Transistor-Transistor Logic (TTL) Overview

‫ﻣﻨﻄﻖ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬ ‫اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬ ‫ﺗﻜﻨﻮﻟﻮﺟﻴﺎ اﻟﺪواﺋﺮ ﻟﻠﺪواﺋﺮ اﻟﻤﻨﻄﻘﻴﺔ‬ ‫ﻫﻲ ) ‪ ( TTL‬و ﻣﻨﻄﻖ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬ ‫ﺗﻜﻨﻮﻟﻮﺟﻴﺎ اﻟﺪواﺋﺮ ) اﻷﺳﺮة اﻟﻤﻨﻄﻖ ( ﻟﻠﺪواﺋﺮ اﻟﻤﻨﻄﻖ )‬ ‫‪ NPN‬اﻟﺒﻮاﺑﺎت ( اﻟﺘﻲ ﻣﺴﺘﻮ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات اﻟﻘﻄﺒﻴﻦ‬ ‫‪ N ،‬ﺗﺴﺘﺨﺪم ﻛﻤﺎ ﻧﺸﻂ ﻣﻜﻮن ﻣﻦ اﻟﺤﻠﺒﺔ ‪ .‬ﻓﻲ ﻋﺎﺋﻠﺔ‬ ‫ﻋﺎدة ﻣﺎ ﻳﺴﺘﺨﺪم اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻣﺘﻌﺪد اﻟﺒﺎﻋﺚ ﻓﻲ‬ ‫اﻟﻤﺪﺧﻼت اﻟﻤﺘﺼﻠﺔ ‪ ،‬ﺑﺤﻴﺚ ﻳﺘﻄﻠﺐ ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر واﺣﺪ‬ ‫‪ LS‬ﻓﻘﻂ ﻟﻠﻌﺪﻳﺪ ﻣﻦ اﻟﻤﺪﺧﻼت ؛ ﺑﺎﻟﻨﺴﺒﺔ ﻟﻌﺎﺋﻠﺔ‬ ‫‪ AND‬اﻟﺰﻧﺎد ‪ ،‬ﻳﺘﻢ ﺗﻨﻔﻴﺬ اﺗﺼﺎل ‪ Schmitt‬وﻣﺪﺧﻼت‬ ‫‪.‬ﻟﻠﻤﺪﺧﻼت ﺑﺎﺳﺘﺨﺪام اﻟﺜﻨﺎﺋﻴﺎت‬ ‫اﻟﺮﺑﺎﻋﻴﺔ ( ﻣﻦ ‪ NAND 1976‬رﻗﺎﻗﺔ ) ﺑﻮاﺑﺔ ‪7400‬‬ ‫اﻟﺘﺎرﻳﺦ‬ ‫‪ James L. Buie‬ﺑﻮاﺳﻄﺔ ‪ TTL‬ﺗﻢ اﺧﺘﺮاع ﺗﻘﻨﻴﺔ‬ ‫ﻓﻲ ﻋﺎم ‪ [1] . 1961‬أول دواﺋﺮ ﺗﺠﺎرﻳﺔ ‪ TRW‬ﻓﻲ‬ ‫أﻧﺘﺠﺖ ﺷﺮﻛﺔ ﺳﻴﻠﻔﺎﻧﻴﺎ ﻟﻠﻤﻨﺘﺠﺎت اﻟﻜﻬﺮﺑﺎﺋﻴﺔ ‪ [2] .‬ﺗﻄﻮر‬ ‫آﺧﺮ ﻗﺎﺋﻢ ﻋﻠﻰ ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات ﺛﻨﺎﺋﻴﺔ اﻟﻘﻄﺐ ﺑﺎﺳﺘﻬﻼك‬ ‫‪ (I²L).‬أﻗﻞ ﻟﻠﻄﺎﻗﺔ ﻫﻮ ﻣﻨﻄﻖ اﻟﺤﻘﻦ اﻟﻤﺘﻜﺎﻣﻞ‬ ‫ﻗﻴﺎﺳﻲ ‪TTL‬‬ ‫‪ ، P‬اﻟﻘﻴﺎﺳﻴﺔ‪ :‬اﻟﻨﻮع ‪ TTL 7400‬ﺑﺘﻜﻨﻮﻟﻮﺟﻴﺎ ‪ NAND‬ﺗﻮﺻﻴﻞ ﺑﻮاﺑﺔ‬ ‫‪ t‬ﻣﻴﻐﺎواط ؛ ‪= 10‬‬ ‫ﻧﺎﻧﻮ ﺛﺎﻧﻴﺔ ‪= 10‬‬ ‫‪pd‬‬ ‫‪V‬‬ ‫اﻟﻘﻴﺎﺳﻴﺔ ﻟﻠﻌﻤﻞ ﻋﻠﻰ ﺟﻬﺪ إﻣﺪاد ‪ TTL‬ﺗﻢ ﺗﺼﻤﻴﻢ دواﺋﺮ‬ ‫‪ 5 ٪.