Edición: Junio-2015
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Edita:
Fundación Rogelio Segovia para el
Desarrollo de las Telecomunicaciones
Ciudad Universitaria, s/n
28o4o-Madrid
Imprime:
E.T.S.I. Telecomunicación
Ciudad Universitaria, s/n
28040-Madrid
ISBN: 978-84-7402-407-4
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 2 Prólogo / Foreword Estimados participantes en la XII Reunión Nacional de Electrocerámica En 1990, se constituyó la sección de Electrocerámica, dentro de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, con la participación mayoritaria de Centros de Investigación en Materiales, la mayor parte de ellos del CSIC (Inst. de Cerámica y Vidrio, Inst. de Materiales de Madrid o Inst. de Materiales de Aragón) y con la presencia de Centros de Ingeniería (UPM, UPC o Inst. de Acústica e Ins. Automática Industrial CSIC). En estos 25 años, especial relevancia ha tenido la participación de la ETSI de Telecomunicación de Madrid. Ya en 1999, organizó la IV Reunión Nacional, y la II Reunión Iberoamericana de Electrocerámica. En esta reunión se crearon los premios Epsilon de Oro, que desde entonces se conceden de manera regular en todas las reuniones, junto con los premios a los jóvenes investigadores. En una fecha tan significativa en la que coinciden el 25 aniversario de la sección de Electrocerámica, junto con el 50 aniversario de la sede actual de la ETSI de Telecomunicación de la Universidad Politécnica de Madrid, creemos que es una buena oportunidad celebrar la XII Reunión Nacional de Electrocerámica, con una mayor participación de la Ingeniería en las jornadas, compartiendo los últimos avances científicos y tecnológicos en este encuentro, y promoviendo en todo momento la participación multidisciplinar dentro de uno de los foros de discusión más importantes sobre los avances más recientes y las tendencias emergentes en este campo. Con este espíritu la XII Reunión Nacional de Electrocerámica se va a desarrollar en la ETSI de Telecomunicación de la UPM, en el Campus de Excelencia Internacional de Moncloa, los días 17 a 19 de junio de 2015. Esperamos que disfrutéis de la estancia con nosotros y os agradecemos profundamente vuestra asistencia.
El Comité Organizador ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 3 ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 4 Indice 1. Comités
a. ComitédeHonor………………………………………………………………….………….
b. ComitéCientífico…………………………………………………………………………….
c. ComitéOrganizador………………………………………………………………………..
6 6 6 2. InformaciónPráctica
a. CómollegaralaETSIT…………………………………………………………………….
b. CenadelCongreso………………………………………………………………………….
9 9 10
3. Programa
a. Resumendelprograma………….………………………………………………………….
b. Miércoles17………………………………….………………………………………………….
c. Jueves18……………………………………………………………………………………….
d. Viernes19………….…………………………………………………………………………….
e. SesióndePoster……………………………………………………………………………….
11
13
13 15
17
4. Conferenciantesinvitados.
a. Curriculum………...…………………………………………………………………………….
b. Conferenciasinvitadas…………………………………………………..………………….
19 21
33
5. ComunicacionesOrales………………………………………………………………..………….
45
6. ComunicacionesenformadePoster……………………………………………………….
65
7. Indice de autores………………………….....................................…………………………….
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ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 5 ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 6 εlectrocerámica 2015 / εlectroceramics 2015 Comité de Honor
D. Miguel Campos Vilanova, Presidente de la Sociedad Española de Comité Científico Cerámica y Vidrio Roberto Prieto López, Vicerrector de Investigación UPM y Coordinador General CEI MONCLOA Dña. Marina Pilar Villegas Gracia, Directora General de Investigación Científica y Técnica Dña. Alicia Castro Lozano, Vicepresidenta de Investigación Científica y Técnica, CSIC D. Félix Pérez Martínez, Director ETSIT‐UPM D. Javier Sánchez Herencia, Vicepresidente Adjunto de Programación Científica, CSIC D. José Manuel Otón, Director CEMDATIC‐UPM Comité Organizador
Presidente: D. José de Frutos Vaquerizo , ETSIT‐UPM Vicepresidente: D. Federico A. Cebollada , CEMDATIC‐UPM Tesorera: Dña. Begoña Ferrari , ICV‐CSIC Secretario Administrativo: D. Jesús Martínez , SECV Vocales: D. Amador González Crespo , ETSIST‐UPM D. Fco Javier Jiménez Martínez, ETSIST‐UPM Dña. Esperanza Menéndez , IETCC‐CSIC D. Miguel Angel de la Rubia López , ETSIT‐UPM Dña. Teresa Jardiel , ICV‐CSIC D. David G. Calatayud , ICV‐CSIC D. M. A. Alario‐Franco, UCM Dña. C. Aragó, UAM D. H. Beltrán , UJI D. A. C. Caballero, ICV‐CSIC D. A. Caballero, Director ICMS‐US D. E. Calleja, Director ISOM‐UPM Dña. M. L. Calzada, ICMM‐CSIC D. J. J. Campo, Director CEQMA D. C. Cañizo, Director IES‐UPM Dña. M. Castellote, Directora IETCC D. J. C. Diez, ICMA‐UZ D. R. Diez, Director UFM‐EHU D. J. F. Fernández, ICV‐CSIC D. D. Fernández, INAEL SA, ULPGC D. G. F. de la Fuente, ICMA‐CSIC D. J. M. González, Coordinador MATERIALES CEI‐UCM D. J. L. González, Director CENIM D. F. M. B. Marques, U. Aveiro Dña. R. I. Merino, ICMA‐CSIC D. F. Montero de Espinosa, CAEND D. E. Morán, UCM D. X. Obradors, Director ICMAB‐CSIC ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Dña. L. Pardo, ICMM‐CSIC D. J. Y. Pastor, Coordinador MATERIALES CEI‐UPM D. M. A. de la Rosa, Director CICIC‐US D. F. Rubio, Director ICV‐CSIC D. J. Santamaría, UCM Dña. M. Segarra, UB Dña. M. A. Señarís, UDC D. F. J. Soria, Director ICMM‐CSIC D. J. A. Varela, IC‐UNESP D. A. Várez, UC3M Dña. M. E. Villafuerte‐Castejón, UNAM Dña. M. P. Villar, UCA D. A. R. West, U. Sheffield
Pag. 7 ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 8 Información Práctica / Practical Information
Cómo llegar a la ETSIT La Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación (ETSIT), se encuentra localizada en la "Ciudad Universitaria", campus universitario situado en la zona noroeste de Madrid La dirección completa de la ETSIT‐UPM es: Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación Avenida Complutense nº 30 Ciudad Universitaria 28040 Madrid GPS: 40.452165,‐3.726103,17 Se puede llegar a la ETSIT en autobús, en metro o en taxi. La línea F de autobús viene desde "Cuatro Caminos" (ver mapa) La parada de metro "Ciudad Universitaria", de la línea 6, es la más cercana a la ETSIT (está aproximadamente a 1 km , 10 minutos a pie). Cuatro Caminos y Moncloa tienen también paradas en la línea 6 de metro. Para mayor información se puede ver mapa. Saliendo de la parada de "Ciudad Universitaria" se cogen los autobuses 82, G y U, que paran en la entrada de la ETSIT Cómo llegar desde el aeropuerto En taxi. Tarifa 3. 30 € En metro: Línea 8 metro hasta Nuevos Nuevos Ministerios ‐> Transbordo a Linea 6 (Circular) Dirección Moncloa ‐> hasta Ciudad Universitaria. 58 min. Información adicional sobre transportes: http://www.etsit.upm.es/index.php/es/la‐escuela/sobre‐laescuela/como‐llegar ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 9 Cena del Congreso Jueves 18, a las 21 horas.
Restaurante La Leñera
Calle de Hernani, 60 28020 Madrid ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 10 εlectrocerámica 2015
Resumen del programa / Program Overview
Viernes 19 de Junio de 2015 Miércoles 17 de Junio de 2015 14:30‐
18:00 15:15‐
16:45 16:45‐
17:00 17:00‐
18:15 Inscripción y entrega de documentación Electrocerámica y 50 aniversario de la ETSIT en el Campus de Moncloa Bienvenida y apertura del congreso y Sesión 1
Pausa Sesión de inauguración del congreso Jueves 18 de Junio de 2015 9:30-11:00
11:00-12:00
Sesión 2 Materiales ferroeléctricos y piezoeléctricos Pausa café / Sesión póster Sesión 3 Materiales magnéticos y multiferroicos 14:00-15:30 Almuerzo
Sesión 4 15:30-17:30
Energía 17:30-18:00 Sesión de poster
21:00
Cena
12:00-14:00
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Sesión 5 9:45‐11:00 Síntesis y caracterización avanzada I 11:00‐11:30 Pausa café / Sesión póster Sesión 5 11:30‐13:15 Síntesis y caracterización avanzada II 13:15‐13:30 Pausa Acto de clausura ‐ Entrega de 13:30‐14:00 premios: Épsilon de oro y Jóvenes investigadores 14:00 Almuerzo Pag. 11 ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 12 Miércoles 17 de Junio de 2015 14:30‐18:00 Inscripción y entrega de documentación
Sesión 1 I‐01 I‐02 I‐03 Electrocerámica y 50 aniversario de la ETSIT en el Campus de Moncloa 15:15‐15:30 Bienvenida y apertura del congreso y sesión 1 Moderadores: José de Frutos y Amador Caballero
Relaciones entre estructura local y Tc en la oxidación de molibdo‐cupratos superconductores del 15:30‐15:55 M.Á. Alario‐Franco, S. Marik, E. Morán, O. Toulemonde tipo: MoxCu1−x Sr2RECu2Oy (RE = Y, Er and Tm) Integración de nanotubos de carbono en microresonadores piezoeléctricos 15:55‐16:20 Enrique Iborra 16:20‐16:45 Fernando Calle Graphene: Technologies and Applications 16:45‐17:00 Pausa 17:00‐17:15 Sesión de inauguración del congreso Plenaria 17:15‐18:00 Tomás Palacios Aula Magna, Edificio A Los materiales en el futuro de la tecnología de los microsistemas. La estrategia del MIT Jueves 18 de Junio de 2015 Sesión 2
I‐04 9:30‐10:00 O‐01 10:00‐10:15 O‐02 10:15‐10:30 O‐03 10:30‐10:45 O‐04 10:45‐11:00 Materiales ferroeléctricos y piezoeléctricos I .Bretos, R.Jiménez, J.Ricote, R.Sirera, A.J.Pérez‐Rivero, D.Pérez‐Mezcua, M.L.Calzada E. Cerdeiras, A. Robles, D. A. Ochoa, J. E. García, L. Mestres A. Reyes, L. Pardo, A. M. González, M.E. Villafuerte F. Rubio‐Marcos, A. Del Campo, P. Marchet, J. F. Fernández L. Pardo, A. García, K.Brebøl, E. Mercadelli, C. Galassi Moderadores: Luis Fuentes y Amador González
Reducción drástica de la temperatura de cristalización de láminas delgadas ferroeléctricas mediante métodos en disolución empleando luz UV Análisis de las propiedades estructurales y funcionales de materiales piezoeléctricos dopados derivados del BNBT Seguimiento del proceso de polarización en piezocerámicas BCTZ Movimiento de paredes de dominio ferroeléctricas inducido por luz polarizada Inhibición térmica de la piezoelectricidad de fases polares en cerámicas de (1-x)(Bi0.5Na0.5)TiO3-xBaTiO3
11:00‐12:00 Pausa café / Sesión póster ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 13 Jueves 18 de Junio de 2015 Sesión 3 Materiales magnéticos y multiferroicos I‐05 12:00‐12:30 María Antonia Señarís O‐5 12:30‐12:45 O‐6 R. Riesco, M. Peiteado, B. Bernardo‐Maestro, A. C. Caballero, F. Cebollada, J. de Frutos, C. Aragó. M.S. Bernardo, C. Gumiel, T. Jardiel, M. Peiteado, A.C. 12:45‐13:00 Caballero O‐7 13:00‐13:15 P. Arévalo, J. Isasi, A. C. Caballero O‐8 13:15‐13:30 O‐9 Moderadores: ar o Peiteado y David Calatayud
Materiales multiferroicos magnetoeléctricos basados en óxidos mixtos con estructura perovskita y relacionadas S.A. Barolin, M.A. de la Rubia, F. Rubio‐Marcos, R.E.
Alonso, F. Cebollada, J.F. Fernández Lozano, J. de Frutos M. E. Montero‐Cabrera, M. García‐Guaderrama, M. Á. 13:30‐13:45 Alario‐Franco, E. Morán, L. E. Fuentes‐Cobas, E. Macías‐
Ríos, M. E. Fuentes‐Montero Explorando el comportamiento multiferroico del sistema (BaTiO3)x(NiFe2O4)1‐x Síntesis mecanoquímica de BiFeO3 dopado con Nb5+ o W6+ Preparación, caracterización y estudio de nanocomposites magnéticos de aplicación en biomedicina Síntesis y caracterización piezoeléctrica, magnética y magnetoeléctrica de KNN‐LTS impregnado con CoFe2O4 Synthesis and local‐order study of ‐Fe2‐XCrXO3 (0.75 ≤ X ≤ 1.25) maghemite‐like materials 14:00‐15:30 Almuerzo Sesión 4 Energía Moderadores: milio orán y Alberto oure
I‐06 15:30‐16:00 Juan Enrique Page Materiales dieléctricos para su uso en dispositivos de microondas O‐10 16:00‐16:15 S.G. Patrício, F.M.B. Marques On the performance of ceria‐based composite membranes L.J. Vasquez‐Elizondo, J.C. Rendón‐Ángeles, Z. Síntesis hidrotermal de fosfato de litio‐hierro asistido por descomposición de urea: Efecto O‐11 16:15‐16:30 Matamoros‐Veloza, J. López‐Cuevas, K. Yanagisawa del compuesto precursor de litio O‐12 16:30‐16:45 S.Terny, M. A. de la Rubia, J. de Frutos, M.A. Frecheroa Síntesis y caracterización de nuevos materiales catódicos‐aplicación en baterías de ion litio Modificación microestructural de un electrodo de NiO mediante técnicas coloidales y su Z. González, B. Ferrari, A.J. Sanchez‐Herencia, A. O‐13 16:45‐17:00 Caballero, J. Morales influencia en las propiedades electroquímicas como supercondensador I‐07 17:00‐17:30 Berta Moreno Introducción de los materiales cerámicos en las pilas de combustible de baja temperatura 21:00 Cena ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 14 Viernes 19 de Junio de 2015 Sesión 5 I‐08 9:45‐10:15 O‐14 10:15‐10:30 O‐15 10:30‐10:45 O‐16 10:45‐11:00 11:00‐11:30 I‐9 11:30‐12:00 O‐17 12:00‐12:15 O‐18 12:15‐12:30 O‐19 12:30‐12:45 I‐10 12:45‐13:15 Síntesis y caracterización avanzada Moderadores: Fernando arques y ª Antonia eñaris
Marco de Luca Raman spectroscopy of lead‐free ferroelectrics and relaxors M. Peiteado, M. Verde, J. De Frutos, B. Sustainable processing of ZnO nanostructured assemblies with tailored morphology Ferrari, A.C. Caballero Preparación y caracterización de composites basados en ZnO dopados con óxido de hierro y grafeno V. Fuertes, J.F. Fernández, E. Enríquez para la modificación de sus propiedades E. de Lucas‐Gil, F. Rubio‐Marcos, J. F. Nanoflores de ZnO: caracterización y aplicaciones Fernández Pausa café / Sesión póster Elena Buixaderas A. Moure, M. Rull, B. Abad, A. Del Campo, M. Muñoz, A. Jacquot, J.F. Fernandez, M. Martin‐Gonzalez L. Alcaraz, J. Isasi L. E. Fuentes‐Cobas, D. Chateigner, G. Pepponi, S. Grazulis Emilio Morán, Jesús Prado‐Gonjal, Rainer Schmidt Moderadores: Carmen Ara y i uel An el de la Rubia
Phonons and relaxations in electroceramics CoSb3 percolated hierarchichal nanocomposites: a new approach for the optimization of thermoelectric materials Ensayos de obtención de nanopartículas de Y0.9Er0.1VO4 y Y0.9Er0.1V0.9M0.1O4 (con M = Cr o P). The representation of coupling interactions in the material properties open database (MPOD) Síntesis y procesado, asistidos por microondas, de materiales electrocerámicos 13:15‐13:30 Pausa 13:30‐14:00 Acto de clausura ‐ Entrega de premios: Épsilon de oro y Jóvenes investigadores 14:00 Almuerzo ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 15 ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 16 Sesión póster / Poster Session P‐01 P‐02 P‐03 P‐04 P‐05 P‐06 P‐07 P‐08 P‐09 P‐10 P‐11 P‐12 P‐13 PROPIEDADES DE SENSORES DE HUMEDAD BASADOS EN PELÍCULAS DE TiO2 OBTENIDAS MEDIANTE SOL‐GEL A.Crespo‐Durante, S. Larumbe y C. Gomez‐Polo E‐mail: adrian.crespo@unavarra.es STRUCTURAL AND ELECTRICAL CHARACTERISATION OF BaCe0.2Zr0.7Y0.1O3‐d
Gemma Heras‐Juaristi, Adilson L. Chinelatto, Domingo Pérez‐Coll,Rodolfo O. Fuentes, Glenn C. Mather E‐mail: mather@icv.csic.es ANALYSIS OF SINGLE AND BINARY PHASES IN CERIUM DOPED SODIUM BISMUTH TITANATE ‐Na0.5Bi0.5TiO3 MATERIALS S. Supriya, Antonio J. Dos santos‐García, J. de Frutos and F. Fernández‐Martinez. EFFECT OF Ag ADDITIONS ON THE Bi2Ba2Co2Ox THERMOLECTRIC PROPERTIES J.C. Diez, Sh. Rasekh, M.A. Torres, P. Bosque, M.A. Madre y A. Sotelo E‐mail: monux@unizar.es MODELADO DE TRANSDUCTORES ULTRASÓNICOS PARA FISIOTERAPIA Elvira Iglesias,, José de Frutos , Francisco Montero de Espinosa ESPECTROSCOPÍA DE IMPEDANCIA DE CÉLULAS DE CRISTAL LÍQUIDO DOPADAS CON NANOTUBOS DE CARBONO A. García‐García, R. Vergaz, J.F. Algorri, J.M. Otón y M. Geday E‐mail: amanda.gg@upm.es ON THE CHARACTERIZATION OF MgO‐PSZ A.I.B. Rondão, M.R. Soares, D.M. Tobaldi, A. Ferreira, J.A. Labrincha, F.M.B. Marques E‐mail: fmarques@ua.pt CONTROL OF THE COERCIVITY THROUGH MORPHOLOGY AND ANIONIC DEFECTS in Fe/NiO LAYERS DEPOSITED ON NANOPOROUS Al2O3 MEMBRANES M. Iglesias, G. Domínguez‐Cañizares, E. Navarro, E. Paz, D. Díaz Fernández, A. Gutiérrez, L. Soriano, M. Alonso, F. Cebollada, M. Sánchez‐Agudo, J. M. Gonzaléz and F.J. Palomares E‐mail: fcebollada@etsit.upm.es UTILIZACIÓN DE CERÁMICAS PIEZOELÉCTRICAS PARA LA DETERMINACIÓN DE MICROGRIETAS EN MATERIALES DE CONSTRUCCIÓN E. Menendez, S. Ruiz, FJ Jimenez, J. de Frutos E‐mail: emm@ietcc.csic.es OPTIMIZACIÓN DE PIEZOELÉCTRICOS COMERCIALES PARA SU USO EN SISTEMAS DE HARVESTING F. J. Jiménez Martínez, J. de Frutos, D. Alonso, M. Vázquez Rodríguez, MC Duro E‐mail: franciscojavier.jimenez@upm.es INFLUENCIA DE LA RUTA DE SÍNTESIS EN LAS PROPIEDADES FERROELÉCTRICAS Y PIEZOELÉCTRICAS DE LA SOLUCIÓN SÓLIDA 94(Bi0.5Na0.5TiO3)‐6(Ba0.9Ca0.1TiO3) R. Vivar‐Ocampo, L Pardo, A. M. González, and M E Villafuerte‐Castrejón SAFE DESING OF COBALT ALUMINATE NANOSTRUCTURES C. A. Docio, J. J. Reinosa y J. F. Fernández E‐mail: carmenma.docio@icv.csic.es RELAJACIÓN DIELÉCTRICA EN FERROELÉCTRICOS NORMALES A TEMPERATURAS CRIOGÉNICAS: UNA NUEVA APROXIMACIÓN Rafael Levit, Julio C. Martínez‐García, Diego A. Ochoa y José E. García E‐mail: jose.eduardo.garcia@upc.edu ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 17 ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 18 Breve curriculum de los conferenciantes invitados ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 19 ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 20 PLENARIO
Tomas Palacios
Department of Electrical Engineering and Computer Science Massachusetts Institute of Technology 77 Massachusetts Avenue, Rm. 39‐567B Cambridge, MA‐02139, USA tpalacios@mit.edu
http://web.mit.edu/tpalacios/
Tomás Palacios is the Emmanuel E. Landsman Career Development
Associate Professor of Electrical Engineering and Computer Science at the
Massachusetts Institute of Technology (MIT). He is affiliated with the
Department of Electrical Engineering and Computer Science and with the
Microsystems Technology Laboratory. He studied Telecommunication
EngineerinthePolytechnicUniversityofMadrid,andhereceivedhisMSand
PhDdegreesinElectricalEngineeringfromtheUniversityofCalifornia–Santa
Barbarain2004and2006,respectively.
