiento, la corriente de drenaje es igual a 0 A (ID = 0A), como aparece en la figura 14b. Para todos los niveles de VGS entre 0V y el nivel de estrechamiento, la corriente ID se encontrará en el rango entre IDSS y 0V, respectivamente, como se encuentra en la figura 14c. Se puede desarrollar una lista similar para los JFET de canal -p. D G + ID = IDSS + VDD > |VP | VGG - S + ID = 0A + VGS VGS = 0V D VGS = -VGG G VDD VGS + - S |VGG| > |VP | (a) D G (b) 0 mA < ID < IDSS ID + VGG + Figura 14. a) VGS = 0V, ID = IDSS b) corte (ID = 0A) VGS es menor que el nivel de estrechamiento; c) ID se encuentra entre 0 A e IDSS cuando VGS es menor o igual a 0 V y mayor que el nivel de estrechamiento. + VDD VGS - S (c) CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA Derivación Para el transistor BJT la corriente de salida IC y la corriente de control IB fueron relacionada por beta, considerada como constante para el análisis que fué desarrollado. En forma de ecuación, Variable de control IC = ƒ(IB) = βIB (1) Constante En la ecuación (1) existe una relación lineal entre IC e IB. Si se duplica el nivel de IB e IC, se incrementará también por un factor de 2. Desafortunadamente, esta relación lineal no existe entre las cantidades de salida y de enterada de un JFET. La relación entre ID y VGS se encuentra definida por la ecuación de Shockley: Variable de control ID = IDSS (1 - VGS )² VP (2) Constante CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 150 149 ELECTRÓNICA ANALÓGICA El término cuadrático de la ecuación dará por resultado una relación no lineal entre ID y VGS, produciendo una curva que crece exponencialmente con las magnitudes decrecientes de VGS. Para el análisis en dc, un sistema gráfico más que matemático será, en general, más directo y fácil de aplicarse. Sin embargo, la aplicación gráfica requerirá de una gráfica de la ecuación (2) con objeto de representar el dispositivo, y una gráfica de la ecuación de red que relacione las misma variables. La solución está definida por el punto de intersección de las dos curvas. Es importante considerar al aplicar la aproximación gráfica que las características del dispositivo no serán afectadas por la red en la cual se utilice el dispositivo. La ecuación de la red puede cambiar con la intersección de las dos curvas, pero la curva de transferencia definida por la ecuación (2) permanece sin resultar afectada. Por lo tanto: Las características de transferencia definidas por la ecuación de Shockley no resultan afectadas por la red en la cual se utiliza el dispositivo. Se puede obtener la curva de transferencia utilizando la ecuación de Shockley o a partir de las características de salida de la figura 10. En la figura 15 se proporcionan dos gráficas: una es de ID en función de VDS y la otra es la de ID en función de VGS. ID (mA) ID (mA) 10 10 9 9 IDSS 8 8 7 7 6 6 IDSS VGS= 0V 5 5 4 4 VGS= -1 V 3 3 2 2 VGS= -2 V VGS= -3 V VGS= -4 V 1 1 -4 VGS (V) -3 -2 0 -1 0 5 10 15 20 25 VDS ID = 0 mA, VGS = VP Figura 15. Curva de transferencia para la característica de drenaje RELACIONES IMPORTANTES JFET BJT D C ID IC Figura 16. a) JFET contra b) BJT IG = 0 A ( G ID = IDSS 1 - + ) VGS ² VP IB B IC = βIB + JFET VBE = 0,7 V VGS IS (a) - IE (b) S E CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 151 ID = IDSS V (1 - GS )² VP BJT IC = βIB ID = IDS ~ IE IC = IG ~ = 0A VBE ~ = 0,7 V 150 ELECTRÓNICA ANALÓGICA POLARIZACIÓN DEL FET La diferencia entre el análisis de los transistores BJT y FET es que la variable de entrada que controla el transistor BJT es el nivel de la corriente, mientras que para el FET la variable de control es un voltaje. Sin embargo, en ambos casos la variable de salida controlada es un nivel de corriente que también define los niveles importantes de voltaje del circuito de salida. Las relaciones generales que pueden aplicarse al análisis en dc de todos los amplificadores a FET son: IG ~ =0A ID = IS e La ecuación de Shockley se aplica con objeto de relacionar las cantidades de entrada y de salida para los JFET y los MOSFET de tipo decremental: ID = IDSS (1 - VGS )² VP Para los MOSFET de tipo incremental puede aplicarse la siguiente ecuación: ID = k(VGS - VT)² CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN En la figura 17 aparece el arreglo de polarización más simple para el JFET de canal -n. Conocido como la configuración de polarización fija, las cuales es una de las pocas configuraciones a FET que pueden resolverse directamente tanto con un método matemático como con uno gráfico. Ambos métodos están incluidos en esta sección con dos objetivos: para demostrar la diferencia entre ambas filosofías y para establecer el hecho de que puede obtenerse la misma solución utilizando cualquier método. La configuración de la figura 17 incluye los niveles de ac Vi y Vo y los capacitores de acoplamiento (C1 y C2 ). Recuerde que los capacitores de acoplamiento son “circuitos abiertos” para el análisis en dc e impedancias bajas (esencialmente cortos circuitos) para el análisis en ac. El resistor RG está presente para asegurar que V1 aparezca en la entrada del amplificador a FET. IG ~ =0A VRG = IGRG = ( 0A)RG = 0 V y La caída de cero Volts a través de RG permite reemplazar VG por un corto circuito equivalente, como el qu aparece en la red de la figura 18 redibujado de manera específica para el análisis en dc. VDD VDD ID RD RD D G VP + C1 + G C2 vi RG D + vo VGG S + VGS - S - VGG Figura 17. Configuración de polarización fija Figura 18. Red para el análisis en dc CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 152 151 ELECTRÓNICA ANALÓGICA El hecho de la terminal negativa de la batería esté conectada en forma directa al potencial positivo definido VGS refleja bien que la polarización de VGS está colocada de manera opuesta y directamente a la de VGG. Al aplicar la ley e voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj en la malla indicada e la figura 18 se tiene -VGG -VGS = 0 VGG = -VGS y Debido a que VGG es una fuente fija de dc, el voltaje VGS es de una magnitud fija, lo que da por resultado la notación “configuración de polarización fija”. Ahora, el nivel resultante de corriente de drenaje ID lo controla la ecuación de Shockley: VGS )² VP ID = IDSS (1 - Ya que VGS resulta una cantidad fija para esta configuración, su magnitud y signo pueden sustituirse con facilidad en la ecuación de Shockley, además de calcular el nivel resultante de VD. Este es uno de los pocos casos en que una solución matemática es muy directa para una configuración a FET. En la figura 19 se muestra un análisis gráfico que hubiera requerido una gráfica de la ecuación de Shockely. Es importante recordar que la elección de VGS = VP /2 dará por resultado una corriente de drenaje IDSS /4 cuando se grafique la ecuación. Para el análisis de este capítulo serán suficientes los tres puntos definidos po IDSS, VP y la intersección recién descrita con objeto de graficar la curva. ID (mA) ID SS IDSS 4 VP VP 2 0 VGS Figura 19. Gráfica de la ecuación de En la figura 20 se ha sobrepuesto el nivel fijo de VGS como una línea vertical en VGS = - VGG. En cualquier punto de la línea vertical el nivel de VGS es de -VGG; el nivel de ID simplemente debe estar determinado en esta línea vertical. El punto donde se intersecan ambas curvas ID (mA) ID SS Red Punto Q (solución) VP ID VGS =VGG Q 0 Q VGS CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 153 Figura20. Búsqueda de la solución para la configuración de polarización fija. 152 ELECTRÓNICA ANALÓGICA es la solución común para la configuración, y se conoce como el punto de operación estable. La literal Q será aplicada a la corriente de drenaje, y el voltaje de la compuerta a la fuente con objeto de identificar sus niveles en el punto Q. Se observa en la figura 20 que el nivel estable de ID puede determinarse al dibujar una línea horizontal desde el punto Q al eje vertical ID igual que en la figura 20. Es necesario mencionar que una vez que la red de la figura 17 esté construida y operando, los niveles de dc d ID y de VGS que serán medidos por los instrumentos de la figura 21 son los valores estables que se definen en la figura 20. VDD VGS + Q ID Multiamperímetro C Voltímetro RD Punta de prueba roja + - G VGG S Punta de prueba negra Figura21. Medición de los valores del punto de operación estable ID y VGS El voltaje del drenaje de la fuente de la sección de salida puede calcularse si se aplica la ley de voltaje de Kirchhoff de la siguiente manera: +VDS =IDRD - VDD = 0 y VDS = VDD - IDRD VS = 0 V VDS = VD - VS o y VD = VDS + VS = VDS + 0 V VD = VDS Además VGS = VG - VS o VG = VGS + VS = VGS + 0 V y VG = VGS El hecho de que VD =VDS y que VG = VGS parece obvio a partir del hecho de que VS = 0 V, pero también se incluyeron las derivaciones anteriores con objeto de enfatizar la relación entre la notación de doble subíndice y de un solo subíndice. Ya que la configuración necesita de dos fuentes de dc, su empleo está limitado, y no podrá incluirse en la siguiente lista de configuraciones FET más comunes. