Uploaded by Electro Medical

منطق الترانزستور الترانزستور - ويكيبيديا

advertisement
‫ﻣﻨﻄﻖ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬
‫اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬
‫ﺗﻜﻨﻮﻟﻮﺟﻴﺎ اﻟﺪواﺋﺮ ﻟﻠﺪواﺋﺮ اﻟﻤﻨﻄﻘﻴﺔ‬
‫ﻫﻲ ) ‪ ( TTL‬و ﻣﻨﻄﻖ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬
‫ﺗﻜﻨﻮﻟﻮﺟﻴﺎ اﻟﺪواﺋﺮ ) اﻷﺳﺮة اﻟﻤﻨﻄﻖ ( ﻟﻠﺪواﺋﺮ اﻟﻤﻨﻄﻖ )‬
‫‪ NPN‬اﻟﺒﻮاﺑﺎت ( اﻟﺘﻲ ﻣﺴﺘﻮ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات اﻟﻘﻄﺒﻴﻦ‬
‫‪ N ،‬ﺗﺴﺘﺨﺪم ﻛﻤﺎ ﻧﺸﻂ ﻣﻜﻮن ﻣﻦ اﻟﺤﻠﺒﺔ ‪ .‬ﻓﻲ ﻋﺎﺋﻠﺔ‬
‫ﻋﺎدة ﻣﺎ ﻳﺴﺘﺨﺪم اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻣﺘﻌﺪد اﻟﺒﺎﻋﺚ ﻓﻲ‬
‫اﻟﻤﺪﺧﻼت اﻟﻤﺘﺼﻠﺔ ‪ ،‬ﺑﺤﻴﺚ ﻳﺘﻄﻠﺐ ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر واﺣﺪ‬
‫‪ LS‬ﻓﻘﻂ ﻟﻠﻌﺪﻳﺪ ﻣﻦ اﻟﻤﺪﺧﻼت ؛ ﺑﺎﻟﻨﺴﺒﺔ ﻟﻌﺎﺋﻠﺔ‬
‫‪ AND‬اﻟﺰﻧﺎد ‪ ،‬ﻳﺘﻢ ﺗﻨﻔﻴﺬ اﺗﺼﺎل ‪ Schmitt‬وﻣﺪﺧﻼت‬
‫‪.‬ﻟﻠﻤﺪﺧﻼت ﺑﺎﺳﺘﺨﺪام اﻟﺜﻨﺎﺋﻴﺎت‬
‫اﻟﺮﺑﺎﻋﻴﺔ ( ﻣﻦ ‪ NAND 1976‬رﻗﺎﻗﺔ ) ﺑﻮاﺑﺔ ‪7400‬‬
‫اﻟﺘﺎرﻳﺦ‬
‫‪ James L. Buie‬ﺑﻮاﺳﻄﺔ ‪ TTL‬ﺗﻢ اﺧﺘﺮاع ﺗﻘﻨﻴﺔ‬
‫ﻓﻲ ﻋﺎم ‪ [1] . 1961‬أول دواﺋﺮ ﺗﺠﺎرﻳﺔ ‪ TRW‬ﻓﻲ‬
‫أﻧﺘﺠﺖ ﺷﺮﻛﺔ ﺳﻴﻠﻔﺎﻧﻴﺎ ﻟﻠﻤﻨﺘﺠﺎت اﻟﻜﻬﺮﺑﺎﺋﻴﺔ ‪ [2] .‬ﺗﻄﻮر‬
‫آﺧﺮ ﻗﺎﺋﻢ ﻋﻠﻰ ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات ﺛﻨﺎﺋﻴﺔ اﻟﻘﻄﺐ ﺑﺎﺳﺘﻬﻼك‬
‫‪ (I²L).‬أﻗﻞ ﻟﻠﻄﺎﻗﺔ ﻫﻮ ﻣﻨﻄﻖ اﻟﺤﻘﻦ اﻟﻤﺘﻜﺎﻣﻞ‬
‫ﻗﻴﺎﺳﻲ ‪TTL‬‬