In 1997, Tomás joined the Institute for Systems based on
OptoelectronicsandMicrotechnology(ISOM)inSpain.There,hedidresearch
on semiconductor fabrication technology, ultraviolet photodetectors, surface
acousticwavefiltersandhighelectronmobilitytransistors.Inthesummerof
2000,heworkedintheMicroelectronicsGroupoftheEuropeanOrganization
forNuclearResearch(CERN,Geneva)wherehecollaboratedinthedesignof
new Si transistors for radiation‐hard and low noise electronics. In 2002, he
joined Prof. Mishra´s group at UCSB where he developed new transistors
based on nitrides semiconductors for mm‐wave applications and he
established the state‐of‐the‐art in high frequency and high power
applications.
Tomás research interests include the design, processing and
characterization of new electronic devices based on wide bandgap
semiconductors for power amplification and digital applications beyond 100
GHz. He is also very interested in the development of new concepts for
biosensorsandbioactuatorsaswellasintheuseoftheuniquepropertiesof
nitrides semiconductors for power generation and conversion. His group is
alsofocusedondevelopingnewapplicationsanddevicesforgraphene,aone‐
atom‐thick new electronic material with amazing properties. When not at
MIT,Tomásenjoysreading,listeningtoclassicalmusic,hikingandattending
playsandconcerts.
His work has been recognized with multiple awards, including the
Young Scientist Award of the International Symposium on Compound
Semiconductors(ISCS),theYoungResearcherAwardatthe6thInternational
Conference on Nitride Semiconductors, the BestStudent Paper Award at the
36th Device Research Conference, the Lancaster Dissertation award, the
EuropeanPrizeSalvaiCampillotothe“mostpromisingEuropeanNewcomer
toEngineering”,etc.Heisalsoauthororcoauthorofmorethan200scientific
papers in international journals and conferences, three book chapter and
multipleinvitedtalksandpatents.
Recently Tomás has been awarded the Presidential Early Career
Award for Scientists and Engineers (PECASE) (October 2011), the DARPA
Young Faculty Award (March 2008), the Office of Naval Research’ Young
InvestigatorAward(March2009)andtheNationalScienceFoundation(NSF)
CAREERAward(July2009).
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Pag. 21 I‐01
Miguel Ángel Alario Franco
Catedrático de Universidad
Dpto de Química Inorgánica
Universidad Complutense de Madrid
Premio Epsilon de Oro 2003
Email:maaf@quim.ucm.es
DoctorenCienciasQuímicas(1970).Estudiospost‐doctorales:Inglaterra,País
de Gales, Italia (tres años en total). Catedrático de Química Inorgánica (UCM
1983‐Prof Agregado 1976). Decano de la Facultad de Químicas de la
Universidad Complutense de Madrid (1986‐1994). Profesor visitante en
Cambridge(RU),Grenoble(F),Berkeley(UCB‐USA),BahíaBlanca(Argentina),
San Diego (UCSD‐USA), (más de seis años en total). Cátedra América del
InstitutodeEspaña‐2MESESenMéxico‐(UNAM)‐1996.Catedráticoemérito
UCM desde el Curso 2012‐2013. Catedrático Emérito Universidad San
Pablo/CEUdesde2012,yprofesorAdHonoremdelaUniversidadCarlosIIIde
Madrid.
Épsilon de Oro de Electrocerámica de la Sociedad Española de Cerámica en
2003,PremioMéxicodeCienciayTecnología2009.Premio"MiguelCatalán"
deInvestigacióndelaComunidaddeMadrid2010.
Autor de más de 200 artículos científicos en revistas internacionales de la
especialidadydetrespatentes.Directordeveintetesisdoctorales.Editorde
treslibrosycoautordeunlibrosobresuperconductividad,editorasociadode
las revistas Microscopy, Microstructure and Analysis y Materials Research
Bulletin. Miembro del comité editorial de otras cinco revistas científicas
internacionales y del comité científico de cinco conferencias internacionales,
asícomodelAdvisoryPanelinSuperconductivityoftheEuropeanUnion.
PresidentedeestaAcademia(2009‐2012).
Académico Numerario (desde 1991) y Presidente (IX‐2009 a IX 2012) de la
Real Academia de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales. Honorary member,
Materials Research Society of India (1998). Académico correspondiente
extranjero de la Academia Nacional de Ciencias de la República Argentina
(2008),AcadémicodeHonordelaAcademiaColombianadeCiencias(2010).
HonoraryFellow:UniversityofWales,Aberystwyth(2015).
Premio de la Real Sociedad Española de Física y Química 1973 (Noveles),
Premio de la Real Academia de Ciencias en 1984, Premio de la Academia de
CienciasdeGranadaen1990,PremioReyJaimeIenCienciadeMaterialesen
1991, Medalla de Honor de la Real Sociedad Española de Química en 1996,
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Pag. 22 I‐02
Enrique Iborra Grau
CATEDRATICO UNIVERSIDAD
E.T.S.I. TELECOMUNICACION
Dpto INGENIERÍA ELECTRÓNICA (N) .
Grupo de Investigación: Microsistemas y
Materiales Electrónicos (CEMDATIC)
enrique.iborra@upm.es
eiborra@etsit.upm.es
CatedráticodeUniversidadyprofesorenelDepartamentodeIngeniería
Electrónica.ResponsabledelGrupodeInvestigaciónenMicrosistemasy
MaterialesElectrónicosymiembrodelComitéEjecutivodelCentrode
InvestigaciónenMaterialesyDispositivosparalasTIC(CEMDATIC).Las
líneasfundamentalesdeinvestigaciónquedirigeson:



TecnologíasdefabricacióndedispositivosMEMS,BAWySAW
Nanopartículasparaaplicacioneselectrónicasyfotónicas
Materialeselectrónicosenpelículadelegada
Además de las líneas de investigación propias del grupo, el GMME‐UPM
mantieneunacolaboraciónconelGrupodeFísicadeMaterialesComplejosde
la UCM, dirigido por el Prof. Jacobo Santamaria. Esta colaboración se lleva
desarrollandodesdehaceyavariosañosytienedosvertientes:eldesarrollo
dematerialesydispositivosparala(nano) electrónicadeóxidosbasadosen
filtradodeespínyeldesarrollodematerialesconductoresiónicoscomplejos
parasuaplicaciónenacumuladoreseléctricos
Como resultado de esta actividad, cuenta con más de 130 publicaciones
científicas, con un índice h de 17, numerosas ponencias invitadas en
congresos internacionales, ha dirigido más de 30 proyecto de investigación
con financiación pública, dos tesis doctorales y más de diez proyectos fin de
carrera.
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
FernandoCalle
CatedráticodeUniversidad
DepartamentodeIngenieríaElectrónica
E.T.S.I.Telecomunicación
28040Madrid
Spain
e‐mail:fernando.calle@upm.es
http://www.isomgraphene.es/185493067






NumberofMembershipsinProgram/InternationalAdvisory
Committees:20
Chairmanof3InternationalConf/Workshops:heTech2003and2012,
WOCSDICE2009
4PhD.ThesisSupervision
InvestigatororPrincipalInvestigatorin38projectsusingpublic
funds,in10EuropeanUnion,ESAorUSA‐fundedprojectsandin9
R&DprojectswithSpanishcompaniesorinstitutions
Numberofpapersininternationalpeerrefereedjournals:150(130
JCR)
Numberofcommunicationstoscientificmeetings:>170
InvitedtalksinInt.Meetings,WS,andUniversities:50
FullProfessor(CatedráticodeUniversidad),Dep.ElectronicsEngineering,
UPM
Education(degrees,dates,universities):
GraduateinPhysics(UAM),1985,andPh.D.Science(UAM),1990.PhDThesis
supervisor:Prof.JoséManuelCalleja
Career/Employment(employers,positionanddates):
2008‐2012,AsssociateDirector,InstituteofOptoelectronicsSystemsand
Microtechnology(ISOM)‐UPM;2004‐2008,AssociateDirectorforResearch,
ETSITelecomunicación;2004,AcademicSecretary,DepartmentofElectronics
Engineering,UPM;2000‐2004,AcademicSecretary,Instituteof
OptoelectronicsSystemsandMicrotechnology(ISOM)‐UPM
Mobility
Max‐Planck‐InstitutfürFestkörperforschung(Stuttgart,Germany),1989(13
weeks)
ATTBellLabs‐DptOptoelectronicDevices(MurrayHill,NJ,USA),1995‐96
(27weeks)
ResearchFieldsofInterest
III‐Vsemiconductors(GaAsandGaN‐based)andgraphene:technology,
devicesandapplications.Highfrequencyandpowerelectronics,
Optoelectronics,Microandnanoelectromechanicalsystems,Energy.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 24 I‐04
MaríaLourdesCalzadaCoco
ResearchProfessor
ICMM‐CSIC.
C/SorJuanaInésdelaCruz,3,
28049Madrid
Email:lcalzada@icmm.csic.es
Ph.D.inChemistryfromtheUniversityofAlcaládeHenares(Madrid‐Spain)in
1990. She enjoyed two‐years postdoctoral fellowship (1991‐1992) at the
School of Materials of the University of Leeds (U.K.). Since 1993, she is
Research Associate at the Materials Science Institute of Madrid (CSIC).
Permanent Staff of CSIC, Tenure Scientist, from 1998 at the Dpt. of
Ferroelectric Materials‐ICMM. She was appointed as Senior Scientist in
November2006andResearchProfessorinNovember2009.
Dr.Calzadaisauthorofabout100articlesinspecialisedjournalsincludedin
the SCI. She supervised three PhD Thesis and supervises at present two
ongoingones
Member of the Scientific Committee of the “Reuniones Nacionales de
Electrocerámica” and COST514 Workshop (Madrid, 1996). Member of the
Proceedings Committee of IMF‐10. Member of the Scientific Advisory
Committeeofthe“WorkshoponadvancesinthinfilmcharacterizationbyX‐
ray (Génova, 2002)”. Member of the Scientific Advisory Committee of
ElectroceramicsX(Toledo,June2006).
During the last ten years, Dr. Calzada has participated in eight Spanish
Projects, two European Projects (Brite/Euram and Growth), two European
COST(514 and 528) actions and one Thematic Network (POLECER) and a
numberofcooperationactivities(FR,PT).
Project leader of: “X‐ray expert system for electronic film quality
improvement”(G6RD‐CT1999‐00169),2002‐2004,“Estructuraydinámicade
dominiosaescalananométricadeláminasdelgadasferroeléctricasobtenidas
por sol‐gel. Relación con propiedades funcionales” (CAM 07N/0084/2002)
2003‐2004,“Láminasdelgadasferroeléctricas.Preparaciónycaracterización”,
Integrated Project CSIC‐Aveiro University (PT) and “Low temperature
processing of ferroelectric films for computer memories and piezoelectric
applications”(COST528 Action).She is as well project leader of a funded
projectbythespanishMEC:
Sol‐gelsynthesisforthetailoringofprecursorsusedinthefabricationofthin
and ultrathin ferroelectric films. The underlaying theme of Dr. Calzada’s
research is the synthesis of sol‐gel precursors for the production of
ferroelectric perovskite powders and films. Her current research interests
embrace the development of novel chemical processes that permit the
fabricationofthinandultrathinfilms,andself‐assembledsystemsintegrated
with silicon. She is also interested in the scaling down of the ferro‐
piezoelectric properties of these materials and on their applications in
devices.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 25 I‐05
MaríaAntoniaSeñarísRodríguez
Catedráticodeuniversidad(CAT‐UN)
DepartamentodeQuímicaFundamental
FacultaddeCiencias
CampusAZapateira,s/n
15071ACoruña
tonasr@udc.es
Festkörperforschung,Stuttgart(Germany)(1year,2008‐2009),Universityof
Frankfurt (Germany) (2 months, 2012) User of syncrotron and neutron
diffractionsourcesattheILLGrenobleandHMI(Berlin‐Germany).
Research:
Synthesis, characterization and study of materials that show outstanding
physical properties (superconducting, magnetic, electronic, dielectric,
multiferroic,thermoelectric,etc.)Influenceofchemicalcomposition,structure
andmicrostructureontheabove‐mentionedproperties.
Materialsunderinvestigation:transitionmetaloxides(cobaltites,manganites,
nickelates...),hybridinorganic‐organicsolids,magneticnanoparticles,etc.
GraduatedinChemistry,UniversidaddeSantiagodeCompostela1988.Master
in Chemistry, Universidad de Santiago de Compostela 1988. Master in
Materials of Technological Interest, Universidad Complutense de Madrid
1992.Ph.D.InChemistry,UniversidadComplutensedeMadrid1992
HeadoftheFundamentalChemistryDepartment,UniversidadACoruña2000‐
2002
Director of the Scientific Research Support Services, University of A Coruña
2004‐2005
Member of the Board of the Spanish Group of Solid State Chemistry, 1998‐
present
Member of the Assessment and Consultative Body CGIACA of the Agency for
QualityAssuranceintheGalicianUniversitySystem:2009topresent.