‬ﻓﻮﻟﺖ ﻣﻊ اﻧﺤﺮاف ‪5‬‬ ‫ﺗﺴﻤﻰ اﻟﺴﻌﺔ اﻟﺘﺤﻤﻴﻠﻴﺔ ﻟﻠﻤﺨﺮﺟﺎت ﺑﻤﺮوﺣﺔ ‪ ،‬واﻟﺘﻲ‬ ‫ﺗﻌﺒﺮ ﻋﻦ ﻋﺪد اﻟﻤﺪﺧﻼت اﻟﺘﻲ ﻳﻤﻜﻦ أن ﻳﻘﺪﻣﻬﺎ‬ ‫اﻟﻤﺨﺮج‪ .‬ﻫﺬا ﻣﻬﻢ ﻟﻠﺪواﺋﺮ اﻟﻤﻨﻄﻘﻴﺔ اﻟﺸﺎﻣﻠﺔ اﻟﻨﻤﻮذﺟﻴﺔ‬ ‫‪ TTL.‬ﻟﻌﺼﺮ‬ ‫ﻋﺎل )‬ ‫ﻳﺘﻢ ﺗﻌﺮﻳﻒ اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻌﺎﻟﻲ ﻋﻠﻰ أﻧﻪ ﻣﺴﺘﻮى ٍ‬ ‫ﻣﻨﻄﻖ ‪ 1‬ﻓﻲ ﻣﻨﻄﻖ إﻳﺠﺎﺑﻲ ( ‪ ،‬ﻳﺴﻤﻰ اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻤﻨﺨﻔﺾ‬ ‫ﻣﺴﺘﻮى ﻣﻨﺨﻔﺾ )ﻣﻨﻄﻖ ‪ 0‬ﻓﻲ ﻣﻨﻄﻖ إﻳﺠﺎﺑﻲ(‪ .‬ﻳﺠﺐ‬ ‫أن ﺗﻜﻮن اﻟﺪواﺋﺮ ذات أﺑﻌﺎد ﺑﺤﻴﺚ ﻳﺘﻢ اﻟﺘﻌﺮف ﻋﻠﻰ‬ ‫ﻋﻠﻰ أﻧﻪ ﻣﺴﺘﻮﻳﺎت ﻣﻨﺨﻔﻀﺔ ‪ U <0.8 V‬ﺟﻬﺪ اﻟﺪﺧﻞ‬ ‫‪E‬‬ ‫ﻋﻠﻰ أﻧﻬﺎ ﻣﺴﺘﻮﻳﺎت ﻋﺎﻟﻴﺔ ‪ .‬ﻳﺠﺐ أن ‪> 2.0 V‬‬ ‫‪E‬‬ ‫‪U‬و‬ ‫ﻋﻨﺪ اﻟﺤﻤﻞ اﻻﺳﻤﻲ >‪ U 0.4‬ﻳﻜﻮن ﺟﻬﺪ اﻟﺨﺮج‬ ‫‪A‬‬ ‫ﻓﻮﻟﺖ ﻟﻠﻤﺴﺘﻮى اﻟﻤﻨﺨﻔﺾ و< ‪ 2.4‬ﻓﻮﻟﺖ ﻟﻠﻤﺴﺘﻮى‬ ‫اﻟﻌﺎﻟﻲ ‪ .‬وﺑﺎﻟﺘﺎﻟﻲ ﻓﺈن ﻧﺴﺒﺔ ﺛﺎﺑﺘﺔ اﻹﺷﺎرة إﻟﻰ‬ ‫اﻟﻀﻮﺿﺎء ﻟﻜﻼ ﻋﺎﻟﻴﺔ و ﻣﻨﺨﻔﻀﺔ‪-‬اﻟﻤﺴﺘﻮى ‪0.4‬‬ ‫ﻓﻮﻟﺖ‪.‬ﻳﻜﻮن ﺟﻬﺪ اﻟﺨﺮج اﻟﻔﻌﻠﻲ ﺑﻴﻦ ‪ 3‬ﺟﻴﺪ وأﻗﻞ‬ ‫‪.‬ﺑﻘﻠﻴﻞ ﻣﻦ ‪ 4‬ﻓﻮﻟﺖ اﻋﺘﻤﺎدً ا ﻋﻠﻰ اﻟﺤﻤﻞ‬ ‫ﻋﻠﻰ أﺟﻬﺰة ‪ TTL‬ﺗﺘﻤﻴﺰ اﻷﺟﻬﺰة اﻟﻤﻨﻄﻘﻴﺔ ﻓﻲ ﺗﻘﻨﻴﺔ‬ ‫( ﺑﺄﻧﻬﺎ أﻗﻞ ﺣﺴﺎﺳﻴﺔ ﻟﻠﺘﻔﺮﻳﻎ اﻟﻜﻬﺮوﺳﺘﺎﺗﻴﻜﻲ ‪CMOS‬‬ ‫ﺑﺴﺒﺐ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات اﻟﺘﻲ ﺗﺴﻴﻄﺮ ﻋﻠﻴﻬﺎ ‪ESD ).‬‬ ‫ﻟﺪﻳﻬﺎ اﺳﺘﻬﻼك ﺗﻴﺎر ﻣﺮﺗﻔﻊ ﺑﺸﻜﻞ ﺧﺎص ‪ ، TTL‬اﻟﺤﺎﻟﻴﺔ‬ ‫‪ CMOS.