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 154 153 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Ejemplo Calcular lo siguiente para la red de la figura 22. a) VGS Q b) ID Q c) VDS Figura 22. d) VD e) VG f ) VS 16 V 2 kΩ D G IDSS = 10 mA VP = -8 V + VGS 1 MΩ - S Solución + Método matemático: 2V a) VGS = -VGG = -2 V Q b) ID =IDSS (1 Q VGS )² = 10 mA (1 - -2V )² VP -8V = 10 mA (1 - 0,25)² = 10 mA (0,75)² = 10 mA (0,5625) = 5,625 mA c) VDS = VDD - IDRD = 16 V - (5,625 mA)(2 kΩ) = 16 V - 11,25 V = 4,75 V d) VD = VDS = 4,75 V e) VG = VGS = -2 V f ) VS = 0 V Método gráfico: La curva de Shockley resultante y la línea vertical en VGS = -2 V se proporcionan en la figura 23. Es verdad que es difícil leer más alla del segundo decimal sin ID (mA) ID SS = 10 mA 9 8 7 6 Punto Q 5 ID = 5,6 mA Q 4 3 IDSS 2 4 = 2,5 mA 1 0 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 VP = -8V VGS = VGG = -2V VP Q = -4 2 CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 155 VGS Figura 23. Solución gráfica 154 ELECTRÓNICA ANALÓGICA aumentar significativamente el tamaño de la figura, pero a partir de la gráfica de la figura 23 es bastante aceptable una solución de 5,6 mA. Por tanto, para el inciso a, VGS = -VGG = -2 V Q b) ID = 5,6 mA Q c) VGS = VDD - IDRD = 16 V - (5,6 mA)(2 kΩ) = 16 V - 11,2 V = 4,8 V d) VD = VDS = 4,8 V e) VG = VGS = -2 V f ) VS = 0 V Los resultados confirman con claridad el hecho de que los sistemas matemático y gráfico generan soluciones muy cercanas. CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN La configuración de autopolarización elimina la necesidad de dos fuentes de dc. El voltaje de control de la compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a través del resistor RS, que se conecta en la terminal de la fuente de configuración como se muestra en la figura 24. VDD VDD ID ID RD RD vo D G via D G C2 + C1 RG VP + VGS VGS - + VRS - S RS Figura 24. Configuración de autopolarización para JFET S RS IS = ID Figura 25. Análisis en dc de la configuración de autopolarización Para el análisis en dc los capacitores pueden reemplazarse una vez más por “circuitos abiertos”, y el resistor RG puede cambiarse por un cortocircuito equivalente dado que IG = 0 A. El resultado es la red de la figura 25 para el análisis en dc. La corriente a través de RS es la corriente de la fuente IS, pero IS = ID y VRs = IDRS Para el lazo cerrado que se indicó en la figura 25 se tiene que -VGS - VRs = 0 y VGS = -VRs o VGS = -ID RS CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 156 155 ELECTRÓNICA ANALÓGICA En este caso podemos ver que VGS es una función de la coriente de salida ID y no fija en magnitud, como ocurrió para la configuración de polarización fija. La ecuación está definida por la configuración de la red, y la ecuación de Shockley relaciona las cantidades de entrada y de salida del dispositivo. Ambas ecuaciones relacionan las mismas dos variables, y permiten tanto una solución matemática como una gráfica. Puede conseguirse una solución matemática mediante la simple sustitución de la ecuación de Shockley como mostramos a continuación: V ² ID = IDSS 1 - GS VP = IDSS ID = IDSS o ( ) (1 - -I VR ) ² (1 + IVR )² D S P D S P Al desarrollar el término cuadrático que se indica y al reorganizar los términos, puede lograrse una ecuación de la siguiente forma: ID² + K1ID + K2 = 0 Puede resolverse la ecuación cuadrática para la solución adecuada de ID. La secuencia anterior define el método matemático. El método gráfico requiere que primero se establezcan las características de transferencia del dispositivo como se muestra en la figura 26. Debido a que la ecuación define una línea recta en la misma gráfica, primero se identifican dos puntos sobre la gráfica que se localizan sobre la línea y simplemente se dibuja una línea recta entre ambos puntos. la condición más obvia de aplicación es ID = 0 A, ya que da por resultado VGS = -IDRS = (0 A)RS = 0 V. Por tanto, para la ecuación se define un punto sobre la línea recta mediante ID = 0 A y VGS = 0 V, tal como aparece en la figura 26. ID (mA) ID SS IDSS 4 VGS = 0V · ID = 0A (VGS = -IDRS) VP VP 2 0 VGS Figura 26. Definición de un punto sobre la recta de autopolarización El segundo punto para la ecuación requiere de la selección de un nivel de VGS o de ID y calcular el valor correspondiente de la otra cantidad con la ayuda de la ecuación. Los niveles resultantes de ID y de VGS después definirán otro punto sobre la línea recta y permitirán un dibujo de dicha línea. Se supone, por ejemplo, que se selecciona un nivel de ID igual a la mitad del nivel de saturación, esto es, ID = Luego IDSS 2 VGS = -IDRS = - IDSSRS 2 CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 157 156 ELECTRÓNICA ANALÓGICA El resultado es un segundo punto con el objeto de dibujar la línea recta como se muestra en la figura 27. Luego se dibuja la línea recta por medio de la ecuación y se obtiene el punto estable en la intersección de la línea recta y la curva característica del dispositivo. Los valores estables de ID y de VGS pueden determinarse y utilizarse para encontrar las otras cantidades de interés. Puede calcularse el valor de VDS si aplicamos la ley de voltaje de Kirchoff al circuito de salida, lo que da por resultado ID (mA) VR S + VDS + VR o - VDD = 0 ID SS y VDS = VDD - VR S - VR o = VDD - ISRS - IDRD pero ID = IS VDS = VDD - ID (RS + RD) y IDSS 2 Además Punto Q ID VS = ID RS VG= 0 V VD = VDS + VS = VDD - VR Q VGS = Q 0 VGS VP y Q VGS -IDSSRS 2 Figura 27. Trazo de la recta de autopolarización Ejemplo: Calcular lo siguiente para la red de la figura 28. 20V a) VGSQ b) IDQ c) VDS d) VS e) VG f ) VD ID 3,3 kΩ D G IDSS = 8 mA VP = -6 V + 1 MΩ Figura 28. Configuración de autopolarización VGS RS S 1 kΩ Solución a) El voltaje compuerta - fuente se determina por VGS = -ID RS Si elige ID = 4 mA, se obtiene VGS = -(4 mA)(1 kΩ) = -4 V CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 158 157 ELECTRÓNICA ANALÓGICA El resultado es la gráfica de la figura 29 como se definió mediante la red. ID (mA) ID = 8 mA, VGS = -8 V 8 7 ID = 4 mA, VGS = -4 V Red 6 Figura 29. Trazo de la recta de autopolarización para la red de la figura 28 5 4 3 2 1 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 VGS = 0V, ID = 0 mA VGS (V) En caso de elegir ID = 8 mA, el valor de VGS resultante sería de -8 V, como se muestra en la misma gráfica. En cualquier caso se obtendrá la misma línea recta, demostrando que puede seleccionarse cualquier valor adecuado de ID, siempre y cuando se utilice el valor determinado por la ecuación para VGS. Además, debe tenerse en cuenta que puede seleccionarse el valor de VGS, y calcular el valor de ID, para obtener el mismo resultado. Si se selecciona VGS = VP /2 = -3 V para la ecuación de Shockley, se tiene que ID = IDSS / 4 = 8 mA/ 4 = 2 mA, y resultará la gráfica de la figura 30, la cual representa las características del dispositivo. La solución se encuentra al sobreponer las características de la red definidas mediante la figura 29 sobre las características del dispositivo de la figura 30 y encontrando el punto de intersección de ambas como se indica en la figura 31. El punto de operación resultante está en un valor compuerta - fuente estable de VGSQ = -2,6 V ID (mA) Dispositivo ID (mA) 8 (IDSS) 8 7 7 6 6 5 5 4 4 3 2 3 ( IDSS 4 Punto Q ) 2 1 -6 (VP) -5 -4 -3 -2 VP (2 ) -1 0 ID = 2,6 mA Q 1 -6 VGS (V) -5 -4 -3 -2 -1 0 VGS (V) VGS = -2,6 V Q Figura 30. Trazo e las características del dispositivo para el JFET de la figura 28. Figura 31. Cálculo del punto Q para la red de la figura 28. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 159 158 ELECTRÓNICA ANALÓGICA b) En el punto estable: IDQ = 2,6 mA c) VDS = VDD - ID(RS + RD) = 20 V - (2,6 mA) (1 kΩ + 3,3 kΩ) = 20 V - 11,18 V = 8,82 V d) VS = ID RS = (2,6 mA) (1 kΩ) = 2,6 V e) VG = 0 V f) VD = VDS + VS = 8,82 V + 2,6 V = 11,42 V ó VD = VDD - ID RD = 20 V - (2,6 mA) (3,3 kΩ) = 11,42 V POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE El arreglo de polarización mediante divisor de voltaje que se aplicó a los amplificadores a transistor BJT también puede aplicarse a los amplificadores a FET, como lo muestra la figura 32. La construcción básica es exactamente la misma, pero el análisis en dc de cada una es muy diferente. Para los amplificadores FET IG = 0 A, pero la magnitud de IB para los amplificadores de emisor común puede afectar los niveles de corriente y voltaje de dc, tanto en los circuitos de entrada como en los de salida. Recuerde que IB proporcionó la relación entre los circuitos de entrada y de salida para la configuración del divisor de voltaje para el BJT, mientras que VGS hará lo mismo en la configuración a FET. Para el análisis en dc se redibuja la red de la figura 32 como se muestra en la figura 33. Vemos que todos los capacitores, incluyendo el capacitor de desvío CS, han sido reemplazados por un “circuito abierto” equivalente. Además, se separó la fuente VDD en dos fuentes equivalentes con VDD R1 VDD RD R1 VDD ID ~0A IG = C2 VG C1 + + + R2 R2 RS RD R1 vo v1 VDD - CS R2 VG - VGS + VRS - IS RS - Figura 32. Arreglo de polarización mediante divisor de voltaje Figura 33. Redibujo de la red de la figura 32 para el análisis en dc CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 160 159 ELECTRÓNICA ANALÓGICA objeto de permitir una separación mayor de las regiones de entrada y salida de la red. Debido a que IC = 0 A, la ley de corriente de Kirchhoff requiere que IR1 = IR2 y que el circuito equivalente en serie que aparece a la izquierda de la figura pueda utilizarse para encontrar el nivel de VG. El voltaje VG, igual que el voltaje a través de R2, puede encontrarse si se utiliza la regla del divisor de voltaje de la siguiente manera: VG = R2VDD R1 + R2 Si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj en el lazo indicado en la figura 33, se obtiene VG - VGS - VR1 = 0 y VGS = VG - IDRS Sustituyendo VRS = IS RS = ID RS, se tiene (*) VGS = VG - IDRS El resultado es una ecuación que todavía incluye las mismas dos variables que aparecen en la ecuación de Shockley: VGS e ID. Las cantidades VG y RS están fijas por la construcción de la red. VGS = VG - IDRS = VG - (0 mA) RS VGS = VG I = 0 mA D ID IDSS VGS = 0V · ID = VGRS punto Q VGS = VG - IDRS ID = 0 mA, VGS = VG VP 0 +VG VGS Figura 34. Trazo de la ecuación de la red para la configuración mediante divisor de voltaje Para el otro punto se utiliza el hecho de que en cualquier punto sobre el eje vertical VG = 0 V, y se resuelve para el valor calculado de ID: CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 161 160 ELECTRÓNICA ANALÓGICA VGS = VG - ID RS 0 V = VG - ID RS ID = VG RS VGS = 0V (**) El resultado especifica que las veces que se grafique la ecuación (*) siempre que VGS = 0, el nivel de ID está determinado por la ecuación (**). Esta intersección aparece también en la figura 34. Los puntos definidos arriba permiten dibujar una línea recta con objeto de representar la ecuación (*). La intersección de la línea recta con la curva de transferencia en la región a l izquierda del eje vertical definirá el punto de operación y los niveles correspondientes de ID y de VGS. Debido a que la intersección sobre el eje vertical se calcula mediante ID = VG /RS y VG está fijo debido a la red de entrada, los valores mayores de RS reducirán el nivel de la intersección ID como se muestra en la figura 35. Parece muy obvio a partir de la figura 35 que: Cuando aumentan los valores de RS dan por resultado valores menores estables de ID, así como valores más negativos de VGS. ID Rs 2 Punto Q Punto Q Valores crecientes de RS RS 1 RS > RS 1 2 0 VG Figura 35. Efecto de RS sobre el punto Q obtenido Una vez que se han calculado los valores estables de IDQ y de VGSQ, el análisis resultante de la red puede desarrollarse de la manera usual. Esto es, VDS = VDD - ID (RD + RS) VD = VDD - ID RD VS = ID RS IR1 = IR2 = VDD R1 + R2 CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 162 161 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Ejemplo Determine lo siguiente para la red de la figura a) ID y VGS Q Q b) VD c) VS d) VDS e) VDG +16 V 2,4 kΩ 2,1 MΩ 10 μF vo IDSS = 8 mA VP = -4 V vi 5 μF 270 kΩ 1,5 kΩ 20 μF Figura 36. Solución a) Para las características de transferencia, si ID =IDSS /4 = 8 mA /4 = 2 mA, entonces VGS = VP /2 = -4 V /2 = -2 V. La curva resultante que representa la ecuación de Shockley aparece en la figura. La ecuación de la red está definida por VG = R2 VDD ID (mA) R1 + R2 8 (IDSS) 7 270 (kΩ)(16 V) = 2,1 MΩ + 0,27 MΩ 6 5 = 1,82 V 4 VGS = VG - ID RS y 3 Punto Q = 1,82 V - ID (1,5 kΩ) 2 ID = 2,4 mA Q ID = 1,21 mA (VGS = 0V) 1 ID = 0 mA: -4 (VP) VGS = +1,82 V -3 -2 -1 VS = -1,8 V Q 0 1 2 3 VGS = 1,82 V (ID = 0 mA) VGS = 0 V: ID = Figura 37. Cálculo del punto Q para la red del circuito 1,82 V = 1,21 mA 1,15 kΩ La recta de polarización que se obtuvo aparece en la figura con los valores de operación ID = 2,4 mA VGS = -1,8 V Q CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 163 162 ELECTRÓNICA ANALÓGICA d) VDS = VDD - ID (RD + RS) b) VD = VDD - ID RD = 16 V - (2,4 mA) (2,4 kΩ + 1,5 kΩ) = 6,64 V = 16 V - (2,4 mA) (2,4 k Ω) = 10, 24 V o c) VS = ID RD ( 2,4 mA) (1,5 kΩ) VDS = VD - VS = 10,24 V - 3,6 V = 6,64 V = 3,6 V e) Aunque raras veces se solicita, el voltaje VDG puede determinarse así VDG = VD - VG = 10,24 V - 1,82 V = 8,24 V ANÁLISIS EN PEQUEÑA SEÑAL DEL FET El voltaje de la compuerta a la fuente controla la corriente del drenaje a la fuente (canal)de un FET. Se sabe que un voltaje en dc de la compuerta a la fuente controla el nivel de la corriente de drenaje mediante una relación conocida como la ecuación de Shockley: ID = (1 - VGS / VP)². El cambio en la corriente del colector que se obtendrá de un cambio en el voltaje de la compuerta a la fuente se puede determinar utilizando el factor de transconductancia gm de la siguiente manera: ΔID = gm ΔVGS El prefijo trans (o tras) que se aplica a gm en la terminología indica que se establece una relación entre las cantidades de salida y de entrada. Se seleccionó la palabra raíz conductancia debido a que gm se determina por la relación del voltaje a la corriente, similar a la relación que define la conductancia de un resistor G = 1/ R = 1/ V. Al despejar gm en la ecuación, se tiene: gm = ΔID ΔVGS Determinación gráfica de gm “transconductancia” Si ahora se examina las características de transferencia de la figura 38, se encuentra que gm es en realidad la pendiente de las características en el punto de operación. Esto es, gm = m = ΔID ΔY = ΔX ΔVGS Al seguir la curvatura de las características de transferencia, resulta bastante claro que la pendiente, y por tanto gm, se incrementa cuando se pasa desde VP a IDSS . O, dicho en otras palabras, cuando VGS se acerca a 0 V, se incrementa la magnitud de gm. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 164 163 ELECTRÓNICA ANALÓGICA ID IDSS gm = ΔID ΔVGS (Pendiente en el punto Q) Punto Q Figura 38. Definición de gm utilizando las características de transferencia. ΔID ΔVGS 0 VP VGS Definición matemática de gm El procedimiento gráfico descrito está limitado por la exactitud de la gráfica de transferencia y el cuidado con que pueden determinarse los cambios en cada cantidad, pero entonces puede tornarse un problema engorroso. Un método alternativo para calcular gm utiliza un enfoque empleado para encontrar la resistencia ac de un diodo. La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la línea tangente dibujada en dicho punto. Si se toma la derivada de ID respecto a VGS (cálculo diferencial) utilizando la ecuación de Shockley, es posible derivar una ecuación para gm de la siguiente manera: gm = Δ ID ΔVGS = IDSS = pt. Q = pt. Q V ² d IDSS 1 - GS dVGS VP [ ( [ VGS VP [ ) ][ )] ( V ² V d 1 - GS = 2IDSS 1 - GS dVGS VP VP = 2IDSS 1 - y dID dVGS ] V d 1 - GS dVGS VP ( dVGS V d (1) - 1 = 2IDSS 1 - GS dVGS VP dVGS VP gm = ] [ 2IDSS V 1 - GS VP IVP I [ ) ][ 0- VGS VP ] ] donde IVP I denota la magnitud, sólo con objeto de asegurar un valor positivo de gm. Ya se mencionó que la pendiente de la curva de transferencia es un máximo cuando VGS = 0 V. Sustituyendo VGS = 0 V en la ecuación se obtiene la siguiente ecuación del valor máximo de gm para un JFET, en el cual se han especificado IDSS y VP. gm = [ 2IDSS 0 1VP IVP I gm 0 = ] 2IDSS IVP I CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 165 164 ELECTRÓNICA ANALÓGICA donde el subíndice 0 que se añadió recuerda que se trata del valor de gm cuando VGS = 0 V. Entonces la ecuación se convierte en: [ gm = gm0 = 1 - VGS VP ] Impedancia de entrada Zi del FET La impedancia de entrada de todos los FET disponibles en el mercado es lo suficientemente grande para suponer que las terminales de entrada son similares a un circuito abierto. En forma de ecuación. Zi (FET) = ¥ Ω 9 Así como para un JFET un valor práctico de 10 Ω (1000 MΩ) es un valor característico, un 12 15 valor entre 10 y 10 Ω es típico de los MOSFET. Impedancia de Salida Zo del FET La impedancia de salida de los FET es similar en magnitud a la de los BJT convencionales. En las hojas de especificaciones de los FET la impedancia de salida aparecerá normalmente como yos con las unidades de μS. El parámetro yos es un componente de un circuito equivalente de admitancia y el subíndice “o” significa un parámetro de salida de la red (output) y “s” la terminal fuente (source) a la cual está asignada en el modelo. Para JFET, yos tiene un rango entre 10 y 50 μS o 20 kΩ (R = 1/ G = 1/ 50 μS) y 100 kΩ (R= 1/ G) = 1/ 10 μS). En forma de ecuación, Zo (FET) = rd = 1 yos Con base en la figura puede definirse la impedancia de salida como la pendiente de la curva horizontal característica en el punto de operación. Mientras más horizontal sea la curva, mayor será la impedancia de salida. Cuando la curva es perfectamente horizontal, se tendrá la situación ideal pues será la impedancia de salida (un circuito abierto) infinita; esta es una aproximación que se utiliza a menudo. ID (mA) En forma de ecuación, VGS = 0 V rD = ΔVDS rd = Δ ID VGS = constante ΔVDS ΔID VGS VGS = constante -1 V Punto Q ΔVDS -1 V ΔID -2 V 0 VDS (V) Figura 39. Definición de rd utilizando las características del drenaje del FET. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 166 165 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Obsérvese que al aplicar la ecuación el voltaje VGS permanece constante cuando se calcula rd. Esto se logra dibujando una línea recta aproximada a la línea VGS en el punto de operación. Luego se selecciona un ΔVDS o ΔID y se mide la otra cantidad para utilizarse en la ecuación. Ejemplo Determinar la impedancia de salida para el FET de la figura para VGS = 0 V y VGS = -2 V cuando VDS = 8 V. ID (mA) 8 VGS = 0 V 7 ΔVDS = 5V 6 VGS = -1V 5 4 VGS = -2V 3 ΔVDS = 8V 2 VGS = -3V 1 0 VGS = -4V 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 VDS (V) Solución Para VGS = 0 V se dibuja una línea tangente y se selecciona ΔVDS como de 5 V y así se obtiene una ΔID de 0,2 mA. Sustituyendo en la ecuación: rd = ΔVDS 5 = 25 kΩ = Δ ID VGS = 0 V 0,2 mA Para VGS = -2 V se dibuja una línea tangente y se selecciona ΔVDS como de 8 V y así se obtiene un ΔID de 0,2 mA. Sustituyendo en la ecuación: rd = ΔVDS = 8V = 80 kΩ Δ ID VGS = 0 V 0,1 mA lo cual muestra que rd sí cambia entre una región de operación y la otra, y que comúnmente se presentan los valores más pequeños en los niveles bajos de VGS (más cercanos a 0 V). Circuito equivalente en ac del FET Una vez presentados y discutidos los parámetros importantes de un circuito equivalente de ac, puede construirse un modelo para el transistor FET en el dominio de ac. El control de Id mediante Vgs se encuentra incluido como una fuente de corriente gmVgs conectada desde el drenaje a la fuente como se muestra en la figura. La corriente tiene su flecha apuntando del drenaje hacia la fuente para establecer un cambio de fase de 180° entre los voltajes de salida y de entrada como sucederá con la operación real. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 167 166 ELECTRÓNICA ANALÓGICA G D + Vg g m Vg s rd s - S Figura 40. Circuito para equivalente de ac del JFET. S La impedancia de entrada está representada por el circuito abierto en las terminales de entrada y la impedancia de salida por medio del resistor rd desde el drenaje hacia la fuente. Obsérvese que el voltaje fuente se representa ahora mediante Vgs (subíndices en minúscula) para distinguirlo de los niveles dc. Además, la corriente es común tanto para los circuitos de entrada como de salida, mientras que las terminales de la compuerta y el drenaje sólo están en “contacto” mediante la fuente de corriente controlada gm Vgs . En las situaciones donde se ignora rd ( se supone que es lo suficientemente grande respecto a los otros elementos de la red como para aproximarla por medio de un circuito abierto), el circuito equivalente es una fuente de corriente cuya magnitud se controla por medio de la señal Vgs y el parámetro gm, el cual claramente representa un dispositivo controlado por el voltaje. Ejemplo Dados yƒs = 3,8 mS y yos = 20 μS, dibujar el modelo en ac del FET. Solución gm = yƒs = 3,8 mS y rd = 1 1 = = 50 kΩ 20 μS ym lo cual da por resultado en el modelo equivalente en ac de la figura G D + -3 3.8 x 10 Vg S s - 50 kΩ S Figura 41. Modelo para equivalente en ac del FET para el ejemplo CONFIGURACIÓN E POLARIZACIÓN FIJA PARA EL JFET Ahora que se ha definido el circuito equivalente para FET, se investigarán una serie de configuraciones del FET básicas a pequeña señal. El método será similar al análisis en ac de los amplificadores BJT acompañados de una determinación de los parámetros importantes de Zi, Zo y AV para cada configuración. La configuración de polarización fija de la figura incluye los capacitores de acoplamiento C1 y C2 que tienen por objeto aislar el arreglo de polarización de la señal y carga aplicados; se consideran como cortocircuitos equivalentes para el análisis en ac. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 168 167 ELECTRÓNICA ANALÓGICA VDD RD C2 D C1 vo G vi Figura 42. Configuración JFET con polarización fija S RG Zi + Zo VGG Una vez calculados los niveles de gm y rd a partir del arreglo de polarización de la hoja de especificaciones, o de las características, el modelo equivalente en ac puede sustituirse entre las terminales adecuadas como se muestra en la figura 43. Ambos capacitores tienen el equivalente de corto circuito porque la reactancia XC = 1/(2πƒ C) es pequeña comparada con otros niveles de impedancia de la red, y las baterías VGG y VDD se hacen cero volts mediante un cortocircuito equivalente. XC = 0Ω Vi G 1 Zi D gmVg RG s rd Batería VGG reemplazada mediante un corto circuito XC = 0Ω 2 Vo RD Zo Batería VDD reemplazada mediante un corto circuito Figura 43. Sustitución del circuito equivalente del JFET en la red de la figura anterior. Se observa la polaridad definida mediante Vgs , la cual define la dirección de gmVgs . Cuando Vgs es negativo, la dirección de la fuente de corriente se invierte. la señal aplicada se representa mediante Vi y la señal de la salida a través de RD se representa mediante Vo . Zi = RG debido a la equivalencia de circuito abierto en las terminales de entrada del JFET. G + Z i Vi + RG Vg Zo gmVg s - s rd RD + Vo - Figura 44. Redibujo de la red de la figura anterior CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 169 168 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Zo: Al hacer Vi = 0 V como se requiere debido a la definición de ZoVgs se hará 0 V también. El resultado es gmVgs = 0 mA y la fuente de corriente puede reemplazarse mediante un circuito abierto equivalente, como se muestra en la figura 45. La impedancia de salida es Zo = RD rd Si la resistencia rd es suficientemente grande (por lo menos 10:1) comparada contra RD, a menudo puede aplicarse la aproximación rd || RD @ RD y ~ RD Zo = rd >10RD D gmVg = 0 mA s rd RD Zo Figura 45. Determinación de Zo S Av: Resolviendo Vo en la figura 44, se encuentra Vo = -gmVgs (rd RD ) pero Vgs = Vi y Vo = -gmVi (rd RD ) de tal forma que Av = Vo = -gm(rd RD ) Vi Si rd > 10RD Av = Vo = -gm RD Vi Relación de la fase: el signo negativo en la ecuación obtenida para Av revela con claridad un cambio de fase de 180° entre los voltajes de entrada y de salida. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 170 169 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Ejemplo La configuración de polarización fija del ejemplo tuvo un punto de polarización definido mediante VGSQ = -2 V e IDQ = 5,625 mA con IDSS = 0 mA y VP = -8 V. Se redibuja la red según la figura con una señal aplicada Vi. El valor de yos se proporciona como 40 μS. 20 V a) Determinar gm b) Encontrar rd c) Determinar Zi d) Calcular Zo e) Determinar la ganancia de voltaje Av f ) Determinar Av ignorando los defectos de rd. 2 kΩ D C1 G IDSS = 10 mA VP = -8 V + vi Zi 1 MΩ C2 S Zo + vo 2V - - Solución 2IDSS 2(10 mA) = = 2,5 mS 8V IVP I VGSQ (-2 V) gm = gm0 1 = 2,5 mS 1= 1,88 mS VP (-8 V) a) gm0 = ( ) ( ) 1 1 = = 25 kΩ yos 40 μS b) rd = c) d) e) Zi = RG = 1 MΩ Zo= RD rd = 2 kΩ 25 kΩ = 1,85 kΩ Av= -gm (RD rd ) = -(1,88 mS) (1,85 kΩ) = -3,48 f) Av= -gm RD = -(1,88 mS) (2 kΩ) = -3,76 PRECAUCIONES CONTRA INTERFERENCIA DE SEÑALES PARÁSITAS p Lo primero en transistores FET es polarizarlo de manera correcta. p Cuando el FET está bien polarizado y su configuración es la del amplificador, se debe tener cuidado con el ruido. p Una señal parásita ingresando por la entrada puede causar que su amplificación o su comportamiento sea de muy mala calidad. p Se debe tener en presente los condensadores de acoplo de señal. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 171 170 ELECTRÓNICA ANALÓGICA TAREA 5 MONTAJE DE CIRCUITOS CON AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO CIRCUITO INVERSO Y NO INVERSOR CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 172 171 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 10 kΩ 741 1 kΩ + OSCILOSCOPIO + - VB 12 V + 25 kΩ VA + 12 V - AMPLIFICADOR INVERSOR 100 k Ohm 741 10 k Ohm + OSCILOSCOPIO + + - 12 V - 12 V 10 k Ohm + AMPLIFICADOR NO INVERSOR MATERIALES / INSTRUMENTOS N° ORDEN DE EJECUCIÓN 01 ! Identificar los terminales del C.I. OPAMP. ! Comprobar el estado del OPAMP. ! Armar circuito inversor con OPAMP. ! Armar circuito no inversor con OPAMP. 02 03 04 01 01 PZA. CANT. ! ! ! ! ! C.I. 741 OPAMP Resistencias : 10 k , 25 k , 100 k / ½ W Fuente de alimentación + 12 V. Generador de funciones Osciloscopio DENOMINACIÓN Montaje de circuito con amplificador operacional como circuito inversor y no inversor PERÚ CONTROLISTA DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 173 MATERIAL H.T. 05 OBSERVACIONES REF TIEMPO HOJA 1/1 ESCALA: 2004 172 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN Identificar los terminales del C.I. OPAMP Por lo general para identificar los terminales del C.I. OPAMP se realiza con la ayuda de un manual como por ejemplo el NTE ELECTRONICS, el cual nos brinda las características de los circuitos integrados, así como también su forma y medidas del dispositivo electrónico. PROCESO DE EJECUCIÓN 1. Buscar en el manual NTE/ELECTRONICS en CROSS REFERENCE según el código del C.I. su reemplazo NTE. 2. Buscar en NUMERICAL INDEX (índice numérico) según el reemplazo (NTE TYPE N°) LA PAGE N°, DIAG. N° Y DESCRIPTION. 3. Buscar la PAGE N° y según el DIAG N° nos permite conocer la forma, número de pines y su descripción de cada uno de ellos. 4. Buscar en DIMENSIONAL OUTLINE DRAWINGS las dimensiones exactas de C.I. con el N° diagrama. OBSERVACIÓN Se debe tener presente que existen muchos manuales, de distintas marcas como el NTE ELECTRONICS, EGC, etc. sin embargo estos manuales se distinguen del resto porque aparte de las características del OPAMP, estos muestran su forma, disposición de piones y dimensiones. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 174 173 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN Comprobar el estado del OPAMP El amplificador operacional OPAMP es un circuito integrado muy usado en la electrónica, ya que en el diseño mediante componentes activos discretos se ha convertido en una pérdida de tiempo y dinero para la mayoría de aplicaciones en dc y de baja frecuencia. Por otro lado se debe tener presente que el OPAMP es muy sensible, es decir su mala manipulación o por una sobretensión es fácil de averiarse. PROCESO DE EJECUCIÓN 1. Desconecte la alimentación del C.I., así como también toda señal de excitación a la entrada del circuito. 2. Seleccione el rango de medición /Ω del multitester UNITEST HEXAGON vía el switch de selección de función de medición. 3. Conecte el cable de prueba negro en el enchufe COM y el cable de prueba rojo al enchufe Temp/Ω /V/ 4. El rango de medición de resistencia está preseleccionada si el símbolo de exhibición el rango de medición es de continuidad. aparece en la pantalla 5. Realizar la medición de continuidad entre los pines PIN 4 y PIN 7 AUTO kΩ lllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllll 8 7 6 5 MAX/MIN SELECT Hz RANGE Temp Ω A~ HOLD VA 741 mA ~ μA~ OFF ~ mV V 1 ~ V 2 3 4 ! OFF Temp A mAμA MAX 10A HBC FUSED COM ΩV MAX 0,5A HBC FUSED MAX 600V CAT III 100V CAT II Si existe continuidad se dice que el VA 741 está cortocircuitado (cruzado). 6. Presione la tecla SELECT y mida resistencia en la entrada del OPAMP, en los pines 2 y 3; en la pantalla se mostrará una resistencia muy elevada (> 1 MΩ). 7. Mida resistencia en la salida del OPAMP en el PIN 6, en la pantalla se mostrará una resistencia distinta de cero. Por lo general es de < 200 Ω. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 175 174 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN Armar circuito inversor con OPAMP AMPLIFICADOR INVERSOR Denominado frecuentemente “Amplificador Inversor de Señal”. Se desarrolla al aplicar una tensión, ya sea en AC o DC, a la entrada inversora del OPAMP, el cual a la salida entregará una señal amplificada pero desfasada 180° a la vez. PROCESO DE EJECUCIÓN 1. Implemente el circuito de la figura en PROTOBOAR. 10 kΩ 1 kΩ IN SEÑAL 2 3 + 6 741 OUT SEÑAL 10 kΩ 2. Alimente el circuito integrado con dos tensiones: una positiva (+12V) y la otra negativa (-12V) 10 kΩ 1 kΩ IN SEÑAL 2 3 + + 12 v 6 + - - 4 OUT SEÑAL 10 kΩ + 12 v - 3. Genere una señal senoidal de 1 Vpp a 1 kHz. y conectarlo a la resistencia de 1 kΩ 4. Conecte el osciloscopio CH1 a la entrada del circuito donde se conecta el generador de señal senoidal, CH2 a la salida del circuito en el PIN 6 para medir la señal amplificada. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 176 175 ELECTRÓNICA ANALÓGICA GND CH1 CH2 10 kΩ + 1 kΩ 7 2 3 1 Vp-p 1 kHz - + 12 v OUT SEÑAL 6 + 4 10 kΩ + 12 v - OBSERVACIONES 1. Se debe tener presente que el amplificador operacional es muy sensible; un error en su conexión puede ocasionar problemas en el C. I. 2. En pleno funcionamiento de C. I., si se da el caso que el OPAMP no amplifique a la perfección, es decir, a la salida del OPAMP se manifieste recortado se puede hacer dos cosas, cambiar la resistencia de realimentación para que amplifique menos o por otro lado aumentar la alimentación positiva y negativa para que no salga la señal recortada, se debe tener en cuenta el límite de tensión de alimentación que manda el manual NTE ELECTRONICS. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 177 176 ELECTRÓNICA ANALÓGICA OPERACIÓN Armar circuito no inversor con OPAMP. AMPLIFICADOR NO INVERSOR Este es operado mediante la entrada no inversora. También con este circuito, una parte de la tensión de salida es realimentada a la entrada da inversora. Al igual que el amplificador inversor este produce una gran ganancia de tensión o señal pero esta vez sin desfasamiento. PROCESO DE EJECUCIÓN 1. Implemente el circuito de la figura en PROTOBOARD. 10 kΩ 1 kΩ 2 IN SEÑAL 3 + 741 6 OUT SEÑAL 10 kΩ 2. Alimente el circuito integrado con dos tensiones: una positiva (+12V) y la otra negativa (-12V) 10 kΩ 1 kΩ 2 IN SEÑAL + 7 + 12 v 6 - 741 + 4 3 - OUT SEÑAL 10 kΩ + 12 v - 3. Genere una señal senoidal de 1 Vpp a 1 kHz y conecte a la entrada no inversora PIN 3. 4. Conecte el osciloscopio, CH1 a la entrada del circuito donde se conecta el generador de funciones, CH2 a la salida del circuito, en el PIN 6 para medir la señal amplificada. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 178 177 ELECTRÓNICA ANALÓGICA CH1 CH2 10 kΩ + 1 kΩ + - + OUT SEÑAL 12 v 1 Vp-p 1 kHz 10 kΩ + 12 v - OBSERVACIONES 1. Se debe tener presente que el amplificador operacional es muy sensible; un error en su conexión puede ocasionar problemas en el C. I. 741 2. En pleno funcionamiento del circuito, si se da el caso que el OPAMP no amplifique a la perfección, es decir, a la salida del OPAMP se manifieste recortado se puede hacer dos cosas, cambiar la resistencia de realimentación para que amplifique menos o por otro lado aumentar la alimentación positiva y negativa para que no salga la señal recortada, se debe tener en cuenta el límite de tensión de alimentación que manda el manual NTE ELECTRONICS. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 179 178 ELECTRÓNICA ANALÓGICA CIRCUITO CON AMPLIFICADOR OPERACIONAL GENERALIDADES Atendiendo a su aplicación, los C.I. se clasifican en tres grandes grupos: 1°) Analógicos, 2°) Lógicos 3°) De gran consumo. Se recomienda con el análisis de los circuitos integrados analógicos, que se diferencian de los lógicos en que pueden tratar magnitudes comprendidas entre un mínimo y un máximo, con infinidad de valores intermedios. Dentro de este grupo se encuentran los amplificadores lineales, que proporcionan una salida proporcional a la entrada, siendo preciso para conseguirlo que los transistores que se encargan de la amplificación de la señal trabaje en su zona lineal y el punto de reposo se encuentre alejado de los de corte y saturación de la recta de carga. Estos tipos de amplificadores lineales ya se han estudiado en el tomo 5 y, como se recordará, estaban constituidos por varias etapas acopladas por R-C, normalmente, cuando se trabaja con señales variables, y directamente caso de hacerlo con C.C. No obstante, los amplificadores lineales abandonan el comportamiento explicado cuando se les provee de “realimentación” positiva o negativa, que no es otra cosa que devolver a la entrada parte de la señal de salida. A estos amplificadores se les asigna el nombre de “operacionales”, porque, entre sus muchas aplicaciones, se encuentran la de poder realizar multitud de operaciones aritméticas. Serán los amplificadores operacionales, designados en lo sucesivo por A.O., a los que se dedique la primera parte de este tomo, puesto que, como se ha dicho ya, se conocen los amplificadores lineales y porque, dentro de la moderna Electrónica y su utilización de los C.I., los A.O. ocupan un importantísimo lugar, que se irá extendiendo por su sencillez y flexibilidad a medida que los técnicos electrónicos conozcan sus fundamentos y adquieran una cierta experiencia con ellos, que persiguen las elecciones de esta obra. CARACTERÍSTICAS GENERALES DE A.O. (AMPLIFICADOR OPERACIONAL) Un amplificador operacional (A.O.) es un circuito que contiene un conjunto de componentes, integrados en general en un solo chip y que forman un amplificador de alta ganancia. Se le atribuyó el apelativo de operacional porque en un principio su utilización más extendida fue la realización de operaciones aritméticas en los calculadores y ordenadores; en la actualidad A.O. se emplea para realizar multitud de funciones. El A.O. está provisto para trabajar con realimentación en casi todos los casos y, según el tipo que emplee el lazo usado, puede trabajar unas veces como circuito sumador; otras, como diferenciador; otras como comparador, etc. Un amplificador de tensión como lo es A.O. se representa mediante un triángulo, en el que se marcan las entradas, la salida y la polarizaciones, como se presenta en la figura 1. VA + A ENTRADA SALIDA S B Figura 1. - AMPLIFICADOR VA CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 180 179 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Analizando la figura 1 se observa la existencia de dos entradas, a las que se les puede aplicar sendas tensiones, diferentes con respecto a masa, o bien, una diferencia de tensión entre ambas. Las entradas van marcadas con + y –, representando la influencia proporcional directa que tiene la primera respecto a la señal de salida e inversa la segunda. Aunque en la figura anterior sólo se ha representado una salida, se puede disponer de dos si es necesario. El A.O. precisa para su funcionamiento dos tensiones iguales y de polaridad opuesta respecto a masa. Otras características que han de tener los A.O. son: 1) Una alta impedancia de entrada, para que no se altere la tensión de realimentación. 2) Una baja impedancia e salida, para que no se vean afectadas por el lazo de realimentación. 3) Banda de frecuencias de paso muy ancha, partiendo de frecuencia nula o C.C. El comportamiento del A.O. depende de la realimentación que posea, la cual puede ser de cuatro formas diferentes: 1) V - V: Introduce a la entrada una parte de la tensión de salida. 2) V - 1: Introduce a la entrada una tensión proporcional a la corriente de salida. 3) 1 - V: Introduce a la entrada una corriente proporcional a la tensión de salida. 4) 1 - 1: Introduce a la entrada una corriente proporcional a la corriente de salida. Por otra parte, se llama realimentación positiva cuando la señal de realimentación está en fase con la de entrada y ambas se suman, y realimentación negativa si están en oposición y se contrarrestan. El esquema básico de funcionamiento del A.O. se ha dibujado en la figura 2. Recuérdese que la entrada A - tiene una acción inversa sobre la salida y la B + la tiene directa. Así, si A sube, S baja y si B sube, S también. La salida S no sólo dependerá de los valores de las dos entradas, sino también de las características del lazo de realimentación. CONSTITUCIÓN INTERNA DEL A.O. Un C.I. normal que contiene un A.O. consta de dos etapas seguidas de amplificadores diferenciales y una etapa de salida. Puesta que la entrada del A.O. es una etapa diferencial, se comprende la existencia de las dos entradas A y B. Junto con estos bloques fundamentales del A.O. existen otros auxiliares, tales como un circuito generador de intensidad constante y a veces un cambiador de nivel de tensiones continuas. REALIMENTACIÓN +VA A B Figura 2. S + - VA CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 181 180 ELECTRÓNICA ANALÓGICA En la figura 3 se representa el esquema de bloques general que da forma a un A.O. A ENTRADAS 2 Amplificadores + Diferenciales Cambiador de nivel Etapa de salida SALIDA S B Generador de intensidad constante Figura 3. En términos generales, el A.O. contiene todos los bloques expuestos en la figura 3 y a veces también alguna etapa de seguidor de emisor, para realizar un acoplo correcto entre dos etapas. Si al circuito así formado se le hace trabajar sin otros componentes, se dice que está “en bucle abierto”. Cuando se añaden elementos exteriores para lograr una realimentación trabaja en “bucle cerrado”. En las siguientes puntos se describen someramente los bloques que componen el A.O., y que son circuitos típicos en muchos C.I. +Vb AMPLIFICADOR DIFERENCIAL Consiste en un montaje simétrico con dos transistores iguales y dos resistencias de carga, R1 y R 2 , también iguales, que proporciona una amplificación muy estable en frecuencias muy altas, desde la O, siendo prácticamente insensible a perturbaciones de temperatura o ruidos. Su circuito básico es el mostrado en la figura 4. R1 R2 T1 Calculando la expresión de la tensión de salida el amplificador diferencial se halla que es función de la diferencia entre las tensiones de entrada V1 y V2: T2 Rg1 Rg2 Vsalida = (V1 - V2) . K V1 Rx V2 Figura 4. -Va El circuito de la figura 4 padece dos inconvenientes: 1°) Precisa que los dos transistores estén alimentados por una fuente de corriente constante y 2°) Para elevar la impedancia de entrada se recomienda formar el amplificador diferencial mediante dos etapas Darlington. El circuito del A.O. con una etapa diferencial a base de Darlington, construida por T1 – T3 y T2 – T4 y un generador de corriente constante formado por el transistor T5, polarizado por diodos, se presenta en la figura 5. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 182 181 ELECTRÓNICA ANALÓGICA -V ENTRADA A R1 R2 T3 T4 ENTRADA B Salida T1 T2 T5 Figura 5. +V GENERADOR DE INTENSIDAD CONSTANTE En los amplificadores lineales con un solo transistor se requiere un generador de C.C. de intensidad constante. Así, cuando se usa un transistor en circuito de emisor común se colocan una resistencia y un condensador en paralelo, en el emisor del transistor, tal como se ha dibujado en la figura 6. IS IB + IE IE = IB + IS Figura 6. IS = Constante IA V _ Figura 7. En el caso de los C.I. resulta un problema la fabricación de condensadores y resistencias de elevado valor, prefiriendo realizar la estabilización con uniones N -P, presentándose en la figura 7 un ejemplo de este tipo de circuitos. Se logra mantener IS constante mediante varios diodos que estabilizan la temperatura, logrando una impedancia de salida muy alta cuando la referencia de trabajo es alta, y viceversa. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 183 182 ELECTRÓNICA ANALÓGICA - Vb CAMBIADOR DE NIVEL DE TENSIONES CONTINUAS Dada la conveniencia de utilizar acoplos directos en las cascadas de amplificadores utilizadas en los C.I., el nivel de tensión de C.C. de colector va elevándose en cada etapa, llegando un momento en que es preciso rebajar dicho nivel, para lo que se usa un circuito cambiador tal como el de la figura 8. Mientras que T1 actúa como circuito colector común, alimentado por T2 montado como generador de intensidad constante, estando su base alimentada con una tensión fija de referencia, se obtiene una salida en T3 que también está en circuito de colector común, cuyo valor es el de entrada menos las tres caídas de tensión hasta la salida. VS = VE - VBE - Ve - VBE 1 2 VE T1 ENTRADA VBE1 Ve T3 T2 VBE2 V referencia VS SALIDA Figura 8. + Va ETAPA DE SALIDA Es la que entrega la señal formada en el C.I. a la carga y, por lo tanto, interesa que se a de la mayor potencia posible, a la vez que presente una impedancia de salida baja. Esta etapa final del C.I. suele estar constituida básicamente por un transistor en el circuito de colector común, como se muestra en la figura 9. Para lograr especificaciones concretas en la salida, a menudo se emplean circuitos con dos transistores en montaje de seguidor de emisor y también pares de transistores PNP y NPN, como el mostrado en la figura 10. +V -Vb ENTRADA ENTRADA SALIDA SALIDA +Va Figura 9. Figura 10. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 184 -V 183 ELECTRÓNICA ANALÓGICA EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL A.O. es un amplificador de gran ganancia de tensión en bucle abierto, es decir, sin realimentación, siendo dicho valor del orden de varios cientos de miles de veces. La características que confiere el A.O. propiedades especiales, que le hacen tan útil e importante, es la de poder variar su comportamiento y ganancia con mucha exactitud y estabilidad al colocarle una realimentación apropiada. Internamente el chip en el que está integrado el A.O. consta de dos etapas diferenciales acopladas directamente y una salida, actuando como circuitos auxiliares, cambiadores de tensión, generadores de corriente constante y seguidores de emisor. El símbolo clásico del A.O. es un triángulo como el mostrado en la figura 11 en el cual se ha añadido la impedancia de entrada Zen y la de salida ZS. También se ha representado en su interior un generador de tensión, que simboliza la ecuación del A.O. produciendo una tensión de salida VS que es la de entrada, Zen, amplificada en la ganancia Av del circuito. En general, apenas se aplica el A.O. en bucle abierto, la mayoría de sus aplicaciones exigen circuito exterior de realimentación, que puede ser positiva si la parte e señal de salida que se aplica a la entrada, está en fase con ella, y negativa si está en oposición. Este último tipo de realimentación es el más utilizado, por sus posibilidades de ganancia y estabilidad, y la parte de la señal de salida se aplicará a la entrada A– de las dos del A.O., como queda indicado en la figura 12. IN Inversora A IN no Inversora - OUT ENTRADA + Ven Zen VS AvxVen SALIDA + B Figura 11. Figura 12. En la figura 13 se ha añadido al A.O. una resistencia de entrada Re, por la que se aplica a la entrada A – la tensión de entrada Ven a a tratar, una resistencia Rr que provoca la realimentación entre la salida y la entrada y, por último, se ha colocado una resistencia R, que representa la carga a la que se aplica la tensión de salida VS. La diferencia e potencial entre Rr y Re origina la circulación de las corrientes de realimentación Ir y de entrada Ie. Rr Ir Re Ven Ie A Zen B AvxVen + ZS VS R Carga Figura 13. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 185 184 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Para calcular la ganancia de un A.O. con realimentación, en principio, se efectúan una serie de simplificaciones y consideraciones que, aunque no son exactas, dan un punto de partida y hacen trabajar al A.O. de forma ideal. Son las siguientes: 1ª) La ganancia del A.O. es infinita. En realidad alcanza valores de 250 000 y 400 000. 2ª) Impedancia de entrada infinita, ZS = α. 3ª) Impedancia de salida nula ZS = 0. 4ª) Posibilidad de amplificar señales de frecuencia entre 0 e infinito. 5ª) Tensión de regulación (”offset”) de entrada nula, lo cual significa que la tensión de salida es nula en ausencia de la tensión en la entrada. Con estas consideraciones, y simplificando el circuito de la figura 13, se analiza el nuevo esquema de la figura 14, con el que se trata de deducir ganancia. Rr TIERRA VIRTUAL Ven = 0 Ir Re -A ENTRADA Ven Ie I=0 Zen VS +B R Carga Figura 14. Teniendo en cuenta que Zen = α, la corriente que circula de A a B es nula, osea, que no absorbe intensidad alguna el A.O. (I = 0). Por eso al punto A se le considera como “tierra virtual”, puesto que está separado de B, que es la verdadera tierra, por una resistencia infinita. Aplicando la ley de Kirchhoff al nudo A, en el que concurren tres corrientes, Ie, Ir e I, siendo nula esta última, se obtiene: Ie =Ir El cálculo de Ie e Ir se efectúa aplicando la ley de Ohm a las resistencias Re y Rr por las que circulan, quedando: Ie = Ven - VA Re Ir = CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 186 VA - VS Rr 185 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Considerando VA como tierra virtual, VA = 0, resulta Ie = Ven Re Ir = -VS Re Sustituyendo estos valores en la fórmula (1), queda: Ven -VS = Re Re Siendo la ganancia del circuito G = Vsalida , se deduce de la fórmula anterior que: Ventrada G= VS -R = r Ven Re La fórmula indica que la ganancia de un A.O. ideal con realimentación negativa no depende e las características del circuito interno, sino sólo de la relación entre las resistencias de realimentación y de entrada. El signo menos que aparece en la fórmula procede del desfase de 180° que existe entre la salida y la entrada A–. CARACTERÍSTICAS MÁS IMPORTANTES DE LOS A.O. Entre las características más importantes con que se define el comportamiento del A.O. y que vienen relacionadas normalmente en los manuales de datos, destacan las siguientes: 1) ”Características de transferencia entre entrada y salida” a) Ganancia de tensión en bucle abierto: Es la del amplificador sin realimentación externa. Es función de la frecuencia de trabajo y, aunque idealmente se considera la banda pasante desde 0 hasta infinito, en la práctica se menciona la ganancia que existe en una frecuencia elevada. Ejemplo: Si se aplican a las entradas A y B del A.O. dos señales e1 = 2 V y e2 = 2,001 V, y la tensión de salida en esas condiciones de bucle abierto es de 12 V, la ganancia será: Av = VS 12 = = 12 000 veces ΔVe 2,001 - 2 b) Producto ganancia-banda de paso: Es una magnitud derivada del producto de la ganancia del amplificador por la banda de frecuencias pasante que lo caracteriza. 2) “Características de entrada” a) Tensión de desequilibrio o desviación de entrada: Es la que hay que aplicar a la entrada del A.O. para que la de salida sea nula. En el circuito ideal esta tensión era nula, pero en la práctica y debido a la diferencia entre las tensiones base-emisor de los dos transistores de la primera etapa diferencial hay que introducir una tensión compensatoria, que suele ser del orden de los milivoltios. b) Corriente de desequilibrio de entrada: Es la diferencia de corriente entre las dos entradas para una tensión de salida nula. Es del orden de los nanoamperios. c) Corriente de polarización: Es el promedio de las dos intensidades que circulan por las dos entradas del A.O. (algunos nanoamperios). CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 187 186 ELECTRÓNICA ANALÓGICA d) tensión de entrada en modo común: Es la que se aplica a las dos entradas unidas entre sí, que aunque teóricamente no debía producir tensión a la salida, si la produce y tiene un valor límite para evitar la rotura del A.O. e) Impedancia de entrada: Es la que presenta el A.O. a la entrada y conviene que sea muy elevada (> 1 MΩ). f) Impedancia del modo común: Es la que existe entre las entradas del A.O. y el cero eléctrico. Varía con la frecuencia. g) Factor de rechazo en modo común: Es el cociente entre la tensión común a ambas entradas y la que se debe aplicar a una de ellas para obtener la misma tensión de salida. 