Publications: Over 105 papers in international journals and 150
communications (plenary, invited, oral and posters) in national and
internationalconferences.Supervisor:6DoctoralThesis,15MasterThesis.
Projects:Participationinover20projects,inmostofthemasresearchleader.
Researchexperienceabroad:
LaboratoiredePhysiqueduSolide,UniversitédeParis‐Sud,Francia(1month,
1991,1992),CenterforMaterialsScienceandEngineering,UniversityofTexas
at Austin, Austin (TX, USA) (2 years,1993‐1994), Max‐Planck Institut für
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 26 I‐06
JuanEnriquePage
CatedráticodeUniversidad
DptoSeñalesSistemasyRadioc..
ETSITelecomunicación
Avda.Complutense30
28040Madrid
E‐mail:jep@etc.upm.es.
Ingeniero de Telecomunicación (grado en 1971 y doctor en 1974). Desde
1983 es profesor en el Departamento de Electromagnetismo y Teoría de
CircuitosenlaETSIdeTelecomunicación,EscuelaenlaquefueDirectorenel
periodo1986–1989.
Comparte la docencia en Electromagnetismo y Teoría de Circuitos junto con
unaactivainvestigaciónenelcampodediseñoasistidoporordenador(CAD)
en dispositivos y sistemas de microondas, lo que incluye el análisis y
caracterizacióndeguíasdeonda,líneasdetransmisión,estructurasplanalesy
periódicas, el análisis y diseño de dispositivos pasivos para microondas y
ondasmilimétricasylaaplicacióndetécnicasdeoptimizaciónnumérica.Una
últimalíneadeinteréseselestudio,análisisyaplicación,delosdenominados
materiales zurdos, doblemente negativos o metamateriales, en el ámbito de
lasmicroondasylasondasmilimétricas.
Cuenta con numerosas publicaciones docentes y científicas y un importante
númerodeproyectosdeinvestigación,quecubrendesdeinvestigaciónbásica
hasta transferencia industrial con financiación pública tanto nacional como
europeayfinanciaciónprivada.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 27 I‐07
BertaMoreno
Doctoracontratada
DepartamentodeVidrios
ICV‐CSIC
Doctorapor laUniversidadAutónomade Madriden 2006.DentrodelGrupo
de Electrochemical Applications Materials, su trabajo de investigación se
centra en el campo de los procesos electroquímicos y electrocatalíticos
implicadosenaplicacionesenergéticasymedioambientales,destacandoenel
estudioydesarrollodepilasdecombustibledeóxidosólido(SOFCs).
Másdel50%delos30artículospublicadossehanrealizadoencolaboración
coninvestigadoresdecentrosextranjeros.
Los objetivos tecnológicos están financiados por proyectos privados y
públicos de apoyo tecnológico y presta especial atención a la formación de
personal,incluyendodireccióndetesisdoctorales(2),cursosdeformacióny
visitasdecientíficosyestudiantesextranjeros.
Laactividaddeinvestigaciónimplicaeldiseño,desarrolloycaracterizaciónde
materiales y componentes electroactivos para dispositivos electroquímicos.
Se desarrollan materiales y componentes para pilas de combustible
poliméricas (PEMFCs), pilas de combustible de óxido sólido (SOFCs) y
membranas cerámicas de separación de gases. En los últimos cinco años se
han iniciado estudios en el campo de los materiales biocerámicos
electroactivosparalaadherencia,supervivenciaycrecimientodeneuronasy
otras aplicaciones biomédicas como la eliminación de especies radicales de
oxígeno y/o nitrógeno, incluyendo nuevas terapias para la eliminación de
célulascancerígenas
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 28 
I‐08
MarcoDeluca
ScientificAssistant
Ramanspectroscopy,Electroceramics
MontanuniversitätLeoben
Email: marco.deluca@mcl.at
marco.deluca@unileoben.ac.at
Keyactivities
 Ramanspectroscopyformicro‐structuralandphasetransformation
analysisinleadzirconatetitanate(PZT)andlead‐freeceramic
ferroelectricsandrelaxors.
 Ramanspectroscopy‐applicationinstructuralandfunctionalceramic
materials:textureandorientationanalysis,measurementofresidual
stresses.
 Applicationofothermicro‐analyticalmethods(EDX,EBSD,FIB)tothe
micromechanicalanalysisofstructuralandfunctionalceramics.
 Mechanicalpropertiesofceramicsandsemiconductorsforuseinprinted
circuitboards.
ProfessionalBackground
 1998‐2004Diploma(ChemicalEngineering)fromtheUniversityof
Trieste,Trieste‐Italy.
 2004‐2005researchassistantattheInstituteoftheScienceand
TechnologyforCeramicMaterials,ISTEC‐CNR,Faenza‐Italy.
 2005‐2006researchassistantattheResearchInstituteforNanoscience,
KyotoInstituteofTechnology,Kyoto‐Japan.
 2005‐2009Dissertation(Ph.D)attheKyotoInstituteofTechnology,Kyoto
‐Japan.
 SinceMarch2009researcherattheInstituteforStructuralandFunctional
Ceramics
SelectedPublications







AkselE.,J.Forrester,B.Kowalski,M.Deluca,D.Damjanovic,JLJones:Phys.Rev.B,
85(2012)p.024121
M.Deluca,L.Stoleriu,LPCurecheriu,N.Horchidan,ACIanculescu,C.Galassi,L.
Mitoseriu:J.Appl.Phys.,111,(2012)p.084102
D.Schütz,M.Deluca,W.Krauss,A.Feteira,T.Jackson,K.Reichmann:Adv.Funct.
Mat.,22[11],(2012)pp.2285‐2294
M.Deluca,H.Fukumura,N.Tonari,C.Capitani,N.Hasuike,K.Kisoda,C.Galassi,H.
Harima:J.RamanSpectrosc,42,(2011)p.488th
M.Deluca,R.Bermejo,H.Grünbichler,V.Presser,R.Danzer,KGNickel:"Scripta
Mater.63,(2010)p.343rd
M.Deluca,T.Sakashita,G.Pezzotti:"Appl.Phys.Lett.,90,(2007)p.051919th
M.Deluca,T.Sakashita,W.Zhu,H.Chazono,G.Pezzotti:,J.Appl.Phys.,101,(2007)
p. 083,526th
M.Deluca,M.Higashino,G.Pezzotti:Appl.Phys.Lett.,90,(2007)p.091,906th
Awards
 RecipientofMonbukagakushograntforforeignresearchersinJapan
(JapaneseMinistryofCulture‐MEXT)2005‐2009.
 MemberoftheManagementCommitteeoftheEuropeanCOSTActionMP
0904SIMUFER"Singleandmulti‐phaseferroicsandmultiferroicswith
restrictedgeometries"(from2010).
 1stPrizeforposter(PostDocCategory)atthefirstEarlyStage
ResearchersWorkshopofCOSTActionMP0904(March2011).
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Pag. 29 I‐09
ElenaBuixaderas
ScientificAssistant
DivisionofCondensedMatterPhysics
DepartmentofDielectrics
InstituteofPhysicsASCR
Prague
Email: buixader@fzu.cz
Estudió Física en la Universidad del País Vasco y en la de Zaragoza, donde se licenció. Hizo el doctorado en la Academia de Ciencias de la República Checa (Estudios espectroscópicos de dinámica de la red en materiales ferroeléctricos, defendida en 2001). En 2005 recibió el premio Otto Wichterle de la Academia de Ciencias de la República Checa para jóvenes investigadores. Desde 1996 reside en Praga donde trabaja como investigadora en el Grupo de “Dielectric properties of nano‐inhomogeneities in condensed matter”, dirigido por el profesor Jan Petzelt. Algunas de sus líneas científicas son:  Espectroscopías de Infrarrojo Lejano, Raman y neutrons aplicados a
monocristales, cerámicas láminas delgadas y composites.
 Materiales Ferroeléctricos y multiferroicos. (Dinámicas de orden desorden,
ferroelectricidad incipiente, vídrios dipolares, antiferroeléctricos o
conductores superiónicos)
 Pérdidas dieléctricas en materiales para microondas.
Es autora de más de 50 publicaciones y ponente en numerosos congresos científicos especialmente relacionados con la Electrocerámica y materiales ferroeléctricos. ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 30 I‐10
Emilio Morán Miguélez Catedrático de Universidad Departamento de Química Inorgánica Universidad Complutense de Madrid Email: emoran@quim.ucm.es Doctor en Ciencias Químicas por la Universidad Complutense de Madrid, en
1981. Ha desempeñado diversos puestos docentes e investigadores, con
estanciasenelCNRSdeGrenoble(1980y1981),enloslaboratoriosdeATT‐
Bell en NJ‐USA (1984) o en el UCMIBM‐ARC “Del Amo en California. Desde
1985 es profesor en el departamento de química inorgánica de la UCM,
consiguiendo el puesto de Catedrático en 1999 y desempeñando desde
entonces numerosas funciones docentes, de gestión universitaria y de
investigación “Preparación, caracterización y propiedades de sólidos no
moleculares”delaUCMenelCampusdeExcelenciaInternacionaldeMoncloa,
tienecomolíneasdeinvestigaciónmásdestacadaslassiguientes:
 Estudiodematerialesparacomponentesdedispositivosgeneradoresde
energía
 Estudiodematerialesmultiferroicos
 Síntesisysinterizaciónasistidaspormicroondasdesólidosinorgánicos
 MaterialesSuperconductores
Es autor de más de 200 trabajos publicados en revistas científicas
especializadas, ponente invitado en numerosos congresos científicos,
participante,directorenmásde100proyectosdeinvestigaciónfinanciados
confondospúblicos(nacionalesyeuropeos)yfondosprivadosydirectorde4
tesisdoctorales.Miembrodenumerososcomitésdeevaluaciónyderevisión.
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Pag. 31 ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 32 I‐01
RELACIONESENTREESTRUCTURALOCALYTCENLA
OXIDACIÓNDEMOLIBDO‐CUPRATOS
SUPERCONDUCTORESDELTIPO:
MoxCu1−xSr2RECu2Oy(RE=Y,ErandTm).
Notas / Notes M.Á.Alario‐Franco1,S.Marik1,2,E.Morán1&O.Toulemonde2
1LaboratorioComplutensedeAltasPresiones,FacultaddeCienciasQuímicas,
UniversidadComplutensedeMadrid,CiudadUniversitaria,28040,MADRID.
2CNRS,UniversitédeBordeaux,ICMCB,87avenueduDr.A.Schweitzer,
Pessac,F‐33608,France
ElestudiopormediodedifraccióndeR‐Xyneutronesdelprocesode
oxidacióndelosmaterialescitadosaelevadaspresionesdeoxígeno(P≈1bar‐
90kbar)yaltastemperaturas(≤1273K),modificalaestructuralocaldelas
pirámides [Cu‐O5], cuyas bases constituyen los planos superconductores en
los cupratos: El oxígeno apical se aproxima progresivamente al cobre del
cuadradoplano[Cu‐O4]yelángulobasalO1‐Cu2‐O1seincrementaconel
contenidoenoxígeno.
EnelcursodeeseprocesoRed‐Ox,elmolibdenoseoxideyelcobrese
reduce. Al mismo tiempo, la temperatura crítica se incrementa de manera
notable.
Este comportamiento resulta anómalo en relación a la tendencia
habitualdelosprocesosdeoxidacióndesuperconductoresanálogoscomolos
delafamiliadelosdenominadoscupratosdemercurio.Estosresultadosserán
descritosycomentadosenlapresentecomunicación.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 33 I‐02
INTEGRACIÓN DE NANOTUBOS DE CARBONO EN MICRORESONADORES PIEZOELÉCTRICOS
Notas / Notes EnriqueIborra.
GMM‐CEMDATIC.DepartamentodeIngenieríaElectrónica.
ct
E.T.S.I.Telecomunicación.28040Madrid.Spain
enrique.iborra@upm.es
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 34 I‐03
GRAPHENE: TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS Notas / Notes Fernando Calle ISOM‐UPM.DptodeIngenieríaElectrónica.E.T.S.I.Telecomunicación
28040Madrid.Spain
e‐mail:fernando.calle@upm.es
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 35 Plenaria
LOSMATERIALESENELFUTURODELATECNOLOGÍADE
LOSMICROSISTEMAS.LAESTRATEGIADELMIT
Notas / Notes TomasPalacios
DepartmentofElectricalEngineeringandComputerScience.Massachusetts
InstituteofTechnology.77MassachusettsAvenue,Rm.39‐567B.Cambridge,
MA‐02139,USA
E‐Mail:tpalacios@mit.edu
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 36 I‐04
REDUCCIÓNDRÁSTICADELATEMPERATURADE
CRISTALIZACIÓNDELÁMINASDELGADAS
FERROELÉCTRICASMEDIANTEMÉTODOSEN
DISOLUCIÓNEMPLEANDOLUZUV
I.Bretos,*R.Jiménez,*J.Ricote,*R.Sirera,&A.J.Pérez‐Rivero,
* D.Pérez‐Mezcua*,&andM.L.Calzada*
*InstitutodeCienciadeMaterialesdeMadrid,CSIC(ICMM‐CSIC).
C/SorJuanaInésdelaCruz,3,Cantoblanco.Madrid.España.
&DepartamentodeQuímicayEdafología,FacultaddeCiencias,
UniversidaddeNavarra,E‐31008Navarra,España.
E‐mail:lcalzada@icmm.csic.es
Prometedoras aplicaciones en la emergente electrónica flexible (e.g.,
recolección de energía, celdas solares, actuadores, sensores o memorias)
requieren la incorporación de óxidos cristalinos funcionales para que el
dispositivo trabaje eficientemente. Sin embargo, integrar estos óxidos con
plásticos, papel o tela es un desafío, ya que sus temperaturas de procesado,
>600ºC,estánmuyporencimadelasdedegradacióndelsubstrato.Esto,sin
embargo,esunaoportunidadúnicaparalosóxidosferroeléctricos,yaquesu
multifuncionalidad intrínseca les permitiría realizar diversas operaciones en
dispositivosconaltasprestaciones.
Las técnicas de depósito de disoluciones se presentan hoy en día como los
únicos métodos que permiten una integración directa de capas
pasivas/activas con substratos flexibles, con la ventaja adicional de poder
manipular la química de la disolución para reducir la temperatura de
procesadodelóxidocristalino
Este trabajo aborda el procesado a baja temperatura de óxidos cristalinos
multifuncionales sobre substratos plásticos, utilizando luz UV. Para ello, se
diseñará la química de la disolución precursora mediante estrategias
novedosas de síntesis; e.g., (i) síntesis de complejos metálicos fotosensibles,
(ii)solesdifásicossemilladosyfotosensiblesy/o(iii)descomposiciónasistida
porfotocatálisis.1‐3
Estasrutassintéticasseaplicaránaprecursoresdeóxidosferroeléctricos[el
ferro‐piezoeléctricoPb(Zr1‐xTix)O3yelmultiferroícoBiFeO3)].Losmateriales
obtenidos se caracterizarán a escala nanoscópica y macroscópica, lo que
permitirá evaluar su utilidad en la próxima generación de dispositivos
flexibles.
Referencias
1.‐ D.Pérez‐Mezcua, R.Sirera, R.Jiménez, I.Bretos, C.De Dobbelaere, A.Hardy, M.K.Van
BaelandM.L.Calzada.J.Mater.Chem.C,2014,2,8750.
2. I.Bretos, R.Jiménez, A.Wu, A.I.Kingon, P.M.Vilarinho and M.L.Calzada. Adv.Mater.,
2014,26,1405.
3. I.Bretos,R.Jiménez,D.Pérez‐Mezcua,N.Salazar,J.RicoteandM.L.Calzada.Adv.Mater.,
2015,DOI:10.1002/adma.201405857.
Notas / Notes ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 37 I‐05
MATERIALESMULTIFERROICOSMAGNETOELÉCTRICOS
BASADOSENÓXIDOSMIXTOSCONESTRUCTURA
PEROVSKITAYRELACIONADAS
Notas / Notes MaríaAntoniaSeñarísRodríguez
DepartamentodeQuímicaFundamental,FacultaddeCiencias,Universidad
deACoruña,,15071ACoruña
E‐mail:m.senaris.rodriguez@udc.es
El desarrollo de materiales multiferroicos magnetoeléctricos, en los que
coexistan orden magnético y eléctrico de largo alcance y se produzca un
acoplamiento entre ambas propiedades, despierta gran interés debido a su
relevanciatecnológicayalosdesafíoscientíficosqueplantea.Noobstante,el
númerodematerialesmultiferroicos(unifásicos)conocidoespequeñoyaque
existen muy pocos compuestos que presenten simultáneamente ambas
propiedades y de ellos solo algunos presentan un cierto acoplamiento
magnetoeléctrico (ME). Entre ellos, los óxidos de los metales de transición
conestructuraperovskitasonespecialmenterelevantes.