‬ﻣﻘﺎرﻧﺔ ﻣﻊ‬ ‫‪1‬‬ ‫‪ TTL-NAND. V‬ﺗﻈﻬﺮ اﻟﺼﻮرة اﻟﻤﻘﺎﺑﻠﺔ ﻫﻴﻜﻞ ﺑﻮاﺑﺔ‬ ‫ﻫﻲ ‪ U‬و ‪ ، U‬ﻫﻮ ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻣﺘﻌﺪد اﻟﺒﺎﻋﺚ‬ ‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬ ‫ﻫﻲ أن اﻟﻤﺪﺧﻼت ‪ TTL‬اﻟﻤﺪﺧﻼت‪ .‬ﻣﻴﺰة ﺧﺎﺻﺔ ﻟﺪواﺋﺮ‬ ‫ﺻﻐﻴﺮا ﻋﻨﺪﻣﺎ ﺗﻜﻮن ﻣﻨﺨﻔﻀﺔ أو ﻣﺘﺼﻠﺔ‬ ‫ﺗﻘﺪم ﺗﻴﺎ ًرا‬ ‫ً‬ ‫ﺑﺎﻷرض‪ .‬ﻟﺬﻟﻚ ‪ ،‬ﺗﻜﻮن اﻟﻤﺪﺧﻼت ﻏﻴﺮ اﻟﻤﺴﺘﺨﺪﻣﺔ ﻋﻠﻰ‬ ‫ﻋﺎل ‪ .‬وﻣﻊ ذﻟﻚ ‪ ،‬ﻣﻦ اﻟﻤﻤﺎرﺳﺎت اﻟﺠﻴﺪة‬ ‫ﻣﺴﺘﻮى ٍ‬ ‫ﺗﻌﻴﻴﻦ اﻟﻤﺪﺧﻼت ﻏﻴﺮ اﻟﻤﺴﺘﺨﺪﻣﺔ ﻋﻠﻰ إﻣﻜﺎﻧﺎت ﻋﺎﻟﻴﺔ‬ ‫ﺑﺤﻴﺚ ﻳﺘﻢ ﺗﻄﺒﻴﻖ إﻣﻜﺎﻧﺎت ﻣﺤﺪدة أو ﻣﺴﻤﻮح ﺑﻬﺎ‪.‬‬ ‫ﻳﻤﻜﻦ أن ﺗﺆدي اﻟﻤﺪﺧﻼت ﻏﻴﺮ اﻟﻤﺴﺘﺨﺪﻣﺔ إﻟﻰ ﺗﺪﻫﻮر‬ ‫‪.‬ﻛﺒﻴﺮ ﻓﻲ ﺣﺼﺎﻧﺔ اﻟﺘﺪاﺧﻞ اﻟﺴﻠﺒﻲ ﻟﻠﺪاﺋﺮة‬ ‫…ﻞ‬ ‫وﻇﺎﺋﻒ‬ ‫ﻣﻊ ﻣﺪﺧﻠﻴﻦ )‪ 1/4‬ﻣﻦ ‪ NAND ( 7400‬ﺗﻌﻤﻞ ﺑﻮاﺑﺔ‬ ‫‪:‬اﻟﻤﻮﺿﺢ ﻫﻨﺎ ﻋﻠﻰ اﻟﻨﺤﻮ اﻟﺘﺎﻟﻲ‬ ‫ﺑﻮاﺳﻄﺔ ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻣﺘﻌﺪد ‪ AND‬ﻳﺘﻢ ﺗﺸﻜﻴﻞ وﻇﻴﻔﺔ‬ ‫ﻋﻠﻰ ‪ U‬أو ‪ U‬إذا ﺗﻢ ﺗﻌﻴﻴﻦ اﻹدﺧﺎل ‪ V .‬اﻟﺒﺎﻋﺚ‬ ‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫ً‬ ‫ﻣﻮﺻﻼ ﻷن ‪ V‬ﻣﺴﺘﻮى ﻣﻨﺨﻔﺾ )أو أرض( ‪ ،‬ﻳﺼﺒﺢ‬ ‫‪1‬‬ ‫ﻳﺘﻜﻮن ﻣﻜﺒﺮ ‪ R .‬اﻟﺘﻴﺎر اﻷﺳﺎﺳﻲ ﻳﺘﺪﻓﻖ اﻵن ﻋﺒﺮ‬ ‫‪1‬‬ ‫و دﻓﻊ ‪ V‬ﻟﻠﺼﻮت اﻟﻼﺣﻖ ﻟﻠﺴﻴﻄﺮة اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬ ‫‪2‬‬ ‫ﺳﺤﺐ اﻧﺘﺎج اﻟﻤﺮﺣﻠﺔ ) اﻟﻄﻮﻃﻢ داﺋﺮة اﻟﻘﻄﺐ (‪ .‬ﻳﺘﻢ‬ ‫) ‪ (U V1Sat‬ﺗﻘﺮﻳ ًﺒﺎ إﻟﻰ اﻷرض ‪ V‬ﺗﻘﺮﻳﺐ ﻗﺎﻋﺪة‬ ‫‪2‬‬ ‫‪ V 3‬أﺳﺎس ‪ V 2 .‬ﺣﻴﺚ ﻳﺘﻢ ﺣﻈﺮ ‪ V ،‬ﺑﻮاﺳﻄﺔ ﺟﺎﻣﻊ‬ ‫‪1‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪ V‬ﻣﻨﺨﻔﺾ ‪ .