‫‪ ، P‬اﻟﻘﻴﺎﺳﻴﺔ‪ :‬اﻟﻨﻮع ‪ TTL 7400‬ﺑﺘﻜﻨﻮﻟﻮﺟﻴﺎ ‪ NAND‬ﺗﻮﺻﻴﻞ ﺑﻮاﺑﺔ‬
‫‪ t‬ﻣﻴﻐﺎواط ؛ ‪= 10‬‬
‫ﻧﺎﻧﻮ ﺛﺎﻧﻴﺔ ‪= 10‬‬
‫‪pd‬‬
‫‪V‬‬
‫اﻟﻘﻴﺎﺳﻴﺔ ﻟﻠﻌﻤﻞ ﻋﻠﻰ ﺟﻬﺪ إﻣﺪاد ‪ TTL‬ﺗﻢ ﺗﺼﻤﻴﻢ دواﺋﺮ‬
‫‪ 5 ٪.‬ﻓﻮﻟﺖ ﻣﻊ اﻧﺤﺮاف ‪5‬‬
‫ﺗﺴﻤﻰ اﻟﺴﻌﺔ اﻟﺘﺤﻤﻴﻠﻴﺔ ﻟﻠﻤﺨﺮﺟﺎت ﺑﻤﺮوﺣﺔ ‪ ،‬واﻟﺘﻲ‬
‫ﺗﻌﺒﺮ ﻋﻦ ﻋﺪد اﻟﻤﺪﺧﻼت اﻟﺘﻲ ﻳﻤﻜﻦ أن ﻳﻘﺪﻣﻬﺎ‬
‫اﻟﻤﺨﺮج‪ .‬ﻫﺬا ﻣﻬﻢ ﻟﻠﺪواﺋﺮ اﻟﻤﻨﻄﻘﻴﺔ اﻟﺸﺎﻣﻠﺔ اﻟﻨﻤﻮذﺟﻴﺔ‬
‫‪ TTL.‬ﻟﻌﺼﺮ‬
‫ﻋﺎل )‬
‫ﻳﺘﻢ ﺗﻌﺮﻳﻒ اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻌﺎﻟﻲ ﻋﻠﻰ أﻧﻪ ﻣﺴﺘﻮى ٍ‬
‫ﻣﻨﻄﻖ ‪ 1‬ﻓﻲ ﻣﻨﻄﻖ إﻳﺠﺎﺑﻲ ( ‪ ،‬ﻳﺴﻤﻰ اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻤﻨﺨﻔﺾ‬
‫ﻣﺴﺘﻮى ﻣﻨﺨﻔﺾ )ﻣﻨﻄﻖ ‪ 0‬ﻓﻲ ﻣﻨﻄﻖ إﻳﺠﺎﺑﻲ(‪ .‬ﻳﺠﺐ‬
‫أن ﺗﻜﻮن اﻟﺪواﺋﺮ ذات أﺑﻌﺎد ﺑﺤﻴﺚ ﻳﺘﻢ اﻟﺘﻌﺮف ﻋﻠﻰ‬
‫ﻋﻠﻰ أﻧﻪ ﻣﺴﺘﻮﻳﺎت ﻣﻨﺨﻔﻀﺔ ‪ U <0.8 V‬ﺟﻬﺪ اﻟﺪﺧﻞ‬
‫‪E‬‬
‫ﻋﻠﻰ أﻧﻬﺎ ﻣﺴﺘﻮﻳﺎت ﻋﺎﻟﻴﺔ ‪ .‬ﻳﺠﺐ أن ‪> 2.0 V‬‬
‫‪E‬‬
‫‪U‬و‬
‫ﻋﻨﺪ اﻟﺤﻤﻞ اﻻﺳﻤﻲ >‪ U 0.4‬ﻳﻜﻮن ﺟﻬﺪ اﻟﺨﺮج‬
‫‪A‬‬
‫ﻓﻮﻟﺖ ﻟﻠﻤﺴﺘﻮى اﻟﻤﻨﺨﻔﺾ و< ‪ 2.4‬ﻓﻮﻟﺖ ﻟﻠﻤﺴﺘﻮى‬
‫اﻟﻌﺎﻟﻲ ‪ .‬وﺑﺎﻟﺘﺎﻟﻲ ﻓﺈن ﻧﺴﺒﺔ ﺛﺎﺑﺘﺔ اﻹﺷﺎرة إﻟﻰ‬
‫اﻟﻀﻮﺿﺎء ﻟﻜﻼ ﻋﺎﻟﻴﺔ و ﻣﻨﺨﻔﻀﺔ‪-‬اﻟﻤﺴﺘﻮى ‪0.4‬‬
‫ﻓﻮﻟﺖ‪.‬ﻳﻜﻮن ﺟﻬﺪ اﻟﺨﺮج اﻟﻔﻌﻠﻲ ﺑﻴﻦ ‪ 3‬ﺟﻴﺪ وأﻗﻞ‬
‫‪.‬ﺑﻘﻠﻴﻞ ﻣﻦ ‪ 4‬ﻓﻮﻟﺖ اﻋﺘﻤﺎدً ا ﻋﻠﻰ اﻟﺤﻤﻞ‬
‫ﻋﻠﻰ أﺟﻬﺰة ‪ TTL‬ﺗﺘﻤﻴﺰ اﻷﺟﻬﺰة اﻟﻤﻨﻄﻘﻴﺔ ﻓﻲ ﺗﻘﻨﻴﺔ‬
‫( ﺑﺄﻧﻬﺎ أﻗﻞ ﺣﺴﺎﺳﻴﺔ ﻟﻠﺘﻔﺮﻳﻎ اﻟﻜﻬﺮوﺳﺘﺎﺗﻴﻜﻲ ‪CMOS‬‬
‫ﺑﺴﺒﺐ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات اﻟﺘﻲ ﺗﺴﻴﻄﺮ ﻋﻠﻴﻬﺎ ‪ESD ).‬‬