Enestapresentación,trasunapanorámicageneralinicialnoscentraremosen
perovskitasmultiferroicastipoIIenlasquelapolarizaciónesinducidaporel
orden magnético y que son las que presentan los efectos ME más fuertes. Y
nos detendremos en algunos ejemplos concretos, como el del Lu2MnCoO6,
(perosvkita doble preparada por primera vez en nuestro laboratorio, y que
presenta polarización y magnetización netas que coexisten y se acoplan por
debajo de ~35 K, mediante mecanismos complejos e interesantes), o el del
CaMn7O12 (perosvkita cuádruple con una estructura magnética helicoidal,
que presenta una de las mayores polarizaciones inducidas magnéticamente
queseconoce).
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 38 I‐06
MATERIALESDIELÉCTRICOSPARASUUSOEN
DISPOSITIVOSDEMICROONDAS
Notas / Notes JuanEnriquePage
DptodeSSR.ETSITelecomunicaciónAvdaComplutense,3028040Madrid
E‐mail:jep@etc.upm.es
Si se quisiese describir con una sola palabra la manera en que un experto en dispositivos de alta frecuencia interacciona con los materiales dieléctricos ésta sería, sin duda, VARIEDAD. Es un error común pensar que este especialista utiliza los dieléctricos solo para construir sus dispositivos. En la sección de radiofrecuencia de un sistema de comunicaciones los dieléctricos aparecen además como componentes, muchas veces inevitables, del escenario y es necesario considerarlos como parte del sistema que se diseña. Esto hace que deban conocerse características electromagnéticas de materiales tan inesperados para un ingeniero de telecomunicación como el vidrio de ventana o la madera. En esta comunicación se pasa una revista rápida a un amplio conjunto de materiales utilizados por el autor a lo largo de su carrera profesional, tanto investigadora como docente, con referencias a sus diferentes aplicaciones. Si bien en ningún caso se plantea la actividad desde el punto de vista del experto en materiales, merece la pena destacar como el especialista en sistemas de alta frecuencia se convierte a veces en un “creador de materiales” a base de combinar, con su criterio de ingeniero, aquellos más simples que encuentra a su alcance con el fin de obtener un comportamiento más acorde a sus necesidades
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 39 I‐07
INTRODUCCIÓNDELOSMATERIALESCERÁMICOSENLAS
PILASDECOMBUSTIBLEDEBAJATEMPERATURA
química y térmica que estos materiales presentan hacen de ellos una
alternativarealycompetitivaalosmaterialesempleadosenlaactualidad.
Notas / Notes B.Moreno
InstitutodeCerámicayVidrio,CSIC,C/Kelsen5,CampusCantoblancoUAM‐
CSIC,28049,Madrid,España
E‐mail:berta@icv.csic.es
Las pilas de combustible de membrana de intercambio protónico (PEMFC)
representan una alternativa energética al uso de combustibles fósiles en
transporte y aplicaciones estacionarias de baja potencia. Aunque es una
tecnología lista para su comercialización, sigue en proceso de optimización,
principalmenteenelcosteylasprestacionesdesuscomponentes.Materiales
tradicionalescomoelplatinoyelcarbónenloselectrodos,olasmembranas
poliméricas de NAFION ® en el electrolito se ven sometidos a unas
limitaciones operativas importantes que suponen una barrera real a la
comercializacióndeestosdispositivos.Cadavezesmásevidentelanecesidad
de reducir el coste de producción y alargar el tiempo de vida útil de los
materiales que constituyen el corazón de la pila. Esta necesidad ha sido el
origen de una nueva línea de trabajo centrada en la implementación de
materialescerámicosenlosdistintoscomponentesdelasPEMFC.Materiales
como carburos (WC, MoC), óxidos (TiO2, WO2, SiO2) y óxidos mixtos con
estructura perovskita han sido considerados tanto en electrodos como en
electrolitos con tres objetivos claros: elevar su temperatura de trabajo,
limitadahastaelmomentoa80ºC,evitarladegradacióndelelectrocatalizador
en los electrodos, principalmente en el cátodo donde sufre unas condiciones
altamente corrosivas, y disminuir el contenido en Platino de los electrodos.
Las propiedades eléctricas de este tipo de cerámicas unidas a la resistencia
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 40 I‐08
RAMANSPECTROSCOPYOFLEAD‐FREE
FERROELECTRICSANDRELAXORS
ThecomplementaryroleofRamanspectroscopywithothertechniqueswillbe
highlighted, and also its capability to distinguish structuralfeatures that can
beascribedtodifferencesintheproductionprocessofthesematerials.
MarcoDeluca1,2
1MaterialsCenterLeobenForschungGmbH,Roseggerstrasse12,8700Leoben
Notas / Notes (Austria)
2InstitutfürStruktur‐undFunktionskeramik,MontanuniversitaetLeoben,
PeterTunnerStrasse5,8700Leoben(Austria)
E‐mail:marco.deluca@mcl.at
Ferroelectric and relaxor ceramics are being nowadays increasingly studied
for industrial piezoelectric, dielectric and energy‐related applications.
Followingtheenvironmentalregulationsthatimposefindingasuitablelead‐
freealternativetoreplacethedominantlead‐basedelectroceramics,bismuth‐
orbarium‐basedferroelectricsandrelaxorsarecurrentlyunderconsideration
forseveralapplications.
In this talk, the use of Raman spectroscopy for the characterization of these
material classes will be presented. Due to its sensitivity to the short‐range
structure,thistechniqueisespeciallyeffectiveifusedtogetherwithdielectric,
piezoelectricmeasurementsorX‐raydiffraction,methodsthatgenerallygive
amacroscopicpictureofthestructureandpropertiesofthematerial.Raman
spectroscopy can be used to detect phases, coexistence of phases, and their
transition in dependence of electric field, pressure and temperature. Several
examplesoftheapplicationofthistechniquetothestudyofrelaxorswillbe
given,includingsodiumbismuthtitanate(NBT),themostpromisinglead‐free
ferroelectric, and A‐site and B‐site substituted barium titanate (BT)‐based
ceramics. The relationship between the structures revealed by Raman
spectroscopy and the dielectric and electro‐mechanical properties of these
compositionswillbealsodiscussed.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 41 I‐09
PHONONSANDRELAXATIONSINELECTROCERAMICS
ElenaBuixaderas
InstituteofPhysics,CzechAcademyofSciences,NaSlovance2,Prague,Czech
Republic
Iwillshowanoverviewofallthespectroscopicmethodsmentioned,putting
emphasis in the problems encountered when modelling ceramics, films or
composites, along with the application of the approach in the most famous
electroceramicmaterial:PZT.
Notas / Notes E‐mail:buixader@fzu.cz
One of the most successful methods employed for revealing properties of
materials is the study of atomic vibrations of the crystal lattice and of
relaxations from vibrating objects present in the material. Atomic vibrations
or phonons provide information about intrinsic properties related to the
atomic arrangement: symmetry, atomic modulations, incommensurations...
Relaxations give information about extrinsic properties connected with
different objects present in the material: domains, nanoregions, grain
boundaries... The frequency of these last relaxations is mostly related to the
sizeoftherelaxingobject,whichisimportantfortheircharacterization.Both,
phononsandrelaxationscontributetothedielectricsusceptibility;therefore,
spectroscopic methods are very useful when analysing the dielectric
behaviourofamaterial.
Ceramicsdevelopedforelectronicapplicationscanbestudiedusingabroad‐
band approach to their dielectric behaviour, covering the frequency
dependence of the dielectric response from mHz to teraHz. Their dielectric
properties can be investigated using Raman, infrared spectroscopy, time‐
domainTHzspectroscopy,MWanddielectricspectroscopy.Bycombinationof
all these experimental methods, the whole dielectric behaviour can be
measured, interpreted and understood. In combination with simulations, via
mathematical modelling or first‐principles calculations, this approach is one
ofthemostpowerfultoanalyzeelectroceramics.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 42 I‐10
SINTESISYPROCESADO,ASISTIDOSPORMICROONDAS,
DEMATERIALESELECTROCERÁMICOS
EmilioMorán1,JesúsPrado‐Gonjal1yRainerSchmidt2
recargablesdelitioosodio,etc.Uncasodegraninteréseseldelaferritade
bismuto, BiFeO3, uno de los pocos materiales multiferroicos existentes, cuya
síntesis hidrotermal asistida por microondas permite conseguirlo bien
cristalizadoenpocosminutosycuyasinterizaciónenunhornomonomodales
asímismofactible.
Notas / Notes 1Dept.QuímicaInorgánica.F.C.Químicas.Univ.Complutense.28040Madrid.
2Dept.FísicaAplicadaIII.F.C.Físicas.UniversidadComplutense.
28040.Madrid
E‐mail:emoran@ucm.es
Lautilizacióndelaradiaciónmicroondasparalapreparaciónyprocesadode
materiales inorgánicos constituye una alternativa muy interesante aunque
demomentopocoexplotada..Existendistintasvíasdesíntesis(estadosólido,
precursores, hidrotermal, etc.) así como tipos de dispositivos, desde un
sencillo horno de microondas doméstico ‐convenientemente modificado‐
hastaaparatosmuchomássofisticadosconcontroldepresiónytemperatura.
Una mención especial merece el caso de equipos “monomodales”, que
permiten utilizar de modo selectivo ya sea la componente eléctrica o la
magnéticadelaradiación.Unaventajaobviadeestainnovadorametodología
eselconsiderableahorrotantodetiempo(minutosenlugardehorasodías)
comodeenergía,porloqueestemétodode“QuímicaRápida”podríatambién
serconsideradocomounmétodode“QuímicaVerde”.Nomenosimportante
eselhechodequesetrabajaencondicionesfueradelequilibrio,loquepuede
originarfasesmetaestables,yque,dadasurapidez,seinhibeelcrecimiento
delaspartículas,loquepuededarlugarananomaterialescontodoloqueello
conlleva.Enestacomunicaciónsepresentaránydiscutiránvariosejemplosde
materiales electrocerámicos, todos ellos óxidos, preparados por esta vía:
perovskitasdemetalesdetransiciónconaplicacióncomoelectrodosenpilas
de combustible de óxido sólido (SOFC), cerias dopadas con aplicación como
electrolito en el mismo tipo de pilas, materiales catódicos para batería
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 43 ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 44 O‐01
ANÁLISISDELASPROPIEDADESESTRUCTURALESY
FUNCIONALESDEMATERIALESPIEZOELÉCTRICOS
DOPADOSDERIVADOSDELBNBT
E.Cerdeiras1,A.Robles1,D.A.Ochoa2,J.E.García2y
L.Mestres1
en su valor como en la temperatura del máximo al introducir los diferentes
elementos en la estructura. Se ha evaluado también, el comportamiento
ferroeléctrico y piezoeléctrico de los diferentes materiales observándose
diferencias significativas en comparación con el material sin dopar. Estos
resultadosponendemanifiestoquelaadicióndeelementosenlaestructura
puede ser una forma prometedora de mejorar las propiedades de
piezocerámicasbasadasenelBNBT.
Notas / Notes 1DepartamentdeQuímicaInorgànica,UniversitatdeBarcelona,08028
Barcelona,España.
2DepartamentdeFísicaAplicada,UniversitatPolitècnicadeCatalunya,08034
Barcelona,España.
E‐mail:elena.cerdeiras@ub.edu
Durante los últimos años, en la búsqueda de materiales cerámicos libres de
plomo, los materiales basados en el Bi0,5Na0,5TiO3‐BaTiO3 (BNBT) han sido
ampliamente estudiados. Este sistema presenta una transición de fase
morfotrópica donde se observa un aumento de las propiedades eléctricas y
porestarazónesconsideradounodelosmaterialesmásprometedorespara
sustituir los materiales utilizados hoy en día en dispositivos electrónicos
basadosen elPb(Ti,Zr)O3.Asimismo,comoyaessabido,laincorporaciónde
dopantes en la estructura es una metodología común utilizada a fin de
modificaradecuadamentelaspropiedadesdelosmateriales.Porello,eneste
trabajosehallevadoacabolapreparaciónmediantereacciónenestadosólido
de las composiciones (Bi0,5Na0,5)1‐xBaxTi1‐yMyO3–δ (BNBTM) siendo x=0,06 e
y=0; 0,01 y M lantánidos y elementos de transición, a fin de estudiar su
influenciaenlaestructura,microestructuraypropiedadesfuncionalesdelas
cerámicas. Se han utilizado las técnicas habituales en química del estado
sólido,todosloscompuestospresentanfaseúnicayvariacióndeltamañode
granoconeldopaje.La permitividadeléctricapresenta modificacionestanto
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
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SEGUIMIENTODELPROCESODEPOLARIZACIÓNEN
PIEZOCERÁMICASBCTZ
A.Reyes1,L.Pardo2,A.M.González3yM.E.Villafuerte1
1InstitutodeInvestigacionesenMateriales,UniversidadNacionalAutónoma
deMéxico,CircuitoExteriorS/N,A.P.70‐360,México,D.F.,México.
2InstitutodeCienciadeMaterialesdeMadrid,ICMM‐CSIC,SorJuanaInésdela
Cruz,3.Cantoblanco,28049Madrid,España.
4GrupoPOEMMA,ETSISTelecomunicación,CampusSur,Universidad
PolitécnicadeMadrid,Ctra.ValenciaKm7,28031Madrid,España.
métododePechini).Asímismo,lasinterizacióndelacerámicasellevóacabo
en un horno de alta temperatura. Las propiedades eléctricas reportadas se
determinaronmedianteelmétodoiterativoderesonancias[5].
Palabrasclave:Piezoelectricidad,Permitividad,Polarización
Referencias
[1]WFLiuandXBRen(2009)PhysRevLett103[25]257602.
[2]DXue,YZhou,HBao,CZhou,JGaoandXRen(2011)JApplPhys109[5]054110
[3]YTian,LWei,XChao,ZLiuandZYang(2013)JAmCeramSoc96[2]496‐502.
[4]YZhang,JGlaum,CGroh,MCEhmke,JEBlendell,KJBowmanandMJHoffman
(2014)JAmCeramSoc97[9]2885‐91
[5]CAlemany,AMGonzález,L.Pardo,BJimenez,FCarmonaandJMendiola(1995)J
PhysD:ApplPhys28[5]945‐56
Notas / Notes E‐mail:ingaremo@gmail.com
LascerámicasBa1‐xCaxTi1‐yZryO3(BCxTZy)sedistinguenportenerpropiedades
ferroeléctricas y piezoeléctricas óptimas en comparación con algunos
materiales tipo PZT y otros compuestos respetuosos con el medio ambiente
(“lead‐free”). Actualmente, el BCxTZy (x=0.15; y=0.10) ha resultado ser el de
mayor estudio e interés, debido a las importantes características eléctricas
reportadas [1‐3]. Se sabe que éstas se encuentran relacionadas con la
proximidad que tiene la estequiometría del compuesto a la frontera de fase
morfotrópica(“MorphotropicPhaseBoundary”,MPB).Enestazonacoexisten
tresdiferentessimetríascristalinas(romboédrica(R),tetragonal(T)ycúbica
(C))lascualespromuevenlaelasticidadyablandamientodelared[3‐4].Esta
propiedad facilita la orientación de los dipolos entorno al campo eléctrico
aplicadoduranteelprocesodepolarización.
Enestetrabajoseanalizalavariaciónquetienelapermitividaddieléctrica,la
tangente de pérdidas y las diferentes constantes piezoeléctricas en relación
conlaintensidaddelcampoeléctricoaplicado.Lospolvoscerámicos,BCxTZy
(x=0.15;y=0.10),sesintetizaronpordosmétodosdiferentes(estadosólidoy
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 46 O‐03
MOVIMIENTODEPAREDESDEDOMINIO
FERROELÉCTRICAS
INDUCIDOPORLUZPOLARIZADA†
FernandoRubio‐Marcos1*),AdolfoDelCampo1,
PascalMarchet2,andJoseF.Fernández1.
* Correspondences and requests for materials should be addressed to Dr. F. Rubio‐
Marcos
Referencias:
1.
F.Rubio‐Marcos,A.DelCampo,P.Marchet,J.F.Fernández."Ferroelectricdomain
wall motion induced by polarized light”. Nat. Commun. 6:6594 doi:
10.1038/ncomms7594(2015)
Notas / Notes 1ElectroceramicDepartment,IttoCerámicayVidrio,CSIC,Kelsen5,28049,Madrid.
2LaboratoiredeSciencedesProcédésCéramiquesetdeTraitementsdeSurface,UMR
7315CNRS,UniversitédeLimoges,CentreEuropéendelaCéramique,12,rueAtlantis,
87068,LimogesCedex,France.
E‐mail:frmacos@icv.csic.es
Losmaterialesferroeléctricosexhibenpolarizaciónespontáneayestable,que
porlogeneralpuedeserreorientadaporlaaplicacióndeuncampoeléctrico
externo La naturaleza eléctricamente conmutable de esta polarización es la
base de varios dispositivos ferroeléctricos. El movimiento de las paredes de
dominioasociados,proporcionaloscimientosdelasmemoriasferroeléctricas,
en el que el almacenamiento de bits de datos se consigue mediante la
conducción de las paredes de dominio que separan regiones con diferentes
direcciones de polarización. Aquí nosotros mostramos la sorprendente
capacidad para mover las paredes de dominio ferroeléctricas en un
monocristaldeBaTiO3variandoelángulodepolarizacióndeunafuentedeluz
coherente. Este acoplamiento inesperado entre la luz polarizada y la
polarización ferroeléctrica, modifica la tensión inducida en las paredes de
dominiodelBaTiO3,lacualesobservada“insitu”utilizandoespectroscopiade
Raman confocal. Este potencial efecto podría conducir al control remoto, sin
contactos eléctricos, del movimiento de paredes de dominio ferroeléctricas
simplementeporaccióndelaluz.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 47 O‐04
INHIBICIÓNTÉRMICADELAPIEZOELECTRICIDADDE
FASESPOLARESENCERÁMICASDE
(1‐x)(Bi0.5Na0.5)TiO3‐xBaTiO3
L.Pardo1,A.García1,K.Brebøl2,E.Mercadelli3andC.Galassi3
inducidoporelcampoeléctrico.