‬ﻳﻘﻮم ‪ V 4‬ﻳﺼﺒﺢ ﻋﺎﻟﻴﺔ ‪ ،‬وذﻟﻚ ﻣﻦ‬ ‫ﺑﺈﺟﺮاء وﺗﻌﻴﻴﻦ اﻹﺧﺮاج إﻟﻰ ﻣﺮﺗﻔﻊ ‪ .‬إذا ﻛﻞ ﻣﻦ‬ ‫ﻳﺘﻢ ﺗﺰوﻳﺪ ﺑﺎﻟﺘﻴﺎر وﻏﻴﺮ ﻣﻮﺻﻞ ‪ ، V‬اﻟﻤﺪﺧﻼت ﻋﺎﻟﻴﺔ‬ ‫‪2‬‬ ‫ﻣﺴﺪود ‪V . V‬ﻋﻦ ﻃﺮﻳﻖ ﻣﺴﺎر ﺟﺎﻣﻊ اﻷﺳﺎﺳﻲ ﻟﻞ‬ ‫‪3‬‬ ‫‪1‬‬ ‫ﻣﻮﺻﻞ‪ .‬إﺧﺮاج ﻳﺬﻫﺐ ﻓﻘﻂ ﻣﻨﺨﻔﻀﺔ ﻋﻨﺪ ﻛﻞ ‪ V‬و‬ ‫‪4‬‬ ‫‪.‬ﻣﻦ اﻟﻤﺪﺧﻼت ﻋﺎﻟﻴﺔ ‪ -‬وﻇﻴﻔﺔ اﻧﺘﻔﻰ واﻟﻤﻨﻄﻖ‬ ‫‪3‬‬ ‫)اﻟﻤﺠﻤﻊ اﻟﻤﻔﺘﻮح‬ ‫اﻟﻤﺠﻤﻊ اﻟﻤﻔﺘﻮح‬ ‫‪) V‬ﻓﻲ إﺻﺪار‬ ‫ّ‬ ‫ّ‬ ‫إﻟﻰ اﻹﺧﺮاج‪ .‬ﻓﻲ ‪ V‬ﻣﻔﻘﻮد ‪ ،‬ﻟﺬﻟﻚ ﻳﺘﻢ ﺗﻮﺟﻴﻪ ﺟﺎﻣﻊ‬ ‫‪4‬‬ ‫ﻫﺬه اﻟﺤﺎﻟﺔ ‪ ،‬ﻳﺠﺐ ﺗﻮﺻﻴﻞ ﻣﻘﺎوم ﺳﺤﺐ ﺧﺎرﺟﻲ ﺑﺪﻻً‬ ‫ﻣﻦ‬ ‫ﻋﺎل ‪ .‬ﻳﺘﻴﺢ ﻫﺬا ‪ R‬ﻣﻦ‬ ‫أﺟﻞ ﺗﺤﻘﻴﻖ ﻣﺴﺘﻮى ٍ‬ ‫‪3‬‬ ‫اﻟﺘﺼﻤﻴﻢ ﺗﻮﺻﻴﻞ اﻟﻌﺪﻳﺪ ﻣﻦ اﻟﻤﺨﺮﺟﺎت ﺑﺎﻟﺘﻮازي‬ ‫ﻳﻤﻜﻦ ﻟﻜﻞ ﻣﻦ ‪ AND).‬ﺳﻠﻜﻲ( "‪ AND‬ﻟﺘﺸﻜﻴﻞ "ﺳﻠﻜﻲ‬ ‫اﻟﻤﺨﺮﺟﺎت اﻟﻤﺘﺼﻠﺔ ﺑﺎﻟﺘﻮازي أن ﺗﺴﺤﺐ اﻟﻌﻘﺪة إﻟﻰ‬ ‫أدﻧﻰ دون أن ﺗﺘﺄﺛﺮ ﺑﺎﻟﺤﺎﻻت اﻟﻤﻨﻄﻘﻴﺔ ﻟﻠﻤﺨﺮﺟﺎت‬ ‫اﻷﺧﺮى‪ .‬ﻣﻦ ﻧﺎﺣﻴﺔ أﺧﺮى ‪ ،‬ﻗﺪ ﻻ ﻳﺘﻢ ﺗﻮﺻﻴﻞ ﻣﺨﺮﺟﺎت‬ ‫اﻟﺘﺮﻳﺴﺘﺎت ﺑﺎﻟﺘﻮازي إﻻ إذا ﻟﻢ ﻳﻜﻦ ﻟﺪﻳﻬﻢ ﺣﺎﻻت ﻣﻨﻄﻖ‬ ‫‪.‬ﻣﺨﺘﻠﻔﺔ‬ ‫اﻟﻤﺘﻐﻴﺮات‬ ‫‪ TTL‬ﻣﻨﺨﻔﻀﺔ اﻟﻄﺎﻗﺔ ﺷﻮﺗﻜﻲ‬ ‫…ﻞ‬ ‫ﻧﺎﻧﻮ ‪= 10‬‬ ‫‪pd‬‬ ‫ﻓﻲ ﺗﺼﻤﻴﻢ ﻣﻨﺨﻔﺾ اﻟﻄﺎﻗﺔ ﻣﻦ ‪ NAND‬ﺑﻮاﺑﺔ‬ ‫‪ t‬ﻣﻴﻐﺎواط ؛ ‪ P = 2‬؛ ‪Schottky TTL : 74LS00‬‬ ‫‪V‬‬ ‫ﺛﺎﻧﻴﺔ‬ ‫ﻣﻨﺨﻔﺾ اﻟﻄﺎﻗﺔ ‪ TTL‬ﺧﺎﺻﻴﺔ اﻹرﺳﺎل ﻟﻤﺤﻮل ﺷﻮﺗﻜﻲ‬ ‫ﻟﻤﻨﻊ ﺗﺸﺒﻊ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات ‪ ،‬ﻳﻤﻜﻦ ﺗﻮﺻﻴﻞ اﻟﺜﻨﺎﺋﻴﺎت‬ ‫ﺑﺎﻟﺘﻮازي ﻓﻲ ﻣﺴﺎر ﺟﺎﻣﻊ اﻟﻘﺎﻋﺪة ‪ ،‬ﺑﺤﻴﺚ ‪Schottky‬‬ ‫ﻻ ﻳﻤﻜﻦ أﺑﺪً ا أن ﻳﻜﻮن اﻟﺠﻬﺪ ﻋﻨﺪ اﻟﻘﺎﻋﺪة أﻋﻠﻰ ﻣﻦ‬ ‫‪ 0.3‬ﻓﻮﻟﺖ ﻓﻮق ﺟﻬﺪ اﻟﻤﺠﻤﻊ وﻳﻜﻮن ﺑﻨﻔﺲ اﻟﻘﺪر ﻣﻦ‬ ‫اﻟﺘﻴﺎر ﻓﻲ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻳﺘﺪﻓﻖ ﺣﺴﺐ اﻟﻀﺮورة‪ .