‫ﻟﺪﻳﻬﺎ اﺳﺘﻬﻼك ﺗﻴﺎر ﻣﺮﺗﻔﻊ ﺑﺸﻜﻞ ﺧﺎص ‪ ، TTL‬اﻟﺤﺎﻟﻴﺔ‬
‫‪ CMOS.‬ﻣﻘﺎرﻧﺔ ﻣﻊ‬
‫‪1‬‬
‫‪ TTL-NAND. V‬ﺗﻈﻬﺮ اﻟﺼﻮرة اﻟﻤﻘﺎﺑﻠﺔ ﻫﻴﻜﻞ ﺑﻮاﺑﺔ‬
‫ﻫﻲ ‪ U‬و ‪ ، U‬ﻫﻮ ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻣﺘﻌﺪد اﻟﺒﺎﻋﺚ‬
‫‪2‬‬
‫‪1‬‬
‫ﻫﻲ أن اﻟﻤﺪﺧﻼت ‪ TTL‬اﻟﻤﺪﺧﻼت‪ .‬ﻣﻴﺰة ﺧﺎﺻﺔ ﻟﺪواﺋﺮ‬
‫ﺻﻐﻴﺮا ﻋﻨﺪﻣﺎ ﺗﻜﻮن ﻣﻨﺨﻔﻀﺔ أو ﻣﺘﺼﻠﺔ‬
‫ﺗﻘﺪم ﺗﻴﺎ ًرا‬
‫ً‬
‫ﺑﺎﻷرض‪ .‬ﻟﺬﻟﻚ ‪ ،‬ﺗﻜﻮن اﻟﻤﺪﺧﻼت ﻏﻴﺮ اﻟﻤﺴﺘﺨﺪﻣﺔ ﻋﻠﻰ‬
‫ﻋﺎل ‪ .‬وﻣﻊ ذﻟﻚ ‪ ،‬ﻣﻦ اﻟﻤﻤﺎرﺳﺎت اﻟﺠﻴﺪة‬
‫ﻣﺴﺘﻮى ٍ‬
‫ﺗﻌﻴﻴﻦ اﻟﻤﺪﺧﻼت ﻏﻴﺮ اﻟﻤﺴﺘﺨﺪﻣﺔ ﻋﻠﻰ إﻣﻜﺎﻧﺎت ﻋﺎﻟﻴﺔ‬
‫ﺑﺤﻴﺚ ﻳﺘﻢ ﺗﻄﺒﻴﻖ إﻣﻜﺎﻧﺎت ﻣﺤﺪدة أو ﻣﺴﻤﻮح ﺑﻬﺎ‪.‬‬
‫ﻳﻤﻜﻦ أن ﺗﺆدي اﻟﻤﺪﺧﻼت ﻏﻴﺮ اﻟﻤﺴﺘﺨﺪﻣﺔ إﻟﻰ ﺗﺪﻫﻮر‬
‫‪.‬ﻛﺒﻴﺮ ﻓﻲ ﺣﺼﺎﻧﺔ اﻟﺘﺪاﺧﻞ اﻟﺴﻠﺒﻲ ﻟﻠﺪاﺋﺮة‬
‫…ﻞ‬
‫وﻇﺎﺋﻒ‬
‫ﻣﻊ ﻣﺪﺧﻠﻴﻦ )‪ 1/4‬ﻣﻦ ‪ NAND ( 7400‬ﺗﻌﻤﻞ ﺑﻮاﺑﺔ‬
‫‪:‬اﻟﻤﻮﺿﺢ ﻫﻨﺎ ﻋﻠﻰ اﻟﻨﺤﻮ اﻟﺘﺎﻟﻲ‬
‫ﺑﻮاﺳﻄﺔ ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻣﺘﻌﺪد ‪ AND‬ﻳﺘﻢ ﺗﺸﻜﻴﻞ وﻇﻴﻔﺔ‬
‫ﻋﻠﻰ ‪ U‬أو ‪ U‬إذا ﺗﻢ ﺗﻌﻴﻴﻦ اﻹدﺧﺎل ‪ V .‬اﻟﺒﺎﻋﺚ‬
‫‪2‬‬
‫‪1‬‬
‫‪1‬‬
‫ً‬
‫ﻣﻮﺻﻼ ﻷن ‪ V‬ﻣﺴﺘﻮى ﻣﻨﺨﻔﺾ )أو أرض( ‪ ،‬ﻳﺼﺒﺢ‬
‫‪1‬‬
‫ﻳﺘﻜﻮن ﻣﻜﺒﺮ ‪ R .‬اﻟﺘﻴﺎر اﻷﺳﺎﺳﻲ ﻳﺘﺪﻓﻖ اﻵن ﻋﺒﺮ‬
‫‪1‬‬
‫و دﻓﻊ ‪ V‬ﻟﻠﺼﻮت اﻟﻼﺣﻖ ﻟﻠﺴﻴﻄﺮة اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬
‫‪2‬‬
‫ﺳﺤﺐ اﻧﺘﺎج اﻟﻤﺮﺣﻠﺔ ) اﻟﻄﻮﻃﻢ داﺋﺮة اﻟﻘﻄﺐ (‪ .‬ﻳﺘﻢ‬
‫) ‪ (U V1Sat‬ﺗﻘﺮﻳ ًﺒﺎ إﻟﻰ اﻷرض ‪ V‬ﺗﻘﺮﻳﺐ ﻗﺎﻋﺪة‬
‫‪2‬‬
‫‪ V 3‬أﺳﺎس ‪ V 2 .‬ﺣﻴﺚ ﻳﺘﻢ ﺣﻈﺮ ‪ V ،‬ﺑﻮاﺳﻄﺔ ﺟﺎﻣﻊ‬