[1]T.Takenakaetal.Jap.J.Appl.Phys.30,2236(1991)
[2]E.Ringgaardetal.J.Eur.Ceram.Soc.25,2701–2706(2005)
[3]L.D.Madsenetal.JElectroceram32,60–65(2014)
[4]A.Reyesetal.J.All.Comp.584,28‐33(2014)
[5]M.E.Montero‐Cabreraetal.Ferroelectrics469,50‐60(2014)
Notas / Notes 1InstitutodeCienciadeMaterialesdeMadrid‐CSIC,Madrid,Spain
2LimielApS.DK‐4772,Langebæk,Denmark
3InstituteofScienceandTechnologyforCeramics(CNR‐ISTEC),Faenza,Italy
E‐mail:lpardo@icmm.csic.es
Han transcurrido ya más de veinte años de investigación de los materiales
cerámicostipo“lead‐free”,medioambientamenterespetuosos,quepretenden
sustituir a los materiales comerciales basados en el titanato‐circonato de
plomo (PZT)[1]. En los últimos diez años, y en gran parte debido a la
legislación europea [2], este tema ha atraído a un gran número de
investigadoresyalgunospaisesyahandesarrolladoprogramasespecíficosde
financiación que tienen en cuenta esta temática [3]. No obstante, aspectos
como el desarrollo de procesados de alta reproducibilidad con tecnologías
limpiaseindustrialmentetransferibles[4],asicomounmayorconocimiento
de la estructura local de estos materiales [5], que permita desarrollar
estrategias de dopaje para controlar las propiedades de estos materiales de
modosimilaralasdelPZT,estánlejosdehaberseresueltoalafecha.Eneste
contexto, estamos estudiando cerámicas piezoeléctricas “lead‐free” (1‐
x)(Bi0.5Na0.5)TiO3‐xBaTiO3 [1]. Hemos preparado materiales por síntesis de
autocombustión de sol‐gel, a partir de acetatos y nitratos, y fabricadas
medianteprensadoencalienteyposteriorrecristalización.Observamosqueel
proceso de inhibición térmica de la piezoelectricidad es complejo, presenta
anisotropía y tiene lugar mediante la desorientación térmica de dominios
ferroeléctricos y la transición de fase local a partir de un ferroeléctrico
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 48 O‐05
EXPLORANDOELCOMPORTAMIENTOMULTIFERROICO
DELSISTEMA(BaTiO3)x(NiFe2O4)1‐x
deambas fasesdeberán seroptimizadosenel futurocon elfin deconseguir
materialesfuncionales.
Notas / Notes R.Riesco1,M.Peiteado2,B.Bernardo‐Maestro2,A.C.
Caballero3,F.Cebollada2,J.deFrutos2andC.Aragó1
1Dpt.ofMaterialsPhysics,FacultaddeCienciasC‐4UAM.
Cantoblanco,28049Madrid,Spain
2POEMMA‐CEMDATIC,ETSIT‐UPM,Avda.Complutense30,28040Madrid,
3Dpt.ofElectroceramics,IttoCeramicayVidrio(CSIC),C/Kelsen5,28049,
Madrid
email:carmen.arago@uam.es
Se han preparado, mediante síntesis hidrotermal, muestras cerámicas del
sistema mixto (BaTiO3)x(NiFe2O4)1‐x con distintas composiciones (x=1; 0.8;
0.65;0.6;0.5;0.2;0).Lapresenciadeunaperovskitacomoeltitanatodebario
(BaTiO3) con transición ferro‐paraeléctrica de primer orden junto con la
ferrita de níquel (NiFe2O4), bien conocido como material ferromagnético,
sugieren la posibilidad de diseñar un sistema multiferroico. En efecto, es
posible observar ciclo de histéresis ferromagnético en todo el rango de
composiciones mixtas, incluso para las composiciones más pobres en ferrita
(x=0.8); es decir, la presencia de la perovskita ferroeléctrica no inhibe el
comportamiento ferromagnético. Sin embargo la caracterización dieléctrica
indica que la transición de fase ferroeléctrica se atenúa rápidamente por la
presencia de la ferrita, volviéndose cada vez más difusa y desapareciendo
totalmenteparaunvalorcríticoxc 0.6,locuallimitadrásticamenteelrango
de composiciones en el que sería posible encontrar respuesta multiferroica.
Asimismofactorestalescomoeltamañodegranoyladistribuciónhomogénea
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 49 O‐06
SÍNTESISMECANOQUÍMICADEBiFeO3DOPADOCON
Nb5+oW6+
M.S.Bernardo1,2,C.Gumiel2,T.Jardiel1,M.Peiteado2,
A.C.Caballero1
Notas / Notes 1.DepartamentodeElectrocerámica,InstitutodeCerámicayVidrio(CSIC),
28049Madrid.
2.POEMMA‐CEMDATIC,ETSITelecomunicación(UPM),28040Madrid.
Las propiedades multiferroicas de los materiales basados en ferrita de
bismuto, BiFeO3, podrían mejorar mediante la substitución parcial de iones
Fe3+enlaestructuraperovsquitacondopantesdonorestalescomoNb5+oW6+.
Sinembargo,lasíntesis deestoscompuestosdopadosmedianteunasíntesis
convencionalenestadosólidoresultaenmaterialesmultifásicosconunagran
cantidaddefasessecundariasnodeseadas.Unaposibleestrategiaparaevitar
la formación masiva de estas fases es el uso de métodos de síntesis
alternativos. La síntesis por métodos mecanoquímicos ha sido propuesta
como uno de los métodos más adecuados para sintetizar algunos materiales
ferroeléctricos no fácilmente obtenibles mediante otras rutas de
procesamiento.EnestetrabajoseestudialaobtencióndeBiFeO3dopadocon
Nb5+ o W6+ mediante una ruta mecanoquímica. La caracterización de los
compuestos sintetizados entérminosdedifracciónderayosXymicroscopía
electrónica de transmisión de alta resolución evidencia una incorporación
eficientedelosionesdopantesenlaestructuraperovsquitadelBiFeO3yuna
motivadorabajaproporcióndefasessecundarias.Estosresultadosconfirman
estatécnicacomounabuenaalternativaalasíntesisenestadosólidoparala
obtención de BiFeO3 dopado con donores. No obstante, la evolución térmica
de los productos obtenidos también revela la naturaleza metaestable de las
fasessintetizadasquebajounmínimoaportedeenergíadanlugarasistemas
multifásicosnodeseados.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
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PREPARACIÓN,CARACTERIZACIÓNYESTUDIODE
NANOCOMPOSITESMAGNÉTICOSDEAPLICACIÓNEN
BIOMEDICINA
P.Arévalo1,J.Isasi1*,A.C.Caballero2
1DepartamentodeQuímicaInorgánicaI,FacultaddeCienciasQuímica,Univ.
ComplutensedeMadrid,CiudadUniversitarias/n28040Madrid,España.
2DepartamentodeElectrocerámica,InstitutodeCerámicayVidrio(CSIC),
Kelsen,5,28049Madrid,España.
*E‐mail:isasi@ucm.es
caracterizaciónyestudiodenúcleosmagnéticosdecomposiciónMFe2O4,con
M = Fe y Ni, que han sido recubiertas con polietilenglicol (PEG),
polivinilbutiral (PVB) polivinil alcohol (PVA) y chitosán. Se describen los
diferentesensayosrealizadosparallevaracabotodoslosrecubrimientos.
Referencias
[1] D. Ramimoghadam, S. Bagheri, S.B.A. Hamid, Colloids and Surfaces B:
Biointerfaces(2015),http://dx.doi.org/10.1016/j.colsurfb.2015.02.003.
[2]D.Stanicki,L.VanderElst,R.NMuller,S.Laurent.CurrentOpinionin
ChemicalEngineering,8,2015,7–14.
[3]L.M.A.Ali,R.Piñol,R.Villa‐Bellosta,L.Gabilondo,A.Millán,F.Palacio,V.
Sorribas.ToxicologyinVitro,29,2015.962–975.
Notas / Notes Enlaactualidadsonmuchoslosinvestigadoresquedirigensuatenciónhacia
el ensayo de diferentes métodos de preparación, con la finalidad de obtener
nanomateriales. La característica más importante y sorprendente de estos
compuestos es la presencia de propiedades singulares, dependientes de las
dimensiones de sus partículas que se encuentran dentro del rango
manométrico[1].
Desdehacetiempo,ennuestroslaboratoriossellevaacabounainvestigación
enfocada hacia la preparación, a escala nanométrica, de núcleos magnéticos
de composición MFe2O4 (M = Fe, Ni), cuyas propiedades magnéticas pueden
ser moduladas en función de la morfología del polvo resultante [2]. La
finalidad es la de recubrirlos con diferentes cortezas poliméricas que sean
biocompatibles, biodegradables y no toxicas para, más tarde, pasar a
sintetizarnanocompositesdeaplicaciónenbiomedicina[3].Enalgunoscasos
estos recubrimientos también pueden aportar cierta facilidad de
funcionalización.
Se presentan en este trabajo los resultados obtenidos en la preparación,
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 51 O‐08
SÍNTESISYCARACTERIZACIÓNPIEZOELEÉCTRICA,
MAGNÉTICAYMAGNETOELÉCTRICADEKNN‐LTS
IMPREGNADOCONCoFe2O4
S.A.Barolin1,3,M.A.delaRubia2,3,F.Rubio‐Marcos2,
R.E.Alonso4,F.Cebollada3,
J.F.FernandezLozano2yJ.deFrutos3
1LaboratoriodeMaterialesCerámicos,InstitutodeFísicadeRosario(IFIR‐
ferroeléctricadeKNN‐LTSsemidióporporosimetríademercurio.Lamatriz
porosalibredeplomo,lafasemagnéticaCoFe2O4ylasmuestrasimpregnadas
fueron estructural y micro estructuralmente caracterizadas por DRX, SEM,
Raman,AFMyMFM.Seobtuvieronlosciclosdehistéresisferroeléctricayel
coeficiente piezoeléctrico d33 para la porosa KNN‐NTS y se midieron ciclos
magnéticos para la fase ferro magnética pura y así como para el composite
KNN‐LTS‐CoFe2O4.
Agradecimientos: Este trabajo está financiado parcialmente por las becas
ARCOIRIS(ErasmusMundusActionEU)yporlosproyectosMAT2013‐48009‐
C4‐3‐P(España)
CONICET),Av.27defebrero210bis,2000Rosario,Argentina.
2DptoElectrocerámica,IttoCerámicayVidrio(CSIC),Kelsen5,28040Madri.
3POEMMA‐CEMDATIC.ETSIT‐UPM,Avda.Complutense,3028040Madrid.
Notas / Notes 4IIttoFísica,UniversidadNacionaldeLaPlata(CONICET),LaPlata,Argentina.
E‐mail:sebastos1976@gmail.com
Los sistemas cerámicos multifuncionales han despertado gran interés en los
últimos años destacando entre todos los materiales con propiedades
ferroeléctricas y ferromagnéticas. Una de las formas de conseguir la
coexistencia de las propiedades es mezclar ambas fases de forma física. La
mayorpartedelossistemasestudiadossonferritasdecobalto(CoFe2O4)ode
níquel (NiFe2O4) con PZT y BaTiO3. En este trabajo se desarrolla una matriz
porosaferroeléctricaparaluegollenarlosporosconlafasemagnética.Como
materialferroeléctricoconsideramoselKNN‐LTS(K,Na,Li)(Nb,Ta,Sb)O3,ya
queesunmaterialferroeléctricolibredeplomo.Lageneraciónyelcontrolde
la matriz porosa se consigue controlando la temperatura y el tiempo de
sinterización. Como material ferro magnético elegimos la ferrita de cobalto
(CoFe2O4). El llenado de los poros de la fase ferroeléctrica se produce por
impregnacióndeunasoluciónprecursoradelafaseferromagnética(CoFe2O4),
que será sinterizada luego de la impregnación. La porosidad de la matriz
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 52 O‐09
SYNTHESISANDLOCAL‐ORDERSTUDYOF‐Fe2‐XCrXO3
(0.75≤X≤1.25)MAGHEMITE‐LIKEMATERIALS
M.E.Montero‐Cabrera1,M.García‐Guaderrama2,
M.Á.Alario‐Franco3,E.Morán3,
L.E.Fuentes‐Cobas1,E.Macías‐Ríos1,M.E.Fuentes‐Montero4
1CentrodeInvestigaciónenMaterialesAvanzados(CIMAV),MigueldeCervantes
120,ComplejoIndustrialChihuahua,Chihuahua31136,Chih.,Mexico
edges to clarify, via short‐range structure characterization, the nature of the
investigatedsystems.Pre‐edgedecompositionandtheoreticalmodelingofX‐
ray absorption near edge structure (XANES) transitions were performed. By
analysisoftheCrK‐edgeXANES,ithasbeenconfirmedthatCrislocatedinan
octahedralenvironment.TheseconsiderationsrequiredtofittheextendedX‐
ray absorption fine structure (EXAFS) spectra considering the facts that the
centralatomofFeisabletooccupytwodifferentpositions,eachwithaweight
adjustment, while Cr occupies only one. Interatomic distances were
determinedforx=1,byfittingsimultaneouslybothFeandCrK‐edgesaverage
EXAFSspectra.Theresultsoffittingtheexperimentalspectrawiththeoretical
standards showed that the cation vacancies tend to follow a regular pattern
withinthestructureoftheiron‐chromiummaghemite(FeCrO3).
2CentrodeInvestigaciónenMaterialesDIP‐CUCEI,Univ.deGuadalajara.Av.
Revolución1500,Col.Olímpica.Guadalajara,Mexico.
3DepartamentodeQuímicaInorgánica.FacultaddeCienciasQuímicas.
Notas / Notes UniversidadComplutense.28040Madrid.Spain(EU)
4FacultaddeCienciasQuímicas,UniversidadAutónomadeChihuahua,Av.
Escorza900,ZonaCentro,Chihuahua31000,Mexico
E‐mail:elena.montero@cimav.edu.mx;marco.garcia@academico.udg.mx;
maaf@quim.ucm.es;emoran@quim.ucm.es;luis.fuentes@cimav.edu.mx;
edgarmacias@gmail.com;mfuentes@uach.mx
Maghemite‐like materials containing Fe3+ and Cr3+ in comparable amounts
have been prepared for the firsttime by solution‐combustion synthesis. The
conditions of synthesis, thermal analysis and the magnetic properties are
described.Thesematerialsareferrimagneticandaremuchmorestablethan
pure maghemite since their maghemite‐hematite transformation takes place
at about 700 ºC instead of 300 ºC, as usually reported. These materials
were studied by synchrotron radiation X‐ray diffraction (XRD) and by X‐ray
absorption fine structure (XAFS) of the K‐absorption edge of two elements.
High‐resolution XRD patterns were processed by means of the Rietveld
method. Thus, maghemites were investigated by XAFS in both Fe and Cr K‐
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Pag. 53 O‐10
ONTHEPERFORMANCEOFCERIA‐BASEDCOMPOSITE
MEMBRANES
S.G.PatrícioandF.M.B.Marques
DepartmentofMaterialsandCeramicEngineering/CICECO,Universityof
Aveiro
3810‐193Aveiro,Portugal
Acknowledgments:Thisworkwasdevelopedwithinthescopeoftheproject
CICECO‐Aveiro Institute of Materials (Ref. FCT UID/CTM/50011/2013),
financed by national funds through the FCT/MEC and when appropriate co‐
financedbyFEDERunderthePT2020PartnershipAgreement.SPthanksFCT
for her BPD grant (SFRH/BPD/75943/2011). Funding through the FCT
projectNANOMFC(New‐NDIGO/0001/2013)isalsoappreciated.
Notas / Notes E‐mail:fmarques@ua.pt
Compositeionicmembranesbasedonoxidesandalkalinecarbonatesasionic
conductorstheoreticallyarefullyselectivewithrespecttoCO2separation,due
totheunderlyingdual‐ionictransportmechanism.TheCO2fluxisunderstood
astheresultofcounterflowsofoxideandcarbonateionsinsidethedistinct
membranephases.