‬ﻳﻨﺘﺞ ﻋﻦ‬ ‫ﻫﺬا ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺷﻮﺗﻜﻲ ‪ .‬ﺗﻜﻮن اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات ﻏﻴﺮ‬ ‫اﻟﻤﺸﺒﻌﺔ أﺳﺮع )ﻻ ﻳﻠﺰم ﺷﻔﻂ ﺣﺎﻣﻼت اﻟﺸﺤﻦ اﻟﺰاﺋﺪة‬ ‫ﻗﺒﻞ إﻳﻘﺎف ﺗﺸﻐﻴﻞ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر( أو ﻳﻤﻜﻨﻚ اﺳﺘﺨﺪام‬ ‫اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات ﺑﺘﻀﺨﻴﻢ اﻟﺘﻴﺎر اﻟﻌﺎﻟﻲ وﺟﻌﻞ اﻟﺪاﺋﺮة‬ ‫ﺑﺄﻛﻤﻠﻬﺎ أﻛﺜﺮ ﻣﻘﺎوﻣﺔ ﻋﺎﻟﻴﺔ )وﺑﺎﻟﺘﺎﻟﻲ أﻛﺜﺮ ﻛﻔﺎءة ﻓﻲ‬ ‫ﻟـ ‪ LS‬و ‪ Schottky‬ﻟـ ‪ S‬اﺳﺘﺨﺪام اﻟﻄﺎﻗﺔ( )اﻟﺴﻠﺴﻠﺔ‬ ‫‪Low Power Schottky).‬‬ ‫…ﻞ‬ ‫اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻤﻨﺨﻔﺾ ‪TTL‬‬ ‫ﻫﻮ ﺷﻜﻞ ﺧﺎص ﻣﻦ )‪ TTL (LVTTL‬اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻤﻨﺨﻔﺾ‬ ‫ﻣﻨﻄﻖ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر )ﻋﺎﺋﻠﺔ اﻟﻤﻨﻄﻖ( ‪ ،‬ﺣﻴﺚ‬ ‫‪.‬ﻳﺘﻢ ﺗﻘﻠﻴﻞ ﺟﻬﺪ اﻹﻣﺪاد ﻣﻦ ‪ 5‬ﻓﻮﻟﺖ إﻟﻰ ‪ 3.3‬ﻓﻮﻟﺖ‬ ‫‪ TTL‬ﻣﺴﺘﻮى ﻣﻨﻄﻖ اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻤﻨﺨﻔﺾ‬ ‫ﻣﺎﻛﺲ‬ ‫دﻗﻴﻘﺔ‬ ‫ﻓﻮﻟﺖ ‪ U DD + 0.4‬ﻓﻮﻟﺖ ‪2‬‬ ‫ﻓﻮﻟﺖ ‪0.8‬‬ ‫…ﻞ‬ ‫ﺟﻬﺪ دﺧﻞ ﻋﺎﻟﻲ اﻟﻤﺴﺘﻮى ‪U IH‬‬ ‫ﻓﻮﻟﺖ ‪ −0.4‬ﺟﻬﺪ اﻟﺪﺧﻞ ﻣﻨﺨﻔﺾ اﻟﻤﺴﺘﻮى ‪U IL‬‬ ‫ﻓﻮﻟﺖ ‪ 5‬ﻓﻮﻟﺖ ‪2.4‬‬ ‫ﻓﻮﻟﺖ ‪0.4‬‬ ‫ﻣﻌﺎﻣﻞ‬ ‫رﻣﺰ‬ ‫اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻨﺎﺗﺞ ﻋﺎﻟﻲ اﻟﻤﺴﺘﻮى‬ ‫‪OH‬‬ ‫‪U‬‬ ‫ﻓﻮﻟﺖ ‪ 0‬ﺟﻬﺪ اﻟﺨﺮج ﻣﻨﺨﻔﺾ اﻟﻤﺴﺘﻮى ‪U OL‬‬ ‫ﻛﺒﺎر اﻟﺴﻦ وأﺳﻤﺎﺋﻬﻢ‬ ‫اﻟﻘﻴﺎﺳﻴﺔ ﻣﻦ ﺧﻼل ‪ TTL-ICs‬ﻳﻤﻜﻦ اﻟﺘﻌﺮف ﻋﻠﻰ‬ ‫ﺣﻴﺚ ﻳﺸﻴﺮ "‪xxx ، "74‬أو ‪xx 74‬ﺗﻌﻴﻴﻦ اﻟﻨﻤﻮذج ‪74‬‬ ‫إﻟﻰ ﻧﻮع اﻟﺒﻮاﺑﺔ )ﻋﻠﻰ ‪ xx / xxx‬إﻟﻰ ﻋﺎﺋﻠﺔ اﻟﻤﻨﻄﻖ و‬ ‫ﺗﺘﻮﻓﺮ ‪ NAND ).‬ﻳﺘﻮاﻓﻖ ﻣﻊ "‪ xx = "00‬ﺳﺒﻴﻞ اﻟﻤﺜﺎل‬ ‫ﻟﻨﻄﺎق درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ‪xx‬ﻣﻌﻈﻢ اﻟﻮﺣﺪات ً‬ ‫أﻳﻀﺎ ﺑـ ‪54‬‬ ‫ﻟﻨﻄﺎق درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة اﻟﺼﻨﺎﻋﻴﺔ‪xx .‬اﻟﻌﺴﻜﺮﻳﺔ أو ‪84‬‬ ‫‪xx ،‬ﻗﻠﻴﻠﺔ اﻻﺳﺘﺨﺪام وﺳﻠﺴﻠﺔ ‪xx 75‬ﺳﻠﺴﻠﺔ ‪49‬‬ ‫واﻟﺘﻲ ﺗﺘﻀﻤﻦ ﺑﺸﻜﻞ أﺳﺎﺳﻲ اﻟﻮاﺟﻬﺔ وﻣﺤﻮل‬ ‫اﻟﻤﺴﺘﻮى ودواﺋﺮ ﻣﻄﺎﺑﻘﺔ أﺧﺮى ‪ ،‬ﺗﻢ ﺑﻨﺎؤﻫﺎ ً‬ ‫أﻳﻀﺎ ﻓﻲ‬ ‫‪ TTL .‬ﺗﻘﻨﻴﺔ‬ ‫ﺗﺴﺘﻨﺪ ﺗﻌﻴﻴﻨﺎت اﻟﻤﺘﻐﻴﺮات ﺑﺸﻜﻞ ﻋﺎم ﻋﻠﻰ اﻟﻨﻮع‬ ‫اﻟﻘﻴﺎﺳﻲ اﻟﺬي ﺗﺘﻮاﻓﻖ اﻟﻮﺣﺪة واﻟﻮﻇﻴﻔﺔ ﻣﻦ أﺟﻠﻪ ﻣﻊ‬ ‫ﺗﺤﺪﻳﺪ اﻟﻤﺘﻐﻴﺮ ﻣﻦ ﺧﻼل اﻷﺣﺮف اﻟﻤﺪرﺟﺔ‪ .‬ﻧﻄﺎق ﺟﻬﺪ‬ ‫اﻹﻣﺪاد وﻣﺴﺘﻮﻳﺎت اﻹﺷﺎرة ﻏﻴﺮ ﻣﺘﻮاﻓﻘﺔ ﺑﺎﻟﻀﺮورة‪.‬‬ ‫ﺑﺎﻹﺿﺎﻓﺔ إﻟﻰ ﻣﺎ ﺳﺒﻖ ‪ ،‬ﻫﻨﺎك اﻟﻌﺪﻳﺪ ﻣﻦ ﻣﺘﻐﻴﺮات‬ ‫‪:‬اﻷﺧﺮى ‪ ،‬ﻋﻠﻰ ﺳﺒﻴﻞ اﻟﻤﺜﺎل ‪TTL‬‬ ‫ﻣﻨﺨﻔﺾ اﻟﻄﺎﻗﺔ ﻣﻊ اﺳﺘﻬﻼك أﻗﻞ ‪74L: TTL‬‬ ‫ﻟﻠﻄﺎﻗﺔ وﺳﺮﻋﺔ ﺗﺒﺪﻳﻞ أﻗﻞ‬ ‫ﻋﺎﻟﻲ اﻟﺴﺮﻋﺔ ﻣﻊ ﺳﺮﻋﺔ ﺗﺤﻮﻳﻞ ‪: TTL‬ﺳﺎﻋﺔ ‪74‬‬ ‫أﻋﻠﻰ ﺑﻜﺜﻴﺮ واﺳﺘﻬﻼك أﻋﻠﻰ ﻟﻠﻄﺎﻗﺔ‬ ‫ﻣﻊ ﺳﺮﻋﺔ ﺗﺤﻮﻳﻞ أﻋﻠﻰ ‪74S: Schottky TTL‬‬ ‫واﺳﺘﻬﻼك أﻋﻠﻰ ﻟﻠﻄﺎﻗﺔ‬ ‫ﻓﺎﺳﺖ ﺷﻮﺗﻜﻲ ‪74F:‬‬ ‫ﻃﺎﻗﺔ ﻣﻨﺨﻔﻀﺔ ﺷﻮﺗﻜﻲ ‪74LS:‬‬ ‫ﺷﻮﺗﻜﻲ اﻟﻤﺘﻘﺪم ‪ALS:‬أو ‪74AS 74‬‬ ‫…ﻞ‬ ‫أﻧﻮاع اﻟﺘﻴﺎر‬ ‫ﺣﻴﺚ ‪nn (n) xx (xx) ،‬اﻟﺸﺎﺋﻌﺔ ‪ TTL 74‬ﺗﺴﻤﻰ ﻛﺘﻞ‬ ‫ﺗﺮﻣﺰ إﻟﻰ ‪ x‬ﻫﻲ ﻋﺎﺋﻠﺔ اﻟﻤﻨﻄﻖ )اﻟﺘﻜﻨﻮﻟﻮﺟﻴﺎ( و ‪n‬‬ ‫ﻗﺪﻳﻤﺔ‪ .