3) “Características de salida “ a) Impedancia de salida: Es la que presenta A.O. en su salida. Conviene que sea muy baja (< 200Ω). b) Tensiones y corrientes máximas de salida: Valores que hay que tener en cuenta según la alimentación, la carga y la frecuencia e trabajo. 4) “Otras características diversas” a) Factor de ruido: Es la relación en dB entre la potencia de ruido equivalente de entrada del A.O. y la potencia de ruido debida exclusivamente a la resistencia de la fuente. b) Relación de rechazo de la tensión de alimentación: Es la relación entre la variación de la tensión de desequilibrio de entrada y la variación de la tensión de alimentación que la provoca. c) Límite de la velocidad de caída (Stew Rate): Es la velocidad máxima de variación de la tensión de salida. Se mide en voltios por microsegundos. d) Temperatura de almacenamiento fiable. e) Tensiones positivas y negativas máximas respecto a masa. f ) Disipación de potencia en mW. g) Máxima temperatura a que se pueden someter las patillas al soldarse, que suele ser del orden de 200 a 300°C. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 188 187 ELECTRÓNICA ANALÓGICA AMPLIFICADOR DE TENSIÓN INVERSOR El circuito mostrado en la figura 15 tiene por misión amplificar la tensión de entrada, al mismo tiempo que invertirla. Para deducir la tensión de salida VS, se supone que se trata de un A.O. ideal y que el punto A es tierra virtual y tiene un potencial de 0 V. Como no se consume corriente por A, se puede simplificar el esquema de la figura 15, quedando reducido al dibujado en la figura 16, puesto que según lo indicado VA = VB = 0 V. R Ir r -A Ie Figura 15. Vs Ve +B TIERRA VIRTUAL r Figura 16. A Ve Ie OV R Vs Ir Según la ley de Kirchhoff, las dos corrientes que llegan al punto A han de anularse, hallando su valor mediante la ley de Ohm, con lo que se obtiene la siguiente fórmula: IC = 0 - Ve r Ir = VS - 0 R Como Ie = Ir resulta: -Ve V = S r R VS R = r Ve La ganancia depende de los valores de la resistencia de entrada y realimentación, pudiendo llegar a ser muy grandes, pero existen dos limitaciones que impiden alcanzar cualquier valor para la ganancia: 1) La resistencia de realimentación R no puede superar unos pocos megaohmios, pues puede ser causa de ruidos y falta de linealidad. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 189 188 ELECTRÓNICA ANALÓGICA 2) La resistencia de entrada r queda limitada inferiormente por su relación con la resistencia de entrada interna y la del generador de señal. Para obtener mayores ganancias que la permitida por la relación R/r se acude al siguiente montaje de la figura 17. R Ir r A VS Ie Ve R1 + Figura 17. R2 VS · R2 = VS‘ R1 + R2 Considerando ideal el A.O. y el punto A como masa virtual, el circuito simplificado es el de la figura 18. OV r R Ve VS · A Ie R2 R 1 + R2 Figura 18. Ir Igualando el valor de las dos corrientes: VS R2 -0 R1+ R2 = Ir R VS IC = 0 - Ve r R2 -V = e R1+ R2 r R1+ R2 VS R =· r R2 Ve Como indica la fórmula, la ganancia de tensión es igual al cociente R/r multiplicado por (R1 + R2)/ R2, lo que eleva este factor de acuerdo con los valores que se den a R1 y R2. Como es lógico, en el circuito de la figura 15 si R = r, la tensión de salida será igual a la de -R V entrada, pero en oposición, pues S = = -1, considerándose al mismo como un simple inversor de r Ve señal. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 190 189 ELECTRÓNICA ANALÓGICA AMPLIFICADOR NO INVERSOR El esquema de este circuito es el de l a figura 19, deduciéndose a continuación su ganancia matemáticamente. Ir r A - Ie VS B Suponiendo ideal el A.O. y el punto A con igual tensión que el B, o sea, en la figura 19 Ve, puesto que por la impedancia que hay entre los dos puntos no circula corriente y por tanto no hay caída de tensión, el esquema simplificado es el siguiente. + Ve Figura 19. Ve R r Figura 20. VS A Ir Ie Igualando los valores de las dos corrientes que llegan a A: Ie = Ve - 0 r Ir = VS - Ve R VS R = (1 + ) r Ve V - Ve Ve = S R r Según la fórmula ya no hay inversión de señal y la ganancia depende de los valores de R y r, pero de diferente forma que en el circuito inversor. Para aumentar la ganancia se puede usar como en el caso anterior un divisor de resistencias en la salida. Un caso particular del circuito presente es el que recibe el nombre de seguidor de tensión, que se ha dibujado en la figura 21. En este esquema R = 0 y r = α con lo que al aplicar la fórmula se deduce que VS = Ve. Con este circuito se mantiene constante el nivel de la tensión de entrada y una muy baja de salid, por lo que se utiliza frecuentemente para la realización de acoplos de impedancias. VS + Ve Figura 21. APLICACIONES AMPLIFICADOR DE GANANCIA REGULABLE, INVERSOR O NO INVERSOR. La utilización del A.O. según el circuito mostrado en la figura 22 permite conseguir que su amplificación varíe entre ciertos límites, a la par que se puedan obtener señales de salida o en oposición. Se trata en realidad de una variante de amplificador diferencial. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 191 190 ELECTRÓNICA ANALÓGICA R r A VS Ve VB x y + B Figura 22. Se halla en principio la tensión VB aplicando la ley de Ohm al circuito de entrada por la rama del potenciómetro que responde al esquema de la figura 23. Ve VB = Ve x y y x+y B Figura 23. Considerando ideal el A.O. y teniendo en cuenta que VA = VB, su circuito simplificado es el de la figura 24. y VA =VB = Ve r R A x+y VS Ve Figura 24. Ir Ie Igualando las corrientes Ir e IR que concurren en el punto A y sustituyéndolas por su valor, queda : VS - VA V - Ve = A R r VS - Ve y x+y R Vs · r - Ve Vs = Ve · Llamando K = = Ve y - Ve x+y R y y·R = Ve - Ve · R x+y x+y y·R y R Ve y · r R R + ( + ) = -Ve + Ve (1 + ) r r r x+y x+y r x+y y x + y , se obtiene la siguiente fórmula: Vs = -Ve R R + Ve · K · (1 + ) r r CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 192 191 ELECTRÓNICA ANALÓGICA Con K variando de 0 al 1. al mover la posición del cursor del potenciómetro se consigue, cuando R = r : Vs =(2K -1) · Ve -Ve < Vs < Ve Es decir, según la posición del potenciómetro la tensión de salida oscila entre -Ve y + Ve. FUENTE DE CORRIENTE CONSTANTE Se trata de obtener un circuito con un A.O. capaz de generar entre dos puntos una corriente constante, independientemente de la resistencia que se coloque, tal como se muestra en la figura 25. Aplicando la ley de Ohm se obtiene los valores de las tres corrientes i1, i 2 e i3 del circuito de la figura 25. i1 = i2 = i3 = V1 - VA V1 nR1 V2 - VA R1 V2 Vs - VA R1 = -i1 · n· R1 R1 = V2 - VA R1 + -V1 + VA R1 nR1 A i1 VA - R1 VB + i1 VS B i2 -V1 + VA R1 R1 De donde la corriente que atraviesa la carga variable Rx valdrá: i2 + i3 = nR1 = i3 Rx V2 - V1 Figura 25. R1 La fórmula indica que la intensidad que circula por Rx no depende del valor de ella, sino de la diferencia entre V2 y V1, así como del valor de R1. PRECAUCIONES SOBRE LA POLARIZACIÓN DEL OPAMP p En el amplificador operacional muchas veces hay que aplicar una tensión a la entrada, para que la salida sea nula. En el circuito ideal esta tensión era nula, pero en la práctica y debido a la diferencia entre las tensiones Base-emisor de los dos transistores de la primera etapa diferencial, a este tipo de tensión, se le llama tensión compensatoria, por lo general del orden de los milivoltios (OFFSET). p El OPAMP tiene una alimentación positiva +VCC y una alimentación negativa VBB, una equivocación en estos terminales puede ocasionar que el OPAMP se dañe. CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 193 192 ELECTRÓNICA ANALÓGICA BIBLIOGRAFÍA & ELECTRÓNICA: “Teoría de circuitos” Robert L. Boylestad. Sexta Ed. Prentice - Hall Hispanoamericana, S. A & PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA Paul Maluino. Editorial Esmeralda Mora. & ELECTRÓNICA Hambley 2ª Ed. Prentice - Hall Hispanoamericana, S. A & ELECTRÓNICA DE POTENCIA J. García Villarreal. SENATI CONTROL DE MÁQUINAS Y PROCESOS INDUSTRIALES 194 193 PROPIEDAD INTELECTUAL DEL SENATI PROHIBIDA SU REPRODUCCIÓN Y VENTA SIN LA AUTORIZACIÓN CORRESPONDIENTE CÓDIGO DEL MATERIAL 0498 EDICIÓN AGOSTO 2005