Inthiswork,ceria‐basedcompositeelectrolytesrangingfrom70to90vol%
of CGO (Gd‐doped ceria) combined with a eutectic mixture of Na and Li
carbonateswerecarefullyinspectedbyimpedancespectroscopyinair,within
the 200 to 700 ºC range. At high‐intermediate frequencies, at low
temperature, the impedance spectra include specific features related to the
CGObulkandinterfacialcontributions.Anequivalentcircuitmodelbasedon
thecharacteristicsofthedifferentconstituentphasesissuggestedinorderto
assess the oxide‐ion transport within the composite. This also allows the
extrapolation of the low temperature CGO bulk and interfacial impedance to
highertemperatures,closertotypicalmembraneoperatingconditions.Based
on this type of approach, a set of diagnosis tools enables the prediction of
allowed(minimum)andideal(matchingoxideandcarbonateconductivities)
working temperatures and performance for the membranes. Actual
membraneperformanceismappedagainstthesevalues.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 54 O‐11
SÍNTESISHIDROTERMALDEFOSFATODELITIO‐HIERRO
ASISTIDOPORDESCOMPOSICIÓNDEUREA:EFECTODEL
COMPUESTOPRECURSORDELITIO.
L.J.Vasquez‐Elizondoa,J.C.Rendón‐Ángelesa,*,
Z.Matamoros‐Velozab,
J.López‐CuevasandK.Yanagisawa
moderadas(170‐180ºC).LacristalizacióndelaspartículasdeLFPseefectuó
endosetapas,debidoaqueenelinicioseformaroncompuestosdefosfatode
litio y hierro como subproductos. La cristalización del compuesto LFP se
realizó mediante la disolución gradual de los subproductos de reacción a
tiemposmayoresa6h.ElcrecimientodelaspartículasdeLFPsedeterminó
queesafectadoporlosanionesasociadosalprecursordelitio.Estopromovió
ademásdeuncrecimientorápidoylaaglomeracióndecristales,lavariación
delamorfologíadelaspartículas.
Notas / Notes aCINVESTAV‐IPN,UnidadSaltillo,Carr.Saltillo‐MonterreyKm.13.5,Ramos
Arizpe,Coahuila,C.P.5900,México.
bInstitutoTecnológicodeSaltillo,V.Carranza2400,Col.Tecnológico,C.P.
25280,Saltillo,CoahuilaMéxico.
cResearchLaboratoryofHydrothermalChemistry,FacultyofScience,Kochi
University2‐5‐1Akebono‐cho,Kochi780‐8520.
*Email:jcarlos.rendon@cinvestav.edu.mx
El compuesto fosfato de litio hierro es de gran interés para emplearse como
cátodo en las baterías recargables de ion litio, debido a su alta capacidad
teórica y bajo costo. En el sistema Li‐Fe‐PO4‐H2O en condiciones
hidrotérmicas,elempleodeunagentereductorcomoelácidoascórbico,esun
factor crucial para promover cristalización de la fase pura de LiFePO4. En el
presentetrabajo,elcompuestodeLiFePO4(LFP)fuesintetizadomediantela
rutahidrotermalutilizandoureacomoagentereductor.Lasíntesissellevoa
caboadiferentestemperaturas(150–200ºC),portiemposde6hasta24h.
Cuatro precursores químicos del ion litio (LiCl, LiNO3, LiOH y Li2SO4) se
seleccionaron para determinar el efecto de estos en la cristalización del
compuesto LFP. Los productos de reacción se caracterizaron por XRD, FE‐
SEM, FT‐IR. Los resultados mostraron que la cristalización de polvos de
LiFePO4 ocurre a tiempos largos de reacción (12 h) y temperaturas
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 55 O‐12
SÍNTESISYCARACTERIZACIÓNDENUEVOSMATERIALES
CATODICOS‐APLICACIÓNENBATERÍASDEIONLITIO
S.Terny1;M.A.delaRubia2;J.deFrutos2;M.A.Frecheroa1
1INQUISUR–UniversidadNacionaldelSur,DepartamentodeQuímica,Av.
Alem1253,(8000)BahíaBlanca,BuenosAires,Argentina.
2POEMMA‐CEMDATIC.E.T.S.I.Telecomunicación.UPM.Avda.Complutense,
30. 28040.Madrid.España.
difusión del ion Li+. Además, el recubrimiento con fibras nano‐carbonadas
mejoralaconductividadelectrónica,actuandotambiéncomoagentereductor
paraV5+/V3+,comoenelcátodoestudiadoenestetrabajo
Dichosmaterialesseráncaracterizadosestructuralyeléctricamentemediante
EIS,SEM,TEMyespectroscopiaRamanConfocal.
Notas / Notes soledadterny@gmail.com
Existe un creciente interés en desarrollar cátodos de materiales de alta
capacidad para potenciar sistemas a gran escala. Por otra parte, los cátodos
tienen un gran impacto sobre el voltaje de la celda, la cinética de la
transferencia de carga, seguridad y costo. Por consiguiente, el desarrollo de
materialescatódicossehavueltoextremadamenteimportante.
ElLi3V2(PO4)3monoclínicoposeelacapacidadteóricamásgrande(197mAhg‐
1) y es particularmente atractivo debido a la abundancia de recursos,
seguridad y rápida difusión iónica. Dicho material tiene características muy
importantes como estabilidad durante los ciclos, bajo costo cinético,
mejoradascaracterísticasdeseguridadybajoimpactomedioambiental.
Elobjetivodeestetrabajoeslasíntesisycaracterizacióndenuevosmateriales
catódicosparalanuevageneracióndebateríasdeionLitio(LiBs),deformula
general:
/ Donde TM: metaldetransicióny C: recubrimientodecarbono.Eldopadode
losmaterialescatódicosconionesdemetalesdetransición,ion‐doping,esun
método eficiente para mejorar la conducción electrónica intrínseca y la
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 56 O‐13
MODIFICACIÓNMICROESTRUCTURALDEUNELECTRODO
DENiOMEDIANTETÉCNICASCOLOIDALESYSU
INFLUENCIAENLASPROPIEDADESELECTROQUÍMICAS
COMOSUPERCONDENSADOR
Z.González1,B.Ferrari1,A.J.Sanchez‐Herencia1,
A.Caballero2yJ.Morales2
1IttodeCerámicayVidrio.DptoCerámica.C/Kelsen,5.28049.Madrid
2DepartamentodeQuímicaInorgánicaeIngenieríaQuímica.Universidadde
Córdoba.Ctra.NacionalIVKm.396,14014.Córdoba.
En este trabajo, se han recubierto espumas de Ni con nanoplacas de NiO
mediante la técnica de deposición electroforética. Con objeto de mejorar la
respuestaelectroquímicasehanexploradodosrutascoloidalesbasadasenla
modificación microestructural: La primera de ellas ha consistido en la
modificación de la superficie de las nanoplacas por adsorción de
polielectrolitos mediante sistema multicapa con objeto de crear mayor
número de canales de difusión para el contacto directo con la disolución
electrolítica,mientrasquelasegundarutasehabasadoenlasíntesisdirecta
de nanopartículas de Ni sobre nanoplacas de NiO, con el fin de mejorar la
conectividadentrepartículasdesemiconductor.
En ambos casos, se ha evaluado el rendimiento electroquímico de los
electrodosfabricadosentérminosdecapacidadespecífica
Notas / Notes E‐mail:zgonzalez@icv.csic.es
Los supercondensadores son uno de los dispositivos de almacenamiento de
energía más prometedores debido a su elevada densidad de potencia y su
largociclodevida.
Recientemente, se ha propuesto la fabricación de electrodos mediante la
consolidación de nanoestructuras de semiconductores (óxidos metálicos)
libres de carbón y/o aditivos de procesamiento. Entre los semiconductores
cerámicos utilizados, el óxido de níquel (NiO) ha despertado mucho interés
ya que dispone de una elevada capacidad teórica (2.584 F/g), una buena
estabilidadquímicaytérmica,unaaltadisponibilidadyunbajocoste.
Elcomportamientoelectroquímicodeunsupercondensadordependetantode
laspropiedadesintrínsecasdelmaterial(superficieespecífica,mesoporosidad
y/o conductividad electrónica) como del diseño microestructural de sus
electrodos. En este sentido, el procesamiento de las películas cerámicas
mediante técnicas coloidales nos proporciona un mayor control sobre el
conformadodelmaterialempleado.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 57 O‐14
SUSTAINABLEPROCESSINGOFZnONANOSTRUCTURED
ASSEMBLIES
WITHTAILOREDMORPHOLOGY
internal structures of the targeted materials, the thermodynamic and/or
kineticfeaturesinvolvedinthesynthesisandgrowthstagescanbemodulated
undersoftsustainableconditions.
Notas / Notes M.Peiteado1,M.Verde2,J.DeFrutos1,B.Ferrari2,A.C.
Caballero2
1POEMMA‐CEMDATIC,ETSIdeTelecomunicación(UPM),Avda.Complutense
30,28040Madrid,Spain
2InstitutodeCerámicayVidrio(CSIC),C/Kelsen5,28049,Madrid,Spain
E‐mail:marco.peiteado@upm.es
Thepasttwodecadeshaveseenimpressiveprogressinthewaywecanshape,
positionandorganizematteratthenanometerscale.Withrecentadvancesin
depositiontechniques,artificialmultifunctionaldevicesinvolvingoxide‐based
arrays and nanostructures are now fabricated worldwide, continuously
improving the quality of our daily lives. However, this incessant updating is
supported on manufacturing processes entailing sophisticated high‐energy
consumingtechnologiesthatunavoidablyexertaharmfulcontributiontothe
global climates on earth. In this frame, the concept of bio‐inspired soft
solution processing freshly emerges as the sustainable way of processing
advancedmaterials.Inspiredbythenaturalprocessesandtheenergybythem
required, it has superlative benefits like energy saving, simplicity, cost
effectiveness and nor or little waste so, in essence, with an eye on the
environmentally benign conditions and without contributing to the global
warming. Following this approach the work here presented describes the
preparation of controlled arrays of semiconductor ZnO with tailored
morphology and no need for intricate or energy‐consuming techniques. The
key point to successfully attain this goal is that by precisely controlling the
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 58 O‐15
PREPARACIÓNYCARACTERIZACIÓNDECOMPOSITES
BASADOSENZnODOPADOSCONÓXIDODEHIERROY
GRAFENOPARALAMODIFICACIÓNDESUS
PROPIEDADES
V.Fuertes1,J.F.Fernández2yE.Enríquez2
1Dptodemateriales,FacultadC.C.Físicas(UCM),AvendaComplutenses/n
2DptodeElectrocerámica,InstitutodeCerámicayVidrio,C/Kelsen,5.Madrid
preparadocompositesformadosporZnO,grafenoynanopartículasdehierro,
con el objetivo de modificar las propiedades del ZnO, solventando sus
deficiencias y descubriendo nuevas propiedades derivadas de los dopantes.
De este modo, con el grafeno se pretende mejorar las propiedades ópticas,
desplazando el gap hacia longitudes de onda del visible, y reduciendo la
recombinación e‐h. Y con las partículas de hierro se pretende estudiar la
posibilidaddeobteneraplicacionesferromagnéticasenunamatrizdeZnO.
La matriz de ZnO se prepara mediante la tecnología sol‐gel. Se han
preparadoloscompositesdeZnO/GO,ZnO/NPsFeyZnO/GO/NPsenformade
lámina delgada y en polvo para evaluar el efecto en bulk. Se ha estudiado la
microestructura (DRX, SEM y Raman) y las propiedades ópticas
(espectroscopíadeUV‐Vis)ymagnéticas(VSM)deloscomposites.
Notas / Notes E‐mail:esther@icv.csic.es
El óxido de Zinc (ZnO) es un material muy estudiado debido a su
versatilidad para gran cantidad de aplicaciones como células solares,
piezoelétricos, sensores, fotocatálisis, etc. Es un compuesto muy estable
químicamenteytienepropiedadesfotocatalíticasdebidoasugrannúmerode
pares e‐h. Sin embargo, también tiene algunas desventajas: tiene gran
cantidaddedefectosensuestructurarelacionadosconelgapquehacenque
absorba luz en el UV, pero no en el visible, lo que no es favorable para las
aplicaciones ópticas. Además, su velocidad de operación es baja y tiene una
rápida recombinación de los pares e‐h, lo que reduce la actividad
fotocatalítica. Para solventar estos problemas se ha estudiado introducir
dopantesmetálicosqueacelerenlatransferenciadeelectronesyralenticenla
recombinación de los pares e‐h, mejorando sus propiedades. Más
recientemente,sehaestudiadolaadicióndegrafeno(GO),queposeeunaalta
conductividadeléctrica,unaaltamovilidaddeportadoresyunaaltasuperficie
específica,porloqueesmuyreactivoycompatibleconotrosmateriales,yuna
altatransmitanciaóptica(~98%).Portanto,elgrafenocombinadoconelZnO
puede mejorar el transporte de electrones y reducir la recombinación de
parese‐hysemodificarásugapyestructura.Portanto,enestetrabajosehan
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
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NANOFLORESDEZnO:CARACTERIZACIÓNY
APLICACIONES
EvadeLucas‐Gil,FernandoRubio‐MarcosyJoséF.Fernández
Notas / Notes ElectroceramicDepartment,InstitutodeCerámicayVidrio,CSIC,Kelsen5,
28049,Madrid,Spain
E‐mail:elucas@icv.csic.es
El óxido de zinc (ZnO) es un material comercialmente interesante con
múltiplesaplicacionesenlaindustriatalescomocélulassolares,catalizadores,
pigmentos, cosméticos, biosensores, etc. En la actualidad, se está
descubriendo el gran potencial que el ZnO nanométrico presenta gracias al
diseño de estrategias sintéticas capaces de reproducir una gran variedad de
morfologías como hilos, varillas, cintas, etc. En este trabajo mostramos ZnO
nanoestructurado en forma de flores, obtenido a partir de una síntesis por
“química suave”. Los patrones de DRX indican que las nanoflores de ZnO
presentanestructurahexagonal,conuncrecimientopreferentedelcristalen
la dirección [001], lo cual pudo ser confirmado por HR‐TEM. Se evaluaron,
además, los efectos de la temperatura durante los distintos tratamientos
térmicos.EldesarrollodeestasfascinantesestructurasjerarquizadasdeZnO,
asícomolaescalabilidaddelprocesodeobtenciónpuedearrojaralgodeluz
sobreeldesarrollodeunaltoespectrodefuncionalidadesavanzadas.Enbase
a esto, las estructuras presentadas en este trabajo desarrollan una alta
actividadbactericida,asícomounfuertecomportamientoantifúngico.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 60 O‐17
CoSb3PERCOLATEDHIERARCHICHAL
NANOCOMPOSITES:ANEWAPPROACHFORTHE
OPTIMIZATIONOFTHERMOELECTRICMATERIALS
A.Moure1,M.Rull2,B.Abad2,A.DelCampo1,M.Muñoz2,A.
Jacquot3,
J.F.Fernandez1,M.Martin‐Gonzalez2
Notas / Notes 1InstitutodeCerámicayVidrio,CSIC,C/Kelsen,5Madrid28049,Spain.
2InstitutodeMicroelectrónicadeMadrid,CSIC,C/IsaacNewton8.Tres
Cantos,28760Madrid
3Fraunhofer‐IPM,ThermoelectricSystemsdepartment,Heidenhofstraße8,
79110Freiburg,Germany.
Abstract
Nanocomposites with complex architectures play an important role in the
increaseoftheFigureofMeritofthermoelectricmaterials.Thisisduetothe
capabilityofsuchstructurestoseparatethermalandelectricalconductivity,a
difficult task in single phase materials. In this work, a nanocomposite with
complex architecture that combines a high electric conductor phase (CoSb3)
anddifferentscatteringpoints(nano‐oxides)atdifferentscalesareprepared
by a combination of high energy milling in air, to have nanopowders, and
SparkPlasmaSinteringtocompactitatthenanostructurescale.Animportant
reduction of thermal conductivity and a controlled Figure of Merit with ZT
values as high as 1.3 are achieved. This work opens the possibility of the
processingofanewconceptofnanocompositesasthecontrolofelectricaland
thermalconductivitybydifferentpathsleadtoanimportantimprovementof
theFigureofMerit.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 61 O‐18
ENSAYOSDEOBTENCIÓNDENANOPARTÍCULASDE
Y0.9Er0.1VO4yY0.9Er0.1V0.9M0.1O4(conM=CroP).
L.Alcaraz1yJ.Isasi1
1DepartamentodeQuímicaInorgánicaI,UniversidadComplutensedeMadrid,
AvdaComplutenses/n28040,Madrid
E‐mail:isasi@ucm.es
Seexponenenestetrabajolosresultadosobtenidosenlapreparaciónyenla
caracterización estructural y morfológica de ortovanadatos Y0.9Er0.1VO4 y
Y0.9Er0.1V0.9M0.1O4(conM=CroP)cuandoseempleancondicionesdereacción
diferentes.
Referencias
[1]S.Ray,A.Banerjee,P.Pramanik,Mat.Sci.Eng.B,156,2009,10‐17.
[2]R.M.Mohamed,F.A.Harraz,I.A.Mkhalid,J.Alloy.Comp.,532,2012,55‐60.
[3]L.Alcaraz,J.Isasi,M.Fernández,C.Díaz‐Guerra,Mater.Chem.Phys.,2014,18‐26.
Notas / Notes Ciertas investigaciones se han focalizado, a lo largo de los años, hacia la
mejoradelaspropiedadesluminiscentesdefasesdevanadatodeitriodopado
con tierras raras. El objetivo de estos trabajos ha sido el estudio de su
potencial utilización en determinados dispositivos ópticos. La obtención de
fases de este tipo ha hecho necesario el desarrollo de nuevos métodos de
preparación, en el intento de actuar sobre la morfología de las partículas y
conseguirasíunamejoradesuemisiónluminiscente[1].Entreesosmétodos
se incluye la coprecipitación, el ensayo de rutas coloidales, los procesos sol‐
gelolasíntesishidrotermal.