‬ﺳﻴﺘﻢ ‪xx‬وﻇﻴﻔﺔ اﻟﻤﻜﻮن‪ .‬ﻛﺘﻞ ﻣﻦ ﻧﻮع ‪74‬‬ ‫ﻓﻘﻂ )ﺧﻠﻴﻔﺔ ﺷﻮﺗﻜﻲ ﻣﻨﺨﻔﺾ اﻟﻄﺎﻗﺔ ‪LS‬ﺗﺼﻨﻴﻊ ‪74‬‬ ‫ﺗﻘﺮﻳ ًﺒﺎ ﺷﻮﺗﻜﻲ(‪ .‬ﺧﻠﻔﺎء ( ‪ F‬ﻟﻌﺎﺋﻠﺔ اﻟﻤﻨﻄﻖ ‪ (74‬و ‪74‬‬ ‫‪ CMOS:‬ﺗﻜﻨﻮﻟﻮﺟﻴﺎ‬ ‫‪ CMOS‬ﺗﻌﻨﻲ ‪: HC‬اﻟﺤﺎﻟﻴﺔ ‪ CMOS‬ﻋﺎﺋﻠﺔ ‪74HC:‬‬ ‫ﺗﺮدد ‪ V ، max.‬ﻋﺎﻟﻲ اﻟﺴﺮﻋﺔ ‪ ،‬ﺟﻬﺪ اﻟﺘﻐﺬﻳﺔ ‪6 …2‬‬ ‫ﺣﻮاﻟﻲ ‪ 25‬ﻣﻴﺠﺎﻫﺮﺗﺰ‬ ‫ﻳﺸﻴﺮ( ‪HC‬أﺳﺮع ﺑﻜﺜﻴﺮ ﻣﻦ ‪74AHC ، 74AC: 74‬‬ ‫) إﻟﻰ اﻟﻤﺴﺘﻮى اﻟﻤﺘﻘﺪم ‪A‬‬ ‫وﻟﻜﻦ ﻣﺘﻮاﻓﻖ ﻣﻊ ‪HC ،‬ﻋﻠﻰ ﻏﺮار ‪74HCT: 74‬‬ ‫ﺟﻬﺪ اﻟﺘﻐﺬﻳﺔ ‪ 5.5 ... 4.5‬ﻓﻮﻟﺖ ‪TTL ،‬‬ ‫‪ TTL‬وﻟﻜﻦ ﻣﺘﻮاﻓﻖ ﻣﻊ ‪ AC ،‬ﻋﻠﻰ ﻏﺮار ‪74ACT:‬‬ ‫ﻛﺎﻧﺖ ﺳﻠﺴﻠﺔ ‪ ، 4000‬اﻟﺘﻲ ﺗﻢ ﺗﻘﺪﻳﻤﻬﺎ ﻓﻲ ﻋﺎم ‪1970‬‬ ‫ﺗﻮﻓﺮ اﻟﻄﺎﻗﺔ ﻣﻘﺎرﻧﺔ ﺑـ ‪ ، CMOS‬أول ﻋﺎﺋﻠﺔ ﻣﻨﻄﻘﻴﺔ‬ ‫وﻟﻜﻨﻬﺎ ﺑﻄﻴﺌﺔ )ﺗﺮدد اﻟﻘﻄﻊ ﻋﻨﺪ ‪ 1‬ﻣﻴﺠﺎﻫﺮﺗﺰ( ‪TTL ،‬‬ ‫‪ TTL‬وﻟﻴﺴﺖ ﻣﺘﻮاﻓﻘﺔ ﻣﻊ اﻟﺮﻣﺰ واﻟﻤﻨﻄﻖ اﻟﻤﺘﻮاﻓﻖ ﻣﻊ‬ ‫ﺟﻬﺪ اﻹﻣﺪاد ‪ 3‬إﻟﻰ ‪ 15‬ﻓﻮﻟﺖ(‪ .‬ﻟﺪﻳﻬﺎ ﻣﻔﺘﺎح ﺗﺴﻤﻴﺔ(‬ ‫‪.‬ﻣﺨﺘﻠﻒ‬ ‫ﻋﺎﺋﻼت اﻟﻤﻨﻄﻖ ذات اﻟﺼﻠﺔ‬ ‫و اﻟﻤﻨﻄﻖ اﻟﺼﻤﺎم ‪ -transistor‬اﻟﻤﻘﺎوم اﻟﻤﻨﻄﻖ‬ ‫اﻟﺜﻨﺎﺋﻲ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻳﻤﻜﻦ اﻋﺘﺒﺎر ﻣﻦ اﻷﺳﺮ ﻣﻨﻄﻖ‬ ‫ﻫﺬه اﻟﻌﺎﺋﻠﺘﺎن ﻣﻦ اﻟﻤﻨﻄﻖ ﻋﻔﺎ ‪ TTL .‬اﻟﺴﻠﻒ ﻣﻦ ﻋﺎﺋﻠﺔ‬ ‫ﻋﻤﻠﻴﺎ اﻟﻴﻮم‬ ‫‪.‬ﻋﻠﻴﻬﺎ اﻟﺰﻣﻦ وﻟﻴﺲ ﻟﻬﺎ أي ﻣﻌﻨﻰ‬ ‫ً‬ ‫ﻫﻮ اﻟﻤﻨﻄﻖ اﻟﺒﻄﻲء واﻵﻣﻦ ‪ TTL‬ﺑﺎﻟﻘﺮب ﻣﻦ ﻋﺎﺋﻠﺔ‬ ‫ﻟﻠﻔﺸﻞ اﻟﺬي ﺗﻢ اﺳﺘﺨﺪاﻣﻪ ﻓﻲ اﻟﻤﺎﺿﻲ ﻟﻠﺘﻄﺒﻴﻘﺎت‬ ‫اﻟﺨﺎﺻﺔ‪ .