Linear Technology Corporation Power Seminar – LDO 2016. 10. 12. LTC Korea 영업 강전도 부장 010-8168-6852 jdkang@linear.com 기술 박종만 차장 010-2390-2843 jmpark@linear.com 목차 LDO 1) LDO feedback 동작원리, 2) LDO 종류 3) LDO 특성 4) LDO 효율 및 발열 - 반도체 발열 특성 5) LDO Summary 6) Special LDO Solution for Power 2 1. LDO Copyright © 2014 Linear Technology. All rights reserved. Voltage Regulator Solutions Linear Regulator Switching Regulator Switching Regulator (Inductor based) (Charge-Pump) Simple to design and use! Low noise High efficiency (can be over 95%!) Small Low efficiency Heat problems Requires inductor Switching noise Better efficiency than LDOs Small, simple solution Limited voltage and current options Linear Technology offers high performance solutions for all three styles Solution for Power 4 LDO의 Feedback 동작 원리 Solution for Power 5 Regulator feedback Vin Vin voltage drop 1.Load current 가 작다면 R1,R2 높은 저항 값 사용 가능 2.Load current 가 변화가 없다면 Vcc는 일정한 전압을 가짐 3.Vin 전압 변화가 없다면 Vcc는 일정한 전압을 가짐 1.Load current 증가할수록 고정된 R1 저항을 바꿀 수 없으므로 Vcc 전압 낮아짐. 2.만약 높은 전류가 필요하다면 R1 저항 값을 낮춰야 하지만 그 경우 Source impedance(Rin)에 의해 입력 전압이 낮아짐. Solution for Power 6 Regulator의 feedback Load 3.3V clamping 1.R1 저항에 diode clamping current 이하로 전류 setting 2. Diode clamping current 이하의 변하지 않는 load 에 사용 3. 출력 전류의 변화에는 clamping current에서 대응 가능 4. 온도에 따른 Regulation 오차가 큼 Solution for Power 7 Regulator의 feedback Vcc =3.3V Load 4V clamping 1.R1 저항에 diode clamping current 는 NPN의 base 전류 setting 2. Q1의 증폭도 및 R2 저항에 의해 load 전류 증가 시 대응가능 3. Load 변화에 정밀한 Regulation 불가능하나 출력 regulation 요구사항이 많지 않은 경우 사용가능. Solution for Power 8 Regulator의 feedback 다양한 조건에서 안정적인 Regulation을 위해 입력 전압/ 출력 전압/ 출력 전류에 따른 저항 값을 변경해 줄 수 있는 feedback loop 필요. Solution for Power 9 Linear Regulator의 동작 영역 BJT or FET FET Dynamic Range Linear Region Saturation Region BJT Dynamic Range Linear Regulator는 Transistor(or FET) 가 Linear 영역 에서 동작 Switching Regulator는 Transistor(or FET)가 전 영역에서 동작 Solution for Power 10 Regulator의 Feedback 동작 Iin = Iout PNP Ground current ADJ pin NPN Feedback 동작 원리 출력 전류의 증가 -> Vout 전압 감소 -> ADJ pin 전압 감소 -> OP amp 출력 High -> NPN TR on -> PNP base 전류 증가(Ground current) -> 증폭도에 의해 출력에 전류 공급 -> Vout 전압 다시 증가 Solution for Power 11 Linear Regulator 종류 Solution for Power 12 Various LDO type Solution for Power 13 BIPOLAR VS CMOS PASS DEVICE Bipolar Pass Device Advantages Allows very low (down to 1V) or very high (up to 80V) Wide VIN operation. Faster transient response due to higher gm. CMOS Pass Device Advantages Dropout voltage is linear with output current and decreases to zero at no load. No additional VIN or GND pin DC current to drive CMOS gate. NPN/NMOS VS PNP/PMOS PASS DEVICE NPN/NMOS Pass Device Higher bandwidth and faster transient response. Higher frequency power supply rejection ratio (PSRR). Higher dropout voltage in single supply operation. Requires dual supply operation for equivalent dropout voltage performance as PNP/PMOS. PNP/PMOS Device. Low dropout voltage performance with single supply operation. Easier to provide reverse battery, reverse output protection and reverse input-to-output protection with PNP. Note the feedback loop’s extra inversion compared with the NPN/NMOS loop. LDO의 특성 Solution for Power 16 What is dropout? Solution for Power 17 Linear Regulator Standard NPN Regulator Darlington 구조로 출력 전류 최대 사용 가능 . But Dropout voltage 증가 Minimum Dropout Voltage = 출력 전압을 regulation 하기 위한 입력전압과 출력 전압의 최소 차이 Linear Regulator Minimum Dropout Voltage = >1V Solution for Power 18 Linear Regulator Load Current Dropout voltage Solution for Power 19 Various Dropout Solution for Power 20 LDO(Low dropout) Regulator PNP Transistor or CMOS Minimum Dropout Voltage = can be 300mV 고정전압 제품의 경우 저항이 내장되어 있음 Solution for Power 21 VLDO(Very Low dropout) VLDO 50mV@ 300mA Bipolar LDO : 300mV@150mA CMOS LDO : 100mV@150mA Solution for Power 22 LDO specification (LT1761 example) Solution for Power 23 LT1761 Low Noise LDO Solution for Power 24 Dropout vs Load Load Current Dropout voltage Solution for Power 25 Dropout vs temp. Dropout voltage increased by load current & temperature Solution for Power 26 Line/Load regulation/transient response Solution for Power 27 GND/SHDN pin current Load 증가 시 GND current 증가( base current이기 때문) Solution for Power 28 LDO output Noise Vin DC/DC ripple vs Vout LDO ripple Power Supply Rejection Ratio Solution for Power 29 Power Supply Ripple Rejection Ratio Solution for Power 30 LDO output Noise Low Noise LDO = ~ 20uVrms VLDO = ~100uVrms Noise 특성은 resistor thermal noise, TR flicker noise LDO 자체의 특성임. 입력 전압의 range에는 관계없음. Switching regulator > 10mV 다만 Dropout Mode로 동작 시 입력 Ripple 전압, 출력으로 그대로 보냄. Solution for Power 31 LDO의 효율 및 발열 Solution for Power 32 IC의 동작온도 IC 의 package및 조건에 따른 동작온도는 Datasheet의 Operating Junction Temp range 보다는 낮아야 함. 온도가 넘을 경우 IC damage 또는 성능 Degrade가 나타남. Solution for Power 33 TJ / TC / TA Solution for Power 34 열 전달 과정 Solution for Power 35 반도체 온도 상승 예측 Solution for Power 36 반도체 온도 상승 예측 LTC Linear Charger의 Thermal performance 개선 Solution for Power 37 반도체 온도 상승 예측 Pd (Power loss) 를 계산 한다 (Pd = Pin – Pout, Inductor loss, Diode loss고려) TRISE = Pd x Rth j-a Rth j-a = Rth (junction-case + case-heatsink + heatsink-Amb) Package가 결정, SMD/히트싱크부착 히트싱크면적에따라 (고정값) (거의무시가능) (Graph참조) 실제 측정될 온도 = Trise + Tamb 이 온도는 die 온도를 계산한 것으로 실제 Package 온도는 die 온도 보다 낮음 계산한 온도는 IC 의 operating temperature 보다 낮아야 IC 사용가능!! Solution for Power 38 LDO 효율 및 발열 계산 Power Outx 100 = IOUT(VOUT) x 100 %Efficiency = Power In (IIN+IGND)VIN IIN IOUT VIN VOUT I GND IGND=무시가능 즉, 입출력 전압비가 효율임 Solution for Power 39 Device 온도 계산 - LDO 12V -> 3.3V@1A 일 경우 Pd (Power Loss) = (Vin – Vout) X Iout = (12-3.3)V X 1A = 8.7W TRISE = Pd x Rth j-a = 8.7W X 35 C/W = 304C !! 외부 환경온도 75C 일 경우 Die 온도 = 75C + 304C = 379C 사용 불가!! Solution for Power 40 Device 온도 계산 - Switching regulator 12V -> 3.3V@1A 일 경우 출력 Watt = 3.3V X 1A = 3.3W 여기서 효율 90% 입력 Watt = 3.3W X 100/90 = 3.66W Power loss = = 3.66W - 3.3W = 0.36W TRISE = Pd x Rth j-a = 0.36W X 40 C/W = 14.4C !! 외부 환경온도 75C 일 경우 Die 온도 = 75C + 14.4C = 89.4C 사용 가능!! Solution for Power 41 LDO vs Switching regulator 효율 80%이상 Linear regulator 변환 효율 Switching Regulator 사용시 - Vin= 7V Vout = 3.3V 일때 47% - Vin=12V Vout = 3.3V일때 27% - Vin=12V Vout = 1.2V일때 13% LDO는 효율 저하로 발열 문제 및 Battery 사용 시간 단축 문제를 안고 있음 스위칭 Loss 에 의한 효율저하 Solution for Power 42 Special LDO Solution for Power 43 LT308x series – Vout down to 0V Solution for Power 44 LT308x series – parallel output Solution for Power 45 LT304x – Very low noise LDO Solution for Power 46 LDO vs Switching regulator Why Charge Pump Circuits? Benefits: 1. Simple & Low cost 2. Low noise/Low ripple/Low EMI 3. Fast Transient response 4. Low dropout with high efficiency Penalties (compared to inductor-based PWM solutions) : 1. Low efficiency at Low duty and Heat problem Solution for Power 47 감사합니다. 영업지원 : 강전도 (jdkang@linear.com / 010-8168-6852) 기술지원 : 박종만 (jmpark@linear.com / 010-2390-2843)