A diferencia de los procesos de síntesis convencionales que requieren altas
temperaturas y largos tiempos de tratamiento y que favorecen, además, el
incremento del tamaño de partícula, los procesos sol‐gel o de síntesis
hidrotermal posibilitan la obtención de fases con tamaño de partícula
controlado, permitiendo la probabilidad de que se produzcan emisiones
espontáneas,loquegeneralmentemejoralaspropiedadesópticasdelasfases
obtenidas [2]. Es conocido que la luminiscencia también puede verse
modificada en función del dopaje efectuado. En este sentido, investigaciones
previas, realizadas en nuestro grupo de investigación, han mostrado
diferenciasenlaemisiónluminiscentecuandoenelYVO4dopadoconeuropio,
elvanadiosesustituyeporcromo[3].
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 62 O‐19
THEREPRESENTATIONOFCOUPLINGINTERACTIONS
INTHEMATERIALPROPERTIESOPENDATABASE
(MPOD)
L.E.Fuentes‐Cobas1,D.Chateigner2,G.Pepponi3,S.
Grazulis4
1CentrodeInvestigaciónenMaterialesAvanzados(CIMAV),MigueldeCervantes
intoaccount.Matrices’elementsandlongitudinalmodulisurfacesarechecked
for consistency with the Neumann Principle. Magnetoelectric axial tensors
introduce exciting features into MPOD. Color‐symmetry and time‐inversion
considerations add complexity and interest to the task of systematizing the
reception, validation and representation of this remarkable coupling
property. The representation of polycrystals’ properties symbolizes a
forthcoming challenge to the MPOD international group. The MPOD
presentationincludesareal‐timedemonstrationofthedatabasepossibilities.
120,ComplejoIndustrialChihuahua,Chihuahua31136,Chih.,Mexico
2Univ.deCaen‐BasseNormandie,UMR6508CRISMAT,F‐14032Caen,France
3MiNALab,CMM‐irst,FondazioneBrunoKessler,38123Povo,Trento,Italy
4DepartmentofMathematicalComputerScience,VilniusUniversity,Faculty
Notas / Notes ofMathematicsandInformatics,Naugarduko24,LT‐03225Vilnius,Lithuania
E-mail: luis.fuentes@cimav.edu.mx; daniel.chateigner@ensicaen.fr;
grazulis@ibt.lt; pepponi@fbk.eu
TheMaterialPropertiesOpenDatabase(MPOD)isafunctionalelementofthe
web‐based open databases system linked with the International Union of
Crystallography (IUCr). MPOD delivers single‐crystal tensor properties in
several representations, ranging from numerical matrices to 3D printing.
Longitudinal moduli surfaces can be displayed in computers as well as in
smart cell phones. MPOD was initiated by D. Chateigner in 2010. Properties
arestoredas“.mpod”files.IUCrformattingstandards(CIF)arefollowed.The
original published paper containing the data is cited. Structural and
experimental information is also registered and linked. The MPOD system
includes a physical properties dictionary with pertinent constitutive
equations.
“Coupling properties”, say piezo‐effects and magnetoelectricity, represent
interactions linking different subsystems in a material. Currently,
piezoelectricity occupies a significant fraction of cases in MPOD. The
implications of crystal symmetry in piezoelectricity are systematically taken
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 63 ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 64 P‐01
PROPIEDADESDESENSORESDEHUMEDADBASADOSEN
PELÍCULASDETiO2OBTENIDASMEDIANTESOL‐GEL
Los resultados muestran un comportamiento decreciente de Z con la
humedadrelativa.Además,lacaracterización afrecuenciasde120Hz,1kHzy
10kHz muestra una componente básicamente capacitiva en Z, observándose
una disminución de Z al aumentar la frecuencia para un mismo valor de
humedad.
A.Crespo‐Durante,S.LarumbeyC.Gomez‐Polo
DepartamentodeFísica&INAMAT,UniversidadPúblicadeNavarra,
CampusdeArrosadía,31006Pamplona,España.
Notas / Notes E‐mail:adrian.crespo@unavarra.es
Enestetrabajosepresentaunestudiosobresensoresdehumedadbasadosen
películas delgadas de óxido de titanio (TiO2). Las películas se obtienen
medianteunprocesosol‐gelpartiendodeladisolucióncoloidalapartirdela
hidrólisisdeisopropóxidodetitanio(TTIP)enpresenciadeácidoacético.
Enprimerlugar,sedepositaron6capasdelgelsobreunsubstratodevidrio
empleando la técnica spin coating, con una velocidad de 3000 rpm y una
duración de 30 segundos. Entre capas, se realizó un proceso de secado a
200ºCalairedurante5minutos.Unavezdepositadaslas6capas,secalcinóa
500ºC durante una hora empleando una rampa de 3ºC/min. La
caracterización estructural de las películas mediante difrección de Rayos X
(Siemens D‐500) muestra la cristalización de TiO2 en fase anatasa. Además,
mediante Microscopía Electrónica de Barrido (Jeol JFM5610‐LV) se observa
quelaspelículaspresentanunasuperficierugosa.
UnavezobtenidaslaspéliculascerámicasdeTiO2seprocedióaldepósitode
los electrodos metálicos de Ag mediante sputtering. La impedancia eléctrica,
Z, del dispositivo se analizó empleando un medidor LCR ( Stanford SR720)
controlando la humedad y la temperatura ambiental mediante una cámara
climática(BinderKBF115).
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 65 P‐02
STRUCTURALANDELECTRICALCHARACTERISATIONOF
BaCe0.2Zr0.7Y0.1O3‐ GemmaHeras‐Juaristi1,AdilsonL.Chinelatto2,
DomingoPérez‐Coll1,
RodolfoO.Fuentes3,GlennC.Mather1
N2/H2:N2/H2OorN2/O2/H2Omixtures.Amodifiedemfmethodologywasalso
employedfordeterminationoftransportnumbersoftheprotonic,oxide‐ionic
andelectronicspeciesinwhichelectrodepolarisationiscorrectedemploying
anactive‐loadprocedure.
Notas / Notes 1InstitutodeCerámicayVidrio,CSIC,Cantoblanco,28049Madrid,Spain
2DepartamentodeEngenhariadeMateriais,UniversidadeEstadualdePonta
Grossa,Av.Gal.CarlosCavalcanti4748,84030‐900,PontaGrossa‐PR,Brazil
3DepartamentodeFísicadelaMateriaCondensada,CAC‐CNEA,Av.Gral.Paz
1499,1650SanMartín,BuenosAires,Argentina
E‐mail:mather@icv.csic.es
The perovskite phase BaCe0.2Zr0.7Y0.1O3‐ (BCZY27) is regarded as having an
optimumB‐site‐cationcompositionforproton‐conductingmembranes,which
bestcompromisestheantagonisticattributesofhighprotonconductivityand
stability. Such membranes find application in protonic ceramic fuel cells,
hydrogenseparatorsandmembranereactors.Wehaveperformedadetailed
investigationofthestructuralandelectricalpropertiesofPechinisynthesized
BCZY27, examining phase fields and transport properties as a function of
temperatureandatmosphere.SynchrotronX‐raydiffractionperformedatthe
LNLS synchrotron source (Brazil) in the temperature range 25‐900 °C
revealedadiscontinuityinthepseudo‐cubiclatticeparameterat~400°Cin
dryair,mostlikelyresultingfromaphasetransitionfromspacegroup R 3 c to
Pm 3 m , as indicated by Rietveld refinement. Impedance spectroscopy was
performed in wet and dry atmospheres of N2, H2:N2, O2 and air in the
temperaturerange200–900°C,andasafunctionofoxygenpartialpressure
(pO2) in the range 10‐23 ≤ pO2 ≤ 100 atm by setting different flow rates of
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 66 P‐03
ANALYSISOFSINGLEANDBINARYPHASESINCERIUM
DOPEDSODIUMBISMUTHTITANATE‐Na0.5Bi0.5TiO3
MATERIALS
Notas / Notes S.Supriya1,2,AntonioJ.Dossantos‐García2,J.deFrutos3
andF.Fernández‐Martinez2
1SchoolofAdvancedSciences,VITUniversity,Vellore–632014,India.
2IndustrialChemistryandPolymersDep.,ETSIDI‐UPM,Madrid‐28012,Spain.
3POEMMA‐CEMDATIC.ETSIT‐UPM.AvdaComplutense30.28040Madrid
Abstract
ThepureNa0.5Bi0.5TiO3‐NBT‐sodiumbismuthtitanateandcerium(Ce)doped
Na0.5Bi(0.5‐x) CexTiO3 (x = 0.05 to 0.15) (NBCT), powders were synthesized by
solid state reaction method. When x= 0.05 of cerium doped NBT is heat
treatedat1200ºC,thecompoundformssingleperovskitephase.Thesamples
ofx=0.10and0.15wereheattreatedupto1350ºC,thebinaryphaseswith
cerium and bismuth oxides were observed. The effect of cerium dopant in
NBTcompoundswereinvestigatedwithpowderX‐raydiffraction(XRD).The
functional groups and optical propeties were analyzed by FT‐IR and
reflectance spectrum respectively. The thermal stability of the samples was
evaluated by differential thermal analysis and differential scanning
caloriemetry(DTAandDSC).Inthisworkwepresentourrecentresultsonthe
synthesis and characterization of Ce doped sodium bismuth titanate
materials.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 67 P‐04
EFFECTOFAgADDITIONSONTHEBi2Ba2Co2Ox
THERMOLECTRICPROPERTIES
J.C.Diez1,Sh.Rasekh1,M.A.Torres1,P.Bosque2,M.A.Madre1y
A.Sotelo1
1
2
afterannealing).Animprovementofthepowerfactoraround50%hasbeen
obtainedforthesesampleswhencomparedwithAgfreeonesinbothcases.
Notas / Notes InstitutodeCienciadeMaterialesdeAragón(CSIC‐Universidadde
Zaragoza),MªdeLuna,3.50018Zaragoza.
CentroUniversitariodelaDefensa,Ctra.deHuescas/n.,50090Zaragoza.
E‐mail:monux@unizar.es
Since 1997, with the discovery of large thermoelectric (TE) properties in
NaxCoO2greateffortshavebeencarriedouttoexplorenewCoOfamilieswith
high TE performances. Following this intense research work, some layered
cobaltites, such as Ca3Co4O9 and Bi2AE2Co2Ox (AE = Sr, Ca and Ba) were also
found to exhibit promising thermoelectric properties. As layered CoO oxides
are materials with a strong crystallographic, electrical, and thermal
anisotropy,apropergrainalignmentandgoodelectricalgrainconnectivityis
necessarytoattainhighTEpropertiesinbulksamples.
Taking into account these previously discussed effects and the fact that Ag
improveselectricalandmechanicalproperties,Bi2Ba2Co2OxTEceramicswith
Agadditions(0,1,3,and5wt.%)havebeensuccessfullygrownfromthemelt,
using the laser floating zone (LFZ) technique. Microstructure has shown the
formationofthermoelectricgrainstogetherwithahighamountofsecondary
phases. The as‐grown samples were annealed in air at 800ºC during 24 h in
ordertodecreasetheamountofsecondaryphases.Thebestgrainorientation
has been obtained in samples with 3 wt.% Ag content, which has shown the
best TE performances, both in the as‐grown condition and in annealed one,
whencomparedwithothercompositionsinthesameconditions(asgrownor
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 68 P‐05
MODELADODETRANSDUCTORESULTRASÓNICOSPARA
FISIOTERAPIA
ElviraIglesias1,2,JosédeFrutos2,
FranciscoMonterodeEspinosa1
1DAEND,ITEFI,CSIC.Serrano144Madrid
2POEMMA‐CEMDATIC,ETSIT‐UPM.AvdaComplutense,30.28040Madrid
Notas / Notes Son bien conocidas las aplicaciones de los ultrasonidos en tratamientos
médicos y estéticos de piel y de movilización subcutánea de tejidos grasos.
Lostransductoresusadostrabajanenfrecuenciasenelentornode1MHzysu
acciónsebasaprimordialmenteenelaumentodetemperaturaenalcasodela
movilizacióndetejidograsoydealgunasdolenciasdelapielydelostejidos
musculares–dolor‐debajodelamisma.
El esquema general de estos transductores es un disco piezoeléctrico
adheridoaunalíneaderetardometálicaenformadecápsula.Eldiseñodela
cápsula es un punto crítico ya que el elemento piezoeléctrico por sí solo, la
capsulaindependientementeylosdoselementosadheridos,presentanmodos
de vibración que si no son estudiados y aprovechados convenientemente
pueden provocar diseños muy ineficientes y con distribuciones de vibración
muy irregulares. Esto último debe ser conocido y controlado para evitar
insonificar en forma no homogénea con distribuciones de presión y de calos
quepodríanserdañinasenciertaspartesdelvolumeninsonificado.
En este trabajo, usando herramientas de Elementos Finitos y de análisis
vibracional por interferometría láser, se ha llegado a una solución de
vibracióntipopistónquepermiteaplicarcorrectamentelasdosisdepresión
acústica,alconocerelcampoacústicoqueseproduce.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 69 P‐06
ESPECTROSCOPÍADEIMPEDANCIADECÉLULASDE
CRISTALLÍQUIDODOPADASCONNANOTUBOSDE
CARBONO
A.García‐García1,R.Vergaz2,J.F.Algorri2,J.M.Otón1yM.
Geday1
LosresultadosmuestranunaclaradependenciadelaposicióndelosNTCen
el medio con el campo eléctrico, llegando incluso a cambiar el
comportamientoeléctricoequivalentedeldispositivodecapacitivo(célulade
cristallíquidosindopar)aunoresistivo(céluladopadaconNTCs).
Notas / Notes 1CEMDATIC,E.T.S.I.Telecomunicación,UniversidadPolitécnicadeMadrid,
Avda.Complutense30,Madrid,E28040,España
2GDAF‐UC3M,DepartamentodeTecnologíaElectrónica,UniversidadCarlosIII
deMadrid,Butarque15,Leganés,E28911,España
E‐mail:amanda.gg@upm.es
Losnanotubosdecarbono(NTC)ysuspropiedadesanisótropaspresentanun
graninterésenlainvestigacióncientíficaactual.Asociadosacristaleslíquidos
(CLs), poseen propiedades eléctricas y electroópticas de gran interés.
Mediante la aplicación de un campo eléctrico, las moléculas que forman los
CLssereorientandebidoasuanisotropíadieléctrica,locualconllevacambios
enlapermitividaddieléctricay en el índicederefracciónen ladirección del
campo eléctrico. Debido a esta propiedad, los CLs pueden usarse en la
elaboración de multitud de dispositivos electroópticos, tanto displays como
dispositivos fotónicos capaces de manipular haces luminosos. El dopado del
CLconNTC alteralaspropiedadesdieléctricasdelosCLsdependiendodela
orientacióndeestasnanopartículas.Lacapacidaddecontrolarlaorientación
delosNTCcuandoestáninmersosenestosmateriales,abriríalaposibilidada
variar las propiedades de los CL a voluntad y con ello desarrollar nuevos
avancesenlosdispositivosfotónicosdeCL.TeniendoencuentaquelosNTC
presentan propiedades eléctricas anisótropas, se ha estudiado su
reorientacióndentrodelmedioCLempleandoespectroscopíadeimpedancia.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 70 P‐07
ONTHECHARACTERIZATIONOFMgO‐PSZ
A.I.B.Rondão1,M.R.Soares2,D.M.Tobaldi1,A.Ferreira3,J.A.
Labrincha1,F.M.B.Marques1
1Dept.ofMaterialsandCeramicEng./CICECO,UniversityofAveiro,3810‐193
Aveiro,Portugal
three phases, we can also expect complex types of microstructures, as
confirmedbySEM(scanningelectronmicroscopy).
Acknowledgement:Thisworkwasdevelopedwithinthescopeoftheproject
CICECO‐Aveiro Institute of Materials (Ref. FCT UID /CTM /50011/2013),
financed by national funds through the FCT/MEC and when appropriate co‐
financed by FEDER under the PT2020 Partnership Agreement. A.I.B. Rondão
thanksFCTforthePhDgrant(SFRH/BDE/52139/2013).
2CentralLab/CICECO,UniversityofAveiro,3810‐193Aveiro,Portugal
3ESTGA/CICECO,UniversityofAveiro,3810‐193Aveiro,Portugal
Notas / Notes E‐mail:fmarques@ua.pt
MgO‐PSZ (MgO doped partially stabilized zirconia) shows excellent fracture
toughness when properly sintered. In this work we present a structural,
microstructuralandelectricalstudyofseveralMgO‐PSZsampleswithsimilar
composition(around8mol%MgO),preparedbysolidstatereactionfromthe
correspondingoxides,withpeaksinteringtemperaturesintheorderof1700
°C,butexperiencingdistinctsinteringprofiles,withvariablecoolingrates.An
attemptismadetouseimpedancespectroscopytoobtainsomeinsightonthe
(electrical)microstructureofdistinctMgO‐PSZmaterials.