‫‪1‬‬
‫‪3‬‬
‫‪ V‬ﻣﻨﺨﻔﺾ ‪ .‬ﻳﻘﻮم ‪ V 4‬ﻳﺼﺒﺢ ﻋﺎﻟﻴﺔ ‪ ،‬وذﻟﻚ ﻣﻦ‬
‫ﺑﺈﺟﺮاء وﺗﻌﻴﻴﻦ اﻹﺧﺮاج إﻟﻰ ﻣﺮﺗﻔﻊ ‪ .‬إذا ﻛﻞ ﻣﻦ‬
‫ﻳﺘﻢ ﺗﺰوﻳﺪ ﺑﺎﻟﺘﻴﺎر وﻏﻴﺮ ﻣﻮﺻﻞ ‪ ، V‬اﻟﻤﺪﺧﻼت ﻋﺎﻟﻴﺔ‬
‫‪2‬‬
‫ﻣﺴﺪود ‪V . V‬ﻋﻦ ﻃﺮﻳﻖ ﻣﺴﺎر ﺟﺎﻣﻊ اﻷﺳﺎﺳﻲ ﻟﻞ‬
‫‪3‬‬
‫‪1‬‬
‫ﻣﻮﺻﻞ‪ .‬إﺧﺮاج ﻳﺬﻫﺐ ﻓﻘﻂ ﻣﻨﺨﻔﻀﺔ ﻋﻨﺪ ﻛﻞ ‪ V‬و‬
‫‪4‬‬
‫‪.‬ﻣﻦ اﻟﻤﺪﺧﻼت ﻋﺎﻟﻴﺔ ‪ -‬وﻇﻴﻔﺔ اﻧﺘﻔﻰ واﻟﻤﻨﻄﻖ‬
‫‪3‬‬
‫)اﻟﻤﺠﻤﻊ اﻟﻤﻔﺘﻮح‬
‫اﻟﻤﺠﻤﻊ اﻟﻤﻔﺘﻮح‬
‫‪) V‬ﻓﻲ إﺻﺪار‬
‫ّ‬
‫ّ‬
‫إﻟﻰ اﻹﺧﺮاج‪ .‬ﻓﻲ ‪ V‬ﻣﻔﻘﻮد ‪ ،‬ﻟﺬﻟﻚ ﻳﺘﻢ ﺗﻮﺟﻴﻪ ﺟﺎﻣﻊ‬
‫‪4‬‬
‫ﻫﺬه اﻟﺤﺎﻟﺔ ‪ ،‬ﻳﺠﺐ ﺗﻮﺻﻴﻞ ﻣﻘﺎوم ﺳﺤﺐ ﺧﺎرﺟﻲ ﺑﺪﻻً‬
‫ﻣﻦ‬
‫ﻋﺎل ‪ .‬ﻳﺘﻴﺢ ﻫﺬا ‪ R‬ﻣﻦ‬
‫أﺟﻞ ﺗﺤﻘﻴﻖ ﻣﺴﺘﻮى ٍ‬
‫‪3‬‬
‫اﻟﺘﺼﻤﻴﻢ ﺗﻮﺻﻴﻞ اﻟﻌﺪﻳﺪ ﻣﻦ اﻟﻤﺨﺮﺟﺎت ﺑﺎﻟﺘﻮازي‬
‫ﻳﻤﻜﻦ ﻟﻜﻞ ﻣﻦ ‪ AND).‬ﺳﻠﻜﻲ( "‪ AND‬ﻟﺘﺸﻜﻴﻞ "ﺳﻠﻜﻲ‬
‫اﻟﻤﺨﺮﺟﺎت اﻟﻤﺘﺼﻠﺔ ﺑﺎﻟﺘﻮازي أن ﺗﺴﺤﺐ اﻟﻌﻘﺪة إﻟﻰ‬
‫أدﻧﻰ دون أن ﺗﺘﺄﺛﺮ ﺑﺎﻟﺤﺎﻻت اﻟﻤﻨﻄﻘﻴﺔ ﻟﻠﻤﺨﺮﺟﺎت‬
‫اﻷﺧﺮى‪ .‬ﻣﻦ ﻧﺎﺣﻴﺔ أﺧﺮى ‪ ،‬ﻗﺪ ﻻ ﻳﺘﻢ ﺗﻮﺻﻴﻞ ﻣﺨﺮﺟﺎت‬
‫اﻟﺘﺮﻳﺴﺘﺎت ﺑﺎﻟﺘﻮازي إﻻ إذا ﻟﻢ ﻳﻜﻦ ﻟﺪﻳﻬﻢ ﺣﺎﻻت ﻣﻨﻄﻖ‬
‫‪.‬ﻣﺨﺘﻠﻔﺔ‬
‫اﻟﻤﺘﻐﻴﺮات‬
‫‪ TTL‬ﻣﻨﺨﻔﻀﺔ اﻟﻄﺎﻗﺔ ﺷﻮﺗﻜﻲ‬
‫…ﻞ‬
‫ﻧﺎﻧﻮ ‪= 10‬‬
‫‪pd‬‬
‫ﻓﻲ ﺗﺼﻤﻴﻢ ﻣﻨﺨﻔﺾ اﻟﻄﺎﻗﺔ ﻣﻦ ‪ NAND‬ﺑﻮاﺑﺔ‬
‫‪ t‬ﻣﻴﻐﺎواط ؛ ‪ P = 2‬؛ ‪Schottky TTL : 74LS00‬‬
‫‪V‬‬
‫ﺛﺎﻧﻴﺔ‬
‫ﻣﻨﺨﻔﺾ اﻟﻄﺎﻗﺔ ‪ TTL‬ﺧﺎﺻﻴﺔ اﻹرﺳﺎل ﻟﻤﺤﻮل ﺷﻮﺗﻜﻲ‬
‫ﻟﻤﻨﻊ ﺗﺸﺒﻊ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات ‪ ،‬ﻳﻤﻜﻦ ﺗﻮﺻﻴﻞ اﻟﺜﻨﺎﺋﻴﺎت‬
‫ﺑﺎﻟﺘﻮازي ﻓﻲ ﻣﺴﺎر ﺟﺎﻣﻊ اﻟﻘﺎﻋﺪة ‪ ،‬ﺑﺤﻴﺚ ‪Schottky‬‬