‬اﻟﻴﻮم ‪ ،‬ﻫﺬه اﻟﻌﺎﺋﻠﺔ ﻣﻦ اﻟﻤﻨﻄﻖ ﻟﻴﺲ ﻟﻬﺎ ﻋﻤﻠﻴﺎ‬ ‫‪.‬أي أﻫﻤﻴﺔ ﻛﺒﻴﺮة‬ ‫اﻟﻤﺆﻟﻔﺎت‬ ‫ﺗﻘﻨﻴﺔ اﻟﻤﻌﺎﻟﺠﺎت اﻟﺪﻗﻴﻘﺔ‪ .‬اﻟﻄﺒﻌﺔ ‪Klaus Wüst:‬‬ ‫& ‪. Vieweg‬اﻟﺜﺎﻧﻴﺔ اﻟﻤﺤﺪﺛﺔ واﻟﻤﻮﺳﻌﺔ ‪ ،‬ﻓﺮﻳﺪ‬ ‫‪Sohn Verlag | GWV Fachverlage GmbH‬‬ ‫‪ ، ISBN 978-3-8348-0046‬ﻓﻴﺴﺒﺎدن ‪، 2006‬‬‫‪6.‬‬ ‫رواﺑﻂ اﻧﺘﺮﻧﺖ‬ ‫دﻟﻴﻞ( ‪www.datasheetcatalog.net‬‬ ‫)ﻣﺠﻤﻮﻋﺎت أوراق اﻟﺒﻴﺎﻧﺎت ﻟﻠﻤﻜﻮﻧﺎت اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺔ‬ ‫دﻟﻴﻞ ﻓﺮدي‬ ‫اﻗﺘﺮان ﻣﻨﻄﻖ ‪ US3283170 :‬ﺑﺮاءة اﺧﺘﺮاع ‪1.‬‬ ‫اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر واﻟﺪواﺋﺮ اﻷﺧﺮى‪ُ .‬ﻧﺸﺮ ﻓﻲ‬ ‫‪ 1.‬ﻧﻮﻓﻤﺒﺮ ‪ ، 1966‬اﻟﻤﺨﺘﺮع‪ :‬ج‪ .‬ﺑﻮي‬ ‫ﻣﻨﻄﻖ ﻗﻴﺎﺳﻲ ﻋﺎﺋﻼت ﻗﺪم‪ .‬ﻣﺘﺤﻒ ‪2. 1963 -‬‬ ‫ﺗﺎرﻳﺦ اﻟﻜﻤﺒﻴﻮﺗﺮ ‪ ،‬ﺗﻢ اﻟﺪﺧﻮل إﻟﻴﻪ ﻓﻲ ‪17‬‬ ‫‪.‬ﻓﺒﺮاﻳﺮ ‪2010‬‬ ‫‪): GND :‬اﻟﺒﻴﺎﻧﺎت اﻟﻘﻴﺎﺳﻴﺔ )ﻣﺼﻄﻠﺢ ﺗﻘﻨﻲ‬ ‫‪4078444-7‬‬ ‫‪Abgerufen von‬‬ ‫?‪„https://de.wikipedia.org/w/index.php‬‬ ‫‪title=Transistor-Transistor‬‬‫“‪Logik&oldid=197300143‬‬ ‫‪ F.Blaubiget‬ﺗﻢ ﺗﻌﺪﻳﻠﻪ آﺧﺮ ﻣﺮة ﻣﻨﺬ ‪ 4‬أﺷﻬﺮ ﺑﻮاﺳﻄﺔ‬ ‫‪.‬ﻣﺎ ﻟﻢ ﻳﺬﻛﺮ ﺧﻼف ذﻟﻚ ‪ CC BY-SA 3.0 ،‬اﻟﻤﺤﺘﻮى ﻣﺘﺎح ﺗﺤﺖ‬

Transistor-Transistor Logic (TTL) Overview

Products

Support

Transistor-Transistor Logic (TTL) Overview

Add this document to collection(s)

Add this document to saved

Suggest us how to improve StudyLib