TheXRD(x‐raydiffraction)resultsshowedthatcubic(C),tetragonal(T)and
monoclinic (M) phases were present in variable amounts in all sintered
samples,dependingontheexactcoolingconditions.Thesinteredbodieswere
milledinanattempttodeterminethepreciseaverageCcontentconsidering
thattheTtoMphasetransformationismartensiticandcanbeeasilytriggered
bythisprocess.
Impedance spectroscopy showed that phase composition is not the only
criterion in determining the electrical performance of these materials, since
we are dealing with a composite material, where besides the coexistence of
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Pag. 71 P‐08
CONTROLOFTHECOERCIVITYTHROUGHMORPHOLOGY
ANDANIONICDEFECTSinFe/NiOLAYERSDEPOSITEDON
NANOPOROUSAl2O3MEMBRANES
M.Iglesias,1G.Domínguez‐Cañizares,2E.Navarro,1E.Paz,1
D.DíazFernández,2A.Gutiérrez,2L.Soriano,2M.Alonso,1
F.Cebollada,3M.Sánchez‐Agudo,3J.M.Gonzaléz2
andF.J.Palomares1
properties of the antiferromagnetic layer, on the hysteretic behavior of the
ferromagnetic metal/antiferromagnetic oxide, exchange coupled layers are
discussedintermsoftheamount of anionicdefectspresentintheNiOlayer
andofthethelaterallimittothesizeofthelocallycoupledregionsassociated
tothenanoporousmorphology.
Notas / Notes 1IttodeCienciadeMaterialesdeMadrid(ICMM‐CSIC),,E‐28049Madrid,Spain.
2Dpto.FísicaAplicada,Univ.AutónomadeMadrid(UAM),,E‐28049,Madrid,Spain
E‐mail:fcebollada@etsit.upm.es
We analyze in this work the morphological and magnetic properties of two
Au/Fe/NiOseriesofsamplesdepositedontopofeitherSisubstrates(series
1) or on Al2O3 nanoporous membranes. The NiO layers were prepared by
Magnetron Sputtering of a NiO target in an argon‐oxygen atmosphere with
different O2/Ar ratios. The presence of oxygen in the deposition plasma
produces a density of interstitial anionic defects which increases with
increasingoxygenpressure.Felayers(5,10,20nm)andAucappinglayers(5
nm) were deposited by Pulsed Laser Ablation and Molecular Beam Epitaxy,
respectively.AnalysisofthesamplesurfacemorphologybymeansofAtomic
Force Microcopy and Field Emission Scanning Electron Microscopy showed
that a continuous film was formed in series 1 (Si substrate) whereas the
nanoporous morphology of the Al2O3 membranes was preserved in series 2.
The magnetic characterization of the samples was carried out by measuring
the temperature dependence of the hysteresis loops and “zero field cool”‐
“field cool” curves. The influence of the antidot‐type morphology and the
3POEMMA‐CEMDATIC,ETSITelecomunicación,UPM,E‐29040,Madrid,
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UTILIZACIÓNDECERÁMICASPIEZOELÉCTRICASPARALA
DETERMINACIÓNDEMICROGRIETASENMATERIALES
DECONSTRUCCIÓN
E.Menendez1,S.Ruiz2,FJJimenez2,J.deFrutos2
1IETCC‐CSIC.C/SerranoGalvache,428033Madrid(emm@ietcc.csic.es)
2POEMMA‐CEMDATIC.ETSIT‐UPM.Avda.Complutense,30.28040MADRID
Notas / Notes E‐mail:emm@ietcc.csic.es
En este trabajo se estudian diferentes tipos de causas de la degradación de
materiales estructurales, y mediante la utilización de cerámicas
piezoeléctricas, se analiza el tipo, magnitud y distribución de microgrieta
asociado a cada una de ellas. Los resultados se complementan con estudios
adicionales(SEM,EDX,resistenciamecánicaetc)quepermitenrelacionarlas
respuestasdelanálisisnodestructivoqueplanteamosjuntoconelgradoreal
dedeteriorodelmaterial.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 73 P‐10
OPTIMIZACIÓNDEPIEZOELÉCTRICOSCOMERCIALES
PARASUUSOENSISTEMASDEHARVESTING
F.J.JiménezMartínez1,J.deFrutos2,D.Alonso1,M.
VázquezRodríguez1,MCDuro2
Notas / Notes 1Dep.SistemasElectrónicosydeControl,ETSIT‐UPM.Ctra.ValenciaKm
7. 28031Madrid,España.
1,2POEMMA‐CEMDATIC.ETSIT‐UPM.AvdaComplutense,30.28040
Madrid,España.
E‐mail:franciscojavier.jimenez@upm.es
En este trabajo, se caracterizan electromecánicamente materiales
piezoeléctricoscomercialesindividuales,yendiferentesconfiguracionespara
su potencial uso en dispositivos de transformación de energía mecánica en
eléctrica.
A partir de los datos anteriores se plantean modelos optimizados de
almacenamientodedichaenergía,teniendoencuentadosposibilidades.
 captar energía a partir de vibraciones continuas, incluso de baja
intensidad,y
 captarenergíaapartirdeimpactos
Se estudian diferentes configuraciones, y se analiza la viabilidad de los
modelos presentados mediante un banco de pruebas diseñado
específicamenteparaestefin.
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 74 P‐11
INFLUENCIADELARUTADESÍNTESISENLAS
PROPIEDADESFERROELÉCTRICASYPIEZOELÉCTRICAS
DELASOLUCIÓNSÓLIDA94(Bi0.5Na0.5TiO3)‐
6(Ba0.9Ca0.1TiO3)
medidas cuasiestáticas y de resonancia electromecánica y medición del ciclo
ferroeléctrico.
Notas / Notes R.Vivar‐Ocampo1,LPardo2,A.M.González3,andME
Villafuerte‐Castrejón1
1IttodeInvestigacionesenMateriales,UniversidadNacionalAutónomadeMéxico,
CircuitoExteriorS/N,A.P.70‐360,México,D.F.,México.
2InstitutodeCienciadeMaterialesdeMadrid,ICMM‐CSIC,SorJuanaInésdelaCruz,3.
Cantoblanco,28049Madrid,España.
3GrupoPOEMMA,ETSISTelecomunicación,CampusSur,
UniversidadPolitécnicadeMadrid,Ctra.ValenciaKm7,28031Madrid,España.
Lalegislacióneuropeadelas electrocerámicasdemanda materialeslibresde
plomo,conexcelentecomportamientopiezoeléctrico.Paraesto,lascerámicas
basadasenBi0.5Na0.5TiO3(BNT)representanunaalternativa,debidoaqueen
ellas se han observado dichas propiedades en composiciones cercanas a las
fronterasmorfotrópicasformadasconotrassolucionessólidas.
En este reporte, obtuvimos la solución sólida 0.94(Bi0.5Na0.5TiO3)‐
0.06(Ba0.9Ca0.1TiO3) por dos métodos diferentes, con el fin de investigar la
influencia que tiene la ruta de síntesis en las propiedades ferro y
piezoeléctricas;utilizandounarutadesíntesisdequímicasuavealternativaa
la síntesis convencional, observamos cómo las condiciones de síntesis y
sinterización determinan el tamaño de cristal y por ende el proceso de
obtención de las electrocerámicas y sus propiedades. La caracterización
estructural y morfológica se realizó utilizando difracción de rayos X y
microscopia electrónica de barrido; asimismo se realizaron mediciones
experimentales de las propiedades dieléctricas, piezoeléctricas y
ferroeléctricas utilizando las técnicas de espectroscopia de impedancias,
ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 75 P‐12
SAFEDESINGOFCOBALTALUMINATE
NANOSTRUCTURES
Notas / Notes C.A.Docio,J.J.ReinosayJ.F.Fernández
DepartamentoElectrocerámica,InstitutodeCerámicayVidrio(CSIC),C/
Kelsen5,28049,Madrid
carmenma.docio@icv.csic.es
Nanotechnologypromisesnewmaterialsforindustrialapplicationsbyhaving
highyieldandneworenhancedphysic‐chemicalpropertiesthataredifferent
in comparison to their micron‐sized counterparts. However, the potential
exposureofhumansandtheenvironmenttothesematerialsisinevitableand
probably unhealthy. The solution of the harmful collateral effect of
nanotechnology must be addressed by using new safe by design
nanostructuredmicroparticlesinwhichprovidesadvantagesofnanoparticles
wouldbepreserved.
Theaimofthisworkistospineltypenanostructuredsurfaceonmicroparticle
supports. In this sense, nanoparticles of Co3O4 were dispersed onto α‐Al2O3
microparticles by using a dry dispersion method. Further thermal treatment
providesreactionsinteringofananostructuredCoAl2O4layer.
TheobtainedparticleswerecharacterizedbyusingUV‐Visiblespectroscopy,
Colorimetric measurements, Scanning Electron Microscopy, Atomic Force
Microscopy, Light Optical Profile Microscopy, Differential Thermal Analysis‐
ThermogravimetryandX‐RayDiffraction.
Theyieldofthedispersionmethodofthenanoparticleswasevaluated.During
the thermal treatment in air, the Co3O4 is partially reduced to CoO and, and
nucleatedCoAl2O4nanocrystalsatthesurfaceoftheAl2O3microparticles.The
formed nanocrystals are controlled in size by the nucleation site of the
previously dispersed cobalt oxide nanoparticles. The formed nanostructure
showsbrightbluecolour.
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Pag. 76 P‐13
RELAJACIÓNDIELÉCTRICAENFERROELÉCTRICOS
NORMALESATEMPERATURASCRIOGÉNICAS:UNA
NUEVAAPROXIMACIÓN
RafaelLevit1,JulioC.Martínez‐García2,DiegoA.Ochoa1y
JoséE.García1
1DepartamentodeFísicaAplicada,UniversitatPolitècnicadeCatalunya‐
Enestetrabajo,apartirdedatosdedifracciónderayos‐Xdealtaenergía,se
presentaunestudioestructuralydelaestructuradeparedesdedominiosdel
sistema titanato circonato de plomo, en el rango de temperaturas donde se
manifiesta la anomalía dieléctrica. Además, se profundiza en el estudio dela
dinámica de la relajación dieléctrica observada, usando una metodología
independientedemodelosprevios.
Notas / Notes BarcelonaTech,08034Barcelona,España
2AdolpheMerkleInstitute,UniversityofFribourg,CH‐1700Fribourg,
Switzerland
E‐mail:jose.eduardo.garcia@upc.edu
Larespuestadieléctricadeunmaterialferroeléctricoexhibeunaanomalíaen
el entorno de la temperatura de transición ferro‐paraeléctrica, que se
manifiestaenun máximodelafunciónpermitividadversustemperatura. En
losdenominadosferroeléctricosnormales,elmáximodelapermitividadesun
pico agudo que ocurre a una temperatura que es independiente de la
frecuenciadelcampoaplicado.Enlaúltimadécada,unaseriedeestudioshan
reportado la existencia de una segunda anomalía dieléctrica en estos
materiales a bajas temperaturas. Ésta se manifiesta en un pico ancho cuyo
máximo es fuertemente dependiente de la frecuencia. El origen de esta
anomalía dieléctrica, de características similares a la que exhiben los
ferroeléctricosrelajadoresenelentornodesutransiciónferro‐paraeléctrica,
hasidoexplicadoconteoríasdiversasenfuncióndelmaterialestudiado.Seha
especulado con la existencia de distorsiones estructurales, de cambios en la
dinámicadelmovimientodelasparedesdedominio,entreotrasteorías,como
posiblescausasdelarelajacióndieléctricaobservada.
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Pag. 79 ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag. 80 ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 81 ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag. 82 Indice de autores A. C. Caballero, 7, 14, 49, 51 A. Caballero, 7, 14, 57 A. Del Campo, 13, 15, 47, 61 A. Ferreira, 17, 71 A. García, 13, 17, 48, 70 A. García‐García, 17, 70 A. Gutiérrez, 17, 72 A. Jacquot, 15, 61 A. M. González, 13, 17, 46, 75 A. Moure, 15, 61 A. Reyes, 13, 48 A. Robles, 13, 45 A.C. Caballero, 14, 15, 50, 58 A.J. Sanchez‐Herencia, 14, 57 A.J.Pérez‐Rivero, 13, 37 Adilson L. Chinelatto, 17, 66 Antonio J. Dos santos‐García, 17, 67 B. Abad, 15, 61 B. Bernardo‐Maestro, 14, 49 B. Ferrari, 14, 15, 57, 58 Berta Moreno, 14, 28 C. A. Docio, 17, 76 C. Aragó., 14 C. Galassi, 13, 29, 48 C. Gumiel, 14, 50 D. A. Ochoa, 13, 45 ,76
D. Alonso, 17, 74 D. Chateigner, 15, 63 D. Díaz Fernández, 17, 72 D.Pérez‐Mezcua, 13, 37 Domingo Pérez‐Coll, 17, 66 E. Cerdeiras, 13, 45 E. de Lucas‐Gil, 15 E. Enríquez, 15, 59 E. Macías‐Ríos, 14, 53 E. Menendez, 17, 73 E. Mercadelli, 13, 48 E. Morán, 13, 14, 33, 53 E. Navarro, 17, 72 E. Paz, 17, 72 Elena Buixaderas, 15, 30, 42 Elvira Iglesias, 17, 69 Emilio Morán, 15, 31, 43 Enrique Iborra, 13, 23, 34 F. Cebollada, 14, 17, 49, 52, 72 F. Fernández‐Martinez, 17, 67 F. J. Jiménez Martínez, 17, 74 F. M. B. Marques, 7 F. Rubio‐Marcos, 13, 14, 15, 47, 52 F.M.B. Marques, 14, 17, 54, 71 Fernando Calle, 13, 24, 35 FJ Jimenez, 17, 73 F. Montero de Espinosa, 17, 69
G. Domínguez‐Cañizares, 17, 72 G. Pepponi, 15, 63 Gemma Heras‐Juaristi, 17, 66 Glenn C. Mather, 17, 66 I .Bretos, 13 J. C. Diez, 7 J.C. Martínez-García, 76
J. de Frutos, 14, 17, 49, 52, 56, 67, 73, 74 J. De Frutos, 15, 58 J. E. García, 13, 45, 76 J. F. Fernández, 13, 15, 17, 47, 76 J. Isasi, 14, 15, 51, 62 J. J. Reinosa, 17, 76 J. López‐Cuevas, 14, 55 J. M. Gonzaléz, 17, 72 J. Morales, 14, 57 J.C. Rendón‐Ángeles, 14, 55 J.F. Fernandez, 14, 15, 52, 61 J.F. Fernández, 15, 59 J.F. Fernandez Lozano, 14, 52 J.Ricote, 13, 37 Jesús Prado‐Gonjal, 15, 43 José de Frutos, 7, 17, 69 Juan Enrique Page, 14, 27, 39 K. Yanagisawa, 14, 55 K.Brebøl, 13, 48 L Pardo, 17, 75 L. Alcaraz, 15, 62 L. E. Fuentes‐Cobas, 14, 15, 53, 63 L. Mestres, 13, 45 L. Pardo, 7, 13, 46, 48 L. Soriano, 17, 72 L.J. Vasquez‐Elizondo, 14, 55 M. Á. Alario‐Franco, 14, 53 M. A. de la Rubia, 14 M. Alonso, 17, 72 M. E. Fuentes‐Montero, 14, 53 M. E. Montero‐Cabrera, 14, 53 M. E. Villafuerte, 7 M. García‐Guaderrama, 14, 53 M. Iglesias, 17, 72 M. L. Calzada, 7 M. Martin‐Gonzalez, 15, 61 M. Muñoz, 15, 61 M. Peiteado, 14, 15, 49, 50, 58 M. Rull, 15, 61 M. Sánchez‐Agudo, 17, 72 M. Vázquez Rodríguez, 17, 74 M. Verde, 15, 58 M.Á. Alario‐Franco, 13, 33 M.A. de la Rubia, 14, 52 ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
M.A. Frecheroa, 14, 56 M.E. Villafuerte, 13, 46 M.L.Calzada, 13, 37 M.S. Bernardo, 14, 50 Marco de Luca, 15 María Antonia Señarís, 14, 26, 38 MC Duro, 17, 74 O. Toulemonde, 13, 33 P. Arévalo, 14, 51 P. Bosque, 17, 68 P. Marchet, 13, 47 R. Riesco, 14, 49 R. Levit, 76
R. Vergaz, 17, 70 R. Vivar‐Ocampo, 17, 75 R.E. Alonso, 14, 52 R.Jiménez, 13, 37 R.Sirera, 13, 37 Rainer Schmidt, 15, 43 Rodolfo O. Fuentes, 17, 66 S. Grazulis, 15, 63 S. Larumbe y C. Gomez‐Polo, 17, 65 S. Marik, 13, 33 S. Ruiz, 17, 73 S. Supriya, 17, 67 S.A. Barolin, 14, 52 S.G. Patrício, 14, 54 S.Terny, 14, 56 Sh. Rasekh, 17, 68 T. Jardiel, 14, 50 Tomás Palacios, 13, 21 V. Fuertes, 15, 59 Z. González, 14 Z. Matamoros‐Veloza, 14, 55 Pag. 83 ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid
Pag. 84