‫ﻻ ﻳﻤﻜﻦ أﺑﺪً ا أن ﻳﻜﻮن اﻟﺠﻬﺪ ﻋﻨﺪ اﻟﻘﺎﻋﺪة أﻋﻠﻰ ﻣﻦ‬
‫‪ 0.3‬ﻓﻮﻟﺖ ﻓﻮق ﺟﻬﺪ اﻟﻤﺠﻤﻊ وﻳﻜﻮن ﺑﻨﻔﺲ اﻟﻘﺪر ﻣﻦ‬
‫اﻟﺘﻴﺎر ﻓﻲ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻳﺘﺪﻓﻖ ﺣﺴﺐ اﻟﻀﺮورة‪ .‬ﻳﻨﺘﺞ ﻋﻦ‬
‫ﻫﺬا ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺷﻮﺗﻜﻲ ‪ .‬ﺗﻜﻮن اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات ﻏﻴﺮ‬
‫اﻟﻤﺸﺒﻌﺔ أﺳﺮع )ﻻ ﻳﻠﺰم ﺷﻔﻂ ﺣﺎﻣﻼت اﻟﺸﺤﻦ اﻟﺰاﺋﺪة‬
‫ﻗﺒﻞ إﻳﻘﺎف ﺗﺸﻐﻴﻞ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر( أو ﻳﻤﻜﻨﻚ اﺳﺘﺨﺪام‬
‫اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات ﺑﺘﻀﺨﻴﻢ اﻟﺘﻴﺎر اﻟﻌﺎﻟﻲ وﺟﻌﻞ اﻟﺪاﺋﺮة‬
‫ﺑﺄﻛﻤﻠﻬﺎ أﻛﺜﺮ ﻣﻘﺎوﻣﺔ ﻋﺎﻟﻴﺔ )وﺑﺎﻟﺘﺎﻟﻲ أﻛﺜﺮ ﻛﻔﺎءة ﻓﻲ‬
‫ﻟـ ‪ LS‬و ‪ Schottky‬ﻟـ ‪ S‬اﺳﺘﺨﺪام اﻟﻄﺎﻗﺔ( )اﻟﺴﻠﺴﻠﺔ‬
‫‪Low Power Schottky).‬‬
‫…ﻞ‬
‫اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻤﻨﺨﻔﺾ ‪TTL‬‬
‫ﻫﻮ ﺷﻜﻞ ﺧﺎص ﻣﻦ )‪ TTL (LVTTL‬اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻤﻨﺨﻔﺾ‬
‫ﻣﻨﻄﻖ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر )ﻋﺎﺋﻠﺔ اﻟﻤﻨﻄﻖ( ‪ ،‬ﺣﻴﺚ‬
‫‪.‬ﻳﺘﻢ ﺗﻘﻠﻴﻞ ﺟﻬﺪ اﻹﻣﺪاد ﻣﻦ ‪ 5‬ﻓﻮﻟﺖ إﻟﻰ ‪ 3.3‬ﻓﻮﻟﺖ‬
‫‪ TTL‬ﻣﺴﺘﻮى ﻣﻨﻄﻖ اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻤﻨﺨﻔﺾ‬
‫ﻣﺎﻛﺲ‬
‫دﻗﻴﻘﺔ‬
‫ﻓﻮﻟﺖ ‪ U DD + 0.4‬ﻓﻮﻟﺖ ‪2‬‬
‫ﻓﻮﻟﺖ ‪0.8‬‬
‫…ﻞ‬
‫ﺟﻬﺪ دﺧﻞ ﻋﺎﻟﻲ اﻟﻤﺴﺘﻮى ‪U IH‬‬
