Uploaded by Leonardo Estrada

Tabla BJT-configuraciones

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EE-421 N
CONFIGURACIONES MÁS COMUNES DEL BJT
Configuración
−
𝐸−𝐢
𝐴𝑉
𝐴𝑖
𝑍𝑖𝑛
π‘π‘œπ‘’π‘‘
𝛽𝑅𝑂
β„Žπ‘–π‘’
𝛽
β„Žπ‘–π‘’
𝑅𝑂
𝛼≅1
β„Žπ‘–π‘
𝑅𝑂
𝑅𝑂
β„Žπ‘–π‘
𝐡−𝐢
𝑁−𝐢
−
𝑅𝑂
𝑅𝐸
𝛽
β„Žπ‘–π‘’ + 𝛽𝑅𝐸
𝑅𝑂
𝐢−𝐢
𝛼≅1
𝛽
β„Žπ‘–π‘’ + 𝛽𝑅𝑂
β„Žπ‘–π‘
β„Žπ‘–π‘’ =
25π‘šπ‘‰
(π‘˜Ω)
𝐼𝐡
β„Žπ‘–π‘ =
𝐼𝐸 = 𝐼𝐢 + 𝐼𝐡
25π‘šπ‘‰
β„Žπ‘–π‘’
=
(Ω)
𝐼𝐸
𝛽+1
𝐴𝑉 =
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐡
𝐼𝐢 = 𝛼𝐼𝐸
𝑉𝑂
𝑉𝑖
𝐼𝐢 = 𝛽𝐼𝐡
OTRAS CONFIGURACIONES
Configuración
−
Cascode
𝐴𝑉
𝐴𝑖
𝑍𝑖𝑛
π‘π‘œπ‘’π‘‘
𝛽𝑅𝑂
β„Žπ‘–π‘’
𝛽
β„Žπ‘–π‘’
𝑅𝑂
𝛽𝐷 = 𝛽(𝛽 + 2)
Según la configuración.
Según la
configuración.
−
2β„Žπ‘–π‘’
𝑅𝑂
Según la
configuración.
Darlington
−
Diferencial
𝛽𝑅𝑂
2β„Žπ‘–π‘’
DC:
JFET
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 −
)
𝑉𝑃𝑂
2
π‘”π‘š = |
| βˆ™ √𝐼𝐷 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑉𝑃𝑂
πœ‡ = π‘”π‘š βˆ™ π‘Ÿπ‘‘π‘ 
DC:
𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2
π‘”π‘š = 2 𝐾 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )
πœ‡ = π‘”π‘š βˆ™ π‘Ÿπ‘‘π‘ 
MOSFET
𝐴𝑉 :
−π‘”π‘š βˆ™ 𝑅𝐿
𝑅𝑂
𝐴𝑉 :
−π‘”π‘š βˆ™ 𝑅𝐿
𝑅𝑂
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