‫ﻓﻮﻟﺖ ‪ −0.4‬ﺟﻬﺪ اﻟﺪﺧﻞ ﻣﻨﺨﻔﺾ اﻟﻤﺴﺘﻮى ‪U IL‬‬
‫ﻓﻮﻟﺖ ‪ 5‬ﻓﻮﻟﺖ ‪2.4‬‬
‫ﻓﻮﻟﺖ ‪0.4‬‬
‫ﻣﻌﺎﻣﻞ‬
‫رﻣﺰ‬
‫اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻨﺎﺗﺞ ﻋﺎﻟﻲ اﻟﻤﺴﺘﻮى‬
‫‪OH‬‬
‫‪U‬‬
‫ﻓﻮﻟﺖ ‪ 0‬ﺟﻬﺪ اﻟﺨﺮج ﻣﻨﺨﻔﺾ اﻟﻤﺴﺘﻮى ‪U OL‬‬
‫ﻛﺒﺎر اﻟﺴﻦ وأﺳﻤﺎﺋﻬﻢ‬
‫اﻟﻘﻴﺎﺳﻴﺔ ﻣﻦ ﺧﻼل ‪ TTL-ICs‬ﻳﻤﻜﻦ اﻟﺘﻌﺮف ﻋﻠﻰ‬
‫ﺣﻴﺚ ﻳﺸﻴﺮ "‪xxx ، "74‬أو ‪xx 74‬ﺗﻌﻴﻴﻦ اﻟﻨﻤﻮذج ‪74‬‬
‫إﻟﻰ ﻧﻮع اﻟﺒﻮاﺑﺔ )ﻋﻠﻰ ‪ xx / xxx‬إﻟﻰ ﻋﺎﺋﻠﺔ اﻟﻤﻨﻄﻖ و‬
‫ﺗﺘﻮﻓﺮ ‪ NAND ).‬ﻳﺘﻮاﻓﻖ ﻣﻊ "‪ xx = "00‬ﺳﺒﻴﻞ اﻟﻤﺜﺎل‬
‫ﻟﻨﻄﺎق درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ‪xx‬ﻣﻌﻈﻢ اﻟﻮﺣﺪات ً‬
‫أﻳﻀﺎ ﺑـ ‪54‬‬
‫ﻟﻨﻄﺎق درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة اﻟﺼﻨﺎﻋﻴﺔ‪xx .‬اﻟﻌﺴﻜﺮﻳﺔ أو ‪84‬‬
‫‪xx ،‬ﻗﻠﻴﻠﺔ اﻻﺳﺘﺨﺪام وﺳﻠﺴﻠﺔ ‪xx 75‬ﺳﻠﺴﻠﺔ ‪49‬‬
‫واﻟﺘﻲ ﺗﺘﻀﻤﻦ ﺑﺸﻜﻞ أﺳﺎﺳﻲ اﻟﻮاﺟﻬﺔ وﻣﺤﻮل‬
‫اﻟﻤﺴﺘﻮى ودواﺋﺮ ﻣﻄﺎﺑﻘﺔ أﺧﺮى ‪ ،‬ﺗﻢ ﺑﻨﺎؤﻫﺎ ً‬
‫أﻳﻀﺎ ﻓﻲ‬
‫‪ TTL .‬ﺗﻘﻨﻴﺔ‬
‫ﺗﺴﺘﻨﺪ ﺗﻌﻴﻴﻨﺎت اﻟﻤﺘﻐﻴﺮات ﺑﺸﻜﻞ ﻋﺎم ﻋﻠﻰ اﻟﻨﻮع‬
‫اﻟﻘﻴﺎﺳﻲ اﻟﺬي ﺗﺘﻮاﻓﻖ اﻟﻮﺣﺪة واﻟﻮﻇﻴﻔﺔ ﻣﻦ أﺟﻠﻪ ﻣﻊ‬
‫ﺗﺤﺪﻳﺪ اﻟﻤﺘﻐﻴﺮ ﻣﻦ ﺧﻼل اﻷﺣﺮف اﻟﻤﺪرﺟﺔ‪ .‬ﻧﻄﺎق ﺟﻬﺪ‬
‫اﻹﻣﺪاد وﻣﺴﺘﻮﻳﺎت اﻹﺷﺎرة ﻏﻴﺮ ﻣﺘﻮاﻓﻘﺔ ﺑﺎﻟﻀﺮورة‪.‬‬
‫ﺑﺎﻹﺿﺎﻓﺔ إﻟﻰ ﻣﺎ ﺳﺒﻖ ‪ ،‬ﻫﻨﺎك اﻟﻌﺪﻳﺪ ﻣﻦ ﻣﺘﻐﻴﺮات‬
‫‪:‬اﻷﺧﺮى ‪ ،‬ﻋﻠﻰ ﺳﺒﻴﻞ اﻟﻤﺜﺎل ‪TTL‬‬
‫ﻣﻨﺨﻔﺾ اﻟﻄﺎﻗﺔ ﻣﻊ اﺳﺘﻬﻼك أﻗﻞ ‪74L: TTL‬‬
‫ﻟﻠﻄﺎﻗﺔ وﺳﺮﻋﺔ ﺗﺒﺪﻳﻞ أﻗﻞ‬
‫ﻋﺎﻟﻲ اﻟﺴﺮﻋﺔ ﻣﻊ ﺳﺮﻋﺔ ﺗﺤﻮﻳﻞ ‪: TTL‬ﺳﺎﻋﺔ ‪74‬‬
‫أﻋﻠﻰ ﺑﻜﺜﻴﺮ واﺳﺘﻬﻼك أﻋﻠﻰ ﻟﻠﻄﺎﻗﺔ‬
‫ﻣﻊ ﺳﺮﻋﺔ ﺗﺤﻮﻳﻞ أﻋﻠﻰ ‪74S: Schottky TTL‬‬
‫واﺳﺘﻬﻼك أﻋﻠﻰ ﻟﻠﻄﺎﻗﺔ‬
‫ﻓﺎﺳﺖ ﺷﻮﺗﻜﻲ ‪74F:‬‬
‫ﻃﺎﻗﺔ ﻣﻨﺨﻔﻀﺔ ﺷﻮﺗﻜﻲ ‪74LS:‬‬
‫ﺷﻮﺗﻜﻲ اﻟﻤﺘﻘﺪم ‪ALS:‬أو ‪74AS 74‬‬
‫…ﻞ‬
‫أﻧﻮاع اﻟﺘﻴﺎر‬
‫ﺣﻴﺚ ‪nn (n) xx (xx) ،‬اﻟﺸﺎﺋﻌﺔ ‪ TTL 74‬ﺗﺴﻤﻰ ﻛﺘﻞ‬
‫ﺗﺮﻣﺰ إﻟﻰ ‪ x‬ﻫﻲ ﻋﺎﺋﻠﺔ اﻟﻤﻨﻄﻖ )اﻟﺘﻜﻨﻮﻟﻮﺟﻴﺎ( و ‪n‬‬
‫ﻗﺪﻳﻤﺔ‪ .‬ﺳﻴﺘﻢ ‪xx‬وﻇﻴﻔﺔ اﻟﻤﻜﻮن‪ .‬ﻛﺘﻞ ﻣﻦ ﻧﻮع ‪74‬‬
‫ﻓﻘﻂ )ﺧﻠﻴﻔﺔ ﺷﻮﺗﻜﻲ ﻣﻨﺨﻔﺾ اﻟﻄﺎﻗﺔ ‪LS‬ﺗﺼﻨﻴﻊ ‪74‬‬
‫ﺗﻘﺮﻳ ًﺒﺎ ﺷﻮﺗﻜﻲ(‪ .‬ﺧﻠﻔﺎء ( ‪ F‬ﻟﻌﺎﺋﻠﺔ اﻟﻤﻨﻄﻖ ‪ (74‬و ‪74‬‬
‫‪ CMOS:‬ﺗﻜﻨﻮﻟﻮﺟﻴﺎ‬
‫‪ CMOS‬ﺗﻌﻨﻲ ‪: HC‬اﻟﺤﺎﻟﻴﺔ ‪ CMOS‬ﻋﺎﺋﻠﺔ ‪74HC:‬‬
‫ﺗﺮدد ‪ V ، max.‬ﻋﺎﻟﻲ اﻟﺴﺮﻋﺔ ‪ ،‬ﺟﻬﺪ اﻟﺘﻐﺬﻳﺔ ‪6 …2‬‬
‫ﺣﻮاﻟﻲ ‪ 25‬ﻣﻴﺠﺎﻫﺮﺗﺰ‬
‫ﻳﺸﻴﺮ( ‪HC‬أﺳﺮع ﺑﻜﺜﻴﺮ ﻣﻦ ‪74AHC ، 74AC: 74‬‬
‫) إﻟﻰ اﻟﻤﺴﺘﻮى اﻟﻤﺘﻘﺪم ‪A‬‬
‫وﻟﻜﻦ ﻣﺘﻮاﻓﻖ ﻣﻊ ‪HC ،‬ﻋﻠﻰ ﻏﺮار ‪74HCT: 74‬‬
‫ﺟﻬﺪ اﻟﺘﻐﺬﻳﺔ ‪ 5.5 ... 4.5‬ﻓﻮﻟﺖ ‪TTL ،‬‬
‫‪ TTL‬وﻟﻜﻦ ﻣﺘﻮاﻓﻖ ﻣﻊ ‪ AC ،‬ﻋﻠﻰ ﻏﺮار ‪74ACT:‬‬
‫ﻛﺎﻧﺖ ﺳﻠﺴﻠﺔ ‪ ، 4000‬اﻟﺘﻲ ﺗﻢ ﺗﻘﺪﻳﻤﻬﺎ ﻓﻲ ﻋﺎم ‪1970‬‬
‫ﺗﻮﻓﺮ اﻟﻄﺎﻗﺔ ﻣﻘﺎرﻧﺔ ﺑـ ‪ ، CMOS‬أول ﻋﺎﺋﻠﺔ ﻣﻨﻄﻘﻴﺔ‬
‫وﻟﻜﻨﻬﺎ ﺑﻄﻴﺌﺔ )ﺗﺮدد اﻟﻘﻄﻊ ﻋﻨﺪ ‪ 1‬ﻣﻴﺠﺎﻫﺮﺗﺰ( ‪TTL ،‬‬
‫‪ TTL‬وﻟﻴﺴﺖ ﻣﺘﻮاﻓﻘﺔ ﻣﻊ اﻟﺮﻣﺰ واﻟﻤﻨﻄﻖ اﻟﻤﺘﻮاﻓﻖ ﻣﻊ‬
‫ﺟﻬﺪ اﻹﻣﺪاد ‪ 3‬إﻟﻰ ‪ 15‬ﻓﻮﻟﺖ(‪ .‬ﻟﺪﻳﻬﺎ ﻣﻔﺘﺎح ﺗﺴﻤﻴﺔ(‬
‫‪.‬ﻣﺨﺘﻠﻒ‬
‫ﻋﺎﺋﻼت اﻟﻤﻨﻄﻖ ذات اﻟﺼﻠﺔ‬
‫و اﻟﻤﻨﻄﻖ اﻟﺼﻤﺎم ‪ -transistor‬اﻟﻤﻘﺎوم اﻟﻤﻨﻄﻖ‬
‫اﻟﺜﻨﺎﺋﻲ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻳﻤﻜﻦ اﻋﺘﺒﺎر ﻣﻦ اﻷﺳﺮ ﻣﻨﻄﻖ‬
‫ﻫﺬه اﻟﻌﺎﺋﻠﺘﺎن ﻣﻦ اﻟﻤﻨﻄﻖ ﻋﻔﺎ ‪ TTL .‬اﻟﺴﻠﻒ ﻣﻦ ﻋﺎﺋﻠﺔ‬
‫ﻋﻤﻠﻴﺎ اﻟﻴﻮم‬
‫‪.‬ﻋﻠﻴﻬﺎ اﻟﺰﻣﻦ وﻟﻴﺲ ﻟﻬﺎ أي ﻣﻌﻨﻰ‬
‫ً‬
‫ﻫﻮ اﻟﻤﻨﻄﻖ اﻟﺒﻄﻲء واﻵﻣﻦ ‪ TTL‬ﺑﺎﻟﻘﺮب ﻣﻦ ﻋﺎﺋﻠﺔ‬
‫ﻟﻠﻔﺸﻞ اﻟﺬي ﺗﻢ اﺳﺘﺨﺪاﻣﻪ ﻓﻲ اﻟﻤﺎﺿﻲ ﻟﻠﺘﻄﺒﻴﻘﺎت‬
‫اﻟﺨﺎﺻﺔ‪ .‬اﻟﻴﻮم ‪ ،‬ﻫﺬه اﻟﻌﺎﺋﻠﺔ ﻣﻦ اﻟﻤﻨﻄﻖ ﻟﻴﺲ ﻟﻬﺎ ﻋﻤﻠﻴﺎ‬
‫‪.‬أي أﻫﻤﻴﺔ ﻛﺒﻴﺮة‬
‫اﻟﻤﺆﻟﻔﺎت‬
‫ﺗﻘﻨﻴﺔ اﻟﻤﻌﺎﻟﺠﺎت اﻟﺪﻗﻴﻘﺔ‪ .‬اﻟﻄﺒﻌﺔ ‪Klaus Wüst:‬‬
‫& ‪. Vieweg‬اﻟﺜﺎﻧﻴﺔ اﻟﻤﺤﺪﺛﺔ واﻟﻤﻮﺳﻌﺔ ‪ ،‬ﻓﺮﻳﺪ‬
‫‪Sohn Verlag | GWV Fachverlage GmbH‬‬
‫‪ ، ISBN 978-3-8348-0046‬ﻓﻴﺴﺒﺎدن ‪، 2006‬‬‫‪6.‬‬
‫رواﺑﻂ اﻧﺘﺮﻧﺖ‬
‫دﻟﻴﻞ( ‪www.datasheetcatalog.net‬‬
‫)ﻣﺠﻤﻮﻋﺎت أوراق اﻟﺒﻴﺎﻧﺎت ﻟﻠﻤﻜﻮﻧﺎت اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺔ‬
‫دﻟﻴﻞ ﻓﺮدي‬
‫اﻗﺘﺮان ﻣﻨﻄﻖ ‪ US3283170 :‬ﺑﺮاءة اﺧﺘﺮاع ‪1.‬‬
‫اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر واﻟﺪواﺋﺮ اﻷﺧﺮى‪ُ .‬ﻧﺸﺮ ﻓﻲ‬
‫‪ 1.‬ﻧﻮﻓﻤﺒﺮ ‪ ، 1966‬اﻟﻤﺨﺘﺮع‪ :‬ج‪ .‬ﺑﻮي‬
‫ﻣﻨﻄﻖ ﻗﻴﺎﺳﻲ ﻋﺎﺋﻼت ﻗﺪم‪ .‬ﻣﺘﺤﻒ ‪2. 1963 -‬‬
‫ﺗﺎرﻳﺦ اﻟﻜﻤﺒﻴﻮﺗﺮ ‪ ،‬ﺗﻢ اﻟﺪﺧﻮل إﻟﻴﻪ ﻓﻲ ‪17‬‬
‫‪.‬ﻓﺒﺮاﻳﺮ ‪2010‬‬
‫‪): GND :‬اﻟﺒﻴﺎﻧﺎت اﻟﻘﻴﺎﺳﻴﺔ )ﻣﺼﻄﻠﺢ ﺗﻘﻨﻲ‬
‫‪4078444-7‬‬
‫‪Abgerufen von‬‬
‫?‪„https://de.wikipedia.org/w/index.php‬‬
‫‪title=Transistor-Transistor‬‬‫“‪Logik&oldid=197300143‬‬
‫‪ F.Blaubiget‬ﺗﻢ ﺗﻌﺪﻳﻠﻪ آﺧﺮ ﻣﺮة ﻣﻨﺬ ‪ 4‬أﺷﻬﺮ ﺑﻮاﺳﻄﺔ‬
‫‪.‬ﻣﺎ ﻟﻢ ﻳﺬﻛﺮ ﺧﻼف ذﻟﻚ ‪ CC BY-SA 3.0 ،‬اﻟﻤﺤﺘﻮى ﻣﺘﺎح ﺗﺤﺖ‬
Download